JP2576495B2 - ドライエツチング装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置の製造に使用するドライエッ
チング装置に関するものである。

〔従来の技術〕

第２図は、従来の円筒形ドライエッチング装置の断面
図である。図において、１は開口部1aを有する反応室、
２は反応室１と真空ポンプＰをつなぐ真空引き配管３を
開閉するバルブ、３は前記真空引き配管、４は反応室１
の開口部1aの扉、５は扉４の反応室１の開口部1aの間の
シールするシール材、６はウェハ6aを載せる石英治具、
７は反応ガス導入管、８は反応ガス導入管７を反応室１
の減圧状態に応じて開閉するバルブである。

次に動作について説明する。

上記装置は、半導体装置の製造過程で、ある材質、例
えば多結晶シリコン膜をエッチングする時、あるいは、
エッチング後に不要になったフォトレジスト膜をアッシ
ング（灰化）する時に、使用する。その時の手順は次の
とおりである。まず、石英治具６に並べられたウェハ6a
を、同治具６とともに反応室１に入れ、扉４を閉じる。
ついで、バルブ２を開き、真空引き配管３を通して真空
引きを開始する。この時、この真空引きにより反応室１
が減圧状態となると、大気圧との差圧により、扉４と反
応室１がシール材５を介して密着する。その後、反応室
１内がある圧力になると、バルブ８が開き、反応ガス導
入管７から反応ガスが反応室１に入る。この状態で高周
波電圧が印加されると、プラズマエッチングあるいはプ
ラズマアッシングされる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来のドライエッチング装置は、以上のように構成さ
れているので、反応室１の真空引き開始直後に、シール
材５と扉４または反応室１との間のすき間から反応室１
に外気が吸い込まれ、これと同時に、外気の塵埃あるい
は熱やプラズマで劣化したシール材５の粉末状の塵埃が
吸い込まれ、ウェハ6aに付着するなどの問題があった。

この発明は、上記のような問題点を解消するためにな
されたのもで、真空引き直後に外気中の塵埃やシール材
の塵埃を反応室に吸い込むおそれがなく、したがって、
これらの塵埃がウェハに付着するのを防止できるドライ
エッチング装置を得ることを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係るドライエッチング装置は、反応室と、
その扉と、扉で閉じた反応室を減圧する第１の真空引き
装置と、反応室または扉の周囲に設け、かつ扉または反
応室で閉じる側室と、閉じられた側室を減圧して扉を反
応室に密着させる第２の真空引き装置とを備えたもので
ある。

〔作用〕

第２の真空引き装置で真空引きして側室を減圧するこ
とによって扉と反応室を密着させる時には、上記真空引
きを開始した直後に、両者のすき間から大気中の塵埃や
シール材の塵埃が側室に吸い込まれる。しかし、第１の
真空引き装置で真空引きして反応室を減圧する時には、
反応室とその扉は、上記第２の真空引き装置によって、
すでにシール材を介して密着し、同反応室は密閉状態に
あるので、真空引きによって大気中の塵埃やシール材の
塵埃が反応室に吸い込まれ、これがウェハに付着するお
それはなくなる。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を第１図によって説明す
る。

図において、１〜８は従来例における同一または相当
部分を示す。このうち、真空引き配管３と、これにつな
がった真空ポンプＰと、配管３のバルブ２とで、実施例
における第１の真空引き装置V₁が構成されている。この
装置V₁は、扉４で閉じた反応室１を減圧するためのもの
である。

９は反応室１の周囲に環状に設けた側室で、扉４でシ
ール材5,15を介して閉じられるようになっている。10は
真空引き配管、11はこの配管10を開閉するバルブ、P₁は
配管10につないだ真空ポンプで、これらが第２の真空引
き装置V₂を構成する。この装置V₂は、扉４で閉じた側室
９を減圧して同扉４を吸引し、これを反応室１の開口部
1aに密着させるためのものである。

12は減圧された側室９を大気圧に戻すために窒素ガス
を導入する配管、13はそのバルブである。

次に作用について説明する。

石英治具６に載せたウェハ6aを同治具６とともに反応
室１に入れ、扉４を閉める。ついで、バルブ11を開き、
真空引き配管10を通して真空引きを開始する。この真空
引きにより側室９が減圧状態になると、扉４が吸引さ
れ、扉４と反応室１がシール材5,15を介して密着する。
この時、減圧開始直後にシール材5,15と扉４または反応
室１とのすき間から大気中の塵埃や劣化したシール材5,
15の塵埃が側室９に吸い込まれるが、反応室１には入ら
ない。

扉４と反応室１がシール材５を介して十分密着したと
ころで、バルブ２を開けて真空ポンプＰにより反応室１
を減圧する。この時、扉４と反応室１は、あらかじめシ
ール材５を介して十分密着させてあるため、反応室１を
真空引きする時には、扉４とシール材5,15または反応室
１との間には最早すき間はなく、大気中の塵埃やシール
材5,15の塵埃を吸い込むことは殆んどなくなる。その後
のエッチングまたはアッシングは、従来と同じである。

エッチング（アッシング）終了後、扉４を開ける時
は、反応室１が大気圧に戻ってからバルブ13を開け、窒
素ガスを配管12に通して側室９に導入することによりそ
の中を大気圧を戻す。

上述のように、この実施例においては、側室９の真空
引き開始直後に大気中の塵埃やシール材５の塵埃が側室
９に吸い込まれる。しかし、反応室１を真空引きして減
圧する時には、反応室１は扉４によってすでに密閉され
ているので、真空引きによって大気中の塵埃やシール材
５の塵埃が反応室１に吸い込まれるおそれはない。この
ため、これらの塵埃が反応室１内のウェハに付着するお
それはない。

なお、上記実施例では側室９を反応室１に設けたが、
扉９に設けても、同様の効果を奏する。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、反応室を減圧する
ために第１の真空引き装置を使用し、反応室とその扉を
密着させるための側室の減圧に第２の真空引き装置を使
用するようにしたので、外気中の塵埃やシール材の塵埃
を反応室に吸い込むおそれがなく、したがって、これら
の塵埃がウェハに付着するのを防止できる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例によるドライエッチング装
置を示す断面図、第２図は従来のドライエッチング装置
を示す断面図である。 図において、１は反応室、2,11はバルブ、3,10は真空引
き配管、４は扉、5,15はシール材、６は石英治具、6aは
ウェハ、９は側室である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】反応室と、その扉と、扉で閉じた反応室を
   減圧する第１の真空引き装置と、反応室または扉の周囲
   に設け、かつ扉または反応室で閉じる側室と、閉じられ
   た側室を減圧して扉を反応室に密着させる第２の真空引
   き装置とを備えたドライエッチング装置。