JPS648464B2 - - Google Patents
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- JPS648464B2 JPS648464B2 JP16153379A JP16153379A JPS648464B2 JP S648464 B2 JPS648464 B2 JP S648464B2 JP 16153379 A JP16153379 A JP 16153379A JP 16153379 A JP16153379 A JP 16153379A JP S648464 B2 JPS648464 B2 JP S648464B2
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造過程で行なわれるプ
ラズマエツチング、蒸着等の処理方法に関するも
のである。
ラズマエツチング、蒸着等の処理方法に関するも
のである。
例えば、半導体装置の製造過程の一つとして行
なわれるプラズマエツチングは、ウエーハの表面
に形成したポリシリコンやナイトライドの膜をプ
ラズマ（フレオンプラズマ）を用いてエツチング
するものであり、このエツチング作用は真空或い
はCF4ガス等を少量充填した略真空状態のチヤン
バ内において行なわれる。
なわれるプラズマエツチングは、ウエーハの表面
に形成したポリシリコンやナイトライドの膜をプ
ラズマ（フレオンプラズマ）を用いてエツチング
するものであり、このエツチング作用は真空或い
はCF4ガス等を少量充填した略真空状態のチヤン
バ内において行なわれる。
第１図は、このプラズマエツチングを行なうた
めの従来装置であり、図外の上下動機構にて上下
動されるステージ１上に被処理物であるウエーハ
２を置き、ステージ１を上動したときに逆カツプ
状に形成したチヤンバ３の下側開口３ａを閉塞し
てウエーハ２を密封空間内にセツトするようにな
つている。このチヤンバ３内にはプラズマを生成
する一対の同心円筒状電極４，４′を配設する一
方、チヤンバ内の空気をチヤンバ外に排出する排
気管５を連通開口している。この排気管５は真空
ポンプ６に接続すると共に、その一部は三方切換
弁７を介装したリーク管８を接続している。９は
処理ガスをチヤンバ内に流入させるガス管であ
り、バルブ１０を介してガス源１１に接続してい
る。また、１２はシールリングである。
めの従来装置であり、図外の上下動機構にて上下
動されるステージ１上に被処理物であるウエーハ
２を置き、ステージ１を上動したときに逆カツプ
状に形成したチヤンバ３の下側開口３ａを閉塞し
てウエーハ２を密封空間内にセツトするようにな
つている。このチヤンバ３内にはプラズマを生成
する一対の同心円筒状電極４，４′を配設する一
方、チヤンバ内の空気をチヤンバ外に排出する排
気管５を連通開口している。この排気管５は真空
ポンプ６に接続すると共に、その一部は三方切換
弁７を介装したリーク管８を接続している。９は
処理ガスをチヤンバ内に流入させるガス管であ
り、バルブ１０を介してガス源１１に接続してい
る。また、１２はシールリングである。
したがつて、この装置では、ステージ１を上動
してチヤンバ３内を密封した後に真空ポンプ６を
作動してチヤンバ３内を真空状態とし、一方ガス
管９を通して適宜のガスをチヤンバ３内に充填し
た後に電極４，４′間での放電を行なつてプラズ
マを生成し、ウエーハ２のエツチングを行なう。
エツチングの完了後には開閉バルブ７を開放して
チヤンバ３内に空気をリークさせ、真空状態を解
消してウエーハ２の取出し（ステージの下動）を
可能にしているのである。
してチヤンバ３内を密封した後に真空ポンプ６を
作動してチヤンバ３内を真空状態とし、一方ガス
管９を通して適宜のガスをチヤンバ３内に充填し
た後に電極４，４′間での放電を行なつてプラズ
マを生成し、ウエーハ２のエツチングを行なう。
エツチングの完了後には開閉バルブ７を開放して
チヤンバ３内に空気をリークさせ、真空状態を解
消してウエーハ２の取出し（ステージの下動）を
可能にしているのである。
しかしながらこのような従来の装置を用いた処
理法では、チヤンバ内の排気とリークとを同一の
管路を利用しているため、チヤンバ内に存在する
ウエーハの破片やエツチング後の生成物等が、排
気時に空気と共に吸引されて排気管５内壁に付着
すると、リーク時にこの内壁に沿つて逆方向に流
れるリーク空気によつて前記破片が再度チヤンバ
内に飛散されることがある。このような現象が生
じると、破片がウエーハ上に付着し、ウエーハを
損傷するなどのおそれがある。
理法では、チヤンバ内の排気とリークとを同一の
管路を利用しているため、チヤンバ内に存在する
ウエーハの破片やエツチング後の生成物等が、排
気時に空気と共に吸引されて排気管５内壁に付着
すると、リーク時にこの内壁に沿つて逆方向に流
れるリーク空気によつて前記破片が再度チヤンバ
内に飛散されることがある。このような現象が生
じると、破片がウエーハ上に付着し、ウエーハを
損傷するなどのおそれがある。
このような不具合は、同様の装置構成である蒸
着装置を用いた場においても起り得ている。
着装置を用いた場においても起り得ている。
したがつて本発明の目的はリーク作用によつて
も排気管等に付着した破片がチヤンバ内に飛散さ
れることがなく、ウエーハ等の被処理物への破片
の付着を防止することができる真空処理方法を提
供することにある。
も排気管等に付着した破片がチヤンバ内に飛散さ
れることがなく、ウエーハ等の被処理物への破片
の付着を防止することができる真空処理方法を提
供することにある。
この目的を達成するための本発明の要旨は、チ
ヤンバ内を略真空状態にして前記チヤンバ内に収
納された被処理物の処理を行ない、その後前記チ
ヤンバ内に空気を導入して前記チヤンバ内の真空
状態を解消する真空処理方法において、前記チヤ
ンバ内の真空状態解消時チヤンバ内への空気導入
は、前記チヤンバ内を略真空状態にするための前
記チヤンバ内空気の排気とは別個の通路を通して
前記チヤンバ内に空気を導入するようにしたこと
を特徴とする真空処理方法にある。
ヤンバ内を略真空状態にして前記チヤンバ内に収
納された被処理物の処理を行ない、その後前記チ
ヤンバ内に空気を導入して前記チヤンバ内の真空
状態を解消する真空処理方法において、前記チヤ
ンバ内の真空状態解消時チヤンバ内への空気導入
は、前記チヤンバ内を略真空状態にするための前
記チヤンバ内空気の排気とは別個の通路を通して
前記チヤンバ内に空気を導入するようにしたこと
を特徴とする真空処理方法にある。
以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明す
る。
る。
第２図は本発明の処理方法を実施するために用
いられるプラズマエツチング装置を示した図であ
る。１は図外の上下動機構によつて上下動可能な
ステージであり、その上面には被処理物（エツチ
ング物）であるウエーハ２を載置する。３はこの
ステージ１が上動したときに下側開口３ａを封止
されて内部に密封空間を形成する逆カツプ状のチ
ヤンバであり、図外の支枠に固定している。この
チヤンバ３内にはプラズマ生成用の一対の同心円
筒状電極４，４′を内装している。また、チヤン
バ３の上底にはチヤンバ３内部の空気をチヤンバ
外に排出する排気管５を開口連通し、真空ポンプ
６に接続している。一方、チヤンバ３の下側近傍
にはCF4ガス等の処理ガスをチヤンバ内に流入さ
せるためのガス導入管９Ａを開口連通し、ガス源
１１に接続している。そして、本実施例では、こ
のガス導入管９Ａの途中に開閉弁１３を介装し、
ガス導入管９Ａを大気開放管１５に連通して大気
（チヤンバ外）に開放させるリーク管として兼用
するようになつている。１２はシール部材であ
る。
いられるプラズマエツチング装置を示した図であ
る。１は図外の上下動機構によつて上下動可能な
ステージであり、その上面には被処理物（エツチ
ング物）であるウエーハ２を載置する。３はこの
ステージ１が上動したときに下側開口３ａを封止
されて内部に密封空間を形成する逆カツプ状のチ
ヤンバであり、図外の支枠に固定している。この
チヤンバ３内にはプラズマ生成用の一対の同心円
筒状電極４，４′を内装している。また、チヤン
バ３の上底にはチヤンバ３内部の空気をチヤンバ
外に排出する排気管５を開口連通し、真空ポンプ
６に接続している。一方、チヤンバ３の下側近傍
にはCF4ガス等の処理ガスをチヤンバ内に流入さ
せるためのガス導入管９Ａを開口連通し、ガス源
１１に接続している。そして、本実施例では、こ
のガス導入管９Ａの途中に開閉弁１３を介装し、
ガス導入管９Ａを大気開放管１５に連通して大気
（チヤンバ外）に開放させるリーク管として兼用
するようになつている。１２はシール部材であ
る。
以上の構成の装置を用いた本発明の方法によれ
ば、ステージ１を上動することによりシール部材
１２の作用によつてチヤンバ３の下側開口３ａを
封止し、チヤンバ３内に密封空間を形成する。そ
して、開閉弁７Ａを開き、真空ポンプ６を作動す
れば、チヤンバ内の空気は排気管５を通してチヤ
ンバ３外へ排出され、チヤンバ３内は真空或いは
略真空状態とされる。プラズマエツチングの場合
には、通常10-3mmHg程度とする。
ば、ステージ１を上動することによりシール部材
１２の作用によつてチヤンバ３の下側開口３ａを
封止し、チヤンバ３内に密封空間を形成する。そ
して、開閉弁７Ａを開き、真空ポンプ６を作動す
れば、チヤンバ内の空気は排気管５を通してチヤ
ンバ３外へ排出され、チヤンバ３内は真空或いは
略真空状態とされる。プラズマエツチングの場合
には、通常10-3mmHg程度とする。
この状態で、或いは開閉弁１３を作動してガス
導入管９Ａをガス源１１に連通し、若干のガスを
チヤンバ内に流入した状態で電極４，４′間に電
圧を印加すれば、プラズマが生成され、ウエーハ
２表面に形成したポリシリコンやナイトライドの
膜をエツチングする。
導入管９Ａをガス源１１に連通し、若干のガスを
チヤンバ内に流入した状態で電極４，４′間に電
圧を印加すれば、プラズマが生成され、ウエーハ
２表面に形成したポリシリコンやナイトライドの
膜をエツチングする。
そして、エツチングの完了後には、開閉弁７
Ａ，１０を閉じ、開閉弁１３を作動して今度はガ
ス導入管９Ａを大気に連通させることにより、ガ
ス導入管９Ａを通して空気がチヤンバ３内に流入
し、チヤンバ内の真空状態を解消する。したがつ
て、ステージ１の上下面での圧力差がなくなり、
ステージの下動が可能となるのである。
Ａ，１０を閉じ、開閉弁１３を作動して今度はガ
ス導入管９Ａを大気に連通させることにより、ガ
ス導入管９Ａを通して空気がチヤンバ３内に流入
し、チヤンバ内の真空状態を解消する。したがつ
て、ステージ１の上下面での圧力差がなくなり、
ステージの下動が可能となるのである。
ここで、この実施例の空気の移動についてみる
と、空気排出時には空気は排気管５を通るためウ
エーハの破片等は排気管内壁に付着するが、リー
ク時にはガス導入管９Ａを通して空気がチヤンバ
内に流入するため、リーク時には排気管内を空気
が流れることはなく、したがつて従来のように排
気管内壁に付着した破片等がウエーハ等の上に飛
散して付着することを防止することができる。
と、空気排出時には空気は排気管５を通るためウ
エーハの破片等は排気管内壁に付着するが、リー
ク時にはガス導入管９Ａを通して空気がチヤンバ
内に流入するため、リーク時には排気管内を空気
が流れることはなく、したがつて従来のように排
気管内壁に付着した破片等がウエーハ等の上に飛
散して付着することを防止することができる。
この結果、例えば次工程におけるイオン打込み
時に、異物の付着によるイオン打込み防害を防止
し、半導体装置の製造歩留を向上することができ
る。
時に、異物の付着によるイオン打込み防害を防止
し、半導体装置の製造歩留を向上することができ
る。
尚、リーク管としては、第２図に仮想線で示す
ように、開閉弁１４を介装した大気開放管１５Ａ
をチヤンバ３の他側に独立して開口連通するよう
にしてもよいのである。
ように、開閉弁１４を介装した大気開放管１５Ａ
をチヤンバ３の他側に独立して開口連通するよう
にしてもよいのである。
また、本発明は第３図に示すように、横置式チ
ヤンバの装置においても同様に実施できる。図
中、第２図と同一若しくは均等な部分には同一符
号を付している。
ヤンバの装置においても同様に実施できる。図
中、第２図と同一若しくは均等な部分には同一符
号を付している。
更に、前記実施例はエツチング装置で例示して
いるが、蒸着装置等の他の真空処理用装置にも同
様に実施することができる。
いるが、蒸着装置等の他の真空処理用装置にも同
様に実施することができる。
以上のように本発明によれば、排気管とリーク
管とを独立して設けているので、排気時に排気管
に付着した異物がリーク時に飛散されることは防
止でき、被処理物への異物の付着を防止して半導
体装置の製造歩留を向上することができるという
効果を奏する。
管とを独立して設けているので、排気時に排気管
に付着した異物がリーク時に飛散されることは防
止でき、被処理物への異物の付着を防止して半導
体装置の製造歩留を向上することができるという
効果を奏する。
第１図は従来の装置の断面図、第２図は本発明
の装置の模式的な斜視図、第３図は他の実施例の
断面図である。 １……ステージ、２……ウエーハ、３……チヤ
ンバ、４……電極、５……排気管、６……真空ポ
ンプ、９，９Ａ……ガス導入管、１１……ガス
源、１３……開閉弁、１４……開閉弁、１５……
大気開放管、Ｘ……破片等。
の装置の模式的な斜視図、第３図は他の実施例の
断面図である。 １……ステージ、２……ウエーハ、３……チヤ
ンバ、４……電極、５……排気管、６……真空ポ
ンプ、９，９Ａ……ガス導入管、１１……ガス
源、１３……開閉弁、１４……開閉弁、１５……
大気開放管、Ｘ……破片等。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ チヤンバ内を略真空状態にして前記チヤンバ
内に収納された被処理物の処理を行ない、その後
前記チヤンバ内に空気を導入して前記チヤンバ内
の真空状態を解消する真空処理方法において、前
記チヤンバ内の真空状態解消時チヤンバ内への空
気導入は、前記チヤンバ内を略真空状態にするた
めの前記チヤンバ内空気の排気とは別個の通路を
通して前記チヤンバ内に空気を導入するようにし
たことを特徴とする真空処理方法。 ２ 前記チヤンバ内への空気導入のための通路の
一部を前記チヤンバ内に充填する処理ガスの導入
路として用いることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の真空処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16153379A JPS5685826A (en) | 1979-12-14 | 1979-12-14 | Vacuum treatment device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16153379A JPS5685826A (en) | 1979-12-14 | 1979-12-14 | Vacuum treatment device |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP459590A Division JPH02224237A (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 真空処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5685826A JPS5685826A (en) | 1981-07-13 |
| JPS648464B2 true JPS648464B2 (ja) | 1989-02-14 |
Family
ID=15736897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16153379A Granted JPS5685826A (en) | 1979-12-14 | 1979-12-14 | Vacuum treatment device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5685826A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0431652U (ja) * | 1990-07-11 | 1992-03-13 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59154025A (ja) * | 1983-02-23 | 1984-09-03 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置反応室のリ−ク方法 |
| JPS60227421A (ja) * | 1985-04-05 | 1985-11-12 | Hitachi Ltd | 真空容器 |
| JPH02224237A (ja) * | 1990-01-16 | 1990-09-06 | Hitachi Ltd | 真空処理方法 |
| JP2728766B2 (ja) * | 1990-07-18 | 1998-03-18 | 株式会社東芝 | 半導体の処理方法およびその装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS565574B2 (ja) * | 1973-05-07 | 1981-02-05 | ||
| JPS5339745A (en) * | 1976-09-22 | 1978-04-11 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Formation of pigment image |
-
1979
- 1979-12-14 JP JP16153379A patent/JPS5685826A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0431652U (ja) * | 1990-07-11 | 1992-03-13 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5685826A (en) | 1981-07-13 |
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