JP2880726B2 - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JP2880726B2 JP2880726B2 JP1115701A JP11570189A JP2880726B2 JP 2880726 B2 JP2880726 B2 JP 2880726B2 JP 1115701 A JP1115701 A JP 1115701A JP 11570189 A JP11570189 A JP 11570189A JP 2880726 B2 JP2880726 B2 JP 2880726B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- valve
- exhaust pipe
- processing chamber
- device manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造装置に関する。
半導体装置の製造に用いられるドライエッチング装置
や減圧CVD装置は、真空処理室と排気ポンプとを接続す
る排気管の途中に設けられた遮断バルブを閉じることに
より、真空処理室と排気ポンプとを遮断し、次でN2ガス
等を導入させて処理室を真空状態から大気圧に戻してい
た。
や減圧CVD装置は、真空処理室と排気ポンプとを接続す
る排気管の途中に設けられた遮断バルブを閉じることに
より、真空処理室と排気ポンプとを遮断し、次でN2ガス
等を導入させて処理室を真空状態から大気圧に戻してい
た。
しかしながら、上述した従来の半導体装置の製造装置
の構造では、真空処理室を真空状態から大気圧に戻す際
に、排気管内に蓄積された種々のごみの粒子等が真空処
理室内に吹き戻されて浮遊して半導体基板表面に付着す
るため、半導体装置の歩留りを低下させるという欠点が
あった。
の構造では、真空処理室を真空状態から大気圧に戻す際
に、排気管内に蓄積された種々のごみの粒子等が真空処
理室内に吹き戻されて浮遊して半導体基板表面に付着す
るため、半導体装置の歩留りを低下させるという欠点が
あった。
本発明の半導体装置の製造装置は、真空処理室と排気
ポンプとを接続する排気管の途中に遮断バルブを有する
半導体装置の製造装置において、前記真空処理室と排気
管の接合部に第2の遮断バルブを設けたものである。
ポンプとを接続する排気管の途中に遮断バルブを有する
半導体装置の製造装置において、前記真空処理室と排気
管の接合部に第2の遮断バルブを設けたものである。
第1図は本発明の第1の実施例の断面図である。
リーク用N2ガス導入口2を持ち半導体基板7を入れる
真空処理室としての炉芯管1は、排気管3により排気ポ
ンプ5に接続されている。そしてこの排気管3には、真
空排気を遮断するバルブ4の外に炉芯管との接合部に第
2の遮断バルブ6が設けられている。
真空処理室としての炉芯管1は、排気管3により排気ポ
ンプ5に接続されている。そしてこの排気管3には、真
空排気を遮断するバルブ4の外に炉芯管との接合部に第
2の遮断バルブ6が設けられている。
このように構成された第1の実施例においては、炉芯
管1内を大気圧に戻す場合、真空排気を遮断する遮断バ
ルブ4を閉じ、同時に炉芯管1と接合する第2の遮断バ
ルブ6を閉じることにより、リーク用N2ガスがごみの蓄
積された排気管3内に入ることが防止されるため、排気
管3内のごみが炉芯管に入り半導体基板7に付着するこ
とはなくなる。
管1内を大気圧に戻す場合、真空排気を遮断する遮断バ
ルブ4を閉じ、同時に炉芯管1と接合する第2の遮断バ
ルブ6を閉じることにより、リーク用N2ガスがごみの蓄
積された排気管3内に入ることが防止されるため、排気
管3内のごみが炉芯管に入り半導体基板7に付着するこ
とはなくなる。
第2図は本発明の第2の実施例の断面図であり、本発
明をドライエッチング装置に適用した場合を示してい
る。
明をドライエッチング装置に適用した場合を示してい
る。
リーク用N2ガス導入口2を持つエッチング室8と排気
ポンプ5とをつなぐ排気管3は真空排気を遮断するバル
ブ4を持ち、さらにエッチング室1との接合部に第2の
遮断バルブ6が設けられている。
ポンプ5とをつなぐ排気管3は真空排気を遮断するバル
ブ4を持ち、さらにエッチング室1との接合部に第2の
遮断バルブ6が設けられている。
このように構成された第2の実施例においては、エッ
チング室8を大気圧に戻す場合、真空排気を遮断するバ
ルブ4を閉じ同時にエッチング室8と接合する第2の遮
断バルブ6を閉じることにより、リーク用N2ガスがごみ
の蓄積された排気管3内に入ることが防止されるため、
第1の実施例と同様に電極9に支持された半導体基板の
排気管内のごみによる汚染は防止される。
チング室8を大気圧に戻す場合、真空排気を遮断するバ
ルブ4を閉じ同時にエッチング室8と接合する第2の遮
断バルブ6を閉じることにより、リーク用N2ガスがごみ
の蓄積された排気管3内に入ることが防止されるため、
第1の実施例と同様に電極9に支持された半導体基板の
排気管内のごみによる汚染は防止される。
以上説明したように本発明は、真空処理室と排気管の
接合部に第2の遮断用バルブを設けることにより、真空
状態の処理室内を大気圧に戻す時に、真空排気を遮断す
るバルブと同時にこの第2の遮断バルブを閉じることに
より、リーク用のN2等のガスがごみの蓄積された排気管
内に入り、ごみを巻き上げることを防止出来る。このた
め、歩留り低下の原因となる半導体基板表面へのごみの
付着を防止出来ると共に、後工程へのごみの持ち込みに
よる2次汚染を防ぐことが出来る。従って半導体装置の
歩留りを向上させることが出来る。
接合部に第2の遮断用バルブを設けることにより、真空
状態の処理室内を大気圧に戻す時に、真空排気を遮断す
るバルブと同時にこの第2の遮断バルブを閉じることに
より、リーク用のN2等のガスがごみの蓄積された排気管
内に入り、ごみを巻き上げることを防止出来る。このた
め、歩留り低下の原因となる半導体基板表面へのごみの
付着を防止出来ると共に、後工程へのごみの持ち込みに
よる2次汚染を防ぐことが出来る。従って半導体装置の
歩留りを向上させることが出来る。
第1図及び第2図は本発明の第1及び第2の実施例の断
面図である。 1……炉芯管、2……リーク用N2導入口、3……排気
管、4遮断バルブ、5……排気ポンプ、6……第2の遮
断バルブ、7……半導体基板、8……エッチング室、9
A,9B……電極。
面図である。 1……炉芯管、2……リーク用N2導入口、3……排気
管、4遮断バルブ、5……排気ポンプ、6……第2の遮
断バルブ、7……半導体基板、8……エッチング室、9
A,9B……電極。
Claims (1)
- 【請求項1】真空処理室と排気ポンプとを接続する排気
管の途中に遮断バルブを有する半導体装置の製造装置に
おいて、前記真空処理室と前記排気管の接合部に第2の
遮断バルブを設けたことを特徴とする半導体装置の製造
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1115701A JP2880726B2 (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1115701A JP2880726B2 (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02294028A JPH02294028A (ja) | 1990-12-05 |
JP2880726B2 true JP2880726B2 (ja) | 1999-04-12 |
Family
ID=14669090
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1115701A Expired - Lifetime JP2880726B2 (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2880726B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61100926A (ja) * | 1984-10-23 | 1986-05-19 | Tokuda Seisakusho Ltd | プラズマcvd装置 |
JPS61124125A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-11 | Tokuda Seisakusho Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1989
- 1989-05-08 JP JP1115701A patent/JP2880726B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02294028A (ja) | 1990-12-05 |
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