JPS61124125A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS61124125A JPS61124125A JP24525684A JP24525684A JPS61124125A JP S61124125 A JPS61124125 A JP S61124125A JP 24525684 A JP24525684 A JP 24525684A JP 24525684 A JP24525684 A JP 24525684A JP S61124125 A JPS61124125 A JP S61124125A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- plasma
- vacuum
- tube
- pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45557—Pulsed pressure or control pressure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はプラズマ処理装置に係り、特に真空容器内でガ
スプラズマを用いて被処理物の表面処理を行なうプラズ
マ処理装置に関する。
スプラズマを用いて被処理物の表面処理を行なうプラズ
マ処理装置に関する。
従来のプラズマ処理装置は、真空容器に被処理ガスを導
入するガス導入管を接続するとともに、真空排気装置を
接続し、上記ガス導入管の中途部には、プラズマ発生装
置が介設されている。
入するガス導入管を接続するとともに、真空排気装置を
接続し、上記ガス導入管の中途部には、プラズマ発生装
置が介設されている。
そして、上記真空容器の内部に被処理物を配置し、上記
真空容器内を上記真空排気装置により真空排気した後、
上記ガス導入管を通りプラズマ発生装置を介して真空容
器に送られるガスプラズマにより、上記被処理物の表面
処理を行なうようになされる。
真空容器内を上記真空排気装置により真空排気した後、
上記ガス導入管を通りプラズマ発生装置を介して真空容
器に送られるガスプラズマにより、上記被処理物の表面
処理を行なうようになされる。
しかし、上記のような装置においては、真空容器の真空
排気を行なった後にガス導入管からガスを送り真空容器
内を所定圧力のガス雰囲気とするが、上記ガス導入管は
、被処理物の表面処理を行なう際のガスプラズマ流量を
微調節する必要上、ガス流量が少ないため、上述の所定
圧力までガスを導入する工程に多くの時間が必要となる
という欠点を有している。また、上記ガスプラズマの枡
気は、真空排気装置により行なわれるため、排気量の微
調節を行なうことができず、真空容器内のガス圧力を一
定に保つことができないという欠点をも有している。
排気を行なった後にガス導入管からガスを送り真空容器
内を所定圧力のガス雰囲気とするが、上記ガス導入管は
、被処理物の表面処理を行なう際のガスプラズマ流量を
微調節する必要上、ガス流量が少ないため、上述の所定
圧力までガスを導入する工程に多くの時間が必要となる
という欠点を有している。また、上記ガスプラズマの枡
気は、真空排気装置により行なわれるため、排気量の微
調節を行なうことができず、真空容器内のガス圧力を一
定に保つことができないという欠点をも有している。
（発明の目的〕
本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、ガス導入
工程を短時間で行なうことができ、かつ、ガス圧力の微
調節を行なうことのできるプラズマ処理装置を提供する
ことを目的どするものである。
工程を短時間で行なうことができ、かつ、ガス圧力の微
調節を行なうことのできるプラズマ処理装置を提供する
ことを目的どするものである。
上記目的達成のため本発明に係るプラズマ処理装置は、
真空容器内に固定された被処理物をガスプラズマにより
表面処理するプラズマ処理装置において、中途部にプラ
ズマ発生装置を有し上記真空容器１にガスプラズマを送
るガス導入管および上記真空容器内のガスプラズマを排
出し流量調節用のニードル弁を有するガス排出管をそれ
ぞれ設番ノ、上記ガス導入管に該管の一部をバイパスＪ
゛る大流量管を接続するとともに、上記ガス排出管の一
端部を上記真空容器を排気する真空排気装置に接続した
ことをその特徴と１−るものである。
真空容器内に固定された被処理物をガスプラズマにより
表面処理するプラズマ処理装置において、中途部にプラ
ズマ発生装置を有し上記真空容器１にガスプラズマを送
るガス導入管および上記真空容器内のガスプラズマを排
出し流量調節用のニードル弁を有するガス排出管をそれ
ぞれ設番ノ、上記ガス導入管に該管の一部をバイパスＪ
゛る大流量管を接続するとともに、上記ガス排出管の一
端部を上記真空容器を排気する真空排気装置に接続した
ことをその特徴と１−るものである。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
図面は本発明に係るプラズマ処理装置の一実施例を示し
たもので、真空容器１の内部には、被処理物２が配置さ
れており、上記真空容器１の上面および下面をそれぞれ
貫通して真空容器１の内部に延びるガス導入管３および
ガス排出管４が設けられている。上記ガス導入管３の一
端部には、」−２被処理物２の長手方向に沿って延びる
スリット状のガス導入口が、被処理物２の上面に近接す
るように形成されるとともに、上記ガス排出管４の一端
部には、上記ガス導入口に対向して配置されるスリット
状のガス排出口が、被処理物２の下面に近接するように
形成されている。さらに、本実施例においては、ガス導
入口の両端部を下方に延長させて逆Ｕ字状に形成し、立
体の被処理物の側面からガスを噴出できるようになされ
ている。また、上記被処理物２は、図示しない駆動装置
により水平方向に往復動自在とされている。さらに、上
記ガス導入管３の中途部には、プラズマ発生装置５．仕
切弁５ａ、ニードル弁７ａおよび流量計８がそれぞれ介
設され、この仕切弁５ａに一ドル弁７ａおにび流量計８
をバイパスするとともに、途中、仕切弁６ｂおよびニー
ドル弁７ｂが介設されたガス流量の大きい大流量管９が
接続されている。また、ガス排出管４の中途部には、仕
切弁６Ｃおにびニードル弁７Ｃが介設され、このガス排
出管４は、途中、仕切弁６ｄが介設された真空排気管１
０と合流して、真空排気装＠１１に接続されている。
たもので、真空容器１の内部には、被処理物２が配置さ
れており、上記真空容器１の上面および下面をそれぞれ
貫通して真空容器１の内部に延びるガス導入管３および
ガス排出管４が設けられている。上記ガス導入管３の一
端部には、」−２被処理物２の長手方向に沿って延びる
スリット状のガス導入口が、被処理物２の上面に近接す
るように形成されるとともに、上記ガス排出管４の一端
部には、上記ガス導入口に対向して配置されるスリット
状のガス排出口が、被処理物２の下面に近接するように
形成されている。さらに、本実施例においては、ガス導
入口の両端部を下方に延長させて逆Ｕ字状に形成し、立
体の被処理物の側面からガスを噴出できるようになされ
ている。また、上記被処理物２は、図示しない駆動装置
により水平方向に往復動自在とされている。さらに、上
記ガス導入管３の中途部には、プラズマ発生装置５．仕
切弁５ａ、ニードル弁７ａおよび流量計８がそれぞれ介
設され、この仕切弁５ａに一ドル弁７ａおにび流量計８
をバイパスするとともに、途中、仕切弁６ｂおよびニー
ドル弁７ｂが介設されたガス流量の大きい大流量管９が
接続されている。また、ガス排出管４の中途部には、仕
切弁６Ｃおにびニードル弁７Ｃが介設され、このガス排
出管４は、途中、仕切弁６ｄが介設された真空排気管１
０と合流して、真空排気装＠１１に接続されている。
本実施例において被処理物２の表面処理を行なう場合は
、真空排気装置１１により真空排気管１０を介して真空
容器１内を排気し、その後、図示しないガス導入装置に
より大流量管９を介してガスを送り、真空容器１内を所
定圧力のガス雰囲気にする。そして、大流量管９の仕切
弁６ｂを閉じ、ガス導入管３およびガス排出管４の仕切
弁６ａ、６ｃを聞いて、ガス導入管３からガスを送＝
４ − リ、プラズマ発生装置５によりガスプラズマを発生させ
、ガス導入口から被処理物２に噴出させる。
、真空排気装置１１により真空排気管１０を介して真空
容器１内を排気し、その後、図示しないガス導入装置に
より大流量管９を介してガスを送り、真空容器１内を所
定圧力のガス雰囲気にする。そして、大流量管９の仕切
弁６ｂを閉じ、ガス導入管３およびガス排出管４の仕切
弁６ａ、６ｃを聞いて、ガス導入管３からガスを送＝
４ − リ、プラズマ発生装置５によりガスプラズマを発生させ
、ガス導入口から被処理物２に噴出させる。
また、ガス排出口からガス排出管４を介して真空排気装
置１１により上記ガスプラズマを排気し、ガス導入口か
らガス排出口へガスプラズマの噴流を形成するとともに
、ガス排出管４のニードル弁７Ｇによりガス流量を調節
して真空容器１内のガス圧力を一定に保つようになされ
る。
置１１により上記ガスプラズマを排気し、ガス導入口か
らガス排出口へガスプラズマの噴流を形成するとともに
、ガス排出管４のニードル弁７Ｇによりガス流量を調節
して真空容器１内のガス圧力を一定に保つようになされ
る。
このとき、被処理物２を数回乃至２０回程度往復動させ
る。
る。
したがって、本実施例においては、ガス導入口からガス
排出口へのガスプラズマの噴流が形成されるので、被処
理物２に対して均一にガスプラズマの噴流が当たり、し
かも、被処理物２がガスプラズマの噴流に直交する方向
に往復動されることにより、被処理物２の均一な表面処
理を行なうことができる。また、真空容器１の内部を所
定圧力のガス雰囲気にするときに、大流量管９を用いる
ため、このガス導入行程時間の大幅な短縮化を図ること
ができ、さらに、ガス排出管４を真空排気管１０ど別個
に設け、このガス排出管４のニードル弁７Ｃによりガス
流量の細かい調節を行なうことができるので、真空容器
１内のガス圧力を確実かつ一定にすることができる。
排出口へのガスプラズマの噴流が形成されるので、被処
理物２に対して均一にガスプラズマの噴流が当たり、し
かも、被処理物２がガスプラズマの噴流に直交する方向
に往復動されることにより、被処理物２の均一な表面処
理を行なうことができる。また、真空容器１の内部を所
定圧力のガス雰囲気にするときに、大流量管９を用いる
ため、このガス導入行程時間の大幅な短縮化を図ること
ができ、さらに、ガス排出管４を真空排気管１０ど別個
に設け、このガス排出管４のニードル弁７Ｃによりガス
流量の細かい調節を行なうことができるので、真空容器
１内のガス圧力を確実かつ一定にすることができる。
以上述べたように本発明に係るプラズマ処理装置は、ガ
ス導入管に該管の一部をバイパスする大流量管を接続す
るとともに、ニードル弁を有するガス排出管の一端部を
真空排気装置に接続して構成され、ガス導入時には、大
流量管を用い、ガス排出管によりガス圧力の調節を行な
うようにしたので、ガス導入に要する時間を大幅に短縮
することができ、また、真空容器内のガス圧力を一定に
保つことができる等の効果を奏する。
ス導入管に該管の一部をバイパスする大流量管を接続す
るとともに、ニードル弁を有するガス排出管の一端部を
真空排気装置に接続して構成され、ガス導入時には、大
流量管を用い、ガス排出管によりガス圧力の調節を行な
うようにしたので、ガス導入に要する時間を大幅に短縮
することができ、また、真空容器内のガス圧力を一定に
保つことができる等の効果を奏する。
図面は本発明の一実施例を示す概略構成図である。
１・・・真空容器、２・・・被処理物、３・・・ガス導
入管、４・・・ガス排出管、５・・・プラズマ発生装置
、６・・・仕切弁、７・・・ニードル弁、８・・・流量
計、９・・・大流量管、１０・・・真空排気管、１１・
・・真空排気装置。
入管、４・・・ガス排出管、５・・・プラズマ発生装置
、６・・・仕切弁、７・・・ニードル弁、８・・・流量
計、９・・・大流量管、１０・・・真空排気管、１１・
・・真空排気装置。
Claims (1)
- 真空容器内に固定された被処理物をガスプラズマによ
り表面処理するプラズマ処理装置において、中途部にプ
ラズマ発生装置を有し上記真空容器内にガスプラズマを
送るガス導入管および上記真空容器内のガスプラズマを
排出し流量調節用のニードル弁を有するガス排出管をそ
れぞれ設け、上記ガス導入管に該管の一部をバイパスす
る大流量管を接続するとともに、上記ガス排出管の一端
部を上記真空容器を排気する真空排気装置に接続したこ
とを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24525684A JPS61124125A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24525684A JPS61124125A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61124125A true JPS61124125A (ja) | 1986-06-11 |
Family
ID=17130971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24525684A Pending JPS61124125A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61124125A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02294028A (ja) * | 1989-05-08 | 1990-12-05 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造装置 |
| JP2017167102A (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 圧力測定装置及びこれを用いた排気システム、並びに基板処理装置 |
| JP2020148473A (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 複数のチャンバ圧力センサを校正する方法及び基板処理システム |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4915899A (ja) * | 1972-06-08 | 1974-02-12 |
-
1984
- 1984-11-20 JP JP24525684A patent/JPS61124125A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4915899A (ja) * | 1972-06-08 | 1974-02-12 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02294028A (ja) * | 1989-05-08 | 1990-12-05 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造装置 |
| JP2017167102A (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 圧力測定装置及びこれを用いた排気システム、並びに基板処理装置 |
| CN107202665A (zh) * | 2016-03-18 | 2017-09-26 | 东京毅力科创株式会社 | 压力测定装置、排气系统以及基板处理装置 |
| KR20170108858A (ko) * | 2016-03-18 | 2017-09-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 압력 측정 장치 및 이것을 사용한 배기 시스템, 및 기판 처리 장치 |
| US10429263B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-10-01 | Tokyo Electron Limited | Pressure measuring device and exhaust system using the same, and substrate processing apparatus |
| CN107202665B (zh) * | 2016-03-18 | 2020-11-10 | 东京毅力科创株式会社 | 压力测定装置、排气系统以及基板处理装置 |
| JP2020148473A (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 複数のチャンバ圧力センサを校正する方法及び基板処理システム |
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