CN102203316A - 气体输送装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于在基底位置处的低压原子层沉积的气体输送装置。所述装置包括第一总体细长的喷射器(21)，用于将处理气体供给至处理部位(22)；位于所述处理部位(22)周围的第一排气部位(23)；和位于所述第一排放气体周围的另一喷射器(25)，用于将净化气体或惰性气体在所述处理部位(22，24)周围的出口(26)处供给，所述处理部位面对所述出口周围的位置，以限定至少部分气体密封。

Description

气体输送装置
技术领域
本发明涉及一种气体输送装置和用于低压原子层沉积中的处理室以及用于执行低压原子层沉积的方法。
背景技术
原子层沉积(ALD)的过程是公知的。其主要包括：沉积化学层以使得第一单层被化学吸收到基底的表面中，接着使用纯净气体吹掉多余的材料，所述纯净气体也可以用于净化所述处理室以使得可以铺设可能具有相同或不同的化学性质的另一单层。
ALD可以在大气或低压条件下进行。在大气压下，由于需要克服环境压强，因此必须供给大量的气体，而且所得到的气体流速(flow rate)表明基底趋向于与气体逐渐蔓延所在位置上方的线或锥相遇。相反，在低压条件下，可以以较低的流速供给较少量的气体，允许气体扩散而直至基底的整个表面可以被同时处理。相应地，出于经济性和均匀性的原因，低压ALD具有很大优势，但是非常不同的流动特性意味着对于大气ALD所设计的方法和技术不能被自动地用在低压ALD配置中。
为了满足期限要求，大多数ALD，不论大气ALD还是低压ALD，在单一的晶片上进行。对于大多数沉积过程，假定能够保持均匀性，如果可以实现批量处理，则会获得巨大的经济性优势。
已经提出了可以实现批量ALD的多种方案。US6821563并非不典型的例子，而另一种方案可以在US7104476中找到。这些方案中的每一个都假定晶片将沿着循环路径在不同的处理扇区上寻迹。在这种布置中，晶片的处理完全由进行得最慢的过程来体现，且在使用中几乎没有柔性可言。另外，喷射器扇区是离散的，且在实际中仅有小部分扇区被使用或者存在明显的均匀性问题。在文献2005/0084610中提出了并非不相似的布置，而US2007/0073556给出了线性方案。
另一种尝试在US专利6902620中提出。其在单一室中使用多个喷头，并通过使中间喷头供给惰性气体来试图将主动的处理区域分离，其中，在所述处理气体之间可以发生反应。并不清楚所提出的该方案在实际中是否可用，因为使用这种技术在室中提供完全的全直径氩气“幕障”是极端困难的。
再看1989年，例如美国专利US4834020，用于化学气相沉积(CVD)的线性喷射器已经为人所知，其中气体可以被输送至处理区域并然后为在处理区域的任一侧上排出。惰性气体或净化气体可以被供给到所述处理区域的任一侧上。最复杂的方案可能是美国专利US6200389中所公开的方案。注意到，“密封”仅仅被描述在被处理的基底的线性行进方向上。
发明内容
根据本发明的一个方面，提供了一种用于在基底位置上进行低压原子层沉积的气体输送装置，包括：第一总体细长的喷射器，用于将处理气体供给至处理部位(process zone)；位于所述处理部位周围的第一排气部位；和位于所述第一排放气体周围的另一喷射器，用于在所述处理部位周围的出口处供给净化气体或惰性气体，所述处理部位具有面对所述出口周围的位置的壁，以限定至少部分气体密封。
出于该详细说明的目的，部分气体密封是泄漏在10000ppm以下的气体密封。
所述喷射器优选具有一条或更多条端口线，且所述处理区域可以位于高度在15mm和25mm之间的位置处，以便允许处理气体的扩散，由此，衬底可以有效地与均匀的处理气体的云或雾遭遇。
可以设置有由内净化气体喷射器和外净化气体喷射器所限定的等离子体区域，且这可能位于所述部分气体密封内。
所述装置还可以包括在所述另一喷射器周围的另一气体排放区域。
根据本发明的另一方面，本发明可以包括一种可定位于处理室中并具有围绕处理室的全周长的气体密封的气体输送装置。
所述装置还可以包括在所述另一喷射器周围的另一气体排放区域。
根据本发明的另一方面，提供了一种用于在基底上形成层的低压原子层沉积设备，包括：处理室，所述处理室具有至少一个气体喷射器和至少一个上述气体输送装置；以及可旋转支撑件，所述可旋转支撑件用于将基底围绕所述室和穿过所述气体输送装置的处理区域移动。
所述设备还可以包括控制器，所述控制器用于控制所述气体输送装置工作或不工作，由此基底可以根据基底上进行的处理而通过气体输送装置和处理室在处理室中单独地或连续地进行处理，反之亦然。
部分气体密封可以至少部分地由在约1.5mm和约3mm之间宽的通道构成。所述通道在使用中可以通过在基底(例如半导体晶片)表面和面对所述位置的壁的表面之间的距离来限定。方便地，壁可以在所述出口的任一侧上对称地延伸，或可以仅在所述出口的一侧(优选在离处理区域最远的出口一侧)上延伸。
所述部分气体密封可以至少部分地由长度在约30mm和约100mm之间的例如上述通道，尤其是长度在约60mm和约100mm之间、宽度在约1.5mm和约3mm之间的通道构成。这些尺寸可以依赖于用作处理气体或净化气体的一种或多种气体分子的大小而有些许改变。其也可以是可依赖于气压和所述部位和所述室之间的压降而缩放的。
优选地，处理区域中的压强不比室中的1托压强高过大约+/-0.25托(±30帕斯卡)。(1托～133.3帕斯卡)
在所述另一喷射器处的气体速度可以是至少约50m/s。该速度或流率应当不超过气体输送系统的排气能力。
根据本发明的又一方面，提供了一种在处理室中进行低压原子层沉积的方法，所述处理室包括：气体输送装置，所述气体输送装置具有全周长密封以从所述处理室限定独立的处理区域；和可旋转支撑件，用于将基底围绕所述处理室和穿过其中的处理区域移动，在所述方法中，所述基底在所述方法的至少一部分过程中在所述室和所述处理区域中都被处理。
例如，所述气体输送装置可以在所述支撑件的一个或更多个旋转过程中被切断。这能够使得衬底，例如半导体晶片，被暴露给处理室中的处理气体所需的时间段且在处理区域中进行后续处理。在处理时间明显不等时，这对于批量处理晶片是尤其有用的方式。因此，处理气体可以被供给至处理室或净化气体，用于去除过多的沉积，可以被供给至所述室，在这种情况下，所述气体输送装置可以进行另一过程或多个过程。
由于设置有围绕所述气体输送装置的全密封，在所述过程之间的交叉污染应当不会出现。
虽然本发明已经进行了如上描述，但是应当理解，其可以覆盖如上所述的或在下文中所描述的特征的任何组合。
附图说明
本发明可以以多种方式实现，具体的实施例将在下文中借助于示例参照附图进行描述，其中：
图1是本发明的特别简单的实施例的平面图；
图2是较复杂的批量处理器的对应的平面图；
图3是批量处理器的另一实施例的更细节的示意图；
图4是沿图5中的线IV-IV得到的穿过气体输送装置的示意性剖视图；
图5是平面图；
图6至10是一系列图表，示出在图4所示出的气体输送装置的截面上建模的模拟结果，显示了改变对于密封效果的多种参数的结果。在每种情况下，从左边轴线延伸并下降的线表示TiCl4在从处理区域的中心离开的位置处的密度，而另一条从右向左下降的线表示NH3的密度；
图11和12对应于气体输送装置的替代实施例的图3和4；和
图13是气体输送装置的示意图，示出等离子体处理阶段的组合。
具体实施方式
图1示出适合于应用至低压ALD中的设备10。所述设备10具有处理室11，所述处理室11可以通过以12表示的标准装载锁布置而被供给，由此，晶片可以被自动地馈送到室11中和从所述室11中移除。喷射器13延伸到室11中。室11通过泵端口14被抽真空。典型的压强在0.5-10托的范围内。
在下文将更详细地描述，喷射器13的喷射器装置15具有用于供给处理气体的中央元件，该元件与主处理室11进行有效的360°密封，这意味着，气体既不能从处理室进入到所述气体输送装置15的中央处理区域，也不能处理从装置15逃逸到处理室11中的气体。如箭头A示意性地示出的，所述处理室包含本领域所公知的类型的可旋转支撑件，基底16(例如半导体晶片)可以被置于所述可旋转支撑件上，并被围绕所述室旋转以在所述气体输送装置15下面通过。控制器17被设置用于将气体输送装置15设置成工作的或不工作的，且所述控制器还可以在其它方面控制所述设备10，例如所述支撑件的旋转速率和装载锁(load lock)12的操作。
所述处理室11可以设置有一个或更多个处理气体入口，其中的一个入口由附图标记18表示。
在使用中，晶片可以被批量地引入到所述支撑件上，并被围绕所述室11旋转。依赖于所期望的化学性质，所述室11可以至少在所述处理的一些阶段时包含净化气体，且所述气体输送装置15可以或不可以在所述处理的不同阶段处工作。
通过示例，TiN可以通过以NH3处理基底16的表面并然后将其随后暴露给TiCl4。通常暴露给NH3的时间超出一秒，而暴露给TiCl4的时间需要小于0.1秒。这可以通过以下步骤在所述室11中非常方便地实现：最初关断所述气体输送装置；将NH3供给至处理室11经历所需的时间段；以及然后将所述气体输送装置15接通以供给TiCl4。例如通过改变TiCl4的浓度经常能够平衡一次旋转内的计时。在这种情况下，NH3可以被始终提供。晶片可以在所有阶段过程中被旋转以确保在所述过程的第一部分期间其不会位于所述气体输送装置15下方，或者所述支撑件可以以对应于所述气体输送装置15的间隙停止。
这种大的暴露的不一致对于现有技术中的设备是很难接纳的。然而，同样应当理解，本发明的设备也可以同样接纳气体沉积时间段相似的处理。也可以与处理室11一起使用的所述设备可以填充有净化气体，以在衬底16从所述气体输送装置15发出时去除多余的材料。
在图2中，示出相同类型的布置，但是示出了具有多于一个气体输送装置的可能。
图3示出已经进行了有针对性的特殊设计(而不是像使用标准室和装载锁的图1和图2的实施例那样)的实施例的设备10。尤其示出了携带有五个晶片16的可旋转的压板20。机械手臂19将晶片16转移至压板20和从压板20转移至装载锁12。
图4和图5更进一步地示出了所述气体输送装置15的属性。在此，可以看到，设置有用于能够喷射例如TiCL4的中央喷射器21。所述中央喷射器21限定处理区域或部位22，并由排气导管23包围。其依次由包含矩形氩气入口25的厚壁24所包围。
在使用中，晶片在由入口26产生的氩气幕障下方的壁25的一部分下面从左至右从室11通过，其中经过排气室23穿过处理区域22且然后继续向外移动知道它们再次到达室11。
应当理解，大多数TiCl4由周围的排气室23排出。扩散超过排气室23的任何气体然后必须沿着通道27通过，在这种情况下，其不会被入口26产生的氩气幕障所捕获也不会被朝向排气室23推动。通过使所述通道的宽度尽可能小而不给晶片造成损坏的风险或形成多余的阻力，会明显地降低任何分子沿着所述通道逃逸的可能性。所述通道的长度也是与之相关的因素。另一个因素是通过出口26的氩气的流率。
就NH3而言，通道尺寸可以采用相同准则，且空气幕障降低从所述室扩散直至处理区域22的可能性。即使分子到达所述通道27的左端，它们也将能够由排气室23排放。
图6至10示出在1托的处理压强和300℃的压板(platen)20温度条件下(在此情况下百万分之几或者从处理区域22离开或从室11进入)工作的室11如何随着在上述参数的变化而变化。可以看到，壁25的半宽(也称为半密封)可以如所述间隙那样产生特别明显的差别，所述间隙为通道27的宽度。所述半宽越大，可接受的间隙也越大。
在特定的情况下，所述通道可以仅需要在所述氩气入口和所述室11之间延伸。这仅仅在根据需要进入所述处理区域的气体流率低且所述通道基本上仅是试图防止NH3的进入这样的条件下才是尤其需要的。
图11和12示出气体输送装置15的另一个实施例。在此，气体输送元件21位于由周围的矩形惰性气体供给装置26所限定的排气室23内，所述排气室23依次位于由周界壁29所限定的另一排气室28内。
从图11可以看出，在使用中，所述气体输送装置15可以刚好位于旋转支撑件20上方，以使得晶片16可以在壁29的底边缘的下方通过以在由箭头B所示的方向上行进，其中它们经过排气室28，在入口气体供给装置26下方经过，经过排气室23在供给装置21下方进入处理区域22。所述处理区域22可以足够大以能够在单个时刻容纳整个晶片16，或可以比所述晶片的直径窄，尽管其将纵向延伸至少所述晶片的直径。
然后，所述晶片通过所述装置15，仍旧继续沿同一方向行进。
如在图11中所见，室23和28例如通过连接至泵19而被抽真空。氩气被供给至惰性气体入口26，在这种情况下，其在所述排气室23周围并因此在所述处理区域周围形成有效的惰性气体屏，且还可以用作净化气体。在壁29下面泄漏(见箭头C)的任何气体通过室28被抽真空和/或被氩气幕障(curtain)阻挡。类似地，被供给至21的诸如TiCl4等处理气体通过处理区域22，并通过室23被排出。氩气幕障防止气体侧向逸出。
因此，图5、图11和12的设计提供围绕处理气体21的360°密封，并因此将所述处理区域22与处理室11的其它部分隔离开。如上所述，该特征特别地增强所述设备10的柔性用途。以这种方式隔离的能力也可以通过设置更复杂的气体输送装置15来利用，例如图13所示。在此，由30表示的等离子体处理区域由第一净化供给装置31所围绕，并被第二净化供给装置32将之与处理区域22分开。这样，所述基底的表面可以根据需要或者在等离子体处理之前或等离子体处理之后进行处理。主动区域30可以替代地提供UV或热丝激励。类似地，这种源可以被设置在室11中以激发处理气体。
应当理解，参照图5、11-13所阐释和描述的气体输送装置15可以用于不同几何形状的头中，且可以与更复杂的处理区域序列一起使用。

Claims (19)

1.一种用于在基底位置上进行低压原子层沉积的气体输送装置，包括：第一总体细长的喷射器，用于将处理气体供给至处理部位；位于所述处理部位周围的第一排气部位；和位于所述第一排放气体周围的另一喷射器，用于在所述处理部位周围的出口处供给净化气体或惰性气体，所述处理部位具有面对所述出口周围的位置的壁，以限定至少部分气体密封。
2.根据权利要求1所述的气体输送装置，其中设置有由内净化气体喷射器和外净化气体喷射器在所述另一排气区域内所限定的主动区域(等离子体/UV或热丝激励)。
3.根据权利要求1或2所述的气体输送装置，其中所述处理区域典型地位于高度在10mm和40mm之间的位置处。
4.根据权利要求1至4中任一项所述的气体输送装置，还包括位于所述另一喷射器周围的另一气体排放区域。
5.一种气体输送装置，所述气体输送装置可定位于处理室中并具有围绕处理室的全周长的气体密封以限定气体处理区域。
6.一种用于在基底上形成层的低压原子层沉积设备，包括：
处理室，所述处理室具有至少一个气体喷射器和至少一个根据权利要求1至5中任一项所述的气体输送装置以及可旋转支撑件，所述可旋转支撑件用于将基底围绕所述室和穿过所述气体输送装置的处理区域移动。
7.根据权利要求6所述的低压原子层沉积设备，还包括控制器，所述控制器用于控制所述气体输送装置工作或不工作，由此基底能够根据基底上进行的处理而通过气体输送装置和处理室在处理室中单独地或连续地进行处理，反之亦然。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的低压原子层沉积设备，其中所述部分气体密封至少部分地由宽度在约1.5mm和约3mm之间的通道构成，以使反应部位之间的污染物小于10000ppm。
9.根据权利要求5至7中任一项所述的低压原子层沉积设备，其中所述部分气体密封至少部分地由长度在约30mm和约100mm之间的通道构成。
10.根据权利要求9所述的低压原子层沉积设备，其中所述通道长度在约60mm和约100mm之间、宽度在约1.5mm和3mm之间。
11.根据权利要求5至7中任一项所述的低压原子层沉积设备，其中所述部分气体密封使得反应部位之间的污染物小于10000ppm。
12.根据权利要求5至10中任一项所述的低压原子层沉积设备，其中所述处理区域中的压强不超过所述室中的压强的大约±50％。
13.根据权利要求5至11中任一项所述的低压原子层沉积设备，其中在所述另一喷射器处的气体速度是至少约50m/s。
14.一种在处理室中进行原子层沉积的方法，所述处理室包括：气体输送装置，所述气体输送装置具有全周长密封以从所述处理室限定独立的处理区域；和可旋转支撑件，用于将基底围绕所述处理室和穿过所述处理区域移动，其中，所述基底在所述方法的至少一部分过程中在所述室和所述处理区域中都被处理。
15.根据权利要求7所述的方法，其中所述气体输送装置在所述支撑件的一次或更多次旋转期间被关断。
16.根据权利要求14所述的方法，其中处理气体被供给至所述处理室。
17.根据权利要求14所述的方法，其中由等离子体/UV或热丝激励所激发的处理气体被供给至所述处理室。
18.根据权利要求14至16中任一项所述的方法，其中所述室包括等离子体、UV或热丝激励源。
19.根据权利要求14至17中任一项所述的方法，其中净化气体被供给至所述处理室。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106661731A (zh) * 2014-07-07 2017-05-10 Beneq有限公司 用于使基底表面经受连续表面反应的喷嘴头、装置和方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2007114C2 (en) * 2011-07-14 2013-01-15 Levitech B V Floating substrate monitoring and control device, and method for the same.
KR20140144243A (ko) * 2012-03-23 2014-12-18 피코순 오와이 원자층 증착 방법 및 장치
JP6134191B2 (ja) * 2013-04-07 2017-05-24 村川 惠美 回転型セミバッチａｌｄ装置
JP5800952B1 (ja) * 2014-04-24 2015-10-28 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体
US20170088952A1 (en) * 2015-09-28 2017-03-30 Ultratech, Inc. High-throughput multichamber atomic layer deposition systems and methods
FI130052B (fi) * 2020-10-12 2023-01-13 Beneq Oy Atomikerroskasvatuslaitteisto

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040052972A1 (en) * 2002-07-03 2004-03-18 Jacques Schmitt Method and apparatus for ALD on a rotary susceptor
US20040058293A1 (en) * 2002-08-06 2004-03-25 Tue Nguyen Assembly line processing system
DE102004015216A1 (de) * 2004-03-23 2005-10-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Modul und Verfahren für die Modifizierung von Substratoberflächen bei Atmosphärenbedingungen
US20080166884A1 (en) * 2007-01-08 2008-07-10 Nelson Shelby F Delivery device comprising gas diffuser for thin film deposition

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6022414A (en) * 1994-07-18 2000-02-08 Semiconductor Equipment Group, Llc Single body injector and method for delivering gases to a surface
US6200389B1 (en) * 1994-07-18 2001-03-13 Silicon Valley Group Thermal Systems Llc Single body injector and deposition chamber
US5688359A (en) * 1995-07-20 1997-11-18 Micron Technology, Inc. Muffle etch injector assembly
US6890386B2 (en) * 2001-07-13 2005-05-10 Aviza Technology, Inc. Modular injector and exhaust assembly
US20050084610A1 (en) * 2002-08-13 2005-04-21 Selitser Simon I. Atmospheric pressure molecular layer CVD
US6821563B2 (en) * 2002-10-02 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for cyclical layer deposition
US6972055B2 (en) * 2003-03-28 2005-12-06 Finens Corporation Continuous flow deposition system
US8398770B2 (en) * 2007-09-26 2013-03-19 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
US8333839B2 (en) * 2007-12-27 2012-12-18 Synos Technology, Inc. Vapor deposition reactor
US20090324826A1 (en) * 2008-06-27 2009-12-31 Hitoshi Kato Film Deposition Apparatus, Film Deposition Method, and Computer Readable Storage Medium
US8470718B2 (en) * 2008-08-13 2013-06-25 Synos Technology, Inc. Vapor deposition reactor for forming thin film

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040052972A1 (en) * 2002-07-03 2004-03-18 Jacques Schmitt Method and apparatus for ALD on a rotary susceptor
US20040058293A1 (en) * 2002-08-06 2004-03-25 Tue Nguyen Assembly line processing system
DE102004015216A1 (de) * 2004-03-23 2005-10-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Modul und Verfahren für die Modifizierung von Substratoberflächen bei Atmosphärenbedingungen
US20080166884A1 (en) * 2007-01-08 2008-07-10 Nelson Shelby F Delivery device comprising gas diffuser for thin film deposition

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106661731A (zh) * 2014-07-07 2017-05-10 Beneq有限公司 用于使基底表面经受连续表面反应的喷嘴头、装置和方法
CN106661731B (zh) * 2014-07-07 2019-03-05 Beneq有限公司 用于使基底表面经受连续表面反应的喷嘴头、装置和方法

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