JPH0530355Y2 - - Google Patents

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JPH0530355Y2
JPH0530355Y2 JP7640086U JP7640086U JPH0530355Y2 JP H0530355 Y2 JPH0530355 Y2 JP H0530355Y2 JP 7640086 U JP7640086 U JP 7640086U JP 7640086 U JP7640086 U JP 7640086U JP H0530355 Y2 JPH0530355 Y2 JP H0530355Y2
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reaction tube
quartz reaction
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rings
door
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Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は、半導体製造における減圧CVD装置
に関するものである。
従来の技術 半導体デバイスの高集積化が進むにつれ、成膜
工程上のダスト対策が重要な課題になつてきてい
る現在、減圧CVD装置における石英反応管の取
りはずし方についても改善が成されてきている。
従来は、シリコンウエハを取扱うクリーンエリア
側に石英反応管を抜き出す方法が一般的であつた
が、ダスト対策上排気側に石英反応管を抜き出せ
る構造の減圧CVD装置が考えられている。以下、
第2図で上記の概要を説明する。
第2図に従来例のCVD装置の反応炉のドア附
近の断面図を示す。炉体に固定されたドアフラン
ジ2に先端部の外周面が仕上げ加工された石英反
応管1を排気側から挿入し、ドアフランジ2と石
英反応管1のすきまをOリング3でシールする。
押さえネジ6によりバツクアツプリング5を介し
てOリング3をつぶす構造になつており、シール
効果を向上させている。
考案が解決しようとする問題点 従来の構造によるシール方法では、石英反応管
1の外周面でシールしていることにより、オーバ
ーホール毎の石英反応管1の出し入れで仕上げ加
工された石英反応管1の外周面が炉体と接触し傷
つく危険性があることと、洗浄毎のエツチングに
より石英反応管1の外径寸法が小さくなり、ドア
フランジ2と石英反応管1のすきま寸法が大きく
なつていく結果、Oリング3による長期的に安定
なシール効果が期待できなくなる。
そこで、リークが発生した場合、上記の理由か
らドアフランジ2部からのリークが第1に考えら
れるが、ドアフランジ2部を単独でリークチエツ
クすることはできず排気系全てを含めた検討をし
なくてはならない。
また成長条件が高温(800℃以上)である場合、
ドアフランジ2の水冷は行つているものの、Oリ
ング3(バイトン)の耐熱性にも限界があり、O
リング3が劣化し、成長中に突然リークが発生す
る可能性もある。
問題点を解決するための手段 前記問題点を解決するために本考案は、反応炉
のドアフランジと石英反応管との間隙にスペーサ
ーを介して2本のOリングを挿入し、バツクアツ
プリングを介して押さえネジで締めつけて前記2
本のOリングを前記石英反応管と前記ドアフラン
ジに圧着し、かつ前記スペーサーにより生じる前
記ドアフランジと前記石英反応管及び2本のOリ
ングで囲まれる空間から外部に通じる前記ドアフ
ランジに設けられた排気孔を有する事を特徴とす
る減圧CVD装置を提供する。
作 用 石英反応管を装置内に組込む時、ドアフランジ
と石英反応管をシールする2本のOリング間の空
間をドアフランジに設けられた排気口から真空排
気し、真空度をチエツクすることにより、ドアフ
ランジ部のみのリークチエツクを単独で行なうこ
とが可能となる。
また、真空排気を継続することにより、成長中
に炉温でOリングが劣化し、シール効果が低下し
た場合に石英反応管への酸素の侵入を抑えること
が可能である。
実施例 第1図は本考案の減圧CVD装置のドアフラン
ジ部の断面及び真空排気系統図である。石英反応
管1は、排気側(メンテルーム側)に抜き出すこ
とができるよう均一肉厚になるように設計されて
おり、その外周面に2本のOリング3を装着し、
ドアフランジ2に圧着し、外気とシールする構造
となつている。2本のOリング3の間には、スペ
ーサー4が設置されており、スペーサー4による
ドアフランジ2と石英反応管1及び2本のOリン
グ3で囲まれる大気をドアフランジ2に設けられ
た排気口からロータリーポンプで真空排気でき
る。したがつてドアフランジ2のシール部を組立
てた後、2本のOリング3の間の空気を真空排気
し、到達真空度を確認した後、エアーバルブを閉
じた状態でピラニー真空計の真空度の変化を観察
することにより、ドアフランジ2部のリークチエ
ツクを行なうことができる。
また、反応ガスが石英反応管1に導入されてい
る時に、炉温によりOリング3が劣化し、シール
効果が低下し微小リークが発生しても、ドアフラ
ンジ2のシール部の真空排気を行なつていれば、
石英反応管1への外気の侵入を最少限に抑えるこ
とができる。
考案の効果 ドアフランジと石英反応管のシール部のリーク
チエツクを単独に行えることにより、オーバーホ
ールを短時間に確実に行える。
また、成長中にドアフランジ部でのリークが発
生した場合にも成長膜への悪影響及び防災上の危
険性を最少限に抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の減圧CVD装置のドアフラン
ジ部の断面及び真空排気系統を示す図、第2図は
従来のCVD装置の反応炉のドア附近の断面図で
ある。 1……石英反応管、2……ドアフランジ、3…
…Oリング、4……スペーサー、5……バツクア
ツプリング、6……押さえネジ、7……ドア。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 反応炉のドアフランジと石英反応管との間隙に
    スペーサーを介して2本のOリングを挿入し、バ
    ツクアツプリングを介して押さえネジで締めつけ
    て前記2本のOリングを前記石英反応管と前記ド
    アフランジに圧着し、かつ前記スペーサーにより
    生じる前記ドアフランジと前記石英反応管及び前
    記2本のOリングで囲まれる空間から外部に通じ
    る前記ドアフランジに設けられた排気孔を有する
    事を特徴とする減圧CVD装置。
JP7640086U 1986-05-21 1986-05-21 Expired - Lifetime JPH0530355Y2 (ja)

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JP7640086U JPH0530355Y2 (ja) 1986-05-21 1986-05-21

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JPS62188135U JPS62188135U (ja) 1987-11-30
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CN117981059A (zh) * 2021-12-27 2024-05-03 株式会社国际电气 泄漏检测装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法及程序

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