JP5160054B2 - 排気可能なマグネトロンチャンバ - Google Patents

排気可能なマグネトロンチャンバ Download PDF

Info

Publication number
JP5160054B2
JP5160054B2 JP2006193614A JP2006193614A JP5160054B2 JP 5160054 B2 JP5160054 B2 JP 5160054B2 JP 2006193614 A JP2006193614 A JP 2006193614A JP 2006193614 A JP2006193614 A JP 2006193614A JP 5160054 B2 JP5160054 B2 JP 5160054B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
magnetron
pressure
valve
main chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006193614A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007046158A (ja
Inventor
真 稲川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2007046158A publication Critical patent/JP2007046158A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5160054B2 publication Critical patent/JP5160054B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244Gas supply means
    • H01J37/32449Gas control, e.g. control of the gas flow
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405Magnetron sputtering
    • H01J37/3408Planar magnetron sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

発明の分野
本発明は一般に材料のスパッタリングに関する。特に、本発明はスパッタリングチャンバの真空ポンプシステムに関する。
発明の背景
スパッタリングはシリコン集積回路の製造において定評のある技術であり、金属ターゲットをスパッタすることでシリコンウエハ上にターゲット材料を堆積させる。近年、スパッタリングは、フラットコンピュータディスプレイや大型フラットテレビ等のフラットパネルディスプレイの製造において、同様な目的で利用されている。様々なタイプのフラットパネルディスプレイを製造することができ、典型的にはパネルと呼ばれるガラスやポリマーのような大型の薄い長方形の絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタ(TFT)を含み、液晶ディスプレイ(LCD)、プラズマディスプレイ、フィールドエミッタ、有機発光ダイオード(OLED)を含む。ほとんどのパネル製造装置はその大きさで区別される。最初に開発されたものは、約480mmの横寸法を有するパネルを前提としていた。最新世代は一辺が2m以上のパネルを視野に入れている。大型化により、約300mmに限られていたウエハ製造装置では起こらなかった問題が最近の装置では起こるようになってきた。
従来のフラットパネルスパッタリアクタ10は図1の断面図に概略的に示されている。デマレイらはこのようなリアクタを米国特許第5,565,071号でより詳細に開示しており、これは引用により本明細書に一体化される。主真空処理チャンバ14内の台座12は、バッキングプレート20に接着されたターゲット18に対向してスパッタコーティングされるパネル16を保持しており、バッキングプレートは処理チャンバ14にシールされているが、絶縁されている。ターゲット18はバッキングプレート20に接着された1又はそれ以上のターゲットタイルを含むことができる。アルゴンスパッタリングガスはアルゴンガス供給源22からマスフローコントローラ24を介して主チャンバ14に流入する。高真空ポンプ26、例えばクライオポンプはゲートバルブ28を介して真空処理チャンバ14に連結されており、処理チャンバ14内のベース圧力を約10−6〜10−7 Torrに維持しており、プラズマスパッタリングのためにはアルゴン圧力は典型的にはミリTorrレベルに維持される。図示されていないDC電源は、台座12、処理チャンバ14又はチャンバ内のシールドに対してターゲット18を十分な負電圧に電気的にバイアスし、アルゴンをプラズマに励起させる。正のアルゴンイオンは負にバイアスされたターゲットに引付けられ、それから材料をスパッタし、これはパネル16に衝突し、ターゲット材料をパネル16上に被覆する。反応性スパッタリングでは、窒素等の反応性ガスを処理チャンバ14に追加的に送り、スパッタされた金属と反応させて金属窒化物を形成する。この場合、チャンバ圧力はミリTorrレベル又はそれより低く保たれる。
対向する磁極を有するマグネトロン30はターゲット18及びバッキングプレート20の背面に配置され、ターゲット18のスパッタリング面に対して水平な磁界を形成し、これによってプラズマを強化し、スパッタリング速度を上昇させる。マグネトロン30の形状は通常、図示されたものよりはるかに複雑である。マグネトロン30はバッキングプレート20の背面において1方向又は2方向に走査され、これによって均一な堆積やターゲットの摩耗が得られる。ウエハスパッタリアクタにおいて、マグネトロン30は通常、冷却槽に包囲され、連続スパッタリングによって非常に高温になることがあるターゲット18を冷却する。しかしながら、このような構造は大型パネル用のスパッタリアクタの場合は実用的ではない。バッキングプレート20及びターゲット18は、裏面のマグネトロン30からこれを介して磁場を放射することができるように比較的薄くなければならない。しかしながら、ターゲットが巨大な場合、バッキングプレート20は、真空処理チャンバ内の高真空と大気圧(760Torr又は1平方インチあたり14ポンド)の間の力に加え、冷却水の重量と水圧に耐えるものでなくてはならない。この問題は、比較的薄いバッキングプレート20内に液体冷却路を形成し、処理チャンバ14外から冷却液を供給してバッキングプレート20とそれに付属したターゲット18を冷却することで回避できる。マグネトロン30を包囲するマグネトロンチャンバ32はバッキングプレート20の背面に形成され、バッキングプレート20に真空シールされている。マグネトロンチャンバ32は例えば1Tor以下、より典型的には200〜500ミリTorrに真空排気され、これによってバッキングプレート20にかかる力を大幅に低減することができる。
従来、機械式粗引ポンプ34が粗引バルブ36を介してマグネトロンチャンバ32を排気して圧力を所要のTorr以下とし、パネル処理中その圧力を維持する。クライオポンプ26は高真空ポンプであり、超低圧では非常に有効ではあるが、圧力が1 Torrより高くなると機能しない。従って、運転開始時に大気圧から主チャンバ14を減圧する場合、クライオゲートバルブ28を閉じた状態で、同じ粗引ポンプ34が第2粗引バルブ38を通して処理チャンバ14の排気を行う。粗引ポンプ34が主チャンバ14内の圧力を約200〜500ミリTorrまで減圧すると、第2粗引バルブ38が閉鎖され、クライオゲートバルブ28が開口され、クライオポンプ26が主チャンバ14内の圧力をさらに所要の10−6Torr以下にまで減圧することが可能になる。しかし、第1粗引バルブ36は開口されたままであり、これによって粗引ポンプ34がマグネトロンチャンバ32内の圧力をサブTorr以下に継続して減圧することが可能になる。
操作において、パネル16は、約10−3−10−6Torrに保持された中央搬送チャンバからスリットバルブ40を介して主チャンバ14に挿入される。インラインシステムの場合、2つのスリットバルブが主チャンバ14の対向する側部に配置されており、これによってパネル16が真空隔離チャンバのラインに沿って通過することが可能になる。本発明は、本発明のスパッタリアクタを組み込んだ大型システム構成に限定されない。
しかしながら、従来の排気系には幾つかの欠点がある。760Torrから減圧する際、バッキングプレート20を介した圧力差は最小化されなければならず、例えば20Torrより小さくなくてはならない。2つのチャンバ14、32の排気速度は一致しなければならず、減圧する際は、ターゲットバッキングプレート20を介した圧力差が過剰にならないように慎重にタイミングを図って操作する必要がある。また、メンテナンスのために主チャンバ14を大気に通気する際は、2つのチャンバ14、32は同じ速度で大気圧にしなければならない。バルブ36、38の一方又は他方に異常又は制御ミスがあると、圧力の急激な暴走がチャンバ14、32の一方のみに起こる。大気が故障したポンプ34、26のいずれかから逆流して、圧力差が急激に増大する可能性があるため、排気の欠陥は迅速に対応しなければならない。チャンバ内ガス漏れは即座に検知し、それに応じた調整をしなくてはならない。電源又はコンピュータに障害が起きた場合、バルブ28、36、38、及びポンプ26、34の状態は予測できない。圧力差が最大で約20Torr以上になると、バッキングプレート20は極端に屈曲し、おそらくは接着されたターゲット18もしくは複数のターゲットタイルがバッキングプレート20から剥離する。圧力差が大きいとバッキングプレート20が完全に変形してしまい、さらには破断する可能性がある。大型のスパッタリングターゲット、特にモリブデン等の耐熱材料は極めて高価であるため、排気事故によるターゲットの破損を最低限に抑える必要がある。
発明の概要
真空ポンプシステムはスパッタリアクタを真空排気し、このリアクタにおいて、真空マグネトロンチャンバはスパッタリングターゲットの背面を走査するマグネトロンを包囲し、スパッタリングターゲットの正面の処理チャンバはスパッタリングの間は低圧に維持されている。例えばクライオポンプのような高真空ポンプが処理チャンバに連結されている。例えば機械式粗引ポンプのような低真空ポンプ又は粗引ラインが粗引バルブを介してマグネトロンチャンバに連結されている。バイパス導管がマグネトロンチャンバと処理チャンバを連結し、バルブ、好ましくはノーマルオープン(NO)バルブを含む。バイパスバルブに連結されている圧力差スイッチは、バイパスバルブを介した圧力差が許容範囲、例えば1〜30Torr、好ましくは約20Torrを超えるとそれを検知し、それに応じてバイパスバルブを開口する。
最初の排気では、高真空ポンプに連結されたゲートバルブは閉鎖され、バイパスバルブは開口されている。粗引バルブが開口され、これによって粗引ポンプがマグネトロンチャンバ及び処理チャンバの双方が適度な低圧に排気されることができる。圧力が交差圧力に達すると、バイパスバルブは閉鎖され、高真空ポンプに連結されたゲートバルブは開口される。
システムを通気するため、高真空ポンプに連結されたゲートバルブは閉鎖され、バイパスバルブは開口され、通気バルブは大気に開口される。
好ましい実施例の詳細な説明
図2の断面図に概略的に図示されている本発明のスパッタリアクタ50は、主にガス排気と圧力監視の点で従来のリアクタと異なっている。機械式粗引ポンプ34は粗引バルブ36を介してマグネトロンチャンバ32に連結されており、マグネトロンチャンバ32及び主チャンバ14の双方を粗引排気する。バイパス導管51は、マグネトロンチャンバ32に連結されたマグネトロンガスライン52と、処理チャンバ14に連結された主チャンバガスライン53と中間バイパスゲートバルブ54を含む。バイパスゲートバルブ54が開口又は閉鎖されているかによって、2つのチャンバ14、32が互いに真空隔離されるか、圧力が均一化されるかが決定される。この実施例においては、バイパス導管51は他のバルブを有しないことが好ましい。この構成においては、粗引ポンプ34は開口されたバイパスバルブ54を介して処理チャンバ14を排気できるので、粗引ポンプ34を主チャンバ14に直接連結させる必要がない。装置は、共通の粗引排気ラインに連結される粗引バルブ36を備えた複数のシステムに粗引排気ラインを提供し、本リアクタ50のような各々のシステムに用いることができると理解される。コンベクトロンゲージのような中圧粗引真空ゲージ56は粗引ライン上の圧力を測定し、この圧力は典型的には100ミリTorrより高く、機械式粗引ポンプ34の圧力下限に近い。
バイパスバルブ54は好ましくはノーマルオープン(NO)バルブである。即ち、閉鎖するためには正の信号又は電力をNOバイパスバルブ54に印加しなければならない。このような正の信号や電力がない場合、スプリング又は他の受動手段はNOバイパスバルブ54を開口し、主チャンバ14とマグネトロンチャンバ32とを連通させる。従って、停電又は様々なコンピュータ障害が起こった際は、バイパスバルブ54を開口して2つのチャンバ14、32の圧力を均一にする。
圧力差スイッチ58はバイパスバルブ54をまたぐようにしてバイパス導管51に連結されている。圧力差スイッチ58は、閉鎖したバイパスバルブ54にわたるいずれか一方、即ち、2つのチャンバ14、32間において過度の圧力差が生じたとき、これを検知する。圧力差が規定の圧力差許容限度、例えば20Torrを超えた場合は、バイパスバルブ54を開口して2つのチャンバ14、32間の圧力を均等にし、バッキングプレート20を介した圧力差を低減させる。圧力差スイッチ58はバイパスバルブ58に直接、若しくは測定した圧力を全て検知し全バルブの制御をするコントローラ60を介して、又はコントローラ60以外の専用電子機器を介して連結される。圧力差許容限度は20Torrが妥当と思われる。しかしながら、好ましくは30Torrより低く1Torrより高いものであってもよい。圧力差が許容限度を超えると。バッキングプレートが変形し、ターゲットタイル18がバッキングプレート20から剥離する恐れがある。
他の構成において、圧力差スイッチ58の一端又は両端を処理チャンバ14又はマグネトロンチャンバ32に直接連結してもよい。圧力差スイッチ58をオン/オフ圧力差検出器として使用することが最も簡単であるが、圧力差の値をコントローラ60に出力し、測定した圧力差が限界を超えたらコントローラ60が作動するようにすることも可能である。選択的に、圧力差スイッチ58を2つの圧力センサとして(例えば、後述の粗引真空ゲージ56及びチャンバ真空ゲージ66)バイパスバルブ54の対向するサイドで使用し、各々の圧力信号をコントローラ60に送り、圧力差が限度を超えたかをどうかを測定するようにしてもよい。
処理チャンバ14内の圧力は、処理チャンバ14に直接連結されている圧力検出導管64で測定される。コンベクトロンゲージのような中圧チャンバ真空ゲージが圧力検出導管64に連結され、約100ミリTorrから大気圧までの圧力を計測する。キャパシタンスマノメータゲージのような低圧真空ゲージ68が、ゲージ隔離バルブ70を介して圧力検出導管64に連結されている。低圧真空ゲージ68は約1Torrから下は10−8Torr以下の圧力を計測できる。このような低圧真空ゲージはダイヤフラム構造を有したものや、熱フィラメント放出に依存したものであってもよく、1Torrを著しく上回る圧力から保護する必要がある。従って、主チャンバ内の圧力が交差圧力又はそれ以下に低下した場合にのみ隔離バルブ70を開口するのが通例である。
ターゲットアセンブリ18、20のメンテナンス又は交換のために処理チャンバ14を開口する必要がある場合がある。このような場合のため、通気バルブ76を備えた通気導管74を主チャンバ14(又はマグネトロンチャンバ14)に連結し、システムを大気に通気している。通常運転において、通気バルブ76は閉鎖したままである。
本発明の他の実施例である図3の断面図に概略的に図示されているスパッタリアクタ80は、処理チャンバ14及びマグネトロンチャンバ32への従来の排気ポートに依存し、配管又は簡単な構成部材においてバイパス導管82を形成する。粗引バルブ36が粗引ライン84とY接合部86を含む一連の導管の間で連結されている。単一のマグネトロンガスライン88がマグネトロンチャンバ32をY接合部86に連結している。バイパスガスライン90はY接合部84をバイパスバルブ54に連結している。主チャンバガスライン53はバイパスバルブ90を処理チャンバ14に連結している。従って、バイパス導管82はマグネトロンガスライン88、Y接合部86、バイパスライン90、及び主チャンバガスライン53によって構成される。その結果、既存のスパッタリアクタを現場で本発明の排気機構へと再構成することができる。また、この構成は処理チャンバ14とマグネトロンチャンバ32との間に直接連結された圧力差スイッチ58を図示しているが、このスイッチはマグネトロン又はバイパスライン88、90と主チャンバライン53又はチャンバとガスラインの組合せの間に容易に連結させることができる。
2つのチャンバ14、32が大気圧状態で閉鎖されているものと仮定して、以下に排気工程を説明する。スリットバルブ40、粗引バルブ36、隔離バルブ24、及び高圧ゲート28は閉鎖されているものとし、マスフローコントローラ24は排気中閉鎖したままにする。排気開始時、コントローラ60はバイパスバルブ54が開口されているかを判断し、通気バルブ76を閉鎖する。その後、コントローラ60は粗引バルブ36を開口して、粗引ポンプ34はバイパス導管51、82を介してマグネトロンチャンバ32と主チャンバ14の排気を開始する。コントローラ60はチャンバ圧が交差圧力より低下したことを両方の中圧真空ゲージ56、66により検知すると、高真空ゲートバルブ28及びゲージ隔離バルブ70を開口し、バイパスバルブ54を閉鎖する。粗引ポンプ34はマグネトロンチャンバ14の排気を継続し、高真空ポンプ26は主チャンバ14の排気を行う。高真空ゲージ68により主チャンバ14内の圧力が通常のベース圧力、例えば10−6Torr以下に減圧されたことをコントローラ60が検知すると、排気は完了となる。その後、コントローラ60は、ターゲット18の電力供給源と共にスリットバルブ14及びマスフローコントローラ24を制御し、パネル16のスパッタ処理シーケンスを行う。
通気工程は、スリットバルブ14及びマスフローコントローラ24が閉鎖した状態で開始する。コントローラ60はゲージ隔離バルブ70及び高真空ゲートバルブ28を閉じ、バイパスバルブ54を迅速に開口して、主チャンバ14をマグネトロンチャンバ14に連通させる。その後、コントローラ60は粗引バルブ36を閉鎖し、通気バルブ74を開口して、両方のチャンバ14、32を大気に通気する。その後に、マグネトロンチャンバ32をバッキングプレート20から取り外し、バッキングプレート20及びそれに付属するターゲット18を処理チャンバ14から取り外すことができる。
運転中にチャンバ14、32のいずれかで漏れやその他の障害が起きた場合、バイパス圧力差スイッチ58は許容限度を超えた圧力差の暴走を検知して、自動的に過剰な圧力を検知しコントローラ60に中断するよう信号を送り、バイパスバルブ54を速やかに開口させる。バルブ28、70の閉鎖が間に合わないとクライオポンプ26又は高真空ゲージ68が破損する恐れがあるが、少なくとも高価なターゲット/バッキングプレートアセンブリ18、20が修復不可能なほどに破損することはない。追加的に、低圧又は高圧チャンバ真空ゲージ66、68が主チャンバ14内の高圧状態を知らせるようにしてもよい。
本発明はフラットパネルのスパッタリングについて記載したものだが、本発明のスパッタリアクタは実質的に円形のシリコンウェハのスパッタリングのためのスパッタリアクタに効果的に用いることができ、特に大型のものであって、液体冷却路を内包する薄いターゲット/バッキングプレートアセンブリ及び真空排気方式マグネトロンチャンバリアクタに効果的に用いることができる。典型的には、ウエハリアクタは中心軸の周りに回転するマグネトロンを有している。本発明はこのようなウエハリアクタにも効果的に応用することができる。
従って、本発明はより単純でより信頼性の高い真空ポンプシステムを提供するものである。
従来の真空ポンプを含むスパッタリアクタの概略断面図である。 本発明の真空ポンプの第1実施例を含むスパッタリアクタの概略断面図である。 本発明の真空ポンプの第2実施例を含むスパッタリアクタの概略断面図である。

Claims (12)

  1. スパッタコーティングされる基板を保持し、基板に対向するサイドでスパッタリングターゲットに真空シール可能であり、主チャンバを1ミリTorrより低い圧力に排気することができる高真空ポンプに連結可能な主チャンバと、
    走査マグネトロンを含み、ターゲットに真空シール可能なマグネトロンチャンバと、
    真空粗引ラインとマグネトロンチャンバとを連結する粗引バルブと、
    マグネトロンチャンバと主チャンバとを連結し、通常開口バイパスバルブを含み、バイパスバルブが開いている時、マグネトロンと主チャンバの間の圧力が均一化するように作用するバイパス導管と、
    圧力差許容限度を上回る圧力差を検知することができるバイパスバルブの周りに連結された圧力差スイッチを含み、バイパスバルブは圧力差スイッチからの出力に従って操作的に制御されるスパッタリングシステム。
  2. 主チャンバとマグネトロンチャンバの間のバイパス導管にはバイパスバルブ以外のバルブが含まれていない請求項記載のスパッタリングシステム。
  3. ターゲットが内部液体冷却路を備えたバッキングプレートと、バッキングプレートに接着された少なくとも1つのターゲットタイルを含む請求項1記載のスパッタリングシステム。
  4. 主チャンバとマグネトロンチャンバのいずれか一方に連結され、粗引ラインによる圧力を測定することが可能な粗引圧力ゲージと、
    主チャンバを高真空ポンプに連結するゲートバルブと、
    主チャンバとマグネトロンチャンバのいずれか一方に連結された通気バルブを含む大気通気ラインと、
    粗引圧力ゲージから及び圧力差スイッチからの信号を受信し、粗引バルブ、バイパスバルブ、ゲートバルブを制御し、排気手順と通気手順の開始を指示するコントローラを更に含む請求項1記載のシステム。
  5. 基板が矩形パネルである請求項1記載のシステム。
  6. 基板が円形シリコンウエハである請求項1記載のシステム。
  7. スパッタコーティングされる基板を保持する主チャンバと、
    ゲートバルブを介して主チャンバに連結される高真空ポンプと、
    主チャンバにシールされているスパッタリングターゲットと、
    主チャンバと反対側のスパッタリングターゲット面にシールされており、走査マグネトロンを内蔵内臓しているマグネトロンチャンバと、
    真空粗引ラインとマグネトロンチャンバとの間に連結されている粗引バルブと、
    マグネトロンチャンバと主チャンバとを連結し、通常開口バイパスバルブを含み、バイパスバルブが開いている時、マグネトロンと主チャンバの間の圧力が均一化するように作用するバイパス導管と、
    圧力差許容限度を超える圧力差を検知するためのバイパスバルブの周りに連結されている圧力差スイッチシステムを備えたスパッタリングシステム。
  8. 圧力差スイッチシステムは、マグネトロンチャンバに連結された第1圧力センサと、
    主チャンバに連結された第2圧力センサと、
    前記バイパスバルブを制御し、前記2つの圧力センサによって検知された圧力を比較するコントローラを備えた請求項記載のシステム。
  9. 主チャンバとマグネトロンチャンバのいずれか一方に連結され、粗引ラインによる圧力を測定することができる粗引圧力ゲージと、
    主チャンバとマグネトロンチャンバのいずれか一方に連結された通気バルブを含む大気通気ラインを更に含む請求項記載のシステム。
  10. 粗引圧力ゲージからの信号を受信し、粗引バルブ、バイパスバルブ及びゲートバルブを制御し、排気手順及び通気手順の開始を指示するコントローラを更に含む請求項記載のシステム。
  11. スパッタコーティングされる基板を保持する主チャンバと、主チャンバにシールされたスパッタリングターゲットと、走査型マグネトロンを格納するためスパッタリングターゲットにシールされたマグネトロンチャンバと、主チャンバとマグネトロンチャンバとを連結するバイパス導管とを含むスパッタリアクタを排気する方法であって、
    バイパス導管を介してマグネトロンチャンバから主チャンバを粗引排気することを含む減圧工程と、
    マグネトロンチャンバを粗引排気する工程と、
    主処理チャンバを高真空排気する工程と、
    基板にスパッタ堆積を行う間、バイパス導管を閉鎖する工程と、
    マグネトロンチャンバと主チャンバ間の圧力差が規定の圧力差許容限度を超えた場合にバイパス導管を開口する工程を備えた方法。
  12. 前記スパッタリアクタは、主チャンバ及びマグネトロンチャンバのいずれか一方に連結された単一の大気通気部と、大気通気部を制御する通気バルブを更に含み、バイパスバルブと通気バルブとの連動開閉を含む通気工程を更に含む請求項11記載の方法。
JP2006193614A 2005-07-19 2006-07-14 排気可能なマグネトロンチャンバ Expired - Fee Related JP5160054B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/184,679 US8097133B2 (en) 2005-07-19 2005-07-19 Evacuable magnetron chamber
US11/184,679 2005-07-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007046158A JP2007046158A (ja) 2007-02-22
JP5160054B2 true JP5160054B2 (ja) 2013-03-13

Family

ID=37656333

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006193614A Expired - Fee Related JP5160054B2 (ja) 2005-07-19 2006-07-14 排気可能なマグネトロンチャンバ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8097133B2 (ja)
JP (1) JP5160054B2 (ja)
KR (1) KR101275093B1 (ja)
CN (1) CN1900353B (ja)
TW (1) TWI350318B (ja)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080006523A1 (en) 2006-06-26 2008-01-10 Akihiro Hosokawa Cooled pvd shield
KR100819160B1 (ko) 2007-04-27 2008-04-03 세메스 주식회사 압력 조절 밸브 및 이를 구비하는 반도체 제조 장치
JP5077752B2 (ja) * 2007-11-27 2012-11-21 日立金属株式会社 マグネトロンスパッタリング装置
JP5096893B2 (ja) * 2007-12-06 2012-12-12 三菱電機株式会社 マイクロ波イオン源装置
US8454756B2 (en) * 2010-04-30 2013-06-04 Applied Materials, Inc. Methods for extending the lifetime of pressure gauges coupled to substrate process chambers
US8968537B2 (en) 2011-02-09 2015-03-03 Applied Materials, Inc. PVD sputtering target with a protected backing plate
DE102012110284B3 (de) * 2012-10-26 2013-11-14 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Sputterbeschichtungseinrichtung und Vakuumbeschichtungsanlage
US9249500B2 (en) * 2013-02-07 2016-02-02 Applied Materials, Inc. PVD RF DC open/closed loop selectable magnetron
KR102007867B1 (ko) * 2015-04-06 2019-08-07 에이피시스템 주식회사 마그넷 어셈블리 조립상태 점검방법 및 기판처리장치
CN104928646B (zh) * 2015-04-28 2018-05-08 沈阳拓荆科技有限公司 双层式负载腔室真空与大气快速平衡结构
JP6804280B2 (ja) * 2016-12-07 2020-12-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP6876594B2 (ja) * 2017-11-13 2021-05-26 キヤノントッキ株式会社 スパッタ装置
US12012652B2 (en) * 2018-05-21 2024-06-18 Applied Materials, Inc. Single process volume to perform high-pressure and low-pressure processes with features to reduce cross-contamination
KR102650699B1 (ko) * 2019-01-24 2024-03-22 삼성전자주식회사 진공 펌프 시스템, 진공 펌프 모니터링 방법 및 반도체 소자의 제조방법
CN109860007A (zh) * 2019-02-01 2019-06-07 武汉美味源生物工程有限公司 真空状态下的磁控管和绝缘处理方法及其应用
US11694899B2 (en) * 2020-01-10 2023-07-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Interconnect structures and methods and apparatuses for forming the same
KR20210123668A (ko) 2020-04-03 2021-10-14 주식회사 참사랑코팅기술 챔버 진공유지방법 및 진공유지장치
US11915918B2 (en) 2021-06-29 2024-02-27 Applied Materials, Inc. Cleaning of sin with CCP plasma or RPS clean
CN117019399B (zh) * 2023-07-24 2024-04-05 广州华科环保工程有限公司 一种多组分有机废气集中收集后分类预处理的一体化设备

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4474659A (en) * 1982-05-28 1984-10-02 Fazal Fazlin Plated-through-hole method
US4663009A (en) * 1985-02-08 1987-05-05 Hewlett-Packard Company System and method for depositing plural thin film layers on a substrate
DE3731444A1 (de) * 1987-09-18 1989-03-30 Leybold Ag Vorrichtung zum beschichten von substraten
US5433835B1 (en) * 1993-11-24 1997-05-20 Applied Materials Inc Sputtering device and target with cover to hold cooling fluid
DE4415232A1 (de) * 1994-04-30 1995-11-02 Leybold Ag Beschichtungsanlage
WO1997003221A1 (en) * 1995-07-10 1997-01-30 Cvc Products, Inc. Magnetron cathode apparatus and method for sputtering
EP0873430A1 (en) * 1996-07-17 1998-10-28 Novellus Systems, Inc. Sputtering device and liquid-cooled target assembly therefor
JPH11350123A (ja) * 1998-06-05 1999-12-21 Hitachi Ltd 薄膜製造装置および液晶表示基板の製造方法
JP2000054121A (ja) * 1998-08-07 2000-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd ターゲット保護方法及びスパッタ装置
JP2001060555A (ja) * 1999-08-20 2001-03-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理方法
CN2399402Y (zh) * 1999-12-22 2000-10-04 中国科学院沈阳科学仪器研制中心 超高真空多功能磁控溅射装置
JP4521607B2 (ja) * 2000-03-29 2010-08-11 株式会社昭和真空 エクスターナル・カソード電極搭載型スパッタ装置
JP4592949B2 (ja) * 2000-12-27 2010-12-08 キヤノンアネルバ株式会社 マグネトロンスパッタリング装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR101275093B1 (ko) 2013-06-14
US20070017798A1 (en) 2007-01-25
TW200704806A (en) 2007-02-01
CN1900353A (zh) 2007-01-24
KR20070011162A (ko) 2007-01-24
JP2007046158A (ja) 2007-02-22
TWI350318B (en) 2011-10-11
CN1900353B (zh) 2012-01-04
US8097133B2 (en) 2012-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5160054B2 (ja) 排気可能なマグネトロンチャンバ
US7001491B2 (en) Vacuum-processing chamber-shield and multi-chamber pumping method
US6183564B1 (en) Buffer chamber for integrating physical and chemical vapor deposition chambers together in a processing system
CN100363534C (zh) 利用现场吸气泵系统来处理晶片的方法
JP4916140B2 (ja) 真空処理システム
JP6679702B2 (ja) 真空システム、基板搬送システム、電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法
JPS63277762A (ja) ダイアル蒸着・処理装置
KR20050028943A (ko) 저압 화학기상증착 장치의 압력조절 시스템
US20090266410A1 (en) Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, electronic device, and electronic device manufacturing method
US7513141B2 (en) Method for differentially pumping endblock seal cavity
US20070175395A1 (en) Semiconductor device manufacturing equipment including a vacuum apparatus and a method of operating the same
TWI713540B (zh) 濺鍍裝置及其狀態判別方法
US6082414A (en) Apparatus and method for replacing an attachment on a vacuum chamber
CN111579172B (zh) 反应腔室泄漏监测方法以及装置、半导体设备系统
KR101971827B1 (ko) 진공 장치, 진공 시스템, 디바이스 제조 장치, 디바이스 제조 시스템 및 디바이스 제조 방법
EP1076729A1 (en) Low pressure purging method
JPH05283367A (ja) 気密室の常圧復帰装置
JP4483040B2 (ja) 熱処理装置
JP3966735B2 (ja) ガス導入機構およびガス導入方法、ならびにプラズマ処理装置
KR20120110280A (ko) 기판 증착 장치
CN210071221U (zh) 量测真空腔室压力的组件及基板处理设备
JP2009158527A (ja) ロードロック室を有する真空チャンバー装置
KR100932118B1 (ko) 반도체 제조설비의 진공 시스템
TW202224049A (zh) 快速腔室真空洩漏檢查硬體和維護程序
KR20100077956A (ko) 화학기상증착장치 및 누설 압력 체크 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090714

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100913

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120308

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120327

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120626

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120629

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120726

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120803

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120827

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120830

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120927

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121204

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121212

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5160054

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151221

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees