CN2399402Y - 超高真空多功能磁控溅射装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种超高真空多功能磁控溅射装置。由主溅射室、进样室、磁力传动机构、超高真空抽气装置和高真空抽气分子泵组成,其中主溅射室为梨形结构,由圆柱形真空室配装一“梨把”,“梨把”下面加装一套超高真空抽气装置,进样室为圆筒形,由磁力传动机构控制,卧式置放,通过闸板阀与主溅射室水平方向安装在一起,高真空抽气涡轮分子泵通过闸板阀与进样室连接,位于进样室底部。它具有带空气锁的双室结构、性能优良、无污染。
Description
本实用新型涉及溅射镀膜,具体地说是一种超高真空多功能磁控溅射设备。
在现有技术中,可应用溅射原理制备薄膜,且溅射膜层的性能显示出明显的优越性,磁控溅射技术及其装置以其“低温”、“高速”两大特点使薄膜工艺发生了深刻的变化,从而进一步拓宽了制备各种新型材料的领域,使薄膜技术得到了突飞猛进的发展。我国目前生产制造的镀膜机均是一个真空室,有油的扩散泵机组抽气,磁控靶少,RF射频功率源不稳定,这种镀膜机不但工作效率不高,而且真空度不高,油蒸汽污染严重,很难制备性能优质的薄膜。
为了克服上述不足,本实用新型的目的是提供一种双室结构、性能优良、无污染的超高真空多功能磁控溅射装置。
为了实现上述目的,本实用新型的技术方案是:由主溅射室、进样室、磁力传动机构、超高真空抽气装置和高真空抽气分子泵组成,其中主溅射室为梨形结构,由圆柱形真空室配装一“梨把”,“梨把”处下面加装一套超高真空抽气装置,所述进样室为圆筒形,由磁力传动机构控制,卧式置放,通过闸板阀与主溅射室水平方向安装在一起,所述高真空抽气涡轮分子泵通过闸板阀与进样室连接,位于进样室底部;
所述主溅射室由步进电机A、B、顶盖、转盘、样品挡板、靶挡板磁控靶和下底盘组成,其中:步进电机A安装在主溅射室的顶盖上,由步进电机A驱动的转盘悬挂于与提升机连接的顶盖下,在转盘底部放置6~8片样品,磁控靶位于安装在机架上的下底盘上,在样品下面设一随转盘周向旋转的样品挡板,在磁控靶上加设一遮挡靶用、由步进电机B控制转动的靶挡板,所述步进电机B安装在下底盘中心位置处;所述进样室里安装有放置样品用样品库、样品加热炉、RF反溅靶组成,由磁力传动机构的磁力进样杆控制的样品库从上部安装在进样室里,其旋转手柄露于外部,所述样品加热炉亦从上部安装在进样室里,靠真空室一侧,其旋转手柄设于真空室外部,在样品加热炉下方,安装一由机械泵驱动的RF反溅靶,于进样室底部;所述超高真空抽气装置由涡轮分子泵和液氮冷阱组成,所述液氮冷阱通过闸板阀安装在主溅射室的“梨把”下面,在液氮冷阱下边是加装了机械泵的涡轮分子泵;所述磁控靶数量为4只,2只永磁靶,2只电磁靶;所述样品挡板为圆形,其上在6~8个样品处只开一个孔。
本实用新型具有如下优点:
1.真空度高。本实用新型加装由闸板阀、进样室、磁力传动机构组成的空气锁和超高真空双室结构,溅射镀膜室为梨形,极限真空度(用分子泵抽气)高达<6.6×10-6Pa。
2.功能齐全。本实用新型加装进样室,不但提高了工作效率,减少了系统的污染,而且在进样室又引入了对样品RF反溅清洗和高温退火(800℃)处理的功能;另外除安装永磁靶之外,又安装了电磁靶,电磁靶的表面水平场强可调节,就可用于溅射铁磁材料,制备磁性薄膜。
3.自动化程度高。本实用新型由计算机控制制备多层膜,在已设定程序下,可制备各类膜系的多层膜。
附图说明:
图1为本实用新型主视图。
图2为本实用新型俯视图。
下面结合附图对本实用新型的结构和原理作进一步详细说明。
如图1、2所示,由主溅射室1、进样室2、磁力传动机构3、超高真空抽气装置4和高真空抽气分子泵5组成,其中主溅射室1为梨形结构,由圆柱形真空室配装一“梨把”,“梨把”处下面加装一套超高真空抽气装置4,所述超高真空抽气装置4由FB600涡轮分子泵41和液氮冷阱42组成,所述液氮冷阱42通过CF150闸板阀安装在主溅射室1的“梨把”下面,在液氮冷阱42下边是加装了2XZ-8机械泵的涡轮分子泵41,这样可保护涡轮分子泵41不受污染和损伤,又保证了装置的极限真空要求,所述进样室2为圆筒形,由磁力传动机构3控制,卧式置放,通过CF100闸板阀6与主溅射室1水平方向安装在一起,其闸板阀6用来隔断进样室2与主溅射室1,使主溅射室1始终保持超高直空状态,所述FB110高真空抽气涡轮分子泵5通过CF100闸板阀6与进样室2连接,位于进样室2底部,其前级泵为2XZ-4机械泵;
所述主溅射室1由步进电机A11、B11′、顶盖12、转盘13、样品挡板14、靶挡板15磁控靶16和下底盘17组成,其中:步进电机A11安装在主溅射室1的顶盖12上,由步进电机A11驱动的转盘13悬挂于与提升机18连接的顶盖12下,在转盘13采用水冷方式,底部放置6片样品,其中水冷位置5个,加热位置1个,由计算机控制转盘13公转到位,4只磁控靶16位于安装在机架上的下底盘17上,其中2只永磁靶,2只电磁靶,在样品下面设一随转盘13周向旋转的圆形样品挡板14,其上在6个样品处只开了一个孔,在磁控靶16上加设一遮挡靶用、由步进电机B11′控制转动的靶挡板15,所述步进电机B11′安装在下底盘17中心位置处;
所述进样室2里安装有放置样品用样品库21、样品加热炉22、RF反溅靶23组成,由磁力传动机构3的磁力进样杆控制的样品库21从上部安装在进样室1里,其旋转手柄露于外部,所述样品加热炉22亦从上部安装在进样室1里,靠真空室1一侧,其旋转手柄设于真空室1外部,在样品加热炉22下方,安装一RF反溅靶23,于进样室2底部。
本实用新型的磁控靶16选用专用溅射铁磁材料(Fe、Co、Ni),所述转盘13亦可采用液氮冷却方式,其电控部分为现有技术。
本实用新型应用荷能粒子(通常为正离子)轰击物体,从而引起物体表面原子从母体中逸出现象这一磁控溅射技术原理,其工作过程如下:
本实用新型为带有空气锁的双室结构,即主溅射室1和进样室2为双室,闸板阀6、进样室2、磁力传动机构3构成空气锁,其中,主溅射室1和进样室2由空气锁闸板阀6隔离,进样室2内加装样品,通过磁力传动机构3可将其内样品送进主溅射室1,也可将主溅射室1内已镀好的样品从其内取出,送回进样室2内;靶挡板15用以开始起辉瞬间遮挡磁控靶16靶极,做炼靶之用,当靶材被溅射出新鲜表面时即可打开靶挡板15溅射,在样品挡板14处只开一个孔,露出一个样品,此样品挡板与转盘13连在一起用微机控制转动,仅对露出的一片样品在不同靶位下溅射镀膜,该片工艺完成后,可用样品叉拔动挡板齿轮,使开口转至第二片样品继续镀膜;主溅射室1的主要功能是在超高真空环境背景下溅射制膜,可不用反复暴露大气,即可换取样品,减少了系统的污染,保证了所制备薄膜的纯净。
Claims (6)
1.一种超高真空多功能磁控溅射装置,其特征在于:由主溅射室(1)、进样室(2)、磁力传动机构(3)、超高真空抽气装置(4)和高真空抽气分子泵(5)组成,其中主溅射室(1)为梨形结构,由圆柱形真空室配装一“梨把”,“梨把”处下面加装一套超高真空抽气装置(4),所述进样室(2)为圆筒形,由磁力传动机构(3)控制,卧式置放,通过闸板阀(6)与主溅射室(1)水平方向安装在一起,所述高真空抽气涡轮分子泵(5)通过闸板阀(6)与进样室(2)连接,位于进样室(2)底部。
2.按照权利要求1所述超高真空多功能磁控溅射装置,其特征在于:所述主溅射室(1)由步进电机A、B(11、11′)、顶盖(12)、转盘(13)、样品挡板(14)、靶挡板(15)磁控靶(16)和下底盘(17)组成,其中:步进电机A(11)安装在主溅射室(1)的顶盖(12)上,由步进电机A(11)驱动的转盘(13)悬挂于与提升机(18)连接的顶盖(12)下,在转盘(13)底部放置6~8片样品,磁控靶(16)位于安装在机架上的下底盘(17)上,在样品下面设一随转盘(13)周向旋转的样品挡板(14),在磁控靶(16)上加设一遮挡靶用、由步进电机B(11′)控制转动的靶挡板(15),所述步进电机B(11′)安装在下底盘(17)中心位置处。
3.按照权利要求1所述超高真空多功能磁控溅射装置,其特征在于:所述进样室(2)里安装有放置样品用样品库(21)、样品加热炉(22)、RF反溅靶(23)组成,由磁力传动机构(3)的磁力进样杆控制的样品库(21)从上部安装在进样室(1)里,其旋转手柄露于外部,所述样品加热炉(22)亦从上部安装在进样室(1)里,靠真空室(1)一侧,其旋转手柄设于真空室(1)外部,在样品加热炉(22)下方,安装一由机械泵驱动的RF反溅靶(23),于进样室(2)底部。
4.按照权利要求1所述超高真空多功能磁控溅射装置,其特征在于:所述超高真空抽气装置(4)由涡轮分子泵(41)和液氮冷阱(42)组成,所述液氮冷阱(42)通过闸板阀安装在主溅射室(1)的“梨把”下面,在液氮冷阱(42)下边是加装了机械泵的涡轮分子泵(41)。
5.按照权利要求2所述超高真空多功能磁控溅射装置,其特征在于:所述磁控靶(16)数量为4只,2只永磁靶,2只电磁靶。
6.按照权利要求2所述超高真空多功能磁控溅射装置,其特征在于:所述样品挡板(14)为圆形,其上在6~8个样品处只开一个孔。
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Cited By (6)
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---|---|---|---|---|
CN101130452B (zh) * | 2006-08-25 | 2011-05-11 | 深圳豪威真空光电子股份有限公司 | 星型双回转磁控溅射导电玻璃镀膜生产线及生产工艺 |
CN1900353B (zh) * | 2005-07-19 | 2012-01-04 | 应用材料公司 | 可抽空的磁控管室 |
CN102784592A (zh) * | 2011-05-18 | 2012-11-21 | 中国科学院微电子研究所 | 一种改善真空获得和保持的装置及方法 |
CN103103485A (zh) * | 2011-11-11 | 2013-05-15 | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 | 一种带有单冷却自转盘的磁控溅射系统 |
CN107653443A (zh) * | 2017-09-18 | 2018-02-02 | 北京大学 | 一种极高真空系统中的双碱光阴极镀膜组件及控制方法 |
CN112505335A (zh) * | 2019-09-16 | 2021-03-16 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 超高真空样品转移设备及转移方法 |
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- 1999-12-22 CN CN 99250742 patent/CN2399402Y/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1900353B (zh) * | 2005-07-19 | 2012-01-04 | 应用材料公司 | 可抽空的磁控管室 |
CN101130452B (zh) * | 2006-08-25 | 2011-05-11 | 深圳豪威真空光电子股份有限公司 | 星型双回转磁控溅射导电玻璃镀膜生产线及生产工艺 |
CN102784592A (zh) * | 2011-05-18 | 2012-11-21 | 中国科学院微电子研究所 | 一种改善真空获得和保持的装置及方法 |
CN103103485A (zh) * | 2011-11-11 | 2013-05-15 | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 | 一种带有单冷却自转盘的磁控溅射系统 |
CN107653443A (zh) * | 2017-09-18 | 2018-02-02 | 北京大学 | 一种极高真空系统中的双碱光阴极镀膜组件及控制方法 |
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