JPS60230980A - 陰極スパツタリング装置 - Google Patents
陰極スパツタリング装置Info
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- JPS60230980A JPS60230980A JP60071289A JP7128985A JPS60230980A JP S60230980 A JPS60230980 A JP S60230980A JP 60071289 A JP60071289 A JP 60071289A JP 7128985 A JP7128985 A JP 7128985A JP S60230980 A JPS60230980 A JP S60230980A
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- Japan
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- substrate support
- support
- cathode
- vacuum chamber
- substrate
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野：
本発明は装入部、腐食部および被覆部を含む少なくとも
２つの隣接配置した作業部、真空室、少なくとも１つの
ス・ξツタリング陰極ならびに作業部の間を往復運動す
る基材支持体を有する陰極スパッタリング装置に関する
。このような陰極スパッタリング装置の場合装入部は腐
食部と一致するので、装置は全体として２つの作業部し
か有しない。
２つの隣接配置した作業部、真空室、少なくとも１つの
ス・ξツタリング陰極ならびに作業部の間を往復運動す
る基材支持体を有する陰極スパッタリング装置に関する
。このような陰極スパッタリング装置の場合装入部は腐
食部と一致するので、装置は全体として２つの作業部し
か有しない。
従来の技術。
西独公開特許公報第２９３２４８３号によって３つの作
業部を有する陰極スパッタリング装置が公知であり、こ
れによれば適当数の基材支持器が同心軸を中心に回転木
馬のように回転しうる円板に配置される。しかしこの場
合個々の基材支持体への冷却媒体循環回路を有しないの
で、個々の処理過程の量温度を一定に保持することはほ
ぼ不可能である。さらにこのような装置の場合、個々の
作業部の間の遮断弁は構造上設置できないので、個々の
作業部の間の相互汚染を抑制することはほとんど不可能
である。したがってとくにたとえば装入部を開放し、同
時に隣接被覆部の作業を維持することができない。
業部を有する陰極スパッタリング装置が公知であり、こ
れによれば適当数の基材支持器が同心軸を中心に回転木
馬のように回転しうる円板に配置される。しかしこの場
合個々の基材支持体への冷却媒体循環回路を有しないの
で、個々の処理過程の量温度を一定に保持することはほ
ぼ不可能である。さらにこのような装置の場合、個々の
作業部の間の遮断弁は構造上設置できないので、個々の
作業部の間の相互汚染を抑制することはほとんど不可能
である。したがってとくにたとえば装入部を開放し、同
時に隣接被覆部の作業を維持することができない。
さらにいわゆるモジュールユニットからなる陰極スパッ
タリング装置が技術水準に属する。
タリング装置が技術水準に属する。
この場合多数の作業部がそれぞれ固有の真空室によって
仕切られ、かつこのような直列配置の真空室が遮断弁に
よって互いにおよび装置両端で大気に対し仕切られる。
仕切られ、かつこのような直列配置の真空室が遮断弁に
よって互いにおよび装置両端で大気に対し仕切られる。
それによって準連続作業が可能であり、相互汚染も遮断
弁によって防止される。基材はローラに支持した板状基
材支持体によってすべての作業部を通って直線運動する
。しかしこの場合たとえば遮断弁のため、走行する基材
支持体をつねに冷却媒体回路に保持することができない
ので、基材を十分冷却することは困難である。それゆえ
このような装置の場合基材支持体を個々の作業部で定置
冷却板に当てることによりこの困難を避けた。しかしこ
のような冷却は熱に過敏な特定の生成物には不十分であ
り、とくにほとんど再現性がない。
弁によって防止される。基材はローラに支持した板状基
材支持体によってすべての作業部を通って直線運動する
。しかしこの場合たとえば遮断弁のため、走行する基材
支持体をつねに冷却媒体回路に保持することができない
ので、基材を十分冷却することは困難である。それゆえ
このような装置の場合基材支持体を個々の作業部で定置
冷却板に当てることによりこの困難を避けた。しかしこ
のような冷却は熱に過敏な特定の生成物には不十分であ
り、とくにほとんど再現性がない。
基材冷却問題に対し、非常に狭い限界内で一定温度に保
持しなければならない基材を熱伝導性材料により基材支
持体へ両部材間の良好な熱伝達が保証されるように接着
する手段が挙げられる。走行可能の基材支持体を冷却媒
体の循環する定置冷却板へ支持することにより、熱伝達
のチェーンに非常に弱いリンクが発生し、す彦わち基材
支持体と冷却板の間の熱伝達は再び再現可能でなく、比
較的高い温度勾配を伴う。多少によらず狭い空隙による
熱輸送の中断はとくに隣接作業部で両方とも基材の熱負
荷を伴う２つの処理過程を面接続いて実施する場合臨界
的である。
持しなければならない基材を熱伝導性材料により基材支
持体へ両部材間の良好な熱伝達が保証されるように接着
する手段が挙げられる。走行可能の基材支持体を冷却媒
体の循環する定置冷却板へ支持することにより、熱伝達
のチェーンに非常に弱いリンクが発生し、す彦わち基材
支持体と冷却板の間の熱伝達は再び再現可能でなく、比
較的高い温度勾配を伴う。多少によらず狭い空隙による
熱輸送の中断はとくに隣接作業部で両方とも基材の熱負
荷を伴う２つの処理過程を面接続いて実施する場合臨界
的である。
基材の熱負荷は陰極ス・ξツタリング工程およびプラズ
マ腐食工程の基礎であるとくにいわゆるプラズマ処理の
場合不可避である。この場合いわゆるダイオード系の熱
負荷は処理時間が長いためプラズマ放電を陰極まだはタ
ーゲット表面の狭い範囲に制限し／こいわゆるマグネト
ロン陰極の場合より大きい。ス・ξツタリング速度が１
０−３０倍大きいマグネトロン陰極の場合著しく短い被
覆時間によるだけで小さい熱負荷が発生する。しかし層
の高い均一性を要求する多数の処理にはマグネトロン陰
極は局部的に制限したスパッタリング過程のため、まっ
たくまたは複雑な作業条件下にしか使用できず、これら
の場合のためには依然としてダイオードスパッタリング
が使用される。ダイオ−１法はいわゆるプラズマ腐食の
場合にも存在し、その際基材を有する基材支持体は真空
室に対して絶縁され、高周波発生機と結合される。この
場合ス・ξツタリング方向が逆転し、基材から腐食処理
によって除去された材料は腐食作業部の捕集板の方向へ
移動する。この過程もこの場合プラズマ放電が直接基材
表面へ作用するので、基材の強い熱負荷を伴う。原則と
して磁場作用下の腐食も可能であるけれど、実際には均
一性の理由からいわゆるダイオ−１゛法が好まれる。
マ腐食工程の基礎であるとくにいわゆるプラズマ処理の
場合不可避である。この場合いわゆるダイオード系の熱
負荷は処理時間が長いためプラズマ放電を陰極まだはタ
ーゲット表面の狭い範囲に制限し／こいわゆるマグネト
ロン陰極の場合より大きい。ス・ξツタリング速度が１
０−３０倍大きいマグネトロン陰極の場合著しく短い被
覆時間によるだけで小さい熱負荷が発生する。しかし層
の高い均一性を要求する多数の処理にはマグネトロン陰
極は局部的に制限したスパッタリング過程のため、まっ
たくまたは複雑な作業条件下にしか使用できず、これら
の場合のためには依然としてダイオードスパッタリング
が使用される。ダイオ−１法はいわゆるプラズマ腐食の
場合にも存在し、その際基材を有する基材支持体は真空
室に対して絶縁され、高周波発生機と結合される。この
場合ス・ξツタリング方向が逆転し、基材から腐食処理
によって除去された材料は腐食作業部の捕集板の方向へ
移動する。この過程もこの場合プラズマ放電が直接基材
表面へ作用するので、基材の強い熱負荷を伴う。原則と
して磁場作用下の腐食も可能であるけれど、実際には均
一性の理由からいわゆるダイオ−１゛法が好まれる。
発明が解決しようとする問題点：
本発明の目的は前記概念の陰極ス・？ツタリング装置を
基材が個々の作業部を通る途中でつねに再現可能の条件
下に冷却されるように改善することである。
基材が個々の作業部を通る途中でつねに再現可能の条件
下に冷却されるように改善することである。
問題点を解決するだめの手段：
この目的は前記陰極ス・ξツタリング装置において本発
明によシ基材支持体が真空室を貫通する回転支持器にア
ームを介して偏心固定され、回転支持器を貫通して冷却
媒体回路が基材支持体まで導かれていることによって解
決される。
明によシ基材支持体が真空室を貫通する回転支持器にア
ームを介して偏心固定され、回転支持器を貫通して冷却
媒体回路が基材支持体まで導かれていることによって解
決される。
作用：
本発明の手段によってこの種の陰極ス・ξツタリング装
置に常用の基材支持体の直線運動が回転支持器を中心と
する円軌道上の旋回運動に変えられ、回転支持器は基材
支持体を冷却媒体源と恒常的に結合するために使用する
ことができる。この場合基材支持体をすべての作業部に
おいてのみならず、１つの作業部から他の作業部への輸
送通路で連続的に冷却を維持し、その際基材と基材支持
体および冷却媒体回路との密接な熱的接触をたとえば熱
伝導性材料による接着によって保持することができる１
、 したがって本発明のもう１つの形成により基材支持体を
真空室に対して絶縁して支持し、高周波発生機へ接続す
るのがとくに有利である。
置に常用の基材支持体の直線運動が回転支持器を中心と
する円軌道上の旋回運動に変えられ、回転支持器は基材
支持体を冷却媒体源と恒常的に結合するために使用する
ことができる。この場合基材支持体をすべての作業部に
おいてのみならず、１つの作業部から他の作業部への輸
送通路で連続的に冷却を維持し、その際基材と基材支持
体および冷却媒体回路との密接な熱的接触をたとえば熱
伝導性材料による接着によって保持することができる１
、 したがって本発明のもう１つの形成により基材支持体を
真空室に対して絶縁して支持し、高周波発生機へ接続す
るのがとくに有利である。
このような場合とくに簡単に装入部を腐食部として使用
することができる。基材支持体に高周波を負荷し、かつ
基材支持体と装入部の相対する壁面との表面積の比によ
ってこの壁面が機能的に陽極になり、基材をその際発生
するプラズマ過程によって腐食することができる。その
際とくに装入ぶだが陽極機能を引受け、腐食除去される
材料の捕集器として役立つ。この目的で装入ぶたはとく
に交換可能の板を備える。
することができる。基材支持体に高周波を負荷し、かつ
基材支持体と装入部の相対する壁面との表面積の比によ
ってこの壁面が機能的に陽極になり、基材をその際発生
するプラズマ過程によって腐食することができる。その
際とくに装入ぶだが陽極機能を引受け、腐食除去される
材料の捕集器として役立つ。この目的で装入ぶたはとく
に交換可能の板を備える。
真空室を直方体形に形成し、その室の土壁に２つの角形
孔を備え、そのうちの１つがスパッタリング陰極により
、他が前記装入ぶたによって閉鎖可能であシ、回転支持
器の軸が孔の間を走る垂直の対称面内にあればとくに有
利である。
孔を備え、そのうちの１つがスパッタリング陰極により
、他が前記装入ぶたによって閉鎖可能であシ、回転支持
器の軸が孔の間を走る垂直の対称面内にあればとくに有
利である。
このような手段により装入ぶだを横に旋回した場合、装
入部の基材支持体に上から容易に装入することができる
。装置部材は被覆部においてもス・ξツタリング陰極を
分解した後、容易に近付くことができる。
入部の基材支持体に上から容易に装入することができる
。装置部材は被覆部においてもス・ξツタリング陰極を
分解した後、容易に近付くことができる。
本発明によシ基材の連続的冷却を個々の作業部が弁によ
って互いに分離可能である場合も維持することがとくに
簡単に可能である。
って互いに分離可能である場合も維持することがとくに
簡単に可能である。
これは本発明のもう１つの形成によシ２つの作業部の間
に弁座および第１遮断弁を有する隔壁を配置し、アーム
が第２遮断弁を有し、この弁が基材支持体を被覆部へ旋
回する際弁座に支持されることによって達成される。
に弁座および第１遮断弁を有する隔壁を配置し、アーム
が第２遮断弁を有し、この弁が基材支持体を被覆部へ旋
回する際弁座に支持されることによって達成される。
この場合基材支持体は付加的に弁機能を有し、その際も
ちろん第１遮断弁は第２遮断弁を妨害しない位置へ動か
されることが前提となる。冷却媒体回路はこの場合中断
なく維持することができ、個々の作業部の間の相互汚染
は完全に防止される。
ちろん第１遮断弁は第２遮断弁を妨害しない位置へ動か
されることが前提となる。冷却媒体回路はこの場合中断
なく維持することができ、個々の作業部の間の相互汚染
は完全に防止される。
本発明の他の有利な実施例は特許請求の範囲第一２〜７
項に記載される。
項に記載される。
実施例。
次に本発明の実施例を図面により説明する。
第２図には２つの隣接する作業部２および３を有する陰
極スパッタリング装置１が示され、そのうち作業部２は
同時に装入部および腐食部であシ、作業部δは被覆部で
ある。これらの作業部は直方体形真空室牛の一部であ一
部、室の上壁５は２つの円形の孔６およびｒを有する。
極スパッタリング装置１が示され、そのうち作業部２は
同時に装入部および腐食部であシ、作業部δは被覆部で
ある。これらの作業部は直方体形真空室牛の一部であ一
部、室の上壁５は２つの円形の孔６およびｒを有する。
１つの孔６は装入ぶだ８によって閉鎖可能であり、この
ふたは垂直駆動装置９および回転駆動装置１０によジア
ーム１１を介して横方向に旋回することができる。
ふたは垂直駆動装置９および回転駆動装置１０によジア
ーム１１を介して横方向に旋回することができる。
他の円形孔７はス・？ツタリング陰極１２によって閉鎖
可能であり、この陰極はそのインピーダンスマツチング
回路１３とともに偏心軸１５を中心に旋回しうるシール
フラン）■４に配置される。
可能であり、この陰極はそのインピーダンスマツチング
回路１３とともに偏心軸１５を中心に旋回しうるシール
フラン）■４に配置される。
孔６と７の間にこの孔に対する垂直の対称面を考えるこ
とができ、この面は室の上壁５の強化に役立つトラバー
ス１６を通って走る。この対称面に回転支持器１７の垂
直軸線が配置され、この支持器は真空室牛の下壁１８を
絶縁して貫通する。回転支持器の下端は目には見えない
けれど、もう１つのインピーダンスマツチング回路を収
容したケーシング１９内にある。
とができ、この面は室の上壁５の強化に役立つトラバー
ス１６を通って走る。この対称面に回転支持器１７の垂
直軸線が配置され、この支持器は真空室牛の下壁１８を
絶縁して貫通する。回転支持器の下端は目には見えない
けれど、もう１つのインピーダンスマツチング回路を収
容したケーシング１９内にある。
回転支持器１７に基材支持体２１と結合した半径方向の
アーム２０が固定される。基材支持体２１は図示の場合
孔６と同軸に孔の下部にあるので、支持した個々の基材
２２が見える。装入ぶた８を反時計方向に孔６の上へ旋
回し、真空気密に結合するまで降下させれば、作業部２
で腐食工程を実施することができ、そのため回転支持器
１７へ接続した高周波発生機によシ所要のエネルギーが
供給される。
アーム２０が固定される。基材支持体２１は図示の場合
孔６と同軸に孔の下部にあるので、支持した個々の基材
２２が見える。装入ぶた８を反時計方向に孔６の上へ旋
回し、真空気密に結合するまで降下させれば、作業部２
で腐食工程を実施することができ、そのため回転支持器
１７へ接続した高周波発生機によシ所要のエネルギーが
供給される。
この腐食工程後、基材支持体２１を回転支持器１７によ
り時計方向に孔７の下にこの孔と同軸になるように旋回
することができる。ス・ξツタリング陰極１２が旋回し
て入ると、この位置で基材２２の被覆工程が可能である
。
り時計方向に孔７の下にこの孔と同軸になるように旋回
することができる。ス・ξツタリング陰極１２が旋回し
て入ると、この位置で基材２２の被覆工程が可能である
。
この場合孔７の中に前ス・Ｑツタリング板として役立つ
円板２３が見える。被覆工程の初めにこの円板ヘスノ？
ツタリング陰極１２０表面から不純物が沈積する。続い
て基材支持体２１０通路を開放するた“め、円板２３は
垂直駆動装置２斗に固定され、これによって円板２３を
基材支持板２１が円板を上へ動きうるように降下させる
ことができる。
円板２３が見える。被覆工程の初めにこの円板ヘスノ？
ツタリング陰極１２０表面から不純物が沈積する。続い
て基材支持体２１０通路を開放するた“め、円板２３は
垂直駆動装置２斗に固定され、これによって円板２３を
基材支持板２１が円板を上へ動きうるように降下させる
ことができる。
第１図で第２図と同じ部材は同じ番号で示される。第２
図といっしょにして基材支持体２１がほぼ円筒形の中空
体として形成されていることが明らかであり、その上面
に冷却通路２５を備える支持板２６が挿入される。この
支持板は詳細には図示されない多数の円板状凹所を有し
、この凹所は第２図の位置で基材２２を配置するため使
用される。冷却通路２５から冷却媒体回路２７が熱交換
器または排水路へ通じ、これはここには２回曲つだ１つ
の導管によって略示されるけれど、もちろん流入および
流出用の２つの導管からなる。°゛冷却媒体回路″とは
基材支持体２１を通る冷却液のすべての通路を表わす。
図といっしょにして基材支持体２１がほぼ円筒形の中空
体として形成されていることが明らかであり、その上面
に冷却通路２５を備える支持板２６が挿入される。この
支持板は詳細には図示されない多数の円板状凹所を有し
、この凹所は第２図の位置で基材２２を配置するため使
用される。冷却通路２５から冷却媒体回路２７が熱交換
器または排水路へ通じ、これはここには２回曲つだ１つ
の導管によって略示されるけれど、もちろん流入および
流出用の２つの導管からなる。°゛冷却媒体回路″とは
基材支持体２１を通る冷却液のすべての通路を表わす。
冷却媒体回路２７が回転支持器１７を貫通していること
が認められる。さらに円板２３が第２図に比して降下し
た位置にあるので、この円板と孔７０間に基材支持体２
１が旋回して入るための十分な余地があることが示され
る。ス・ξツタリング陰極１２はその下面にス・ξツタ
リングする被覆材料からなる図示されないターゲツト板
を有し、このターゲツト板の表面は支持板２６と平行で
ある。ス・ξツタリング陰極１２は１つの導管のみで示
す冷却媒体回路２８に接続する。
が認められる。さらに円板２３が第２図に比して降下し
た位置にあるので、この円板と孔７０間に基材支持体２
１が旋回して入るための十分な余地があることが示され
る。ス・ξツタリング陰極１２はその下面にス・ξツタ
リングする被覆材料からなる図示されないターゲツト板
を有し、このターゲツト板の表面は支持板２６と平行で
ある。ス・ξツタリング陰極１２は１つの導管のみで示
す冷却媒体回路２８に接続する。
第１およυく図にはさらに系を排気す７るための吸引接
続口２９および支持架台３０が示される。
続口２９および支持架台３０が示される。
第３図は同様第２図と同じ機能を有する２つの作業部２
および３を有する第１および第２図に比して改善された
陰極ス・ξツタリング装置３１を示す。装入ぶた８およ
びスパッタリング陰極１２は非常に簡１１１に略示され
る。この場合基材支持体２１と回転支持器１７の結合お
よび冷冷媒体回路の案内のため、水平面内で折曲るよう
に形成した異なる形のアーム３２（第４および５図）が
存在する。２つの作業部２と３の間に牛角彫版によって
形成した第１遮断弁板３４を有する隔壁３３が存在する
。この遮断弁板は弁座３５と協力し、弁座の輪かくは遮
断弁板３斗の輪かくにほぼ相当する。第１遮断弁板３４
と同一の第２遮断弁板３６は基材支持体２１が作業部２
（第４図）から作業部３（第５図）へ旋回する際弁座３
５に真空気密に接触するような空間位置で折曲つだアー
ム３２に固定される。
および３を有する第１および第２図に比して改善された
陰極ス・ξツタリング装置３１を示す。装入ぶた８およ
びスパッタリング陰極１２は非常に簡１１１に略示され
る。この場合基材支持体２１と回転支持器１７の結合お
よび冷冷媒体回路の案内のため、水平面内で折曲るよう
に形成した異なる形のアーム３２（第４および５図）が
存在する。２つの作業部２と３の間に牛角彫版によって
形成した第１遮断弁板３４を有する隔壁３３が存在する
。この遮断弁板は弁座３５と協力し、弁座の輪かくは遮
断弁板３斗の輪かくにほぼ相当する。第１遮断弁板３４
と同一の第２遮断弁板３６は基材支持体２１が作業部２
（第４図）から作業部３（第５図）へ旋回する際弁座３
５に真空気密に接触するような空間位置で折曲つだアー
ム３２に固定される。
それによって作業部２と３の間の相互汚染が防止される
。
。
折曲ったアーム３２が第２遮断弁板３６を貫通している
ことが認められる。そのため図示されていない冷却媒体
回路も第２遮断弁板を貫通するので、冷却媒体循環は作
業２および３でも、さらに２つの作業部の間の輸送の際
も維持することができる。輸送運動は第４および５図に
円弧によって示される。） 熱伝導材料としてはたとえば低融点金属（ガリウム、融
点２８６℃）！、たは合金（インジウム／ガリウム、融
点１５．９℃）が挙げられるけれど、熱伝導度の高い金
属粉末（銀またはアルミニウム）を添加した有機ペース
トも使用される。
ことが認められる。そのため図示されていない冷却媒体
回路も第２遮断弁板を貫通するので、冷却媒体循環は作
業２および３でも、さらに２つの作業部の間の輸送の際
も維持することができる。輸送運動は第４および５図に
円弧によって示される。） 熱伝導材料としてはたとえば低融点金属（ガリウム、融
点２８６℃）！、たは合金（インジウム／ガリウム、融
点１５．９℃）が挙げられるけれど、熱伝導度の高い金
属粉末（銀またはアルミニウム）を添加した有機ペース
トも使用される。
【図面の簡単な説明】
第１図は陰極ス・ぐツタリング装置の縦断面図、第２図
はその斜視図、第３図は陰極スパッタリング装置のもう
１つの実施例の斜視図、第４図および第５図は基材支持
体が２つの可能な端部位置にある第３図装置の平面図で
ある。 ２・・・装入部、３・・・被覆部、４・・・真空室、６
゜７・・・孔、８・・・装入ぶた、１１・・・アーム、
１２・・・スパッタリング陰極、１５・・・偏心軸、１
７・・・回転支持器、２０・・アーム、２２・・・基材
、３２・・・アーム、３３・・・隔壁、３４．３６・・
・遮断弁、δ５・・・弁座。 ＦＩＧ、２
はその斜視図、第３図は陰極スパッタリング装置のもう
１つの実施例の斜視図、第４図および第５図は基材支持
体が２つの可能な端部位置にある第３図装置の平面図で
ある。 ２・・・装入部、３・・・被覆部、４・・・真空室、６
゜７・・・孔、８・・・装入ぶた、１１・・・アーム、
１２・・・スパッタリング陰極、１５・・・偏心軸、１
７・・・回転支持器、２０・・アーム、２２・・・基材
、３２・・・アーム、３３・・・隔壁、３４．３６・・
・遮断弁、δ５・・・弁座。 ＦＩＧ、２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、装入部、腐食部および被覆部を含む少なくとも２つ
の隣接配置した作業部、真空室、少なくとも１つのスパ
ッタリング陰極ならびに作業部の間を往復運動する基材
支持体を有する陰極スパッタリング装置において、基材
支持体（２１）が真空室（４）を貫通する回転支持器（
１７）にアーム（２０，３２）により偏心支持され、回
転支持器を貫通して冷却回路（２７）が基材支持体（２
１）まで導かれていることを特徴とする陰極スパッタリ
ング装置。 ２、基材支持体（２１）がほぼ円筒形の中空体として形
成され、この中に上面に冷却通路（・２５）を備える支
持板（２６）が挿入されている特許請求の範囲第１項記
載の装置。 ３、基材支持体（２１）が真空室（４）に対し絶縁して
支持され、高周波発生機に接続されている特許請求の範
囲第１項記載の装置。 ４、真空室（４）が直方体形に形成され、この室の土壁
（５）が２つの円形孔（６，７）を有し、１つの孔がス
・ξツタリング陰極（１２）によシ、他の孔が装入ぶた
（８）により閉鎖可能であシ、回転支持器（１７）の軸
が孔（６，７）の間を走る垂直対称面内にある特許請求
の範囲第１項記載の装置。 ５、 ス・？ツタリング１極（１２）のだめの孔（７）
の下に昇降可能の円板（２３）が前ス・ξツタリング板
として配置されている特許請求の範囲第１項記載の装置
。 ６２つの作業部（２，３）の間に弁座（３５）および第
１遮断弁板（３４）を有する隔壁（３３）が配置され、
アーム（３２）が第２の遮断弁板（３６）を有し、この
弁板が基材支持体（２１）が被覆部（３）へ旋回して入
る際弁座（３５）に接触する特許請求の範囲第１項記載
の装置。 ７ アーム（３２）が水平面内で折曲げて形成されてい
る特許請求の範囲第６項記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19843413001 DE3413001A1 (de) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | Katodenzerstaeubungsanlage mit nebeneinander angeordneten stationen |
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