JPH0247828A - 減圧熱ｃｖｄ装置 - Google Patents
減圧熱ｃｖｄ装置Info
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- JPH0247828A JPH0247828A JP19934688A JP19934688A JPH0247828A JP H0247828 A JPH0247828 A JP H0247828A JP 19934688 A JP19934688 A JP 19934688A JP 19934688 A JP19934688 A JP 19934688A JP H0247828 A JPH0247828 A JP H0247828A
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- Japan
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- reaction chamber
- vacuum
- chamber
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- Pending
Links
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Landscapes
- Self-Closing Valves And Venting Or Aerating Valves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置に関し、特に減圧熱ＣＶＤ装置
に関する。
に関する。
従来、この種の半導体製造装置は拡散炉型の反応室を有
し、該反応室に真空とするための排気機構、反応ガスを
導入する吸気機構、熱エネルギーを加える加熱機構、大
気圧に戻すベントＲ椙等が付帯されており、反応室内へ
の半導体基板の圧入のため、大気圧→真空→反応カス導
入（反応）→真空→ベント→大気圧のシーケンスを行っ
ていた。
し、該反応室に真空とするための排気機構、反応ガスを
導入する吸気機構、熱エネルギーを加える加熱機構、大
気圧に戻すベントＲ椙等が付帯されており、反応室内へ
の半導体基板の圧入のため、大気圧→真空→反応カス導
入（反応）→真空→ベント→大気圧のシーケンスを行っ
ていた。
１述した従来の半導体製造装置は、真空となる部屋が反
応室であり、唯一つのみ有しており、該真空室は真空−
大気圧を繰り返すという構造となっているので、 ■半導体基板が反応室（炉芯管）内へ入る際に、大気を
巻き込み、所要としない薄膜が半導体基板上に形成され
てしまうこと、 ■反応室（炉芯管）内は一度反応を行うと、内壁に薄膜
が形成され、繰り返し行うと膜が厚くなり、はがれ落ち
てパーティクルとなる。このパーティクルが反応室内を
真空−大気圧と繰り返すことで、自由に動き回り、半導
体基板へと付着してしまうこと という欠点がある。
応室であり、唯一つのみ有しており、該真空室は真空−
大気圧を繰り返すという構造となっているので、 ■半導体基板が反応室（炉芯管）内へ入る際に、大気を
巻き込み、所要としない薄膜が半導体基板上に形成され
てしまうこと、 ■反応室（炉芯管）内は一度反応を行うと、内壁に薄膜
が形成され、繰り返し行うと膜が厚くなり、はがれ落ち
てパーティクルとなる。このパーティクルが反応室内を
真空−大気圧と繰り返すことで、自由に動き回り、半導
体基板へと付着してしまうこと という欠点がある。
本発明の目的は前記課題を解決した減圧熱ＣＶＤ装置を
提供することにある。
提供することにある。
上述した従来の半導体装置に対し、本発明は密閉反応室
への大気の侵入を防止して該反応室内でのパーティクル
の発生を防止するという相違点を有する。
への大気の侵入を防止して該反応室内でのパーティクル
の発生を防止するという相違点を有する。
前記目的を達成するため、本発明は真空排気機構、加熱
機構及びガス導入口を備えた密閉反応室を有する減圧熱
ＣＶＤ装置において、真空排気機構とベント機構を有す
る予備真空室を備え、該予備真空室と密閉反応室をゲー
トバルブを介して接続したものである。
機構及びガス導入口を備えた密閉反応室を有する減圧熱
ＣＶＤ装置において、真空排気機構とベント機構を有す
る予備真空室を備え、該予備真空室と密閉反応室をゲー
トバルブを介して接続したものである。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の実施例１を示す縦断面図である。
第１図は本発明を縦型減圧熱ＣＶＤ装置に適用した実施
例を示すものであり、本発明は真空排気機構８、加熱機
構６及びガス導入口９を備えた密閉反応室５と、真空排
気ｔｌｌｌ楕１０及びベント機構１１を備えた予備真空
室３とを上下に配列して設置し、上段の密閉反応室５と
予備真空室３とをゲートバルブ４を介して接続したもの
である。１はボート、２はボート台である。
例を示すものであり、本発明は真空排気機構８、加熱機
構６及びガス導入口９を備えた密閉反応室５と、真空排
気ｔｌｌｌ楕１０及びベント機構１１を備えた予備真空
室３とを上下に配列して設置し、上段の密閉反応室５と
予備真空室３とをゲートバルブ４を介して接続したもの
である。１はボート、２はボート台である。
実施例において、下方より押入れられなボート１及びボ
ート台２が第１図の状態のとき、予備真空室３は真空に
引かれ次にゲートバルブ４が左方に開く、そこで、ボー
ト１及びボート台２は上方へと押し上がっていき、常に
真空を維持した反応室５へと入る。ボート台２はそのま
まの状態で反応室５のシールの役目も果たし、反応室５
内はガスが導入され、デポジションを始める。
ート台２が第１図の状態のとき、予備真空室３は真空に
引かれ次にゲートバルブ４が左方に開く、そこで、ボー
ト１及びボート台２は上方へと押し上がっていき、常に
真空を維持した反応室５へと入る。ボート台２はそのま
まの状態で反応室５のシールの役目も果たし、反応室５
内はガスが導入され、デポジションを始める。
デポジションが終了したら、逆のシーケンスをたどり、
第１図の状態で予備真空室３はリークを行い、大気圧と
なり、ボート１及びボート台２は下方へ下がり、大気中
へ解放される。
第１図の状態で予備真空室３はリークを行い、大気圧と
なり、ボート１及びボート台２は下方へ下がり、大気中
へ解放される。
（実施例２）
第２図は本発明の実施例２を示すｌａ断面図である０本
実施例は横型減圧熱ＣＶＤ装置に適用したものであり、
予備真空室３内にボートローダ−７が組み込まれている
のが特徴であり、このボートローダ−７が半導体基板を
のせたボート１を反応室５、予備真空室３、大気中へと
運搬する仕組みとなっている。
実施例は横型減圧熱ＣＶＤ装置に適用したものであり、
予備真空室３内にボートローダ−７が組み込まれている
のが特徴であり、このボートローダ−７が半導体基板を
のせたボート１を反応室５、予備真空室３、大気中へと
運搬する仕組みとなっている。
この実施例では横型であるため、縦型のように高さに制
限がないので、炉の長さを長くすることが可能であり、
１バツチの処理枚数を増やすことかできるという利点が
ある。
限がないので、炉の長さを長くすることが可能であり、
１バツチの処理枚数を増やすことかできるという利点が
ある。
以上説明したように本発明は、反応室の前段に、排気及
びベント機構を備えた予備真空室を有することにより、
反応室内は常に一定の真空度を保つことができ、反応室
内へ大気が入り込むことが原因の異常な薄膜形成を防止
でき、反応室内でのパーティクルの発生も防止できる効
果がある。
びベント機構を備えた予備真空室を有することにより、
反応室内は常に一定の真空度を保つことができ、反応室
内へ大気が入り込むことが原因の異常な薄膜形成を防止
でき、反応室内でのパーティクルの発生も防止できる効
果がある。
第１図は本発明の実施例１を示す縦断面図、第２図は本
発明の実施例２を示す＃ＩＷｔ面図である。 １・・・ボート ２・・・ボート台３・・・
予備真空室 ４・・・ゲートバルブ５・・・密閉
反応室 ６・・・加熱機構７・・・ボートローダ
−８，１０・・・真空排気機構９・・・ガス導入口
１１・・・ベントａｍ第 図
発明の実施例２を示す＃ＩＷｔ面図である。 １・・・ボート ２・・・ボート台３・・・
予備真空室 ４・・・ゲートバルブ５・・・密閉
反応室 ６・・・加熱機構７・・・ボートローダ
−８，１０・・・真空排気機構９・・・ガス導入口
１１・・・ベントａｍ第 図
Claims (1)
- （１）真空排気機構、加熱機構及びガス導入口を備えた
密閉反応室を有する減圧熱ＣＶＤ装置において、真空排
気機構とベント機構を有する予備真空室を備え、該予備
真空室と密閉反応室をゲートバルブを介して接続したこ
とを特徴とする減圧熱ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19934688A JPH0247828A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 減圧熱ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19934688A JPH0247828A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 減圧熱ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0247828A true JPH0247828A (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=16406242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19934688A Pending JPH0247828A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 減圧熱ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247828A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04137613A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Handotai Process Kenkyusho:Kk | 半導体装置の製造装置 |
| WO2006049055A1 (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
-
1988
- 1988-08-10 JP JP19934688A patent/JPH0247828A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04137613A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Handotai Process Kenkyusho:Kk | 半導体装置の製造装置 |
| WO2006049055A1 (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
| JPWO2006049055A1 (ja) * | 2004-11-01 | 2008-08-07 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
| KR100859602B1 (ko) * | 2004-11-01 | 2008-09-23 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판처리 장치 및 반도체 디바이스의 제조방법 |
| CN100456435C (zh) * | 2004-11-01 | 2009-01-28 | 株式会社日立国际电气 | 衬底处理装置以及半导体设备的制造方法 |
| US7731797B2 (en) | 2004-11-01 | 2010-06-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate treating apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| JP4498362B2 (ja) * | 2004-11-01 | 2010-07-07 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
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