JPH0714773A - 減圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
減圧ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH0714773A JPH0714773A JP18202093A JP18202093A JPH0714773A JP H0714773 A JPH0714773 A JP H0714773A JP 18202093 A JP18202093 A JP 18202093A JP 18202093 A JP18202093 A JP 18202093A JP H0714773 A JPH0714773 A JP H0714773A
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- Japan
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- reaction chamber
- main valve
- gas
- valve
- exhaust system
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ウェーハが減圧反応ガス雰囲気の反応室で加熱
処理される減圧ＣＶＤ装置に於いて、反応室開閉時に排
気系からパーティクル、或はＮＨ4 Ｃｌ等の汚染物質の
混入がない様にしたものである。 【構成】反応室９に連通する排気系のメインバルブ１４
にバイパスさせ、過加圧防止ライン２１を設け、前記メ
インバルブ閉時に前記過加圧防止ラインより所要流量を
吸引する様構成し、排気系に常時ガスの流れを形成し、
反応室の開閉時に反応室雰囲気の乱れが生じても排気系
からパーティクル、或はＮＨ4 Ｃｌ等の汚染物質が混入
することを抑制する。
処理される減圧ＣＶＤ装置に於いて、反応室開閉時に排
気系からパーティクル、或はＮＨ4 Ｃｌ等の汚染物質の
混入がない様にしたものである。 【構成】反応室９に連通する排気系のメインバルブ１４
にバイパスさせ、過加圧防止ライン２１を設け、前記メ
インバルブ閉時に前記過加圧防止ラインより所要流量を
吸引する様構成し、排気系に常時ガスの流れを形成し、
反応室の開閉時に反応室雰囲気の乱れが生じても排気系
からパーティクル、或はＮＨ4 Ｃｌ等の汚染物質が混入
することを抑制する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子の製造装置の
１つである減圧ＣＶＤ装置に関するものである。
１つである減圧ＣＶＤ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の減圧ＣＶＤ装置について図２によ
り説明する。
り説明する。
【０００３】図２中、１はヒータ、２は該ヒータ１内部
に設けられた外部反応管、３は該外部反応管２内に設け
られ反応室９を画成する内部反応管であり、前記外部反
応管２と内部反応管３との間には円筒状の空間１０が形
成され、該円筒状空間１０の下端は閉塞されている。
に設けられた外部反応管、３は該外部反応管２内に設け
られ反応室９を画成する内部反応管であり、前記外部反
応管２と内部反応管３との間には円筒状の空間１０が形
成され、該円筒状空間１０の下端は閉塞されている。
【０００４】前記反応室９にはボート４が装入、引出し
可能となっており、該ボート４には水平姿勢で多段にウ
ェーハ５が装填される様になっている。又、前記ボート
４はボートキャップ６を介して炉口蓋７に載置され、該
炉口蓋７はボート４装入状態で前記反応室９の炉口部を
閉塞可能となっている。該炉口蓋７は図示しないボート
エレベータにより昇降可能である。
可能となっており、該ボート４には水平姿勢で多段にウ
ェーハ５が装填される様になっている。又、前記ボート
４はボートキャップ６を介して炉口蓋７に載置され、該
炉口蓋７はボート４装入状態で前記反応室９の炉口部を
閉塞可能となっている。該炉口蓋７は図示しないボート
エレベータにより昇降可能である。
【０００５】ボート４引出し時に前記炉口部を閉塞する
ものとして炉口シャッタ１１が設けられる。
ものとして炉口シャッタ１１が設けられる。
【０００６】前記反応室９の下端に反応ガス導入管８が
連通し、前記円筒状空間１０の下端には、ガス排気管１
２連通され、該ガス排気管１２には真空ポンプ１３が接
続されている。該ガス排気管１２の途中にはメインバル
ブ１４が設けられ、該メインバルブ１４をバイパスする
補助排気管１５が前記ガス排気管１２に接続され、該補
助排気管１５に補助バルブ１６が設けられる。又、メイ
ンバルブ１４、補助バルブ１６の上流側に圧力検出器１
７、過加圧防止ライン１８が接続され、該過加圧防止ラ
イン１８に仕切バルブ１９、チェック弁２０が設けられ
る。
連通し、前記円筒状空間１０の下端には、ガス排気管１
２連通され、該ガス排気管１２には真空ポンプ１３が接
続されている。該ガス排気管１２の途中にはメインバル
ブ１４が設けられ、該メインバルブ１４をバイパスする
補助排気管１５が前記ガス排気管１２に接続され、該補
助排気管１５に補助バルブ１６が設けられる。又、メイ
ンバルブ１４、補助バルブ１６の上流側に圧力検出器１
７、過加圧防止ライン１８が接続され、該過加圧防止ラ
イン１８に仕切バルブ１９、チェック弁２０が設けられ
る。
【０００７】前記ヒータ１で反応室９が加熱され、前記
ボート４が炉内に装入され、前記炉口蓋７が炉口部を閉
塞し、前記メインバルブ１４、仕切バルブ１９が閉塞、
前記補助バルブ１６を開した状態で、前記真空ポンプ１
３により前記補助排気管１５を介して緩やかに反応室９
を真空排気する。反応室９が所要の圧力迄低下すると、
前記メインバルブ１４を開いてガス排気管１２を介して
排気する。反応室９が所定の圧力に到達し、又ウェーハ
５の温度が安定すると、前記反応ガス導入管８より反応
ガスを導入して、ウェーハ５の加熱処理を行う。
ボート４が炉内に装入され、前記炉口蓋７が炉口部を閉
塞し、前記メインバルブ１４、仕切バルブ１９が閉塞、
前記補助バルブ１６を開した状態で、前記真空ポンプ１
３により前記補助排気管１５を介して緩やかに反応室９
を真空排気する。反応室９が所要の圧力迄低下すると、
前記メインバルブ１４を開いてガス排気管１２を介して
排気する。反応室９が所定の圧力に到達し、又ウェーハ
５の温度が安定すると、前記反応ガス導入管８より反応
ガスを導入して、ウェーハ５の加熱処理を行う。
【０００８】加熱処理の完了後、反応室９に不活性ガス
を流入させ、ガスパージする。
を流入させ、ガスパージする。
【０００９】次に、メインバルブ１４、補助バルブ１６
を閉じ、前記反応ガス導入管８より更に不活性ガスを流
入し、反応室９を大気圧迄昇圧する。前記圧力検出器１
７により大気圧であることが検出されると前記仕切バル
ブ１９が開く。反応室９が大気圧以上となると前記チェ
ック弁２０より排気される。又、大気圧であることが確
認されると図示しないボートエレベータにより前記ボー
トキャップ６が引出される。
を閉じ、前記反応ガス導入管８より更に不活性ガスを流
入し、反応室９を大気圧迄昇圧する。前記圧力検出器１
７により大気圧であることが検出されると前記仕切バル
ブ１９が開く。反応室９が大気圧以上となると前記チェ
ック弁２０より排気される。又、大気圧であることが確
認されると図示しないボートエレベータにより前記ボー
トキャップ６が引出される。
【００１０】ボートキャップ６が引出された状態で、炉
口部は前記炉口シャッタ１１により閉塞される。該炉口
シャッタ１１により炉口部が閉塞された状態は図３によ
り示される。
口部は前記炉口シャッタ１１により閉塞される。該炉口
シャッタ１１により炉口部が閉塞された状態は図３によ
り示される。
【００１１】前記炉口シャッタ１１により炉口部を閉塞
した状態でも前記した様に反応室９を真空引きし、又反
応室９を大気に復圧することができ、この作動は上記ボ
ート４を装入した状態での真空引き、大気への復圧と同
様に行われる。
した状態でも前記した様に反応室９を真空引きし、又反
応室９を大気に復圧することができ、この作動は上記ボ
ート４を装入した状態での真空引き、大気への復圧と同
様に行われる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記した様に、前記圧
力検出器１７が反応室９を大気圧と検知し、或はチェッ
ク弁２０で不活性ガスを漏出させ大気圧に保持している
状態でも、正確には反応室９の内外では圧力差がある。
この為、前記ボート４を引出し、或は前記炉口シャッタ
１１を開いた場合、反応室９の雰囲気に乱れが生ずる。
特に排気系から反応室９方向への雰囲気の乱れがあった
場合、ガス排気管１２の内壁に付着していたパーティク
ル、或は残留したＮＨ4 Ｃｌが反応室９に混入し、ウェ
ーハ５の汚染の原因となる問題があった。
力検出器１７が反応室９を大気圧と検知し、或はチェッ
ク弁２０で不活性ガスを漏出させ大気圧に保持している
状態でも、正確には反応室９の内外では圧力差がある。
この為、前記ボート４を引出し、或は前記炉口シャッタ
１１を開いた場合、反応室９の雰囲気に乱れが生ずる。
特に排気系から反応室９方向への雰囲気の乱れがあった
場合、ガス排気管１２の内壁に付着していたパーティク
ル、或は残留したＮＨ4 Ｃｌが反応室９に混入し、ウェ
ーハ５の汚染の原因となる問題があった。
【００１３】本発明は斯かる実情に鑑み、ボートの引出
し、或は前記炉口シャッタの開閉で反応室雰囲気が乱れ
てもパーティクル、或はＮＨ4 Ｃｌ等の汚染物質の混入
がない様にしたものである。
し、或は前記炉口シャッタの開閉で反応室雰囲気が乱れ
てもパーティクル、或はＮＨ4 Ｃｌ等の汚染物質の混入
がない様にしたものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、ウェーハが減
圧反応ガス雰囲気の反応室で加熱処理される減圧ＣＶＤ
装置に於いて、前記反応室に連通する排気系のメインバ
ルブにバイパスさせ、過加圧防止ラインを設け、前記メ
インバルブ閉時に前記過加圧防止ラインより所要流量を
吸引する様構成したことをことを特徴とするものであ
る。
圧反応ガス雰囲気の反応室で加熱処理される減圧ＣＶＤ
装置に於いて、前記反応室に連通する排気系のメインバ
ルブにバイパスさせ、過加圧防止ラインを設け、前記メ
インバルブ閉時に前記過加圧防止ラインより所要流量を
吸引する様構成したことをことを特徴とするものであ
る。
【００１５】
【作用】メインバルブ閉時に前記過加圧防止ラインより
所要流量を吸引するので排気系に常時ガスの流れが形成
され、反応室の開閉時に反応室雰囲気の乱れが生じても
排気系からパーティクル、或はＮＨ4 Ｃｌ等の汚染物質
が混入することがない。
所要流量を吸引するので排気系に常時ガスの流れが形成
され、反応室の開閉時に反応室雰囲気の乱れが生じても
排気系からパーティクル、或はＮＨ4 Ｃｌ等の汚染物質
が混入することがない。
【００１６】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１７】図１中、図２中で示したものと同一のもの
には同符号を付し、その説明を省略する。
には同符号を付し、その説明を省略する。
【００１８】円筒状空間１０の下端にガス排気管１２を
連通し、該ガス排気管１２に真空ポンプ１３を接続す
る。前記ガス排気管１２にメインバルブ１４を設け、該
メインバルブ１４をバイパスして補助排気管１５を設
け、該補助排気管１５に補助バルブ１６を設ける。前記
メインバルブ１４、補助バルブ１６の上流側に圧力検出
器１７を設ける。
連通し、該ガス排気管１２に真空ポンプ１３を接続す
る。前記ガス排気管１２にメインバルブ１４を設け、該
メインバルブ１４をバイパスして補助排気管１５を設
け、該補助排気管１５に補助バルブ１６を設ける。前記
メインバルブ１４、補助バルブ１６の上流側に圧力検出
器１７を設ける。
【００１９】前記メインバルブ１４をバイパスして更に
過加圧防止ライン２１を設け、該過加圧防止ライン２１
に仕切バルブ２２、該仕切バルブ２２の下流側にニード
ルバルブ等の流量制御弁２３を設ける。
過加圧防止ライン２１を設け、該過加圧防止ライン２１
に仕切バルブ２２、該仕切バルブ２２の下流側にニード
ルバルブ等の流量制御弁２３を設ける。
【００２０】以下作動を説明する。
【００２１】従来と同様、加熱処理の完了後、反応室９
に不活性ガスを流入させ、ガスパージする。
に不活性ガスを流入させ、ガスパージする。
【００２２】次に、メインバルブ１４、補助バルブ１
６、仕切バルブ２２を閉じ、前記反応ガス導入管８より
更に不活性ガスを流入し、反応室９を大気圧迄昇圧す
る。前記圧力検出器１７により大気圧であることが検出
されると前記過加圧防止ライン２１の仕切バルブ２２を
開き前記流量制御弁２３で前記真空ポンプ１３の吸引量
を調整しながら過加圧とならない様に不活性ガスを吸引
する。而して、炉口蓋７を下降させたり、炉口シャッタ
１１を開いた場合に、反応室９の雰囲気に乱れを生じた
としても、前記過加圧防止ライン２１は常に微少量吸引
されているので、前記ガス排気管１２中のガスは過加圧
防止ライン２１方向に流れ、反応室９に排気系からのパ
ーティクル、或はＮＨ4 Ｃｌ等の汚染物質の混入がなく
なる。
６、仕切バルブ２２を閉じ、前記反応ガス導入管８より
更に不活性ガスを流入し、反応室９を大気圧迄昇圧す
る。前記圧力検出器１７により大気圧であることが検出
されると前記過加圧防止ライン２１の仕切バルブ２２を
開き前記流量制御弁２３で前記真空ポンプ１３の吸引量
を調整しながら過加圧とならない様に不活性ガスを吸引
する。而して、炉口蓋７を下降させたり、炉口シャッタ
１１を開いた場合に、反応室９の雰囲気に乱れを生じた
としても、前記過加圧防止ライン２１は常に微少量吸引
されているので、前記ガス排気管１２中のガスは過加圧
防止ライン２１方向に流れ、反応室９に排気系からのパ
ーティクル、或はＮＨ4 Ｃｌ等の汚染物質の混入がなく
なる。
【００２３】尚、上記実施例は縦型炉について説明した
が、横型反応炉を有する半導体製造装置にも同様に実施
可能であることは言う迄もない。
が、横型反応炉を有する半導体製造装置にも同様に実施
可能であることは言う迄もない。
【００２４】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、反応室
炉口部の開閉に伴う雰囲気の乱れにより、排気系のパー
ティクル、或はＮＨ4 Ｃｌ等の汚染物質が反応室に混入
することが抑制され、ウェーハがパーティクルに汚染さ
れることが防止でき、製造される半導体素子の品質向上
が図れるという優れた効果を発揮する。
炉口部の開閉に伴う雰囲気の乱れにより、排気系のパー
ティクル、或はＮＨ4 Ｃｌ等の汚染物質が反応室に混入
することが抑制され、ウェーハがパーティクルに汚染さ
れることが防止でき、製造される半導体素子の品質向上
が図れるという優れた効果を発揮する。
【図１】本発明の一実施例を示す断面概略図である。
【図２】従来例を示す断面概略図である。
【図３】該従来例の作動を説明した断面概略図である。
２ 外部反応管 ３ 内部反応管 １３ 真空ポンプ １５ 補助排気管 １６ 補助バルブ ２１ 過加圧防止ライン ２２ 仕切バルブ ２３ 流量制御弁
Claims (1)
- 【請求項１】 ウェーハが減圧反応ガス雰囲気の反応室
で加熱処理される減圧ＣＶＤ装置に於いて、前記反応室
に連通する排気系のメインバルブにバイパスさせ、過加
圧防止ラインを設け、前記メインバルブ閉時に前記過加
圧防止ラインより所要流量を吸引する様構成したことを
ことを特徴とする減圧ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18202093A JP3305817B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 半導体製造装置及びウェーハ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18202093A JP3305817B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 半導体製造装置及びウェーハ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0714773A true JPH0714773A (ja) | 1995-01-17 |
| JP3305817B2 JP3305817B2 (ja) | 2002-07-24 |
Family
ID=16110942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18202093A Expired - Lifetime JP3305817B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 半導体製造装置及びウェーハ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3305817B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6204199B1 (en) | 1998-09-11 | 2001-03-20 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Method for producing a semiconductor device |
| JP2001217194A (ja) * | 2000-02-02 | 2001-08-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JP2007231400A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空処理システム及びベント方法 |
| JP2008153695A (ja) * | 2008-03-06 | 2008-07-03 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の処理装置 |
| KR101066138B1 (ko) * | 2008-04-14 | 2011-09-20 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP2015191957A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
| WO2024057590A1 (ja) * | 2022-09-16 | 2024-03-21 | 株式会社Kokusai Electric | 排気構造、排気システム、処理装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-06-28 JP JP18202093A patent/JP3305817B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6204199B1 (en) | 1998-09-11 | 2001-03-20 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Method for producing a semiconductor device |
| JP2001217194A (ja) * | 2000-02-02 | 2001-08-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JP2007231400A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空処理システム及びベント方法 |
| JP2008153695A (ja) * | 2008-03-06 | 2008-07-03 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の処理装置 |
| JP4675388B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2011-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の処理装置 |
| KR101066138B1 (ko) * | 2008-04-14 | 2011-09-20 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP2015191957A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
| WO2024057590A1 (ja) * | 2022-09-16 | 2024-03-21 | 株式会社Kokusai Electric | 排気構造、排気システム、処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3305817B2 (ja) | 2002-07-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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