JP2003218098A - 処理方法及び処理装置 - Google Patents
処理方法及び処理装置Info
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- JP2003218098A JP2003218098A JP2002010143A JP2002010143A JP2003218098A JP 2003218098 A JP2003218098 A JP 2003218098A JP 2002010143 A JP2002010143 A JP 2002010143A JP 2002010143 A JP2002010143 A JP 2002010143A JP 2003218098 A JP2003218098 A JP 2003218098A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 圧力変動部への反応副生成物の付着を回避す
る手法で開度可変弁の採用を可能とすることにより、Ｔ
ＡＴの短縮を図ると共に、低真空処理を含む複数種類の
処理を実行可能とする。 【解決手段】 ガス供給系６及び真空排気系８が接続さ
れた処理容器２に被処理体ｗを収容して所定の処理を行
う処理方法において、前記真空排気系８に、開閉及び圧
力制御が可能な開度可変弁２０と、真空排気系８への不
活性ガスの導入により圧力制御を行う圧力制御部２１と
を設け、処理容器２内の初期真空引き、置換及び低真空
処理の圧力制御を前記開度可変弁２０により行い、圧力
変動部への反応副生成物の付着を伴う成膜処理の圧力制
御を行う場合、前記開度可変弁２０を全開状態とし前記
圧力制御部２１により行う。
る手法で開度可変弁の採用を可能とすることにより、Ｔ
ＡＴの短縮を図ると共に、低真空処理を含む複数種類の
処理を実行可能とする。 【解決手段】 ガス供給系６及び真空排気系８が接続さ
れた処理容器２に被処理体ｗを収容して所定の処理を行
う処理方法において、前記真空排気系８に、開閉及び圧
力制御が可能な開度可変弁２０と、真空排気系８への不
活性ガスの導入により圧力制御を行う圧力制御部２１と
を設け、処理容器２内の初期真空引き、置換及び低真空
処理の圧力制御を前記開度可変弁２０により行い、圧力
変動部への反応副生成物の付着を伴う成膜処理の圧力制
御を行う場合、前記開度可変弁２０を全開状態とし前記
圧力制御部２１により行う。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、処理方法及び処理
装置に関する。
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造においては、被処理体
例えば半導体ウエハに例えば酸化、拡散、ＣＶＤ、アニ
ール等の各種の処理を施すために、処理装置が用いられ
ている。処理装置としては、処理容器の真空排気系に開
閉及び圧力制御が可能な開度可変弁（コンビネーション
バルブともいう。）を設けたものがある。この処理装置
においては、圧力変動部に反応副生成物が付着する例え
ばＴＥＯＳプロセス等の成膜処理を行うと、圧力変動部
である開度可変弁の弁体と弁座の隙間にガラス状等の硬
い物質例えばＳｉＯ２等の反応副生成物が付着し、この
反応副生成物により閉弁が妨げられて内部リークを起こ
すと共に、精度の良い圧力制御が困難である等の問題が
あるため、圧力変動部への反応副生成物の付着を伴う成
膜処理には使用することができなかった。
例えば半導体ウエハに例えば酸化、拡散、ＣＶＤ、アニ
ール等の各種の処理を施すために、処理装置が用いられ
ている。処理装置としては、処理容器の真空排気系に開
閉及び圧力制御が可能な開度可変弁（コンビネーション
バルブともいう。）を設けたものがある。この処理装置
においては、圧力変動部に反応副生成物が付着する例え
ばＴＥＯＳプロセス等の成膜処理を行うと、圧力変動部
である開度可変弁の弁体と弁座の隙間にガラス状等の硬
い物質例えばＳｉＯ２等の反応副生成物が付着し、この
反応副生成物により閉弁が妨げられて内部リークを起こ
すと共に、精度の良い圧力制御が困難である等の問題が
あるため、圧力変動部への反応副生成物の付着を伴う成
膜処理には使用することができなかった。
【０００３】このため、従来では、圧力変動部への硬い
反応副生成物の付着を伴う成膜処理を行う場合、例えば
図４に示すような処理装置が用いられていた。図４は従
来の処理装置の一例を示す図、図５は主弁の断面図であ
る。この処理装置は、ガス供給系６及び真空排気系８が
接続された処理容器２に被処理体を収容して所定の処理
を行うようになっている。前記真空排気系８は、所定の
管径（内径）例えば８０ｍｍの配管９を有し、この配管
９には主弁４０及び真空ポンプ１５が上流側から順に設
けられている。また、前記配管９には、前記主弁４０を
バイパスする小管径例えば９ｍｍのバイパス管４１が接
続され、このバイパス管４１には補助弁４２が設けられ
ている。
反応副生成物の付着を伴う成膜処理を行う場合、例えば
図４に示すような処理装置が用いられていた。図４は従
来の処理装置の一例を示す図、図５は主弁の断面図であ
る。この処理装置は、ガス供給系６及び真空排気系８が
接続された処理容器２に被処理体を収容して所定の処理
を行うようになっている。前記真空排気系８は、所定の
管径（内径）例えば８０ｍｍの配管９を有し、この配管
９には主弁４０及び真空ポンプ１５が上流側から順に設
けられている。また、前記配管９には、前記主弁４０を
バイパスする小管径例えば９ｍｍのバイパス管４１が接
続され、このバイパス管４１には補助弁４２が設けられ
ている。
【０００４】前記主弁４０は、図５に示すように、弁室
４３に形成された弁座４４と、この弁座４４に着座及び
離反移動可能に設けられた弁体４５とを備えたシリンダ
バルブからなり、弁座４４と弁体４５との間の微小な隙
間調節による圧力制御が困難であるため、オン・オフ
（開閉）専用とされている。補助弁４２も、主弁４０と
同様に、オン・オフ（開閉）専用となっている。そし
て、前記配管９の主弁４０と真空ポンプ１５との間に
は、配管９内に不活性ガス例えば窒素ガスＮ２を導入す
ることにより圧力制御を行うバラスト制御部（圧力制御
部）２１が設けられている。
４３に形成された弁座４４と、この弁座４４に着座及び
離反移動可能に設けられた弁体４５とを備えたシリンダ
バルブからなり、弁座４４と弁体４５との間の微小な隙
間調節による圧力制御が困難であるため、オン・オフ
（開閉）専用とされている。補助弁４２も、主弁４０と
同様に、オン・オフ（開閉）専用となっている。そし
て、前記配管９の主弁４０と真空ポンプ１５との間に
は、配管９内に不活性ガス例えば窒素ガスＮ２を導入す
ることにより圧力制御を行うバラスト制御部（圧力制御
部）２１が設けられている。
【０００５】処理容器２内の初期真空引きを行う場合に
は、急激な真空引きによる処理容器２内のパーティクル
の巻上げを抑制するために、先ず主弁４０を全閉、補助
弁４２を全開にして小径管のバイパス管４１を経由した
スローバキュームにより処理容器２内を所定の圧力例え
ば１０Ｔｏｒｒ程度まで減圧し、次いで主弁４０を全開
にしてベース圧力例えば１×１０−３Ｔｏｒｒ程度まで
減圧していた。
は、急激な真空引きによる処理容器２内のパーティクル
の巻上げを抑制するために、先ず主弁４０を全閉、補助
弁４２を全開にして小径管のバイパス管４１を経由した
スローバキュームにより処理容器２内を所定の圧力例え
ば１０Ｔｏｒｒ程度まで減圧し、次いで主弁４０を全開
にしてベース圧力例えば１×１０−３Ｔｏｒｒ程度まで
減圧していた。
【０００６】そして、ＴＥＯＳ等の成膜処理を行う場合
には、ガス供給系６から処理容器２内に所定の処理ガス
を導入する一方、前記主弁４０を全開、補助弁４２を全
閉にした状態でバラスト制御部２１により窒素ガスＮ２
を真空排気系８の配管９内に導入して処理容器２内を所
定の処理圧力例えば１Ｔｏｒｒ程度に制御していた。前
記主弁４０を全開にすることにより、圧力変動部である
主弁４０の弁体４５と弁座４４の隙間に反応副生成物で
ある硬い物質例えばＳｉＯ２が付着するのを回避してい
る。
には、ガス供給系６から処理容器２内に所定の処理ガス
を導入する一方、前記主弁４０を全開、補助弁４２を全
閉にした状態でバラスト制御部２１により窒素ガスＮ２
を真空排気系８の配管９内に導入して処理容器２内を所
定の処理圧力例えば１Ｔｏｒｒ程度に制御していた。前
記主弁４０を全開にすることにより、圧力変動部である
主弁４０の弁体４５と弁座４４の隙間に反応副生成物で
ある硬い物質例えばＳｉＯ２が付着するのを回避してい
る。
【０００７】また、処理後、処理容器２内を置換（パー
ジ）する場合には、バラスト制御部２１による圧力制御
を停止し、前記主弁４０を全開にした状態でガス供給系
から窒素ガスＮ２を処理容器２内に導入するＮ２パージ
方式が採用されていた。
ジ）する場合には、バラスト制御部２１による圧力制御
を停止し、前記主弁４０を全開にした状態でガス供給系
から窒素ガスＮ２を処理容器２内に導入するＮ２パージ
方式が採用されていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記処
理装置ないし処理方法においては、初期真空引きを行う
場合、主弁４０と補助弁４２を段階的に切換えなければ
ならず、大気圧からベース圧力に真空引きするのに時間
が１０分程度かかるため、被処理体を処理容器内に搬入
してから所定の処理後処理容器外に搬出するまでの所要
時間ＴＡＴ（TurnAround Time）が多くかかるという問
題があった。また、前記主弁４０と補助弁４２だけで
は、例えば処理容器２内を数百Ｔｏｒｒ程度の低真空
（弱減圧）に減圧制御した状態でガス供給系からクリー
ニングガスを処理容器２内に導入して処理容器２の内部
を洗浄処理する等の低真空処理を行うことが困難で、ガ
ス種や処理圧力の異なる復数種類の処理を行うことも困
難であった。
理装置ないし処理方法においては、初期真空引きを行う
場合、主弁４０と補助弁４２を段階的に切換えなければ
ならず、大気圧からベース圧力に真空引きするのに時間
が１０分程度かかるため、被処理体を処理容器内に搬入
してから所定の処理後処理容器外に搬出するまでの所要
時間ＴＡＴ（TurnAround Time）が多くかかるという問
題があった。また、前記主弁４０と補助弁４２だけで
は、例えば処理容器２内を数百Ｔｏｒｒ程度の低真空
（弱減圧）に減圧制御した状態でガス供給系からクリー
ニングガスを処理容器２内に導入して処理容器２の内部
を洗浄処理する等の低真空処理を行うことが困難で、ガ
ス種や処理圧力の異なる復数種類の処理を行うことも困
難であった。
【０００９】本発明は、前記事情を考慮してなされたも
ので、開度可変弁への反応副生成物の付着を防止でき、
開度可変弁の採用によりＴＡＴの短縮が図れると共に、
低真空処理を含む複数種類の処理が実行可能な処理方法
及び処理装置を提供することを目的とする。
ので、開度可変弁への反応副生成物の付着を防止でき、
開度可変弁の採用によりＴＡＴの短縮が図れると共に、
低真空処理を含む複数種類の処理が実行可能な処理方法
及び処理装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項１
の発明は、ガス供給系及び真空排気系が接続された処理
容器に被処理体を収容して所定の処理を行う処理方法に
おいて、前記真空排気系に、開閉及び圧力制御が可能な
開度可変弁と、真空排気系への不活性ガスの導入により
圧力制御を行う圧力制御部とを設け、処理容器内の初期
真空引き、置換及び低真空処理の圧力制御を前記開度可
変弁により行い、圧力変動部への反応副生成物の付着を
伴う成膜処理の圧力制御を行う場合、前記開度可変弁を
全開状態とし前記圧力制御部により行うことを特徴とす
る。
の発明は、ガス供給系及び真空排気系が接続された処理
容器に被処理体を収容して所定の処理を行う処理方法に
おいて、前記真空排気系に、開閉及び圧力制御が可能な
開度可変弁と、真空排気系への不活性ガスの導入により
圧力制御を行う圧力制御部とを設け、処理容器内の初期
真空引き、置換及び低真空処理の圧力制御を前記開度可
変弁により行い、圧力変動部への反応副生成物の付着を
伴う成膜処理の圧力制御を行う場合、前記開度可変弁を
全開状態とし前記圧力制御部により行うことを特徴とす
る。
【００１１】請求項２の発明は、ガス供給系及び真空排
気系が接続された処理容器に被処理体を収容して所定の
処理を行う処理方法において、前記真空排気系に、開閉
及び圧力制御が可能な開度可変弁と、真空排気系への不
活性ガスの導入により圧力制御を行う圧力制御部とを設
け、処理容器内の初期真空引き、置換及び低真空処理の
圧力制御を前記開度可変弁により行い、圧力変動部への
反応副生成物の付着を伴う成膜処理の圧力制御を行う場
合、前記開度可変弁を略半開状態とし前記圧力制御部に
より行うことを特徴とする。
気系が接続された処理容器に被処理体を収容して所定の
処理を行う処理方法において、前記真空排気系に、開閉
及び圧力制御が可能な開度可変弁と、真空排気系への不
活性ガスの導入により圧力制御を行う圧力制御部とを設
け、処理容器内の初期真空引き、置換及び低真空処理の
圧力制御を前記開度可変弁により行い、圧力変動部への
反応副生成物の付着を伴う成膜処理の圧力制御を行う場
合、前記開度可変弁を略半開状態とし前記圧力制御部に
より行うことを特徴とする。
【００１２】請求項３の発明は、ガス供給系及び真空排
気系が接続された処理容器に被処理体を収容して所定の
処理を行う処理装置において、前記真空排気系に、開閉
及び圧力制御が可能な開度可変弁と、真空排気系への不
活性ガスの導入により圧力制御を行う圧力制御部とを設
け、処理容器内の初期真空引き、置換及び低真空処理の
圧力制御を前記開度可変弁により行い、圧力変動部への
反応副生成物の付着を伴う成膜処理の圧力制御を行う場
合、前記開度可変弁を全開状態とし前記圧力制御部によ
り行うことを選択可能とした制御装置を備えたことを特
徴とする。
気系が接続された処理容器に被処理体を収容して所定の
処理を行う処理装置において、前記真空排気系に、開閉
及び圧力制御が可能な開度可変弁と、真空排気系への不
活性ガスの導入により圧力制御を行う圧力制御部とを設
け、処理容器内の初期真空引き、置換及び低真空処理の
圧力制御を前記開度可変弁により行い、圧力変動部への
反応副生成物の付着を伴う成膜処理の圧力制御を行う場
合、前記開度可変弁を全開状態とし前記圧力制御部によ
り行うことを選択可能とした制御装置を備えたことを特
徴とする。
【００１３】請求項４の発明は、ガス供給系及び真空排
気系が接続された処理容器に被処理体を収容して所定の
処理を行う処理装置において、前記真空排気系に、開閉
及び圧力制御が可能な開度可変弁と、真空排気系への不
活性ガスの導入により圧力制御を行う圧力制御部とを設
け、処理容器内の初期真空引き、置換及び低真空処理の
圧力制御を前記開度可変弁により行い、圧力変動部への
反応副生成物の付着を伴う成膜処理の圧力制御を行う場
合、前記開度可変弁を略半開状態とし前記圧力制御部に
より行うことを選択可能とした制御装置を備えたことを
特徴とする。
気系が接続された処理容器に被処理体を収容して所定の
処理を行う処理装置において、前記真空排気系に、開閉
及び圧力制御が可能な開度可変弁と、真空排気系への不
活性ガスの導入により圧力制御を行う圧力制御部とを設
け、処理容器内の初期真空引き、置換及び低真空処理の
圧力制御を前記開度可変弁により行い、圧力変動部への
反応副生成物の付着を伴う成膜処理の圧力制御を行う場
合、前記開度可変弁を略半開状態とし前記圧力制御部に
より行うことを選択可能とした制御装置を備えたことを
特徴とする。
【００１４】請求項５の発明は、請求項３または４記載
の処理装置において、前記成膜処理がＴＥＯＳプロセス
であることを特徴とする。請求項６の発明は、請求項３
または４記載の処理装置において、前記反応副生成物が
常温で硬い物質であることを特徴とする。請求項７の発
明は、請求項３または４記載の処理装置において、前記
反応副生成物がＳｉＯ２であることを特徴とする。
の処理装置において、前記成膜処理がＴＥＯＳプロセス
であることを特徴とする。請求項６の発明は、請求項３
または４記載の処理装置において、前記反応副生成物が
常温で硬い物質であることを特徴とする。請求項７の発
明は、請求項３または４記載の処理装置において、前記
反応副生成物がＳｉＯ２であることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳述する。図１は本発明の実施の形態で
ある処理装置を示す図、図２は同処理装置に用いられて
いる熱処理炉の一例を示す縦断面図、図３は開度可変弁
の構造を示す断面図である。
付図面に基いて詳述する。図１は本発明の実施の形態で
ある処理装置を示す図、図２は同処理装置に用いられて
いる熱処理炉の一例を示す縦断面図、図３は開度可変弁
の構造を示す断面図である。
【００１６】図１ないし図２において、１は処理装置と
して例示した縦型熱処理装置で、被処理体例えば半導体
ウエハｗを収容して所定の処理例えばＣＶＤ処理を施す
ため熱処理炉を構成する処理容器例えば石英製の反応管
２を備えている。反応管２は、図示例では内管２ａと外
管２ｂの二重管構造とされているが、外管２ｂだけの単
管構造であってもよい。また、反応管２の下部には、反
応管２内に処理ガスやパージ用の不活性ガスを導入する
ガス導入管部（ガス導入ポート）３と、反応管２内を排
気する排気管部（排気ポート）４とを有する環状のマニ
ホールド５が気密に接続されている。
して例示した縦型熱処理装置で、被処理体例えば半導体
ウエハｗを収容して所定の処理例えばＣＶＤ処理を施す
ため熱処理炉を構成する処理容器例えば石英製の反応管
２を備えている。反応管２は、図示例では内管２ａと外
管２ｂの二重管構造とされているが、外管２ｂだけの単
管構造であってもよい。また、反応管２の下部には、反
応管２内に処理ガスやパージ用の不活性ガスを導入する
ガス導入管部（ガス導入ポート）３と、反応管２内を排
気する排気管部（排気ポート）４とを有する環状のマニ
ホールド５が気密に接続されている。
【００１７】前記ガス導入管部３にはガス供給系６の配
管７が接続され、前記排気管部４には反応管２内を減圧
制御可能な真空ポンプ１５や開度可変弁２０等を有する
後述の真空排気系８の配管９が接続されている。前記マ
ニホールド５は、図示しないベースプレートに取付けら
れている。また、前記反応管２の周囲には、反応管２内
を所定の温度例えば３００〜１２００℃に加熱制御可能
な円筒状のヒータ１６が設けられている。
管７が接続され、前記排気管部４には反応管２内を減圧
制御可能な真空ポンプ１５や開度可変弁２０等を有する
後述の真空排気系８の配管９が接続されている。前記マ
ニホールド５は、図示しないベースプレートに取付けら
れている。また、前記反応管２の周囲には、反応管２内
を所定の温度例えば３００〜１２００℃に加熱制御可能
な円筒状のヒータ１６が設けられている。
【００１８】前記反応管２の下端のマニホールド５は、
熱処理炉の炉口１０を形成しており、熱処理炉の下方に
は炉口１０を開閉する蓋体１１が昇降機構１２により昇
降可能に設けられている。前記蓋体１１は、マニホール
ド５の開口端に当接して炉口１０を密閉するようになっ
ている。
熱処理炉の炉口１０を形成しており、熱処理炉の下方に
は炉口１０を開閉する蓋体１１が昇降機構１２により昇
降可能に設けられている。前記蓋体１１は、マニホール
ド５の開口端に当接して炉口１０を密閉するようになっ
ている。
【００１９】この蓋体１１上には、多数例えば２５〜１
５０枚程度のウエハｗを水平状態で上下方向に間隔をお
いて多段に支持する熱処理用ボート１３が炉口断熱手段
である保温筒１４を介して載置されている。前記ボート
１３は、昇降機構１２による蓋体１１の上昇により反応
管２内にロード（搬入）され、蓋体１１の下降により反
応管２内からアンロード（搬出）されるようになってい
る。
５０枚程度のウエハｗを水平状態で上下方向に間隔をお
いて多段に支持する熱処理用ボート１３が炉口断熱手段
である保温筒１４を介して載置されている。前記ボート
１３は、昇降機構１２による蓋体１１の上昇により反応
管２内にロード（搬入）され、蓋体１１の下降により反
応管２内からアンロード（搬出）されるようになってい
る。
【００２０】前記真空排気系８の配管９には、開閉及び
圧力制御が可能な開度可変弁（コンビネーションバル
ブ）２０及び真空排気系８の配管９内への不活性ガス例
えば窒素ガスＮ２の導入により圧力制御を行うバラスト
制御部（圧力制御部）２１が設けられている。
圧力制御が可能な開度可変弁（コンビネーションバル
ブ）２０及び真空排気系８の配管９内への不活性ガス例
えば窒素ガスＮ２の導入により圧力制御を行うバラスト
制御部（圧力制御部）２１が設けられている。
【００２１】前記開度可変弁２０は、図３に示すよう
に、下端部に入口２４を且つ側部に出口２５を有するア
ングル弁形状の弁室２６を備えており、この弁室２６内
には前記入口２４の奥部で径方向外方に拡大された平面
状の弁座２７が形成されていると共にこの弁座２７に着
座及び離反移動調節可能に弁体２８が設けられている。
前記弁室２６及び弁体２８は、共に耐熱性及び耐食性を
有する材料例えばステンレス鋼により形成され、弁体２
８の弁座２７に着脱する部分には封止手段として例えば
フッ素系ゴムからなるＯリング２９が設けられている。
に、下端部に入口２４を且つ側部に出口２５を有するア
ングル弁形状の弁室２６を備えており、この弁室２６内
には前記入口２４の奥部で径方向外方に拡大された平面
状の弁座２７が形成されていると共にこの弁座２７に着
座及び離反移動調節可能に弁体２８が設けられている。
前記弁室２６及び弁体２８は、共に耐熱性及び耐食性を
有する材料例えばステンレス鋼により形成され、弁体２
８の弁座２７に着脱する部分には封止手段として例えば
フッ素系ゴムからなるＯリング２９が設けられている。
【００２２】前記弁体２８の上端中央部には弁棒３０が
垂直に設けられ、弁室２６の頂部には弁室２６の上端部
を貫通した前記弁棒３０を介して弁体２８を弁座２７に
着座及び離反移動調節する駆動手段として例えばパルス
モータ及びねじ送り機構等からなる弁体駆動部３１が設
けられている。また、弁体２８の上端部と弁室２６内の
上端部との間には弁棒３０の周囲を覆って弁体２８の移
動を許容しつつ弁棒３０の環通部を封止する手段として
ステンレス鋼製のベローズ３２が溶接により介設されて
いる。
垂直に設けられ、弁室２６の頂部には弁室２６の上端部
を貫通した前記弁棒３０を介して弁体２８を弁座２７に
着座及び離反移動調節する駆動手段として例えばパルス
モータ及びねじ送り機構等からなる弁体駆動部３１が設
けられている。また、弁体２８の上端部と弁室２６内の
上端部との間には弁棒３０の周囲を覆って弁体２８の移
動を許容しつつ弁棒３０の環通部を封止する手段として
ステンレス鋼製のベローズ３２が溶接により介設されて
いる。
【００２３】前記弁体２８は円形に形成されると共に下
方に段階的に縮径して形成されており、この弁体２８の
形状に対応して弁座２７の入口２４側の段階的に縮径し
て形成されている。この弁体２８の上端最大径部３３の
下面が弁座２７の上面部と対向するように形成され、そ
の部分に前記Ｏリング２９が設けられている。なお、前
記弁体２８の縮径部は、上端最大径部３３の下部に複数
段、例えば上段３４、中段３５及び下段３６の３段に形
成されている。
方に段階的に縮径して形成されており、この弁体２８の
形状に対応して弁座２７の入口２４側の段階的に縮径し
て形成されている。この弁体２８の上端最大径部３３の
下面が弁座２７の上面部と対向するように形成され、そ
の部分に前記Ｏリング２９が設けられている。なお、前
記弁体２８の縮径部は、上端最大径部３３の下部に複数
段、例えば上段３４、中段３５及び下段３６の３段に形
成されている。
【００２４】前記弁体 ２８及び弁座２７の縮径部には
弁体２８の移動方向と直交する方向で対向する周壁部２
８ａ，２７ａが形成され、これら対の周壁部２８ａ，２
７ａが弁体２８の開弁移動方向（上方向）に段階的に径
を大きくして形成されている。また、前記周壁部２８
ａ，２７ａとの間には微調節用隙間３７が設けられ、こ
の微調節用隙間３７の各段３４，３５，３６における弁
体２８の移動方向の寸法すなわち各段３４，３５，３６
の高さｈ１，ｈ２，ｈ３とした場合、大径側である上段
３４の寸法の方が小径側である下段３６の寸法よりも大
きくなるようにｈ１＞ｈ２＞ｈ３に形成されている。ま
た、前記微調節用隙間３７の各段３４，３５，３６にお
ける大きさをｓ１，ｓ２，ｓ３とした場合、上段３４の
大きさの方が下段３６の大きさよりも大きくなるように
ｓ１＞ｓ２＞ｓ３に形成されている。
弁体２８の移動方向と直交する方向で対向する周壁部２
８ａ，２７ａが形成され、これら対の周壁部２８ａ，２
７ａが弁体２８の開弁移動方向（上方向）に段階的に径
を大きくして形成されている。また、前記周壁部２８
ａ，２７ａとの間には微調節用隙間３７が設けられ、こ
の微調節用隙間３７の各段３４，３５，３６における弁
体２８の移動方向の寸法すなわち各段３４，３５，３６
の高さｈ１，ｈ２，ｈ３とした場合、大径側である上段
３４の寸法の方が小径側である下段３６の寸法よりも大
きくなるようにｈ１＞ｈ２＞ｈ３に形成されている。ま
た、前記微調節用隙間３７の各段３４，３５，３６にお
ける大きさをｓ１，ｓ２，ｓ３とした場合、上段３４の
大きさの方が下段３６の大きさよりも大きくなるように
ｓ１＞ｓ２＞ｓ３に形成されている。
【００２５】前記微調節用隙間３７における真空圧力の
コンダクタンスは、隙間３７の横断面積に反比例し、隙
間３７の距離寸法に比例する関係に有る。また、前記弁
体２８を開弁位置から徐々に開弁して行く場合、圧力は
先ず横断面積の一番小さい下段３６の隙間３７により支
配され、次いで中段３５の隙間３７、上段３４の隙間３
７という順で移って行く。従って、前述の微調節用隙間
３７が形成されていることにより、低真空（弱減圧）制
御を比較的広い範囲１００Ｔｏｒｒ〜大気圧の範囲で実
施することが可能となる。なお、本実施例では低真空制
御の制御範囲を更に大きく広げるために隙間３７の大き
さがｓ１＞ｓ２＞ｓ３のように形成されているが、隙間
３７の横断面積は径に比例して増大するため、隙間３７
の大きさは一定すなわちであってもよい。
コンダクタンスは、隙間３７の横断面積に反比例し、隙
間３７の距離寸法に比例する関係に有る。また、前記弁
体２８を開弁位置から徐々に開弁して行く場合、圧力は
先ず横断面積の一番小さい下段３６の隙間３７により支
配され、次いで中段３５の隙間３７、上段３４の隙間３
７という順で移って行く。従って、前述の微調節用隙間
３７が形成されていることにより、低真空（弱減圧）制
御を比較的広い範囲１００Ｔｏｒｒ〜大気圧の範囲で実
施することが可能となる。なお、本実施例では低真空制
御の制御範囲を更に大きく広げるために隙間３７の大き
さがｓ１＞ｓ２＞ｓ３のように形成されているが、隙間
３７の横断面積は径に比例して増大するため、隙間３７
の大きさは一定すなわちであってもよい。
【００２６】また、弁体２８と弁座２７の間の横断面積
が前記上段３４の微調節用隙間３７の横断面積を超える
弁体２８の位置から最大開度位置（全開位置）までの移
動範囲で中真空（中減圧）から高真空（強減圧）の圧力
制御が行われ、最大開度では真空ポンプ１５の能力にも
よるが例えば１×１０−３Ｔｏｒｒ程度まで減圧するこ
とが可能となる。
が前記上段３４の微調節用隙間３７の横断面積を超える
弁体２８の位置から最大開度位置（全開位置）までの移
動範囲で中真空（中減圧）から高真空（強減圧）の圧力
制御が行われ、最大開度では真空ポンプ１５の能力にも
よるが例えば１×１０−３Ｔｏｒｒ程度まで減圧するこ
とが可能となる。
【００２７】前記バラスト制御部２１は、真空排気系８
の配管９の側部に接続された不活性ガス供給管２２と、
この不活性ガス供給管２２に設けられた流量制御器（Ma
ssFlow Contoroller）２３とから主に構成されてい
る。流量制御器２３は流量センサ及び流量制御弁を具備
しており（図示省略）、バラスト制御をしないときは制
御弁が全閉状態に閉弁される。前記バラスト制御部２１
は、真空排気系８の配管９における前記開度可変弁２０
と真空ポンプ１５との間に設けられていることが好まし
い。また、前記真空排気系８の配管９における開度可変
弁２０の上流には、反応副生成物やパーティクルを捕捉
するトラップ１７が設けられていることが好ましい。
の配管９の側部に接続された不活性ガス供給管２２と、
この不活性ガス供給管２２に設けられた流量制御器（Ma
ssFlow Contoroller）２３とから主に構成されてい
る。流量制御器２３は流量センサ及び流量制御弁を具備
しており（図示省略）、バラスト制御をしないときは制
御弁が全閉状態に閉弁される。前記バラスト制御部２１
は、真空排気系８の配管９における前記開度可変弁２０
と真空ポンプ１５との間に設けられていることが好まし
い。また、前記真空排気系８の配管９における開度可変
弁２０の上流には、反応副生成物やパーティクルを捕捉
するトラップ１７が設けられていることが好ましい。
【００２８】そして、反応管２内の圧力制御すなわち真
空排気系８の圧力制御を行うために、真空排気系８の配
管９には配管９内の排気圧力を検知する圧力センサ１８
が設けられ、処理装置１は、予め設定された処理プログ
ラムに基き、その設定圧力と圧力センサ１８による検出
圧力とを比較しながら処理に応じて開度可変弁２０とバ
ラスト制御部２１の流量制御器２３をシーケンス制御に
より制御するためのコントローラ（制御装置）３８を備
えている。コントローラ３８は、反応管２内の初期真空
引き、置換及び低真空処理の圧力制御を前記開度可変弁
２０により行い、圧力変動部への常温で硬い物質からな
る反応副生成物の付着を伴う成膜処理例えばＴＥＯＳプ
ロセスの圧力制御を行う場合、前記開度可変弁２０を全
開状態とし前記バラスト制御部２１により行うことを選
択可能とされている。なお、前記圧力センサ１８は、反
応管２内の圧力を直接検知するように設けられていても
よい。
空排気系８の圧力制御を行うために、真空排気系８の配
管９には配管９内の排気圧力を検知する圧力センサ１８
が設けられ、処理装置１は、予め設定された処理プログ
ラムに基き、その設定圧力と圧力センサ１８による検出
圧力とを比較しながら処理に応じて開度可変弁２０とバ
ラスト制御部２１の流量制御器２３をシーケンス制御に
より制御するためのコントローラ（制御装置）３８を備
えている。コントローラ３８は、反応管２内の初期真空
引き、置換及び低真空処理の圧力制御を前記開度可変弁
２０により行い、圧力変動部への常温で硬い物質からな
る反応副生成物の付着を伴う成膜処理例えばＴＥＯＳプ
ロセスの圧力制御を行う場合、前記開度可変弁２０を全
開状態とし前記バラスト制御部２１により行うことを選
択可能とされている。なお、前記圧力センサ１８は、反
応管２内の圧力を直接検知するように設けられていても
よい。
【００２９】次に以上の構成からなる処理装置の作用な
いし処理方法について述べる。先ず、反応管２内にガス
導入管部３から不活性ガス例えば窒素ガスを導入すると
共に排気管部４から真空排気系８を介して反応管２内を
排気することにより反応管２内を窒素ガスで置換した
後、蓋体１１を開けてウエハｗを搭載した熱処理用ボー
ト１３を保温筒１４と共に反応管２内に搬入する。
いし処理方法について述べる。先ず、反応管２内にガス
導入管部３から不活性ガス例えば窒素ガスを導入すると
共に排気管部４から真空排気系８を介して反応管２内を
排気することにより反応管２内を窒素ガスで置換した
後、蓋体１１を開けてウエハｗを搭載した熱処理用ボー
ト１３を保温筒１４と共に反応管２内に搬入する。
【００３０】次いで、ガス導入管部３のガス供給系６の
弁（図示省略）を遮断した状態で、真空排気系８を介し
て反応管２内を排気及び真空引きして真空置換を行う。
この時、パーティクルの巻上げを防止するために、先ず
開度可変弁２０の弁体２８を閉弁位置から少し開けて微
調整用隙間３７を介したスローバキュームを例えば１０
Ｔｏｒｒ程度になるまで行った後、次いで弁体２８を全
開させて反応管内をベース圧力例えば１×１０−３Ｔｏ
ｒｒ程度まで真空引きする。
弁（図示省略）を遮断した状態で、真空排気系８を介し
て反応管２内を排気及び真空引きして真空置換を行う。
この時、パーティクルの巻上げを防止するために、先ず
開度可変弁２０の弁体２８を閉弁位置から少し開けて微
調整用隙間３７を介したスローバキュームを例えば１０
Ｔｏｒｒ程度になるまで行った後、次いで弁体２８を全
開させて反応管内をベース圧力例えば１×１０−３Ｔｏ
ｒｒ程度まで真空引きする。
【００３１】真空置換を終えたなら、ガス供給系６から
処理ガスを反応管２内に導入して所定の処理例えばウエ
ハの成膜処理を開始する。この時の処理が圧力変動部に
常温で硬い物質例えば二酸化珪素（ＳｉＯ２）等からな
る反応副生成物の付着を伴うＴＥＯＳプロセス等の成膜
処理である場合には、前記開度可変弁２０の弁体２８を
全開した状態で前記ブラスト制御部２１により真空排気
系８の配管９内に窒素ガスを導入し、その導入量を調整
することにより反応管２内の圧力が所定の処理圧力例え
ば１Ｔｏｒｒ程度になるように圧力制御を行う。
処理ガスを反応管２内に導入して所定の処理例えばウエ
ハの成膜処理を開始する。この時の処理が圧力変動部に
常温で硬い物質例えば二酸化珪素（ＳｉＯ２）等からな
る反応副生成物の付着を伴うＴＥＯＳプロセス等の成膜
処理である場合には、前記開度可変弁２０の弁体２８を
全開した状態で前記ブラスト制御部２１により真空排気
系８の配管９内に窒素ガスを導入し、その導入量を調整
することにより反応管２内の圧力が所定の処理圧力例え
ば１Ｔｏｒｒ程度になるように圧力制御を行う。
【００３２】前記ＴＥＯＳプロセスは、処理ガスの原料
としてＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン；Ｓｉ（Ｃ２Ｈ
５Ｏ）４）を用いて、ウエハ上に、主に層間絶縁膜を形
成するプロセスである。このプロセス条件の一例を示す
と、処理温度が６８０℃、処理圧力が６６．７Ｐａ
（０．４Ｔｏｒｒ）、処理ガスとしてＴＥＯＳが１９０
ｓｃｃｍ、Ｏ２が５ｓｃｃｍである。なお、ＴＥＯＳ
は、常温では液体の状態で、１６６℃以上でガス化する
性質がある。
としてＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン；Ｓｉ（Ｃ２Ｈ
５Ｏ）４）を用いて、ウエハ上に、主に層間絶縁膜を形
成するプロセスである。このプロセス条件の一例を示す
と、処理温度が６８０℃、処理圧力が６６．７Ｐａ
（０．４Ｔｏｒｒ）、処理ガスとしてＴＥＯＳが１９０
ｓｃｃｍ、Ｏ２が５ｓｃｃｍである。なお、ＴＥＯＳ
は、常温では液体の状態で、１６６℃以上でガス化する
性質がある。
【００３３】前記成膜処理が終了したなら、反応管２内
の真空置換及び窒素ガスによる置換を行い、引き続き次
工程の処理を連続的に行ってもよく、処理を終了する場
合は、真空置換及び窒素ガスによる置換後、反応管内を
常圧に戻し、蓋体１１を下方へ開けながら反応管２内か
ら熱処理用ボート１３を搬出すればよい。
の真空置換及び窒素ガスによる置換を行い、引き続き次
工程の処理を連続的に行ってもよく、処理を終了する場
合は、真空置換及び窒素ガスによる置換後、反応管内を
常圧に戻し、蓋体１１を下方へ開けながら反応管２内か
ら熱処理用ボート１３を搬出すればよい。
【００３４】このように処理装置ないし処理方法によれ
ば、ガス供給系６及び真空排気系８が接続された反応管
２にウエハｗを収容して所定の処理を行う処理装置ない
し処理方法において、前記真空排気系８に、開閉及び圧
力制御が可能な開度可変弁２０と、真空排気系８への不
活性ガスの導入により圧力制御を行うバラスト制御部２
１とを設け、反応管２内の初期真空引き、置換及び低真
空処理の圧力制御を前記開度可変弁２０により行い、圧
力変動部への反応副生成物の付着を伴う成膜処理例えば
ＴＥＯＳプロセスの圧力制御を前記開度可変弁２０の全
開状態で前記バラスト制御部２１により行うようにした
ので、開度可変弁２０への反応副生成物である常温で硬
い物質例えばＳｉＯ２の付着を防止でき、開度可変弁２
０を採用できたことによりＴＡＴの短縮が図れると共
に、低真空処理を含む複数種類の処理が実行可能とな
る。
ば、ガス供給系６及び真空排気系８が接続された反応管
２にウエハｗを収容して所定の処理を行う処理装置ない
し処理方法において、前記真空排気系８に、開閉及び圧
力制御が可能な開度可変弁２０と、真空排気系８への不
活性ガスの導入により圧力制御を行うバラスト制御部２
１とを設け、反応管２内の初期真空引き、置換及び低真
空処理の圧力制御を前記開度可変弁２０により行い、圧
力変動部への反応副生成物の付着を伴う成膜処理例えば
ＴＥＯＳプロセスの圧力制御を前記開度可変弁２０の全
開状態で前記バラスト制御部２１により行うようにした
ので、開度可変弁２０への反応副生成物である常温で硬
い物質例えばＳｉＯ２の付着を防止でき、開度可変弁２
０を採用できたことによりＴＡＴの短縮が図れると共
に、低真空処理を含む複数種類の処理が実行可能とな
る。
【００３５】すなわち、圧力変動部への硬い反応副生成
物の付着を伴う成膜処理の圧力制御を前記開度可変弁２
０の全開状態で前記バラスト制御部２１により行うた
め、圧力変動部である開度可変弁２０の弁体２８と弁座
２７の隙間における硬い反応副生成物の付着を防止する
ことができ、閉弁時に弁体２８と弁座２７の間に反応副
生成物を噛み込むことによって生じる閉弁不良による内
部リークを防止することができる。従って、圧力変動部
への硬い反応副生成物の付着を伴う成膜処理を行う処理
装置に従来の主弁及び補助弁の圧力制御手段の代りに開
度可変弁２０を使用することができるようになった。
物の付着を伴う成膜処理の圧力制御を前記開度可変弁２
０の全開状態で前記バラスト制御部２１により行うた
め、圧力変動部である開度可変弁２０の弁体２８と弁座
２７の隙間における硬い反応副生成物の付着を防止する
ことができ、閉弁時に弁体２８と弁座２７の間に反応副
生成物を噛み込むことによって生じる閉弁不良による内
部リークを防止することができる。従って、圧力変動部
への硬い反応副生成物の付着を伴う成膜処理を行う処理
装置に従来の主弁及び補助弁の圧力制御手段の代りに開
度可変弁２０を使用することができるようになった。
【００３６】この開度可変弁２０によれば、弁体２８が
弁座２７に着座した状態（閉弁時）、弁体２８が弁座２
７から離反した状態（開弁時）、弁体２８が微調節用隙
間３７のストローク内で移動する状態（スローバキュー
ム時及び低真空制御時）、及び弁体２８が微調節用隙間
３７のストローク外で移動する状態（中真空ないし高真
空制御時）の各状態が得られるため、一つの弁で真空排
気系８の開閉だけでなく、高真空処理、スローバキュー
ム及び低真空制御などの広範囲な圧力領域での制御を行
うことができる。従って、真空排気系８の配管９上にお
いて従来必要とされていた主弁、バイパス管及び補助弁
に代えて単一の開度可変弁２０を設けるだけで足りるの
で、設備コスト並びに設備スペースの減少及び制御の簡
素化が図れる。
弁座２７に着座した状態（閉弁時）、弁体２８が弁座２
７から離反した状態（開弁時）、弁体２８が微調節用隙
間３７のストローク内で移動する状態（スローバキュー
ム時及び低真空制御時）、及び弁体２８が微調節用隙間
３７のストローク外で移動する状態（中真空ないし高真
空制御時）の各状態が得られるため、一つの弁で真空排
気系８の開閉だけでなく、高真空処理、スローバキュー
ム及び低真空制御などの広範囲な圧力領域での制御を行
うことができる。従って、真空排気系８の配管９上にお
いて従来必要とされていた主弁、バイパス管及び補助弁
に代えて単一の開度可変弁２０を設けるだけで足りるの
で、設備コスト並びに設備スペースの減少及び制御の簡
素化が図れる。
【００３７】前記開度可変弁２０は、初期真空引きにお
いて排気レート０．１〜２０Ｔｏｒｒ／秒の連続的可変
制御が可能であるため、最適化を行うことによりパーテ
ィクル等の巻き上げを防止しつつ、最短時間を実現する
ことが可能で、ＴＡＴの短縮が図れる。また、反応管２
内の置換（パージ）においては、従来の主弁の全開での
Ｎ２パージではなく、前記開度可変弁２０のワイドレン
ジの圧力制御により圧力の昇降（例えば１０２Ｔｏｒｒ
⇔１０−３Ｔｏｒｒ）を繰り返して反応管２内をパージ
することができるため、真空置換を短時間で行うことが
でき、ＴＡＴの更なる短縮が図れる。
いて排気レート０．１〜２０Ｔｏｒｒ／秒の連続的可変
制御が可能であるため、最適化を行うことによりパーテ
ィクル等の巻き上げを防止しつつ、最短時間を実現する
ことが可能で、ＴＡＴの短縮が図れる。また、反応管２
内の置換（パージ）においては、従来の主弁の全開での
Ｎ２パージではなく、前記開度可変弁２０のワイドレン
ジの圧力制御により圧力の昇降（例えば１０２Ｔｏｒｒ
⇔１０−３Ｔｏｒｒ）を繰り返して反応管２内をパージ
することができるため、真空置換を短時間で行うことが
でき、ＴＡＴの更なる短縮が図れる。
【００３８】また、前記開度可変弁２０により例えば反
応管２内を数百Ｔｏｒｒ程度の低真空（弱減圧）に減圧
制御した状態でガス供給系６からクリーニングガスを反
応管２内に導入して反応管２の内部を洗浄処理する等の
低真空処理を行うことが可能であり、開度可変弁２０と
バラスト制御部２１の組み合わせによりガス種や処理圧
力の異なる復数種類の処理を行うことが可能であり、し
かも、これら複数種類の処理を連続して行うことも可能
である。
応管２内を数百Ｔｏｒｒ程度の低真空（弱減圧）に減圧
制御した状態でガス供給系６からクリーニングガスを反
応管２内に導入して反応管２の内部を洗浄処理する等の
低真空処理を行うことが可能であり、開度可変弁２０と
バラスト制御部２１の組み合わせによりガス種や処理圧
力の異なる復数種類の処理を行うことが可能であり、し
かも、これら複数種類の処理を連続して行うことも可能
である。
【００３９】なお、圧力変動部に軟らかい反応副生成物
が付着する成膜処理の圧力制御においては、開度可変弁
を全開にした状態でバラスト制御部により行うようにし
てもよいが、軟らかい反応副生成物は閉弁時に弁体と弁
座の間で押し潰されて内部リークを起こしにくいので、
開度可変弁により行うようにしてもよい。
が付着する成膜処理の圧力制御においては、開度可変弁
を全開にした状態でバラスト制御部により行うようにし
てもよいが、軟らかい反応副生成物は閉弁時に弁体と弁
座の間で押し潰されて内部リークを起こしにくいので、
開度可変弁により行うようにしてもよい。
【００４０】前記実施の形態では、圧力変動部への硬い
反応副生成物の付着を伴う成膜処理の圧力制御を開度可
変弁の全開状態でバラスト制御部により行うように構成
されているが、本発明は、請求項２ないし４のように、
圧力変動部への硬い反応副生成物の付着を伴う成膜処理
の圧力制御を開度可変弁の略半開状態でバラスト制御部
により行うように構成されていてもよい。開度可変弁の
開度が略半開であれば、弁体と弁座の間隔が広くて圧力
変動が少ないことから、硬い反応副生成物の付着を抑制
することができる。そして、前記開度可変弁の開度を略
半開にすることでバラスト制御時の不活性ガス使用量を
節減でき、ランニングコストの低減が図れる。
反応副生成物の付着を伴う成膜処理の圧力制御を開度可
変弁の全開状態でバラスト制御部により行うように構成
されているが、本発明は、請求項２ないし４のように、
圧力変動部への硬い反応副生成物の付着を伴う成膜処理
の圧力制御を開度可変弁の略半開状態でバラスト制御部
により行うように構成されていてもよい。開度可変弁の
開度が略半開であれば、弁体と弁座の間隔が広くて圧力
変動が少ないことから、硬い反応副生成物の付着を抑制
することができる。そして、前記開度可変弁の開度を略
半開にすることでバラスト制御時の不活性ガス使用量を
節減でき、ランニングコストの低減が図れる。
【００４１】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、処理装置としては、
縦型に限定されず、横型であってもよく、また、多数枚
の被処理体を一度に処理するバッチ式に限定されず、被
処理体を一枚ずつ処理する枚葉式であってもよい。被処
理体としては、半導体ウエハ以外に、例えばＬＣＤ基板
等であってもよい。
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、処理装置としては、
縦型に限定されず、横型であってもよく、また、多数枚
の被処理体を一度に処理するバッチ式に限定されず、被
処理体を一枚ずつ処理する枚葉式であってもよい。被処
理体としては、半導体ウエハ以外に、例えばＬＣＤ基板
等であってもよい。
【００４２】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。
な効果を奏することができる。
【００４３】（１）請求項１の発明によれば、ガス供給
系及び真空排気系が接続された処理容器に被処理体を収
容して所定の処理を行う処理方法において、前記真空排
気系に、開閉及び圧力制御が可能な開度可変弁と、真空
排気系への不活性ガスの導入により圧力制御を行う圧力
制御部とを設け、処理容器内の初期真空引き、置換及び
低真空処理の圧力制御を前記開度可変弁により行い、圧
力変動部への反応副生成物の付着を伴う成膜処理の圧力
制御を行う場合、前記開度可変弁を全開状態とし前記圧
力制御部により行うため、開度可変弁への反応副生成物
の付着を防止でき、開度可変弁の採用によりＴＡＴの短
縮が図れると共に、低真空処理を含む複数種類の処理が
実行可能となる。
系及び真空排気系が接続された処理容器に被処理体を収
容して所定の処理を行う処理方法において、前記真空排
気系に、開閉及び圧力制御が可能な開度可変弁と、真空
排気系への不活性ガスの導入により圧力制御を行う圧力
制御部とを設け、処理容器内の初期真空引き、置換及び
低真空処理の圧力制御を前記開度可変弁により行い、圧
力変動部への反応副生成物の付着を伴う成膜処理の圧力
制御を行う場合、前記開度可変弁を全開状態とし前記圧
力制御部により行うため、開度可変弁への反応副生成物
の付着を防止でき、開度可変弁の採用によりＴＡＴの短
縮が図れると共に、低真空処理を含む複数種類の処理が
実行可能となる。
【００４４】（２）請求項２の発明によれば、ガス供給
系及び真空排気系が接続された処理容器に被処理体を収
容して所定の処理を行う処理方法において、前記真空排
気系に、開閉及び圧力制御が可能な開度可変弁と、真空
排気系への不活性ガスの導入により圧力制御を行う圧力
制御部とを設け、処理容器内の初期真空引き、置換及び
低真空処理の圧力制御を前記開度可変弁により行い、圧
力変動部への反応副生成物の付着を伴う成膜処理の圧力
制御を行う場合、前記開度可変弁を略半開状態とし前記
圧力制御部により行うため、開度可変弁への反応副生成
物の付着を防止でき、開度可変弁の採用によりＴＡＴの
短縮が図れると共に、低真空処理を含む複数種類の処理
が実行可能となり、且つ、前記開度可変弁の開度を略半
開にすることで圧力制御時の不活性ガス使用量を節減で
きる。
系及び真空排気系が接続された処理容器に被処理体を収
容して所定の処理を行う処理方法において、前記真空排
気系に、開閉及び圧力制御が可能な開度可変弁と、真空
排気系への不活性ガスの導入により圧力制御を行う圧力
制御部とを設け、処理容器内の初期真空引き、置換及び
低真空処理の圧力制御を前記開度可変弁により行い、圧
力変動部への反応副生成物の付着を伴う成膜処理の圧力
制御を行う場合、前記開度可変弁を略半開状態とし前記
圧力制御部により行うため、開度可変弁への反応副生成
物の付着を防止でき、開度可変弁の採用によりＴＡＴの
短縮が図れると共に、低真空処理を含む複数種類の処理
が実行可能となり、且つ、前記開度可変弁の開度を略半
開にすることで圧力制御時の不活性ガス使用量を節減で
きる。
【００４５】（３）請求項３の発明によれば、ガス供給
系及び真空排気系が接続された処理容器に被処理体を収
容して所定の処理を行う処理装置において、前記真空排
気系に、開閉及び圧力制御が可能な開度可変弁と、真空
排気系への不活性ガスの導入により圧力制御を行う圧力
制御部とを設け、処理容器内の初期真空引き、置換及び
低真空処理の圧力制御を前記開度可変弁により行い、圧
力変動部への反応副生成物の付着を伴う成膜処理の圧力
制御を行う場合、前記開度可変弁を全開状態とし前記圧
力制御部により行うことを選択可能とした制御装置を備
えているため、開度可変弁への反応副生成物の付着を防
止でき、開度可変弁の採用によりＴＡＴの短縮が図れる
と共に、低真空処理を含む複数種類の処理が実行可能と
なる。
系及び真空排気系が接続された処理容器に被処理体を収
容して所定の処理を行う処理装置において、前記真空排
気系に、開閉及び圧力制御が可能な開度可変弁と、真空
排気系への不活性ガスの導入により圧力制御を行う圧力
制御部とを設け、処理容器内の初期真空引き、置換及び
低真空処理の圧力制御を前記開度可変弁により行い、圧
力変動部への反応副生成物の付着を伴う成膜処理の圧力
制御を行う場合、前記開度可変弁を全開状態とし前記圧
力制御部により行うことを選択可能とした制御装置を備
えているため、開度可変弁への反応副生成物の付着を防
止でき、開度可変弁の採用によりＴＡＴの短縮が図れる
と共に、低真空処理を含む複数種類の処理が実行可能と
なる。
【００４６】（４）請求項４の発明によれば、ガス供給
系及び真空排気系が接続された処理容器に被処理体を収
容して所定の処理を行う処理装置において、前記真空排
気系に、開閉及び圧力制御が可能な開度可変弁と、真空
排気系への不活性ガスの導入により圧力制御を行う圧力
制御部とを設け、処理容器内の初期真空引き、置換及び
低真空処理の圧力制御を前記開度可変弁により行い、圧
力変動部への反応副生成物の付着を伴う成膜処理の圧力
制御を行う場合、前記開度可変弁を略半開状態とし前記
圧力制御部により行うことを選択可能とした制御装置を
備えているため、開度可変弁への反応副生成物の付着を
防止でき、開度可変弁の採用によりＴＡＴの短縮が図れ
ると共に、低真空処理を含む複数種類の処理が実行可能
となり、且つ、前記開度可変弁の開度を略半開にするこ
とで圧力制御時の不活性ガス使用量を節減できる。
系及び真空排気系が接続された処理容器に被処理体を収
容して所定の処理を行う処理装置において、前記真空排
気系に、開閉及び圧力制御が可能な開度可変弁と、真空
排気系への不活性ガスの導入により圧力制御を行う圧力
制御部とを設け、処理容器内の初期真空引き、置換及び
低真空処理の圧力制御を前記開度可変弁により行い、圧
力変動部への反応副生成物の付着を伴う成膜処理の圧力
制御を行う場合、前記開度可変弁を略半開状態とし前記
圧力制御部により行うことを選択可能とした制御装置を
備えているため、開度可変弁への反応副生成物の付着を
防止でき、開度可変弁の採用によりＴＡＴの短縮が図れ
ると共に、低真空処理を含む複数種類の処理が実行可能
となり、且つ、前記開度可変弁の開度を略半開にするこ
とで圧力制御時の不活性ガス使用量を節減できる。
【図１】本発明の実施の形態である処理装置を示す図で
ある。
ある。
【図２】同処理装置に用いられている熱処理炉の一例を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
【図３】開度可変弁の構造を示す断面図である。
【図４】従来の処理装置の一例を示す図である。
【図５】主弁の断面図である。
ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
１ 処理装置
２ 反応管（処理容器）
６ ガス供給系
８ 真空排気系
２０ 開度可変弁
２１ バラスト制御部（圧力制御部）
３８ コントローラ（制御装置）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA09 CA04 CA12 EA03
EA11 JA09 KA11 KA41
5F045 AA04 AA06 AB32 AC09 AC11
AD10 AE19 BB10 CB05 DP19
DQ05 EE04 EE14 EG02 EK06
Claims (7)
- 【請求項１】 ガス供給系及び真空排気系が接続された
処理容器に被処理体を収容して所定の処理を行う処理方
法において、前記真空排気系に、開閉及び圧力制御が可
能な開度可変弁と、真空排気系への不活性ガスの導入に
より圧力制御を行う圧力制御部とを設け、処理容器内の
初期真空引き、置換及び低真空処理の圧力制御を前記開
度可変弁により行い、圧力変動部への反応副生成物の付
着を伴う成膜処理の圧力制御を行う場合、前記開度可変
弁を全開状態とし前記圧力制御部により行うことを特徴
とする処理方法。 - 【請求項２】 ガス供給系及び真空排気系が接続された
処理容器に被処理体を収容して所定の処理を行う処理方
法において、前記真空排気系に、開閉及び圧力制御が可
能な開度可変弁と、真空排気系への不活性ガスの導入に
より圧力制御を行う圧力制御部とを設け、処理容器内の
初期真空引き、置換及び低真空処理の圧力制御を前記開
度可変弁により行い、圧力変動部への反応副生成物の付
着を伴う成膜処理の圧力制御を行う場合、前記開度可変
弁を略半開状態とし前記圧力制御部により行うことを特
徴とする処理方法。 - 【請求項３】 ガス供給系及び真空排気系が接続された
処理容器に被処理体を収容して所定の処理を行う処理装
置において、前記真空排気系に、開閉及び圧力制御が可
能な開度可変弁と、真空排気系への不活性ガスの導入に
より圧力制御を行う圧力制御部とを設け、処理容器内の
初期真空引き、置換及び低真空処理の圧力制御を前記開
度可変弁により行い、圧力変動部への反応副生成物の付
着を伴う成膜処理の圧力制御を行う場合、前記開度可変
弁を全開状態とし前記圧力制御部により行うことを選択
可能とした制御装置を備えたことを特徴とする処理装
置。 - 【請求項４】 ガス供給系及び真空排気系が接続された
処理容器に被処理体を収容して所定の処理を行う処理装
置において、前記真空排気系に、開閉及び圧力制御が可
能な開度可変弁と、真空排気系への不活性ガスの導入に
より圧力制御を行う圧力制御部とを設け、処理容器内の
初期真空引き、置換及び低真空処理の圧力制御を前記開
度可変弁により行い、圧力変動部への反応副生成物の付
着を伴う成膜処理の圧力制御を行う場合、前記開度可変
弁を略半開状態とし前記圧力制御部により行うことを選
択可能とした制御装置を備えたことを特徴とする処理装
置。 - 【請求項５】 前記成膜処理がＴＥＯＳプロセスである
ことを特徴とする請求項３または４記載の処理装置。 - 【請求項６】 前記反応副生成物が常温で硬い物質であ
ることを特徴とする請求項３または４記載の処理装置 - 【請求項７】 前記反応副生成物がＳｉＯ２であること
を特徴とする請求項３または４記載の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002010143A JP2003218098A (ja) | 2002-01-18 | 2002-01-18 | 処理方法及び処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002010143A JP2003218098A (ja) | 2002-01-18 | 2002-01-18 | 処理方法及び処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003218098A true JP2003218098A (ja) | 2003-07-31 |
Family
ID=27647958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002010143A Pending JP2003218098A (ja) | 2002-01-18 | 2002-01-18 | 処理方法及び処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003218098A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2002
- 2002-01-18 JP JP2002010143A patent/JP2003218098A/ja active Pending
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| US11807938B2 (en) | 2019-02-04 | 2023-11-07 | Tokyo Electron Limited | Exhaust device, processing system, and processing method |
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