JPH04207019A - アニール装置 - Google Patents
アニール装置Info
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- JPH04207019A JPH04207019A JP33980990A JP33980990A JPH04207019A JP H04207019 A JPH04207019 A JP H04207019A JP 33980990 A JP33980990 A JP 33980990A JP 33980990 A JP33980990 A JP 33980990A JP H04207019 A JPH04207019 A JP H04207019A
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- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 17
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Landscapes
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体プロセスで非常に多く使用されているＨ
２ガスを用いたアニール装置に関する。
２ガスを用いたアニール装置に関する。
第２図は従来のアニール装置の一例の構成を示す簡略断
面図で、この従来の了ニール装置は、外気と内部を隔離
しウェーハ１ｏを反応処理する反応管３と、この反応管
３内を加熱するヒータ１と、前記反応管３内の熱分布を
均一にする均熱管２と、ウェーハ１０を装填するポート
８と、前言己反応管３内に反応ガスを当該反応管３内へ
流す炉口８（ガス導入・排気部）４と、ウェーハ１ｏが
充填されたポート８を反応管３内へロード、アンロード
する昇降機構９とよりなり、前記炉口部４にはＨ２ガス
のリークを防ぐため、外気と隔離するベローズ１７を使
用しており、このベローズ１７の上、下部にはそれぞれ
昇降機構９ａ ＝ ９ｂが設けられている。
面図で、この従来の了ニール装置は、外気と内部を隔離
しウェーハ１ｏを反応処理する反応管３と、この反応管
３内を加熱するヒータ１と、前記反応管３内の熱分布を
均一にする均熱管２と、ウェーハ１０を装填するポート
８と、前言己反応管３内に反応ガスを当該反応管３内へ
流す炉口８（ガス導入・排気部）４と、ウェーハ１ｏが
充填されたポート８を反応管３内へロード、アンロード
する昇降機構９とよりなり、前記炉口部４にはＨ２ガス
のリークを防ぐため、外気と隔離するベローズ１７を使
用しており、このベローズ１７の上、下部にはそれぞれ
昇降機構９ａ ＝ ９ｂが設けられている。
即ち、ベローズ１７の下部にはウェーハ１０が装填され
たポート８を反応管３内へロード、アンロードする昇降
機構９ｂが設けられ、ベローズ１７の上部にはウェーハ
１０が装填されたポート８をべ０−ズ１７内から出し入
れするためにベローズ１７を縮めたり、反応管３とベロ
ーズ部分を密封するための昇降機構９ａが設けられてい
る。
たポート８を反応管３内へロード、アンロードする昇降
機構９ｂが設けられ、ベローズ１７の上部にはウェーハ
１０が装填されたポート８をべ０−ズ１７内から出し入
れするためにベローズ１７を縮めたり、反応管３とベロ
ーズ部分を密封するための昇降機構９ａが設けられてい
る。
なお、１８は反応管３内の反応ガスを排出するためのガ
ス路である。
ス路である。
第３図は一般的な減圧ＣＶＤ装置の構成の一例を示す簡
略断面図である。この従来の減圧ＣＶＤ装置は、外気と
内部を隔離しウェーハｌＯを反応処理する内側反応管２
ｂ及び外側反応管２ａと、外側反応管２ａ内を加熱する
ヒータ１と、ウェーハ１０を装填するポート８と、前記
外、内側反応管２ａ 、 ２ｂ内を真空にし更に反応ガ
スを当該反応管２ａ ＝ ２ｂ内へ流す炉口部４と、こ
の炉口部４の真空排気管５と、この真空排気管５にバル
ブ１５を介挿して連結された真空ポンプ１６とよりなり
、ウェーハ１ｏの処理中の圧力がアニール装置のように
常圧ではなく真空状態つまり減圧下でウェーハ処理を行
うためシールフランジ面には反応管２ａ、、２ｂ側へ引
張られるカが生じる。
略断面図である。この従来の減圧ＣＶＤ装置は、外気と
内部を隔離しウェーハｌＯを反応処理する内側反応管２
ｂ及び外側反応管２ａと、外側反応管２ａ内を加熱する
ヒータ１と、ウェーハ１０を装填するポート８と、前記
外、内側反応管２ａ 、 ２ｂ内を真空にし更に反応ガ
スを当該反応管２ａ ＝ ２ｂ内へ流す炉口部４と、こ
の炉口部４の真空排気管５と、この真空排気管５にバル
ブ１５を介挿して連結された真空ポンプ１６とよりなり
、ウェーハ１ｏの処理中の圧力がアニール装置のように
常圧ではなく真空状態つまり減圧下でウェーハ処理を行
うためシールフランジ面には反応管２ａ、、２ｂ側へ引
張られるカが生じる。
減圧状態を保つためのＯリング１１はシール性を確保す
るた約にある程度つぶして使用しているが、そのつぶす
力はかなり大きな力を要する。減圧ＣＶＤ装置では前記
真空による引張りカとバネ１２の力にてＯリング１１を
つぶしてシール性を確保している。
るた約にある程度つぶして使用しているが、そのつぶす
力はかなり大きな力を要する。減圧ＣＶＤ装置では前記
真空による引張りカとバネ１２の力にてＯリング１１を
つぶしてシール性を確保している。
前者の従来のアニール装置にあっテハ、２つの昇降機構
９ａ ＝ ９ｂとベローズ１７が必要であるため、構造
が複雑になり、高価になるという課題がある。
９ａ ＝ ９ｂとベローズ１７が必要であるため、構造
が複雑になり、高価になるという課題がある。
また後者の従来の減圧ＣＶＤ装置にあっては、アニール
装置のように、処理中の圧力が常圧下にて行うものには
、今までの減圧ＣＶＤ装置の構造を採用してもシール性
が十分得られないため、成膜の特性上及びＨ２ガスが爆
発性を有していることから安全性に欠け、適さないとい
う課題がある。
装置のように、処理中の圧力が常圧下にて行うものには
、今までの減圧ＣＶＤ装置の構造を採用してもシール性
が十分得られないため、成膜の特性上及びＨ２ガスが爆
発性を有していることから安全性に欠け、適さないとい
う課題がある。
そこで、本発明の目的は構造を簡略化しコストダウンを
図ると共にＨ２ガスのリーク量を極力低減して安全性の
向上を図ることである。
図ると共にＨ２ガスのリーク量を極力低減して安全性の
向上を図ることである。
本発明装置は上記の課題を解決し、上記の目的を達成す
るため、第１図示のように外気と内部を隔離しウェーハ
１０を反応処理する反応管３と、この反応管３内を加熱
するヒータ１と、前記反応管３内の熱分布を均一にする
均熱管２と、ウェーハ（１０）を装填するポート８と、
前記反応管３内を真空にし更に反応ガスを反応管３内へ
流す炉口部４と、ウェーハ１０が装填されたポート８を
反応管３内へロード、アンロードする昇降機構９を有す
るアニール装置において、前記炉口部４にリング状シー
ル１１を２重に設け、この２重めリング状シール１１．
１１間に、その空間部を真空排気する真空排気装置１４
を連通せしめてなる構成としたものである。
るため、第１図示のように外気と内部を隔離しウェーハ
１０を反応処理する反応管３と、この反応管３内を加熱
するヒータ１と、前記反応管３内の熱分布を均一にする
均熱管２と、ウェーハ（１０）を装填するポート８と、
前記反応管３内を真空にし更に反応ガスを反応管３内へ
流す炉口部４と、ウェーハ１０が装填されたポート８を
反応管３内へロード、アンロードする昇降機構９を有す
るアニール装置において、前記炉口部４にリング状シー
ル１１を２重に設け、この２重めリング状シール１１．
１１間に、その空間部を真空排気する真空排気装置１４
を連通せしめてなる構成としたものである。
上記のように炉口部４に設けた２重のリング状シール１
１ 、１１間の空間部を真空排気装置１４により真空排
気することにより２重のリング状シール１１．１１にこ
れを押しつぶすカが加わり、ウェーハ１゜の処理中の圧
力が大気圧（常圧）でも十分にシール性が確保されるこ
とになる。
１ 、１１間の空間部を真空排気装置１４により真空排
気することにより２重のリング状シール１１．１１にこ
れを押しつぶすカが加わり、ウェーハ１゜の処理中の圧
力が大気圧（常圧）でも十分にシール性が確保されるこ
とになる。
〔実施例〕
以下図面により本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明装置の一実施例の構成を示す簡略断面図
である。第１図中、３は外気と内部を隔離しウェーハ１
０を反応処理する反応管、ｌはこの反応管３内を加熱す
るヒータ、２は反応管３内の熱分布を均一にする均熱管
、８はウェーハ１ｏを装填するポート、４は反応管３内
を真空にし更に反応ガスを反応管３内へ流す炉口部（反
応ガスの流入管は図示していない）、９はウェーハ１ｏ
が装填されたポート８を反応管３内へロード、アンロー
ドする昇降機構である。
である。第１図中、３は外気と内部を隔離しウェーハ１
０を反応処理する反応管、ｌはこの反応管３内を加熱す
るヒータ、２は反応管３内の熱分布を均一にする均熱管
、８はウェーハ１ｏを装填するポート、４は反応管３内
を真空にし更に反応ガスを反応管３内へ流す炉口部（反
応ガスの流入管は図示していない）、９はウェーハ１ｏ
が装填されたポート８を反応管３内へロード、アンロー
ドする昇降機構である。
本実施例はこのような構成のアニール装置において、炉
口部４を構成する反応管３のフランジとこれに対向する
フランジとの間及びシールフランジ１３ａと反応管に対
向するフランジとの間にそれぞれ内、外側の２重のＯＩ
Ｊソング１ 、１１を挿設し、各２重のＯリング１１
、１１間に、その空間部を真空排気する真空ポンプ間を
真空排気管７で連通すると共に、シールフランジ１３ａ
と昇降機構９に取付けられたベースフランジ１３ｂとの
間にバネ１２を挿着してなる。
口部４を構成する反応管３のフランジとこれに対向する
フランジとの間及びシールフランジ１３ａと反応管に対
向するフランジとの間にそれぞれ内、外側の２重のＯＩ
Ｊソング１ 、１１を挿設し、各２重のＯリング１１
、１１間に、その空間部を真空排気する真空ポンプ間を
真空排気管７で連通すると共に、シールフランジ１３ａ
と昇降機構９に取付けられたベースフランジ１３ｂとの
間にバネ１２を挿着してなる。
５は反応管３内を真空排気する真空排気管、６はこの真
空排気管５にバルブ１９を介して連結されＮ２ガスを安
全に処理するＮ２ガス処理部、１６は同じく真空排気管
５にバルブ１５を介して連結された真空ポンプである。
空排気管５にバルブ１９を介して連結されＮ２ガスを安
全に処理するＮ２ガス処理部、１６は同じく真空排気管
５にバルブ１５を介して連結された真空ポンプである。
本実施例は上記のような構成であるから、各２重のＯリ
ング１１ 、１１間の空間部を真空ポンプ１４により真
空排気管７を通して真空排気することにより各２重のＯ
リング１１ 、１１に、これを押しつぶす力と、バネ１
２による押しつぶす力が加わり、これら２重の０リング
１１ 、１１がその合力により十分に押しつぶされるこ
とになり、ウェーハ１０の処理中の圧力（反応管３内の
圧力）が大気圧でも十分なシール性が確保されることに
なる。
ング１１ 、１１間の空間部を真空ポンプ１４により真
空排気管７を通して真空排気することにより各２重のＯ
リング１１ 、１１に、これを押しつぶす力と、バネ１
２による押しつぶす力が加わり、これら２重の０リング
１１ 、１１がその合力により十分に押しつぶされるこ
とになり、ウェーハ１０の処理中の圧力（反応管３内の
圧力）が大気圧でも十分なシール性が確保されることに
なる。
次に本実施例の動作を順に説明する。
■ まず、ウェーハ１０をポート８に装填し、昇降機構
９により反応管３内ヘローデイングする。
９により反応管３内ヘローデイングする。
■ しかる後、真空ポンプ１４により各２重の０リング
１１ 、１１間の空間部を真空排気管７を通して真空排
気し、十分なシール性を得る。
１１ 、１１間の空間部を真空排気管７を通して真空排
気し、十分なシール性を得る。
■ 次に真空ポンプ１６により反応管３内を真空排気管
５及びバルブ１５を通して真空排気し、反応管３内の酸
素を排出し、その後バルブ１５を閉じて真空封じ込み、
反応管３内のり−クチニックを行う。
５及びバルブ１５を通して真空排気し、反応管３内の酸
素を排出し、その後バルブ１５を閉じて真空封じ込み、
反応管３内のり−クチニックを行う。
■ リークチエツク終了後、Ｎ２ガスにして反応管３内
を大気圧に戻し、リークチエツクに異常がない場合にの
み図示しない反応ガス流入管よりＨ，ガスを反応管３内
へ流し、ウェーハｌＯを処理する。Ｎ２ガスはバルブ１
９を通してＨ，ガス処理部６に排出する。
を大気圧に戻し、リークチエツクに異常がない場合にの
み図示しない反応ガス流入管よりＨ，ガスを反応管３内
へ流し、ウェーハｌＯを処理する。Ｎ２ガスはバルブ１
９を通してＨ，ガス処理部６に排出する。
■ ウェーハ１０の処理終了後、反応管３内にＮ２ガス
を流し、Ｈ，ガスを追い出す。 （Ｎ２ガスを流す前に
反応管３内を真空排気して反応管３内のＮ２ガスを完全
に排気する方法もある。）追い出されたＮ２ガスは、真
空排気管５を通りバルブ１９を通ってＮ２ガス処理部６
へ流れ、爆発しないよう安全に処理される。
を流し、Ｈ，ガスを追い出す。 （Ｎ２ガスを流す前に
反応管３内を真空排気して反応管３内のＮ２ガスを完全
に排気する方法もある。）追い出されたＮ２ガスは、真
空排気管５を通りバルブ１９を通ってＮ２ガス処理部６
へ流れ、爆発しないよう安全に処理される。
■ 反応管３内がＮ２ガスにより置換された所で真空排
気管を通して各２室の０リング１１ 、１１間の空間部
を大気圧に戻す。− ■ 昇降機構９によりウェーハ１０が装填されたポート
８は反応管３内よりアンロードされる。
気管を通して各２室の０リング１１ 、１１間の空間部
を大気圧に戻す。− ■ 昇降機構９によりウェーハ１０が装填されたポート
８は反応管３内よりアンロードされる。
以上のように本発明によれば、外気と内部を隔離しウェ
ーハ１０を反応処理する反応管３と、この反応管３内を
加熱するヒータ１と、前記反応管３内の熱分布を均一に
する均熱管２と、ウェーハ（１０）を装填するポート８
と、前記反応管３内を真空にし更に反応ガスを反応管３
内へ流す炉口部４と、ウェーハ１０が装填されたポート
８を反応管３内へロード、アンロードする昇降機構９を
有するアニール装置において、前記炉口部４にリング状
シール１１を２重に設け、この２重のリング状シール１
１．１１間に、その空間部を真空排気する真空排気装置
１４を連通せしめてなるので、従来使用されていたベロ
ーズと昇降機構の１つが不要となり、コストダウンを図
ることができる。また、炉口８４の構造を、ベローズ等
を用いず、炉口部４に設けた２重のリング状シール１１
、１１間の空間部を真空排気する構造としたことによ
り構造が複雑になることなく、Ｎ２ガスのリーク量を極
力抑え、かつ反応管３内のリークチエツクを容易に行う
ことが可能となるばかりでなく、Ｎ２ガスのリーク量の
低減により安全性を向上することができる。
ーハ１０を反応処理する反応管３と、この反応管３内を
加熱するヒータ１と、前記反応管３内の熱分布を均一に
する均熱管２と、ウェーハ（１０）を装填するポート８
と、前記反応管３内を真空にし更に反応ガスを反応管３
内へ流す炉口部４と、ウェーハ１０が装填されたポート
８を反応管３内へロード、アンロードする昇降機構９を
有するアニール装置において、前記炉口部４にリング状
シール１１を２重に設け、この２重のリング状シール１
１．１１間に、その空間部を真空排気する真空排気装置
１４を連通せしめてなるので、従来使用されていたベロ
ーズと昇降機構の１つが不要となり、コストダウンを図
ることができる。また、炉口８４の構造を、ベローズ等
を用いず、炉口部４に設けた２重のリング状シール１１
、１１間の空間部を真空排気する構造としたことによ
り構造が複雑になることなく、Ｎ２ガスのリーク量を極
力抑え、かつ反応管３内のリークチエツクを容易に行う
ことが可能となるばかりでなく、Ｎ２ガスのリーク量の
低減により安全性を向上することができる。
第１図は本発明装置の一実施例の構成を示す簡略断面図
、第２図は従来のアニール装置の一例の構成を示す簡略
断面図、第３図は一般的な減圧ＣＶＤ装置の構成の一例
を示す簡略断面図である。 １・・・・・・ヒータ、２・・・・・・均熱管、３・・
・・・・反応管、４・・・・・・炉口部、７・・・・・
・真空排気管、８・・・・・・ポート、９・・・・・・
昇降機構、１０・・・・・・ウエーノ＼、１１・・・・
・・リング状シール（０リング）、１２・・・・・・弾
性体（ノイネ）、１３ａ・・・・・・シールフランジ、
１３ｂ・・・・・・ベースフランジ、１４・・・・・・
真空排気装置（真空ポンプ）。 さ ｒ−一′−−−−） Ｓ）
、第２図は従来のアニール装置の一例の構成を示す簡略
断面図、第３図は一般的な減圧ＣＶＤ装置の構成の一例
を示す簡略断面図である。 １・・・・・・ヒータ、２・・・・・・均熱管、３・・
・・・・反応管、４・・・・・・炉口部、７・・・・・
・真空排気管、８・・・・・・ポート、９・・・・・・
昇降機構、１０・・・・・・ウエーノ＼、１１・・・・
・・リング状シール（０リング）、１２・・・・・・弾
性体（ノイネ）、１３ａ・・・・・・シールフランジ、
１３ｂ・・・・・・ベースフランジ、１４・・・・・・
真空排気装置（真空ポンプ）。 さ ｒ−一′−−−−） Ｓ）
Claims (3)
- （１）外気と内部を隔離しウェーハ（１０）を反応処理
する反応管（３）と、この反応管（３）内を加熱するヒ
ータ（１）と、前記反応管（３）内の熱分布を均一にす
る均熱管（２）と、ウェーハ（１０）を装填するポート
（８）と、前記反応管（３）内を真空にし更に反応ガス
を反応管（３）内へ流す炉口部（４）と、ウェーハ（１
０）が装填されたポート（８）を反応管（３）内へロー
ド、アンロードする昇降機構（９）を有するアニール装
置において、前記炉口部（４）にリング状シール（２）
を２重に設け、この２重のリング状シール（１１、１１
）間に、その空間部を真空排気する真空排気装置（１４
）を連通せしめてなるアニール装置。 - （２）炉口部（４）を構成する反応管（３）のフランジ
とこれに対向するフランジとの間及びシールフランジ（
１３ａ）と反応管（３）に対向するフランジとの間にそ
れぞれ内、外側の２重のリング状シール（１１、１１）
を挿設せしめてなる請求項第１項記載のアニール装置。 - （３）炉口部（４）のシールフランジ（１３ａ）と昇降
機構（９）に取付けられたベースフランジ（１３ｂ）と
の間に弾性体（１２）を挿着してなる請求項第１項、第
２項のいずれかに記載のアニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33980990A JP3351521B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33980990A JP3351521B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 熱処理装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001289775A Division JP3304338B2 (ja) | 2001-09-21 | 2001-09-21 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04207019A true JPH04207019A (ja) | 1992-07-29 |
| JP3351521B2 JP3351521B2 (ja) | 2002-11-25 |
Family
ID=18331022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33980990A Expired - Lifetime JP3351521B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3351521B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5632820A (en) * | 1995-01-12 | 1997-05-27 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Thermal treatment furnace in a system for manufacturing semiconductors |
| US6527884B1 (en) | 2000-01-20 | 2003-03-04 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Hydrogen annealing process and apparatus therefor |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6749954B2 (ja) | 2018-02-20 | 2020-09-02 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP33980990A patent/JP3351521B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5632820A (en) * | 1995-01-12 | 1997-05-27 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Thermal treatment furnace in a system for manufacturing semiconductors |
| US6527884B1 (en) | 2000-01-20 | 2003-03-04 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Hydrogen annealing process and apparatus therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3351521B2 (ja) | 2002-11-25 |
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