JPH0661328A - 半導体ウェハー搬送装置 - Google Patents
半導体ウェハー搬送装置Info
- Publication number
- JPH0661328A JPH0661328A JP20988792A JP20988792A JPH0661328A JP H0661328 A JPH0661328 A JP H0661328A JP 20988792 A JP20988792 A JP 20988792A JP 20988792 A JP20988792 A JP 20988792A JP H0661328 A JPH0661328 A JP H0661328A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tray
- wafer
- catch
- particles
- catch tray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】常圧気相成長装置にウェハーを搬送する際、キ
ャッチトレーにウェハーを載せた後トレー上にもどし、
ウェハーを水平に降下させ、かつトレーにセンタリング
を正しく行なうことにより、パーティクルの減少と膜厚
の均一性を改善させる。 【構成】キャッチトレー４がウェハー２をキャリアから
受け取り、矢印の方向に移動することで、キャッチトレ
ー４に設けられた円弧状段差によりウェハー２の位置決
めが行われる。この後、更にキャッチトレー４は同方向
に移動し、トレー１上で下降動作を行なってウェハー２
を水平に下降させトレー１上にもどる。この下降速度を
制御することで、トレー１上のパーティクルの巻き上げ
を防止することができる。また、ウェハーの位置決めも
なされている為、ウェハー２はトレー１の座ぐり部３に
確実に入る。
ャッチトレーにウェハーを載せた後トレー上にもどし、
ウェハーを水平に降下させ、かつトレーにセンタリング
を正しく行なうことにより、パーティクルの減少と膜厚
の均一性を改善させる。 【構成】キャッチトレー４がウェハー２をキャリアから
受け取り、矢印の方向に移動することで、キャッチトレ
ー４に設けられた円弧状段差によりウェハー２の位置決
めが行われる。この後、更にキャッチトレー４は同方向
に移動し、トレー１上で下降動作を行なってウェハー２
を水平に下降させトレー１上にもどる。この下降速度を
制御することで、トレー１上のパーティクルの巻き上げ
を防止することができる。また、ウェハーの位置決めも
なされている為、ウェハー２はトレー１の座ぐり部３に
確実に入る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造等に使
用されるトレーを有する半導体ウェハー搬送装置に関す
る。
用されるトレーを有する半導体ウェハー搬送装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のウェハー搬送装置は、図
３（ａ）の平面図および図３（ｂ）の断面図に示す様
に、開閉機構をもつチャック５にウェハー２をセット
し、チャック５を閉じて上昇させることによってチャッ
ク５にウェハー２を載せたまま、チャック５を図３
（ａ）の矢印の方向に移動させ、トレー１の座ぐり部３
上にウェハーが来た時に図３（ｂ）の矢印で示すよう
に、チャック５が左右に同時に開き、トレー１上にウェ
ハー２を落下させてウェハー２をトレー１に載せてい
る。その後、トレー１はウェハー２と共に、例えば常圧
気相成長装置の反応室へと搬送される。
３（ａ）の平面図および図３（ｂ）の断面図に示す様
に、開閉機構をもつチャック５にウェハー２をセット
し、チャック５を閉じて上昇させることによってチャッ
ク５にウェハー２を載せたまま、チャック５を図３
（ａ）の矢印の方向に移動させ、トレー１の座ぐり部３
上にウェハーが来た時に図３（ｂ）の矢印で示すよう
に、チャック５が左右に同時に開き、トレー１上にウェ
ハー２を落下させてウェハー２をトレー１に載せてい
る。その後、トレー１はウェハー２と共に、例えば常圧
気相成長装置の反応室へと搬送される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述の半導体ウェハー
搬送装置では、ウェハーをトレー上に落下させる際、ウ
ェハーは水平に落下せず傾いて落下する為、トレー上の
パーティクルが巻き上げられ、ウェハー上に付着すると
いう問題点がある。また、ウェハーの落下位置のセンタ
リングが困難である為、落下の際トレー上の座ぐり部内
に入らないことがあり、成長膜厚の均一性を悪化させる
という問題点があった。
搬送装置では、ウェハーをトレー上に落下させる際、ウ
ェハーは水平に落下せず傾いて落下する為、トレー上の
パーティクルが巻き上げられ、ウェハー上に付着すると
いう問題点がある。また、ウェハーの落下位置のセンタ
リングが困難である為、落下の際トレー上の座ぐり部内
に入らないことがあり、成長膜厚の均一性を悪化させる
という問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウェハー
搬送装置は、ウェハーの位置決めの為の段差を有するキ
ャッチトレーが、ウェハーを受け取った後トレーにもど
り、ウェハーを水平に降下させると共にトレーに設けら
れた段差にはまって位置決めがなされる構造を有する。
搬送装置は、ウェハーの位置決めの為の段差を有するキ
ャッチトレーが、ウェハーを受け取った後トレーにもど
り、ウェハーを水平に降下させると共にトレーに設けら
れた段差にはまって位置決めがなされる構造を有する。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照し説明する。
【０００６】図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例で
それぞれ平面図およびそのＡ−Ａ断面図である。
それぞれ平面図およびそのＡ−Ａ断面図である。
【０００７】図１（ａ），（ｂ）において、キャッチト
レー４が図示しない搬送機構により矢印の方向に移動す
ることにより、ウェハー２は図示しないキャリアからキ
ャッチトレー４上に載せられる。このときキャッチトレ
ー４に設けられた円弧状の段差により、ウェハー２の位
置決めが行なわれる。ウェハー２の載ったキャッチトレ
ー４は矢印の方向に更に移動し、トレー１上で下降動作
に入る。
レー４が図示しない搬送機構により矢印の方向に移動す
ることにより、ウェハー２は図示しないキャリアからキ
ャッチトレー４上に載せられる。このときキャッチトレ
ー４に設けられた円弧状の段差により、ウェハー２の位
置決めが行なわれる。ウェハー２の載ったキャッチトレ
ー４は矢印の方向に更に移動し、トレー１上で下降動作
に入る。
【０００８】ここでウェハー２の下降速度を制御するこ
とにより、トレー１上のパーティクルの巻き上げを少な
くすることができ、かつ、キャッチトレー４の段差とト
レー１の段差とでウェハー２の位置決めも容易になり、
ウェハー２はトレー１の座ぐり部３内に確実に入る様に
なる。下降したキャッチトレー４は、ウェハーを載せた
ままトレー１と共に反応室へと搬送される。
とにより、トレー１上のパーティクルの巻き上げを少な
くすることができ、かつ、キャッチトレー４の段差とト
レー１の段差とでウェハー２の位置決めも容易になり、
ウェハー２はトレー１の座ぐり部３内に確実に入る様に
なる。下降したキャッチトレー４は、ウェハーを載せた
ままトレー１と共に反応室へと搬送される。
【０００９】図４（ａ），（ｂ）は、本実施例を用いて
ＳｉＨ4 −Ｏ2 系のガスにより、ウェハー２上に酸化ケ
イ素膜を気相成長させた場合のそれぞれウェハー上のパ
ーティクル数と膜厚均一性とを示したグラフであり、折
れ線Ａが本実施例の場合、また折れ線Ｂは、従来の常圧
気相成長装置を用いた場合である。
ＳｉＨ4 −Ｏ2 系のガスにより、ウェハー２上に酸化ケ
イ素膜を気相成長させた場合のそれぞれウェハー上のパ
ーティクル数と膜厚均一性とを示したグラフであり、折
れ線Ａが本実施例の場合、また折れ線Ｂは、従来の常圧
気相成長装置を用いた場合である。
【００１０】図４に示した様に、従来の常圧気相成長装
置を用いた場合のウェハー上のパーティクル数および酸
化ケイ素膜厚の面内均一性は、ウェハー１０枚の平均で
それぞれ２０．１個／ウェハーおよび４．４％であった
ものが、本実施例の場合は、それぞれ５．２個／ウェハ
ーおよび２．５％となり、パーティクル数及び膜厚分布
の面内均一性は著しく改善されたことがわかる。
置を用いた場合のウェハー上のパーティクル数および酸
化ケイ素膜厚の面内均一性は、ウェハー１０枚の平均で
それぞれ２０．１個／ウェハーおよび４．４％であった
ものが、本実施例の場合は、それぞれ５．２個／ウェハ
ーおよび２．５％となり、パーティクル数及び膜厚分布
の面内均一性は著しく改善されたことがわかる。
【００１１】尚、上記実施例では、キャッチトレー４を
トレー１と共に反応室に搬送する形状としたが、これに
限定されるものではなく、図２（ａ），（ｂ）の平面図
およびそのＡ−Ａ断面図に示される他の実施例の様に、
キャッチトレー４はウェハー２を真空発生装置６により
真空吸着してトレー１に戻り、ウェハー２をトレー１の
座ぐり部３に載せた後、矢印の様に移動し、トレー１の
みがウェハー２を載せて反応室へと搬送されるようにし
てもよい。本実施例においても、ウェハーは水平に降下
し、正しく位置決めされるので、ウェハー上のパーティ
クル数及び膜厚分布の面内均一性は改善される。
トレー１と共に反応室に搬送する形状としたが、これに
限定されるものではなく、図２（ａ），（ｂ）の平面図
およびそのＡ−Ａ断面図に示される他の実施例の様に、
キャッチトレー４はウェハー２を真空発生装置６により
真空吸着してトレー１に戻り、ウェハー２をトレー１の
座ぐり部３に載せた後、矢印の様に移動し、トレー１の
みがウェハー２を載せて反応室へと搬送されるようにし
てもよい。本実施例においても、ウェハーは水平に降下
し、正しく位置決めされるので、ウェハー上のパーティ
クル数及び膜厚分布の面内均一性は改善される。
【００１２】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、半導体ウェ
ハー搬送装置に、ウェハーの位置決めの為の段差を有す
るキャッチトレーがウェハーを受け取った後トレーにも
どり、水平に降下し、かつウェハーのセンタリングが正
しく行われるので、ウェハー上へのパーティクルの巻き
上げが減少し、膜厚分布の面内均一性が改善できるとい
う効果がある。
ハー搬送装置に、ウェハーの位置決めの為の段差を有す
るキャッチトレーがウェハーを受け取った後トレーにも
どり、水平に降下し、かつウェハーのセンタリングが正
しく行われるので、ウェハー上へのパーティクルの巻き
上げが減少し、膜厚分布の面内均一性が改善できるとい
う効果がある。
【図１】本発明の一実施例の構造を示す図で、同図
（ａ）は平面図，同図（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図であ
る。
（ａ）は平面図，同図（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図であ
る。
【図２】本発明の他の実施例を示す図で、同図（ａ）は
平面図，同図（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。
平面図，同図（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。
【図３】従来の半導体ウェハー搬送装置を示す図で、同
図（ａ）は平面図，同図（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図であ
る。
図（ａ）は平面図，同図（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図であ
る。
【図４】従来例と一実施例とを比較する図で、同図
（ａ）はウェハー上のパーティクル数を示す図，同図
（ｂ）はウェハー上の膜厚分布の均一性を示す図であ
る。
（ａ）はウェハー上のパーティクル数を示す図，同図
（ｂ）はウェハー上の膜厚分布の均一性を示す図であ
る。
１ トレー ２ ウェハー ３ 座ぐり部 ４ キャッチトレー ５ チャック ６ 真空発生装置
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウェハーを反応室へ搬送するため
のトレーを備えた半導体ウェハー搬送装置において、前
記トレーに段差を設け、この段差にはまるキャッチトレ
ーを設け、このキャッチトレーはウェハーの位置決め部
を有し、かつキャリアよりウェハーを受け取った後トレ
ーにもどり、ウェハーを水平に降下させてトレー上に載
せることを特徴とする半導体ウェハー搬送装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20988792A JPH0661328A (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 半導体ウェハー搬送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20988792A JPH0661328A (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 半導体ウェハー搬送装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661328A true JPH0661328A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16580296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20988792A Pending JPH0661328A (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 半導体ウェハー搬送装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0661328A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001524751A (ja) * | 1997-11-21 | 2001-12-04 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 半導体処理装置用基板移動システム |
| JP2004200678A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-15 | Tokyo Electron Ltd | 取外し可能な半導体ウェハサセプタ |
| US6997670B2 (en) | 2002-10-22 | 2006-02-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor wafer transfer apparatus |
| JP2007265971A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-10-11 | Sii Nanotechnology Inc | ウエハホルダ、試料作製装置 |
| US7370681B2 (en) * | 2002-11-16 | 2008-05-13 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Substrate bonding apparatus for liquid crystal display device |
| JP2011119408A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| JP2020096017A (ja) * | 2018-12-10 | 2020-06-18 | 株式会社 天谷製作所 | 成膜用冶具及び常圧気相成長装置 |
-
1992
- 1992-08-06 JP JP20988792A patent/JPH0661328A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001524751A (ja) * | 1997-11-21 | 2001-12-04 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 半導体処理装置用基板移動システム |
| US6997670B2 (en) | 2002-10-22 | 2006-02-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor wafer transfer apparatus |
| US7370681B2 (en) * | 2002-11-16 | 2008-05-13 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Substrate bonding apparatus for liquid crystal display device |
| JP2004200678A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-15 | Tokyo Electron Ltd | 取外し可能な半導体ウェハサセプタ |
| JP4637475B2 (ja) * | 2002-12-05 | 2011-02-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 取外し可能なサセプタを用いた半導体基板搬送システム、及び半導体基板の搬送方法 |
| JP2007265971A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-10-11 | Sii Nanotechnology Inc | ウエハホルダ、試料作製装置 |
| JP2011119408A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| JP2020096017A (ja) * | 2018-12-10 | 2020-06-18 | 株式会社 天谷製作所 | 成膜用冶具及び常圧気相成長装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990202 |