JPH1187094A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マイクロ波発振器の実稼動率を高め、スルー
プットを向上させる。 【解決手段】 複数のチャンバと１つの発振器を有する
マイクロ波プラズマ処理装置において、マイクロ波の伝
搬経路を切替える切替手段を設ける。又、マイクロ波の
伝搬モードを変換する変換手段を設け、均一性を高め
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ホトレジストの灰
化（アッシング）、基板表面のエッチング、又はクリー
ニング、基板表面へのドーピング、基板表面の酸化又は
窒化、基板表面上への気相化学堆積（ＣＶＤ）やスパッ
タリング、プラズマ重合等に用いられるマイクロ波プラ
ズマ処理装置の技術分野に属する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、上述
したプラズマ処理工程が採用されている。

【０００３】とりわけ、２．４５ＧＨｚに代表されるマ
イクロ波を用いて生成されるプラズマはプラズマ密度が
１×１０¹⁰乃至１×１０¹¹ＩＯＮ・ｃｍ^-3の高密度プラ
ズマとなり得る。

【０００４】近年の半導体デバイス製造における微細化
高集積化の進展に伴いプラズマ処理工程が増加してお
り、プラズマ処理の処理能力向上が強く要求されてきて
いる。

【０００５】従来のマイクロ波プラズマ装置は、１つの
チャンバと１つのマイクロ波発振器と、１つの排気系
と、１つのガス供給系とを用い、被処理体である基板を
一枚づつ処理する枚葉式プラズマ処理装置が一般的であ
る。

【０００６】このような枚葉式プラズマ処理装置を用い
た処理は、おおよそ次の工程からなる。まず、チャンバ
内雰囲気を大気に置換する工程（約２０秒）、処理済の
基板をチャンバから取り出し、処理前の基板をチャンバ
内に配置する基板の交換工程（約１０乃至２０秒）、チ
ャンバ内を約１３Ｐａ乃至２７Ｐａの圧力になるよう排
気する排気工程（約２０秒）、プロセスガスをチャンバ
内に導入して所定の圧力にするガス導入工程（約５
秒）、そして、マイクロ波エネルギーをチャンバに投入
してプラズマ処理を行う工程である。

【０００７】このようにプラズマ処理工程以外の工程に
要する時間は、基板一枚あたり約５５乃至６５秒とな
り、この時間は実際の半導体デバイスの製造に寄与しな
い時間となる。

【０００８】特開昭６３−２６５８９２号公報には、図
１０に示すように１つのマイクロ波発振器１から発振さ
れたマイクロ波を分岐導波管２で２方向に分岐させ分岐
した２方向のマイクロ波を２つのチャンバ２に導くよう
にした装置が記載されている。

【０００９】この装置では、マイクロ波発振器を２のチ
ャンバで共有している為、装置の占有床面積（フットプ
リント）は比較的小さくなるものの後述するような解決
すべき技術課程（１）が内在していた。

【００１０】図１１は従来のプラズマ処理装置の別の一
例を示している。

【００１１】マイクロ波発振器から発振されたマイクロ
波は矩形導波管４を通してチャンバ３に供給される。石
英ベルジャー８により大気と分離された、反応室では、
ガス供給管１２及びコントローラー１３からなるガス供
給系より供給されたガスがマイクロ波によりグロー放電
プラズマを生じる。このグロー放電プラズマにより基板
Ｗ表面に適切な処理が行われる。

【００１２】ここで、５はアイソレータ、６は方向性結
合器、７はオートチューナーである。又、排気管１０と
バルブ１１により不図示の真空ポンプに連結される排気
系が構成されている。

【００１３】しかしながら、被処理面の大きな基板を均
一に処理するには、後述するように解決すべき技術課題
（２）が内在していた。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】

技術課題（１） 上述した特開昭６３−２６５８９２号公報に記載の装置
では、２つのチャンバ内で同時にプラズマ処理を行う
為、処理全工程に必要な時間に対するプラズマ処理に割
り当てられる時間の比率は従来のものと変わらない。

【００１５】従って、マイクロ波発振器の稼動率は低い
ままであった。

【００１６】技術課程（２） 矩形導波管によるマイクロ波伝搬モードは、一般にＴＥ
₀₁モードであるが、これは導波管の短辺側で電界強度が
強くなるという特徴をもつ。

【００１７】よって、これにより得られるプラズマの強
度もマイクロ波の電界強度分布に応じて分布をもつよう
になり、プラズマ処理の均一性が向上し難いものであっ
た。

【００１８】

【課題を解決する為の手段】本発明は被処理体をプラズ
マ処理する為のチャンバの複数と、プラズマを生成する
為のマイクロ波を供給するマイクロ波供給手段とを有す
るマイクロ波プラズマ処理装置において、マイクロ波発
振器から該複数のチャンバに至るマイクロ波伝搬経路に
マイクロ波の伝搬経路を切替える為の切替手段を具備す
ることを特徴とする。

【００１９】又、本発明は被処理体をプラズマ処理する
為のチャンバと、プラズマを生成する為のマイクロ波を
供給するマイクロ波供給手段と、を有するマイクロ波プ
ラズマ処理装置において、マイクロ波発振器側からチャ
ンバ側へ伝搬されるマイクロ波の伝搬モードを円形導波
管のＴＭ₀₁モードに変換する為のモード変換手段と、該
モード変換手段と該チャンバの間にテーパー状円筒管が
設けられていることを特徴とする。

【００２０】

【発明の実施の形態】図１は本発明によるマイクロ波プ
ラズマ処理装置を示している。

【００２１】２１が切替手段であり、マイクロ波発振器
１にて発生したマイクロ波は矩形導波管４を介して切替
手段２１に伝搬する。切替手段２１はその設定に応じて
マイクロ波を導波管２８或いは導波管２９のいずれかに
選択的にマイクロ波を伝搬させ、対応するチャンバ３Ｒ
又はチャンバ３Ｌにマイクロ波を供給する。

【００２２】２２は共通のガス供給手段であり、バルブ
２３又は２４を介して対応するチャンバ３Ｒ、３Ｌ内に
プロセスガスを供給する。３０、３１は大気開放用のバ
ルブである。

【００２３】２５は共通の排気手段であり、バルブ２６
又は２７を介して対応するチャンバよりガスを排気す
る。

【００２４】バルブの開閉の際には他方のチャンバ内の
圧力が影響を受けないように排気量やプロセスガス供給
量を適切に調整しておく。

【００２５】図２は切換手段の模式的断面図である。

【００２６】切替手段は２つの開口３４、３５、３６を
有する外側の導波部材３２と、内部に導波管３７を有す
る内側の導波部材３３からなる。

【００２７】部材３３は少なくとも９０度回転可能であ
り、図２は開口３４と開口３５を連通させ、開口３６を
遮断した状態を示している。この時は、導波管４から開
口３４に伝搬されてくるマイクロ波は、内部にコーナー
をもつ導波路３７を介して開口３５からの導波管２８に
伝搬され図１の右のチャンバ３に供給される。

【００２８】コーナー形成部材３３を時計回りに９０°
回転させれば、開口３４と開口３６が連通し、マイクロ
波は図１の左側のチャンバ３に供給される。

【００２９】不図示ではあるが、排気手段２５、ガス供
給手段２２、バルブ２３、２４、２６、２７切替手段２
１、発振器１等の制御は不図示のコンピュータのような
制御手段によりなされる。

【００３０】次に装置の動作について述べる。

【００３１】まず、図１中右側のチャンバ３Ｒ内に被処
理体を配置し、ゲートバルブ（不図示）を閉じる。排気
手段２５の真空ポンプを作動させてバルブ２６を介して
チャンバ３Ｒ内を減圧する。次いでバルブ２３を開けて
ガス供給手段２２から供給されるプロセスガスをチャン
バ３Ｒ内に導入し所定のプロセス圧力に維持する。この
時、図中左のチャンバ内ではプラズマ処理がなされてい
る。

【００３２】左のチャンバ３Ｌ内でのプラズマ処理が終
了すると切替手段２１の設定を変更し、マイクロ波を導
波管２８側に伝搬するように伝搬経路を切り替える。

【００３３】すると、右のチャンバ３Ｒ内でプラズマ処
理が開始される。プラズマ処理が右のチャンバ３Ｒで行
われている時、左のチャンバ３Ｌ内は、プロセスガスの
供給がバルブ２４を閉めることで停止され、その後、大
気開放用のバルブ３１が開かれてその雰囲気が大気に置
換される。そして、ゲートバルブが開かれて、処理済の
被処理体が左チャンバ３Ｌより取り出され、代わりに新
しい被処理体が左チャンバ３Ｌ内に配置され、ゲートバ
ルブが閉じられる。この後の工程は、前述した右チャン
バ３Ｒの動作工程と同じであり、バルブ２７が再び開か
れてチャンバ内が排気され、プロセスガスがバルブ２４
を介して左チャンバ３Ｌ内に供給される。

【００３４】以上のように、一方のチャンバでプラズマ
処理がなされている間、別のチャンバでは、大気開放等
の雰囲気の置換、被処理体の交換、排気、プロセスガス
の導入等工程が実行出来る。よって、一方のチャンバで
のプラズマ処理が終了した後は、他方のチャンバでプラ
ズマ処理が直ちに行える。つまり、一方のチャンバでプ
ラズマ処理を行っている時、他方のチャンバは待機状態
にあるか待機状態に移行しつつあるので、マイクロ波発
振器の稼動率が高くなる。

【００３５】本発明は、比較的圧力の高いＣＶＤやアッ
シングから圧力の低いスパッタリングまで各種のプラズ
マ処理装置に適用できるので、チャンバ内の動作圧力条
件や処理方式によって、待機状態に至るまでの時間や実
際のプラズマ処理時間は大巾に変化し得るものであり、
稼動率が１００％にならないこともあり得るが、それは
本発明の要旨からはずれるものではない。

【００３６】図３は、本発明の別の実施態様によるマイ
クロ波プラズマ処理装置を示している。

【００３７】前述した図１１の装置と同じ構成には同じ
符号を付して説明を省略する。

【００３８】図３の装置の特徴はマイクロ波の伝搬モー
ドを円形導波管のＴＭ₀₁モードにモード変換する為のモ
ード変換手段４０を設け、更に、テーパー導波管４１を
介してチャンバ３に接続した点にある。ここで４２は圧
力ゲージである。

【００３９】図４にマイクロ波の伝搬モードを矩形導波
管のＴＥ₁₀モードから円形導波管のＴＭ₀₁モードに変換
するモード変換手段４０の一例を示す。

【００４０】モード変換手段４０は矩形導波部４３と円
筒導波部４４とが直角に交わるように接続された形状に
なっており、矩形導波部４３から伝搬された例えばＴＥ
₁₀モードのマイクロ波はＴＭ₀₁モードに変換され円筒導
波部４４側に伝わっていく。

【００４１】図５は、テーパー導波管４１を示してお
り、これはちょうど円すい形の頂部を切取ったような形
をしている。

【００４２】内径１１０ｍｍ程の円形の開口４５は変換
手段４０の円筒導波部４４の出口開口とほぼ同じ形状を
なし、内径２４０ｍｍ程の円形の開口４６はチャンバ３
の入口開口とほぼ同じ形状をなしている。長さ（高さ）
は例えば２３０ｍｍくらいである。

【００４３】従来２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用い８
インチウエハーのホトレジストのプラズマアッシングを
行う場合約±２０％の不均一性がウエハ面上で生じるこ
とがあった。その為に、ウエハをその面内で自転させる
ことで±１０％にまで均一性を高めることが出来た。し
かしながら、プラズマ強度の不均一性が改善されたわけ
ではない。本発明によれば、電界強度が管の中心から放
射状に対称になる為、均一な強度分布をもつプラズマを
生成出来る。

【００４４】こうして、本発明の実施形態によれば、ウ
エハーを面内自転させずとも８インチウエハー上のホト
レジストのアッシングレートは基板温度２００℃、マイ
クロ波電力１０００Ｗ、圧力約８０Ｐａ、酸素流量４５
０ｓｃｃｍで約３μｍ／ｍｉｎとなり均一性は±５％以
下となる。

【００４５】又、この装置では、電磁石や永久磁石によ
る磁場を必要としない。

【００４６】図６は本発明の別の実施形態によるマイク
ロ波プラズマ処理装置を示す模式的斜視図である。

【００４７】この装置は前述の図１の装置と図３の装置
とを組み合わせたものとみなすことが出来る。

【００４８】この装置はプラズマ処理を行う為のチャン
バ３Ｒ、３Ｌを２つ有しており、それらに対応して、被
処理体をのせるヒーター付ステージ９、テーパー導波管
４１、モード変換器４０矩形導波管２９をそれぞれ２つ
づつ有している。

【００４９】マイクロ波発振器１により発生した例えば
２．４５ＧＨｚのマイクロ波は矩形導波管４を通じて切
替器２１に伝搬されていく。矩形導波管４は、ダミロー
ドを有するアイソレーター５やパワーモニター５８や不
図示の４Ｅチューナーを有しており、マイクロ波の伝搬
が制御される。

【００５０】切替器は図２に示したように左右の矩形導
波管の一方と矩形導波管４とをコーナーを用いて接続す
る。

【００５１】例えば左側のチャンバ３Ｌでプラズマ処理
を実行する場合には、マイクロ波はモード変換器４０に
てＴＥ₁₀モードからＴＭ₀₁モードに変換され、円形テー
パー導波管４１を介してチャンバ３Ｌに供給される。

【００５２】チャンバ３Ｌ内の構成については図７を参
照して後述する。

【００５３】５２は未処理の被処理体を複数収容したカ
セットを載せるローディング部、５３は処理済の被処理
体を複数収容する為のカセットを載せるアンロード部で
ある。

【００５４】５４は、被処理体を一枚ずつ載せて予備加
熱する予備加熱器、５５は処理済の被処理体を一枚ずつ
載せて室温まで冷却する冷却器である。

【００５５】５６は、被処理体を一枚ずつ、ローディン
グ部５２、予備加熱部５４、チャンバ３Ｒ、３Ｌ、冷却
部５５、アンロード部５３の間を搬送するアーム５７を
有する搬送手段である。

【００５６】５１は、発振器１、切替器２１、ヒーター
付加熱ステージ９、搬送手段５６、予備加熱器等の動作
を制御するコンピュータ等からなる制御手段である。

【００５７】図６では、ガス供給系及びガス排気系は省
略して描かれている。

【００５８】図７は左側チャンバ３Ｌの断面を示してい
るが、右側チャンバ３Ｒもほぼ同様な構成である。

【００５９】被処理体Ｗの支持手段であるステージ９は
図中矢印の方向に不図示の駆動手段により下降させられ
て、チャンバ内が開放される。この開放状態で被処理体
Ｗのステージ９上への載置及びステージ９上からの取り
出しがアーム５７により行われる。チャンバ及びマイク
ロ波供給機構の位置を固定したままステージが上下動し
て基板を搬入・搬出できるので基板の変換が容易であ
る。

【００６０】又、処理ガスは、チャンバの内周に沿って
複数の個所に設けられた開孔１２Ｐより反応室の中心に
向けて放出され基板の下にある吸引孔１０ｐより排出さ
れるので、プラズマ処理の均一性が増し、パーチクルも
少ない。

【００６１】図８は排気系及びガス供給系を示してい
る。

【００６２】プロセスガスは供給手段２２によりバルブ
２３又は２４を介してチャンバ３Ｒ、３Ｌに供給され
る。

【００６３】３０、３１は大気開放用のバルブである。

【００６４】６１はパージガスの供給手段であり、バル
ブ６１又は６２を介してチャンバ３Ｒ、３Ｌ内に窒素等
のパージガスを供給する。

【００６５】図９は２つのチャンバ３Ｒ、３Ｌのプロセ
スフローを示している。

【００６６】チャンバ３Ｌではバルブ６３が開かれてパ
ージガスが導入され、その後バルブ３１が開かれる。こ
うしてチャンバ３Ｌ内はプロセスガス雰囲気から大気に
置換される。（工程７０）。次にチャンバ３Ｌが開かれ
て被処理体としての基板が取り出され、新しい基板がチ
ャンバ３Ｌ内に収められる。（工程７１）。チャンバ３
Ｌ内が排気手段２５によって排気される（工程７２）。
次にプロセスガスがバルブ２４を介して導入され処理圧
力になる。（工程７３）。この工程７０から工程７３ま
での間に、別のチャンバ３Ｒではプラズマ処理がなされ
ている。実際にマイクロ波が導入され処理が行われる時
間は例えば３０秒乃至６０秒くらいであり、工程７４の
時間より短くてもよい。

【００６７】本発明により処理できる被処理体として
は、ＩＣ製造用のシリコンウエハや化合物半導体ウエ
ハ、表示デバイス製造用の石英又はガラス等の基板が代
表的なものとして挙げられる。

【００６８】本発明によりなされるプラズマ処理とは、
被処理体上に設けられたホトレジストのアッシング；被
処理体表面のエッチングやクリーニング；被処理体上へ
のＣＶＤやスパッタリング又はプラズマ重合等による被
膜の形成；被処理体表面へのプラズマドーピング；被処
理体表面の酸化又は窒化処理等が挙げられる。

【００６９】本発明に用いられるプロセスガスとは、水
素、酸素、窒素、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、ＮＨ
₃ 、Ｎ₂ Ｏ 、フッ素、塩素、ＳｉＨ₄ 、Ｓｉ₂ Ｈ₆ 、
ＳｉＣｌ₄ 、ＳｉＨ₂Ｃｌ₂ 、ＣＦ₄ 、ＣＣｌ₄ 、ＮＦ₃
、ＢＦ₃ 等から少なくとも１つ選択される通常のアッ
シング用ガス、エッチング用ガス、ＣＶＤ用ガス、スパ
ッタリング用ガスである。

【００７０】チャンバ内圧力、具体的には反応室内圧力
は、１３３．３Ｐａ乃至１．３×１０^-2Ｐａから各処理
条件に合ったものを選択すればよい。

【００７１】Ｓｉウエハ上に付着しているノボラック系
のホトレジストをアッシングする場合は、プロセスガス
としてＯ₂ を用い、圧力を１３３．３Ｐａ〜１３．３Ｐ
ａ程に圧力を保ち、酸素プラズマによってアッシングを
行う。この時のマイクロ波の投入パワーは１０００〜１
４００Ｗ、Ｏ₂ の流量は４００〜６００ｓｃｃｍ，基板
温度は２００℃〜３００℃が適当であり、これによりア
ッシングレートは５μｍ／ｍｉｎ〜７μｍ／ｍｉｎとな
り、最適化すれば約５％のアッシングの均一性が得られ
る。

【００７２】この装置で窒化シリコン膜をＣＶＤ法によ
り堆積させる場合は、プロセスガスとしてＳｉＨ₄ とＮ
₂ ガスを用い、１３．３Ｐａ〜６．０Ｐａ程に圧力を保
ち、プラズマＣＶＤにより成膜する。

【００７３】この装置でＳｉウエハをクリーニングする
場合は、プロセスガスとしてＡｒを用い、１３３．３Ｐ
ａ〜１．３３Ｐａの圧力でアルゴンイオンのスパッタリ
ング効果によって異物（汚れ）をクリーニングする。

【００７４】

【発明の効果】本発明によれば、マイクロ波発振器の稼
動率が向上し、被処理体の単位時間当たりの処理枚数が
従来のものに比べ多くなった。

【００７５】又、本発明によれば、高処理速度で且つ均
一性の高いプラズマ処理を行うことが出来た。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態によるマイクロ波プラズマ
処理装置の模式図。

【図２】マイクロ波伝搬経路を切り替える切替器の模式
的断面図。

【図３】本発明の別の実施の形態によるマイクロ波プラ
ズマ処理装置の模式図。

【図４】本発明に用いられるモード変換器の模式図。

【図５】本発明に用いられるテーパー管の模式図。

【図６】本発明の更に別の実施の形態によるマイクロ波
プラズマ処理装置の模式図。

【図７】図６のマイクロ波プラズマ処理装置のチャンバ
周辺の模式的断面図。

【図８】図６のマイクロ波プラズマ処理装置のガス供給
排気系を示す模式図。

【図９】本発明によるマイクロ波プラズマ処理の工程を
示す図。

【図１０】従来のマイクロ波処理装置を示す図。

【図１１】従来のマイクロ波処理装置を示す図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ // Ｃ２３Ｃ 14/35 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ (72)発明者 浜野 元幹 東京都港区三田３丁目11番28号キヤノン販 売株式会社内 (72)発明者 斉藤 直樹 東京都港区三田３丁目11番28号キヤノン販 売株式会社内 (72)発明者 小林 正博 東京都港区三田３丁目11番28号キヤノン販 売株式会社内

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理体をプラズマ処理する為のチャン
   バの複数と、プラズマを生成する為のマイクロ波を供給
   するマイクロ波供給手段とを有するマイクロ波プラズマ
   処理装置において、 マイクロ波発振器から該複数のチャンバに至るマイクロ
   波伝搬経路にマイクロ波の伝搬経路を切替える為の切替
   手段を具備することを特徴とするマイクロ波プラズマ処
   理装置。
2. 【請求項２】 該複数のチャンバには、それぞれ共通の
   ガス供給手段及び排気手段が接続されている請求項１に
   記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
3. 【請求項３】 該切替手段と該複数のチャンバ間にはマ
   イクロ波の伝搬モードを変換するモード変換手段が設け
   られている請求項１に記載のマイクロ波プラズマ処理装
   置。
4. 【請求項４】 該モード変換手段はＴＥ₁₀モードをＴＭ
   ₀₁モードに変換する請求項３に記載のマイクロ波プラズ
   マ処理装置。
5. 【請求項５】 該モード変換手段と該チャンバとの間に
   はテーパー円筒状管が設けられている請求項３に記載の
   マイクロ波プラズマ処理装置。
6. 【請求項６】 該複数のチャンバのうち１つのチャンバ
   内で処理を行うとともに別のチャンバでは雰囲気の置換
   基板の置換、排気及びプロセスガス導入の少なくともい
   ずれか１つの工程を行うように制御する為の制御手段を
   有する請求項１に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
7. 【請求項７】 該複数のチャンバのうち１つのチャンバ
   にマイクロ波を供給している時、別のチャンバでは雰囲
   気の置換、基板の置換、排気及びプロセスガス導入の少
   なくともいずれか１つの工程を行うように制御する為の
   制御手段を有する請求項１に記載のマイクロ波プラズマ
   処理装置。
8. 【請求項８】 請求項１に記載の装置を用いて、該複数
   のチャンバのうち少なくとも１つで基板のプラズマ処理
   を行うと同時に、別のチャンバの少なくとも１つでプラ
   ズマ処理の為の前後の工程を行うプラズマ処理方法。
9. 【請求項９】 該プラズマ処理は、アッシング、エッチ
   ング、クリーニング、ドーピング、酸化、窒化、堆積、
   重合の少なくともいずれか１つである請求項８に記載の
   プラズマ処理方法。
10. 【請求項１０】 該前後の工程とは、雰囲気の置換、基
    板の置換、排気及びプロセスガス導入の少なくともいず
    れか１つの工程である請求項８に記載のプラズマ処理方
    法。
11. 【請求項１１】 被処理体をプラズマ処理する為のチャ
    ンバと、プラズマを生成する為のマイクロ波を供給する
    マイクロ波供給手段と、を有するマイクロ波プラズマ処
    理装置において、 マイクロ波発振器側からチャンバ側へ伝搬されるマイク
    ロ波の伝搬モードを円形導波管のＴＭ₀₁モードに変換す
    る為のモード変換手段と、 該モード変換手段と該チャンバの間にテーパー状円筒管
    が設けられていることを特徴とするマイクロ波プラズマ
    処理装置。
12. 【請求項１２】 該プラズマ処理は磁場を用いずに行う
    請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
13. 【請求項１３】 請求項１１に記載の装置を用いて基板
    のプラズマ処理を行うプラズマ処理方法。
14. 【請求項１４】 該プラズマ処理は、アッシング、エッ
    チング、クリーニング、ドーピング、酸化、窒化、堆
    積、重合の少なくともいずれか１つである請求項１３に
    記載のプラズマ処理方法。