JPS62181440A - ウェーハ処理方法 - Google Patents

ウェーハ処理方法

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JPS62181440A
JPS62181440A JP61253518A JP25351886A JPS62181440A JP S62181440 A JPS62181440 A JP S62181440A JP 61253518 A JP61253518 A JP 61253518A JP 25351886 A JP25351886 A JP 25351886A JP S62181440 A JPS62181440 A JP S62181440A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は集積回路を製造する装置に関する。
先1匹1五及unmx 集積回路を製造する時の基本的な問題の1つは粒子状物
質である。集積回路処理の2つの傾向の為に、この問題
は次第に難しくなっている。1番目に、装置の寸法が次
第に小さくなるにつれて、一層小さい粒子が存在するこ
とを避けることが必要になる。この為、クリーン・ルー
ムが実際に綺麗であることを保証する作業が次第に困難
になる。
例えば、1ミクロン以上の粒子に対するクラス1(1立
方フイート当たり1個の粒子を持っている)であるクリ
ーン・ルームは、100人までの寸法の粒子を数えれば
、クラス1.000にも或いはそれ以上にも悪くなる。
2番目に、寸法の大きい集積回路パターンを使う希望が
増えている。例えば、50,000平方ミルより大きな
集積回路の寸法は、5年前よりもずっと多く現在では用
いられている。
この為、粒子状物質は、集積回路の製造に於ける極めて
重要なロス源であるばかりでなく、その重要性はこれか
らも非常に急速に高まる。従って、この発明の目的は粒
子状物質の汚染の、プロセスに対する影響度を下げる様
な、集積回路を製造する、一般的に応用し得る方法を提
供することである。
粒子状物質の汚染の主な源の1つは、人体から放出され
る粒子並びに半導体処理設備(フロントエンド)内部を
動きまわる装置のオペレータが巻き起こす粒子を含めて
、人間が発生するものである。これを少なくする為に、
こ)数年間の業界の一般的な傾向は、自動移送作業をよ
り多く使う様になった。この時技術者は、例えばウェー
ハのカセットを機械に装入し、その後機械がウェーハを
自動的に1つずつカセットから(必要な処理工程を行な
う為に)機械に通し、その後機械に戻し、技術者がウェ
ーハに触れる必要がない様にする。
然し、こういう方向の努力から、粒子状物質の2番目の
重要な源の重要性が判る様になった。これはウェーハ並
びに/又は移送機構によって内部で発生される粒子状物
質である。即ち、ウェーハの表面が他の硬い面に接して
若干動くと、(シリコン、二酸化シリコン又はその他の
材料の)若干の粒子状物質が放出される傾向がある。普
通のウェーハ支持体の内部の粒子状物質の密度は、こう
いう粒子状物質の源の為に、非常に高いのが典型的であ
る。更に、従来の多くのウェーハ輸送機構はそれ自体が
相当量の粒子状物質を発生する。
半導体業界で使われている現状のウェーハ装入機構は、
主に基本的な3つの形式で構成される。
即ち、ベル1〜駆動のウェーハ輸送装置、空気トラック
駆動のウェーハ輸送装置、及びアーム駆動のウェーハ輸
送装置(ウェーハの底又は縁を保持する為に真空による
結合又は巣筒形の保持の何れかを使う)。然し、このど
の形式の装置も、支持体に出入れする時に面を上にして
ウェーハを移動し、ローディング及びアンローディング
作業の間ウェーハ支持体を垂直に移動し、大気圧から低
真空までの範囲の圧力のもとにウェーハを移送し、ウェ
ーハを逆のローディング順序でアンロードする必要性を
伴なっているのが典型的である。従って、従来の方法は
次に述べる様な多数の重要な欠点がある。
第1に、面を上にして輸送されるウェーハは、ウェーハ
支持体内部又はウェーハ・ローダ装置内部の粒子発生S
構によって発生された粒子を捕捉し易い。
第2に、ローディング及びアンローディング作業の間に
ウェーハ支持体が垂直移動することにより、支持体の中
でウェーハががたつく為に、多くの粒子が生ずる。こう
いう粒子が、支持体の中で面を上にしてのつかっている
隣のウェーハの有効な面の上に直接的に落下する慣れが
ある。
第3に、ベルト機構は典型的にはローディング及びアン
ローディング作業の問、ウェーハの底をこすり、やはり
摩耗によって多数の粒子状物質を作り出す。
第4に、空気トラック輸送装置は、空気の流れによって
周りに多数の粒子状物質を巻き起こし、この内の多くの
粒子状物質が、ウェーハの有効面の上にのつかる。
第5に、多くのローダ・モジュールの駆動は横は、開放
したウェーハ支持体と同じ区域内に収容されていて、処
理するウェーハに穫く接近している。これは相当量の汚
染を生ずる可能性が大きい。
第6に、ウェーハをロード及びアンロードする時、支持
体とウェーハの組合せの質量が変化し、これがウェーハ
支持体爪部駆動部の信頼性並びに位首ぎめに影響を与え
る慣れがある。大きなウェーハ(例えば150ミリ又は
それ以上)を取扱う時は、特にそうである。
第7に、各々の処理部には2つのローディング・モジコ
ールを使うのが典型であり、こうして一方のカセットに
徐々にロードし、処理の終わったこのカセットからのウ
ェーハを2番目のカセットにロードする。
第8に、機械はカセットを取外す間遊んでいなけばなら
ないから、各々の処理部に又は処理部からウェーハの新
しいカセットをロードする度に装置の利用効率が低下す
る。
本発明は上に述べた全ての問題に対する有利な解決策を
提供し、粒子状物質の少ない著しく改善したウェーハ取
扱い及びローディング作業を提供する。
本発明の重要な1つの利点は、大気圧又は低真空状態に
も出会わずに、ウェーハを輸送し、D−ドし、アンロー
ドすることが出来ることである。
約10−5トルの圧力では、約1Qnmより大きな寸法
の粒子状物質を支える程のブラウン運動がなく、こうい
う粒子状物質は比較的速やかにこの低圧雰囲気の外に落
下するので、これは橿めで有用である。
第2図は異なる寸法の粒子が大気圧で1メートル落下す
るのに要する時間を示す。10−5トル(IE−5トル
)又はそれ未満の圧力では、100mの粒子でも、1秒
間に1メー1−ル落下し、これより大きな粒子は更に早
く落下することに注意されたい。(大きな粒子は重力加
速度で弾道的に単純に落下する。)この為、10−5ト
ル未渦の圧力を持つ雰囲気は、lQnm又はそれより大
きな粒子が弾道的にしか輸送されず、不規則な空気流又
はブラウン運動のドリフトにJ:つて、ウェーハの重要
な面に運ばれる可能性がないことを意味する。
この曲線とこの発明との関連性は、この発明が、ウェー
ハをio’t−ルより高い圧力に晒さずに、ローディン
グ及びアンローディング工程を含めて、ウェーハを1つ
の処理部から別の処理部へ輸送する方法を初めて提供し
たことである。つまり、ウェーハが最初の真空処理部(
これはスクラッピング及びポンプダウン・ステーション
であってよい)にロードされた時から、処理が完了する
時まで、処理工程自体が(例えば普通の写真製版ステー
ション又はウェット式処理工程等で)一層高い圧力を必
要とする場合を除き、ウェーハが空気に運ばれる粒子状
物質に露出することは決してない。これは、ウェーハの
上に粒子状物質が集まる全体的な可能性が大幅に低下す
ることを意味する。
この利点の重要な鍵は、この発明が高真空のもとで真空
支持体をロード及びアンロードする方法と装置を提供づ
ることである。
本発明はロードロックを提供する。このロードロックは
、真空のもとて真空ウェーハ支持体を開け、どんなラン
ダム・アクセスの順序でも、希望する順序で、支持体か
らウェーハを取出し、ウェーハを1つずつ、プラズマ・
エッチ室の様な隣接した処理室へポートを介して通す装
置を含む。更に、この発明のロードロックはウェーハ支
持体を閉じて再び密封することが出来、この為、ロード
ロック自体を大気圧にし、ウェーハ支持体を取出しても
、ウェーハ支持体内の真空を破ることはない。
本発明の好ましい実施例の特別の利点は、ウェーハの移
送の為に使うのが好ましい閤械的な装置が、極めてこじ
んまりしていることである。即ち、アーム支持体に移送
アームを枢着し、アーム支持体の内部に歯車装置又はチ
ェーン駆動装置を設けて、アーム支持体の回転が、アー
ム支持体に対する移送アームの2倍の回転を生ずる様に
することにより、定位置に静止することが出来ると共に
、一方の方向には、アーム支持体の長さより大きなすき
間を必要としないが、2つの方向の何れの方向にも、簡
単な回転軸の移動により、アーム支持体の長さに移送ア
ー゛ムの長さを加えた長さまで伸ばすことが出来る様な
こじんまりした装置が得られる。
本発明の好ましい実施例の別の利点は、移送アームを伸
ばし、その高さを変更する為に使われるモータが、何れ
も排気マニホルドの内部に保持されていて、この為これ
らの動く機械的な要素によって発生される粒子が、ウェ
ーハが露出するロードロック室の内部に達する傾向がな
いことである。
本発明の別の利点は、移送アームとの接触によって装置
の区域に起こる損傷を極く少なくするように、ウェーハ
を而を下にして取扱うことが出来る移送アームを提供す
ることである。
本発明の別の利点は、この発明が取扱い作業によって発
生される粒子状物質を極く少なくして、ウェーハを取扱
うことが出来るウェーハ移送装置を提供することである
本発明の別の利点は、この発明が、実質的に層動接触を
しない為に、摩耗による粒子状物質を実質的に発生せず
に、ウェーハを取扱うことが出来る移送装置を提供する
ことである。
本発明のウェーハ輸送開溝の別の利点は、制・御装置が
簡単になることである。即ち、使うのが好ましい移送ア
ームは2つの自由度しか持たず、位置の整合が行なわれ
、この為、移送アームの制御は、アームの位置又はアー
ムにかかる力を検出するセンサを必要とせずに、(ステ
ップ・モータ又はそれに相当する装置uを使うことによ
り)14<簡単に行なうことが出来る。
本発明のウェーハ輸送機構の関連した利点は、それが安
定な機械的な装置であることである。即ち、位置ぎめの
小さな誤差が累積せず、ある機械的な要素を使うことに
よって行なわれる固有の負帰還により、減衰してなくな
ることである。これが制御が簡111であると云う利点
を容易にする。
本発明の別の利点は、ロードロック内で使われるウェー
ハ取扱い装置が占める容積が最小限であることである。
ロードロックの容積が小さいから、非常に高価な大形真
空ポンプを必要とせずに、真空サイクルを高速で行なう
ことが出来る。
本発明のウェーハ輸送装置の容積効率の更に重要な結果
として、ロードロックの上側部分(こ)で輸送されてい
るウェーハの欠陥を受は易い面が露出する)が小さな表
面積を持つことである。ウェーハの面の見通し範囲内の
表面積が出来るだけ小さいことが望ましく、見通し範囲
内であってもなくても、ウェーハの表面に極く接近した
表面積が出来るだけ小さいことも望ましい。ロードロッ
クの上側部分(即ち、排気マニホルドより上方の部分)
の全ての表面積は2つの危険をはらんでいる。第1に、
全ての表面区域がガスを吸収し、この為、上側の室の中
にある表面積が大きければ大きい程、高真空にひくこと
が一層困難になる。第2に、更に重要なことであるが、
全ての表面区域は接着性の粒子状物質を保持することが
出来、この粒子状物質が高真空のもとでも、後で機械的
な振動又は衝撃により、ウェーハの表面上へ弾道的にと
ぶ様に押出されることがある。この為、この発明のロー
ドロックの容積効率は、ウェーハの表面に粒子状物質が
弾道的に輸送される可能性が低下することを意味する。
本発明のロードロックに於けるウェーハ取扱い装置がこ
じんまりしていることによって得られる別の利点は、こ
ういう装置が過度にクリーン・ルームの床面積(これは
非常に貴重である)を消費しないことである。
本出願で説明するウェーハ支持体の別の利点は、このウ
ェーハ支持体がクリーン・ルームの外部で誤って開けら
れることがないことである。従来のクリーン・ルーム処
理に於ける実質的な歩留りの問題は、クリーン令ルーム
の環境の外部で、ウェーハ支持体を開けることにより、
ウェーハが誤って又は不注意に粒子状物質に露出される
ことである。然し、この発明のウェーハ支持体を用いる
と、支持体のドアに対する差圧が、支持体が真空内にあ
る時を除いて、支持体をしっかりと閉じた状態に保持す
る為に、こういうことが本質的に不可能である。これが
、この発明がクリーン・ルームの環境の外部でウェーハ
を容易に輸送し且つ保管することが出来る様にする点で
有利であるもう1つの理由である。
本発明は新規な真空密のウェーハ支持体を使うことが好
ましい。この時、輸送中の粒子状物質の発生は何通りか
で減少する。第1に、真空支持体のドアが弾性要素を持
っていて、ウェーハを支持体ボックスのに側にやlく押
付りる。この為、ボックスのドアが閉じている時、ウェ
ーハはがたつかない様に拘束され、その為に粒子状物質
の内部での発生が少なくなる。第2に、ウェーハの各辺
が若干勾配をつけた棚によって支持されており、この為
つ王−ハの面と棚の面の間の接触(線接触)は極く僅か
である。これがウェーハの面の摩耗による粒子状物質の
発生を少なくする。
本発明は輸送及び保管中の支持体内での粒子状物質の発
生を少なくするだけでなく、高真空のもとでウェーハを
面を下にして運ぶことにより、輸送及び保管中のウェー
ハの面に対する粒子状物質の輸送をも有利に減少する。
従来、この問題を取上げたものはない。
本発明の別の1群の実施例では、プロセス・モジュール
(これは随意選択により、1つのプロセス・ステーショ
ン又は2つ以上のプロセス・ステーションを持っていて
よい)は、この発明の1つより多くのロードロックが取
イ1けられている。この為、1つのロードロックで運び
込まれたウェーハに対する処理を続りながら、他方のロ
ードロックに再びロードすることが出来る。更に、2つ
の移送機構を設置フたことは、そのロードロック内にあ
る1つの移送装置に別械的な問題が発生した場合、技術
者を呼んで機械的な故障を直す間、他方のロードロック
の移送を使うことにより、処理部の生産を続けることが
出来ることを意味する。こういう1群の実施例は、出来
高が一層大きいと云う利点がある。
本発明の別の1群の実施例では、1つより多くの密1」
シ得るプロセス・ステーションを含むプロセス・モジュ
ールが、前に述べたロードロツタを持つと共に、プロセ
ス・モジュールの内側にウェーハ取扱い装置を持ってい
て、ロードロックのウェーハ取扱い装置から受取ったウ
ェーハを選ばれた任意の1つのプロセス・ステーション
に移送する。これは、単一スライス処理方式及び粒子状
物質の少ない高真空処理を使いながら、高ロットの出来
高を達成し得ると云う利点がある。
上に述べた構成は、非常に多様な処理モジュールと共に
使うことが出来る。然し、この様なモジュールの一般的
に応用し1nる特徴(並びにそれから得られる利点)を
例示するだけでなく、多数の特定の技術革新によるプラ
ズマ反応器の特徴(これはもっと普通のウェーハ輸送装
置を用いる反応器にも使えるが、このロードロック及び
ウェーハ移送装置に使う時に特に有利である〉をも持つ
特定の1実施例を詳しく説明する。この見本の実施例が
プラズマ・エツチング・ステーションである。
次に本発明を図面について説明する。
実  施  例 本発明は半導体処理装置に大きな析しい考えを提供する
。現在好ましいと考えられる実施例を詳しく説明するが
、これらの実施例に示される新しい考えが他の多くの実
施例にも使うこ尼が出来ること、並びに本発明が特定の
実施例に制限されないことを承知されたい。
第1図は本発明の見本としての1実施例を示す。
本実施例は、真空ロードロック室12内のウェーハ支持
体10を示している。ウェーハ支持体10が、更に詳し
く第4図にも示されている。
支持体10はそのドア14が聞いた状態を示しである。
ドア14が支持体10の本体と合さる所に真空封じ13
を持つことが好ましく、こうすればウェーハ支持体を大
気圧より低い圧力で少なくとも数日間(好ましくは少な
くとも数十日間)持ち運んでも、内部圧力を10’トル
以上に高める様な漏れが生じない。
ウェーハ支持体10はプラットホーム18(これは第1
図では一部分しか示してないが、第4図に更に詳しく示
されている)と合体する様になっていて、技術者がウェ
ーハ支持体10をロードロック12の内部に入れた時、
支持体10の位置が正確に判る様になっている。現在好
ましいと考えられる実施例では、ウェーハ支持体10が
突起16を持ち、これらの突起が位置整合プラットホー
ム18に固定された垂直スロット17と係合し、この為
、技術者は支持体がプラットホーム18にのっかるまで
、支持体をこの溝孔に沿って囲動させることが出来、こ
うして支持体10の位置がはつきつと判る様に保証する
ことが出来る。現在好ましいと考えられる実施例では、
プラットホーム18が、ウェーハ支持体1oの下側にあ
るテーバ7L23に係合する様に配置された2つのテー
パ・ピン21(1つは円錐形、1つはくさび形)を持っ
ているが、当業考に明らかな様に、1械的な整合を保証
する為に、広い範囲に及ぶこの他の装置を用いることが
出来る。
支持体10は安全キャッチ15を持つことが好ましく、
これがドア14を開かない様に保持する。
然し、普通の輸送状態では、大気圧がドア14を支持体
の内部真空に対して閉じた状態に保持するから、この安
全キャッチは必要ではない。支持体10をロードロック
12の内部に入れた時、固定フィンガ19が安全スイッ
チ15にあたって、それを解放し、この為、ドア14を
開くことが出来る。
支持体10をプラットホーム18と合体した時、ドア1
4ちドア開け軸24とも係合する。ドア14がその下側
に浅い溝を持っていて、この溝がドア開け@24の頂部
にあるフィンガ及びアーム25と合さることが好ましい
。この為、ロードロックの圧力を下げて、差圧がもはや
ドア14を閉じた状態に保持しなくなった後、ドア開け
軸24によってドアを開くことが出来る。
技術者がウェーハ支持体1oを真空ロードロック12内
に配置して、ロードロックの蓋20を閉じた復、ロード
ロックの蓋20の内部にあるマニホルド22を介して、
高圧パージ(乾燥した窒素又はその他の綺麗なガス)を
適用することが好ましい。この高圧パージが垂直の流れ
を作り、粒子を下向きに輸送する傾向を持つと共に、大
気状態に露出している間に、ウェーハ支持体10の上に
たまった大きな粒子の幾らかを吹飛ばす助けになる。こ
の初期パージ段階(例えば約30秒又は更に長い間)の
後、室をゆっくりと10−4トル又はそれ以下に圧力を
下げる。この減圧段階は、不規則な粒子状物質を巻き上
げない様に、比較的ゆっくりと行なうことが好ましい。
即ち、低い圧力は粒子を空気中から落下させるが、こう
いう粒子は依然として室の底の上にあり、避けることが
出来れば、巻き上げない様にすべきである。
空気によって運ばれる粒子状物質が実際に至の空気の外
に落下する様に保証する為、真空ロードロックの内部は
数秒間、10−4乃至10−5トルにと望め、空気中か
ら落下し得る全ての粒子が落下する様に保証することが
好ましい。
この発明の随意選択によって変形された実施例として、
ロードロックに勾配をつけた底並びに/又は磨いた側壁
を用い、機械的な振動によって飛出す慎れのある様な、
側壁及び底にくっついている粒子状物質のポピユレーシ
ョンを減らすことが有利であることがある。この発明は
、空気によって運ばれる粒子状物質の問題を著しく軽減
するが、こういうことが常に主要な粒子状物質の輸送形
式であったのであり、従って、弾道的に輸送される粒子
状物質の問題を有効に取上げることが出来る。
随意選択による関連した変形は、上側室内に、その場所
に設けた真空粒子カウンタを使うことであり、こうする
と、重要な容積内の粒子のポピユレーションの増加があ
れば、それを検出することが出来る。この様な現場の粒
子カウンタは、高圧真空ギャップ・キャパシタ内での電
荷の移動を測定する共振回路を使うことにより、又は多
重折曲げ光路を持つレーザ駆動の光学空洞を使うことに
より、又はその他の手段によって構成することが出来る
随意選択により、粒子状物質センサ(又は一層高い圧力
で粒子状物質を感知するのに更によく適した2番目の粒
子状物質センサ)を使って、初期の減圧より前に、窒素
シャワーを制御することが出来る。即ち、単に一定時間
の間、窒素シャワーを行なう代りに、粒子状物質モニタ
が、ボックスが異常に汚れた環境にあることを示す場合
、シャワーを延長することが出来る。ロードロックを(
粗びきポンプを用いて)軟真空に減圧し、その後窒素シ
ャワー・ポートを介してガスを分流し、下向きの流れを
作ることが望ましいこともある。
ロードロックが所定の軟真空の圧力に達した時点で、粒
子状物質モニタが粒子状物質のレベルが依然として過大
であることを示す場合、もう1回窒索シτ?ワー・サイ
クルを開始することにより、ロードロックを軟真空(例
えば100ミリ1−ル程度)から再び大気圧に上げるサ
イクルを使うことが望ましいこともある。
ロードロック室の内部に真空計62を接続りることが好
ましいことに注意されたい。センサ62が(熱電対の様
な)高圧計、(電離計の様な)低圧計及びロードロック
の内部圧力が大気と平衡した時を正確に感知する差圧セ
ンサを含むことが好ましい。この為、これらの計器がロ
ードロックの内部に良好な真空状態が達成されたことを
示すまで、支持体10のドアを開けない。
粗びきポンプ(図面に示してない)が室を軟真空に減圧
した後、ゲート弁39を開いて、ターボ分子ポンプ38
をロードロックの内部に接続し、その後ターボ分子ポン
プ38を作動して、圧力を10−5トル又はそれ未満に
することができる。
この時点で、ウェーハ支持体10及び真空ロードロック
12の内部の圧力は多少とも平衡し、モータ26を作動
することにより、ドア14を作動することが出来る。モ
ータ26は真空通り扱は部25を介してドアU■け軸2
4に接続されている。
ドア14が全開位置にある時及びドア14が完全に閑じ
られている時を確認する為に、真空ロードロック12の
内部に2つのセンサ・スイッチを設けることが好ましい
。即ら、ロードロック12を減圧し、数秒聞その状態に
と望めた後、ドア開け@24を回転して、センサがドア
が全開であることを検出するまで、ドア14を開く。こ
の時間の間、移送アーム28は、ドア14が開くすき間
が出来る様に、ドアの底より下方の高さにある定位置に
保つことが好ましい。ドア14が全開であることをセン
サが検出した後、移送アームの動作を開始することが出
来る。
移送アーム28は2つの自由度を持つことが好ましい。
1つの運動方向により、移送アーム28が支持体10の
中に達し又はポート30を介して隣接する処理室に達す
ることが出来る。他方の自由度は、移送アーム28の垂
直運動に対応しており、これによって支持体1o内のと
のウェーハを取出すか、又はウェーハをどの溝孔に配置
するかを選択することが出来る。
現在好ましいと考えられる実施例では、昇降駆動モータ
32を使って、移送アーム28の高さを制御し、アーム
駆動モータ34が移送アーム28の伸出し及び侵退を制
御する。現在好ましいと考えられる実施例では、この両
方のモータは真空通り抜1プ部を必要とせず、排気マニ
ホルド36の中に収容されている。このマニホルドはロ
ードロック12から真空ポンプ38まで伸びており、こ
のポンプは例えばターボ分子ポンプであってよい。
更に、排気マニホルド36は直接的にロードロック室1
2に開口せず、その頂部に開口40を持っている。叩ら
、排気マニホルド36は、駆動モータ32又は34から
、又はポンプ38からロードロック室への児通し通路が
ない様に構成することが好ましい。これは、この様な可
動要素からロードロック室に粒子状物質が弾道的に輸送
されるのを少なくする助けになる。
昇降駆動モータ32は小プラットホーム42を上下に駆
動する様に接続することが好ましく、アーム駆動モータ
34がこのプラットホーム42に取付けられることが好
ましい。
現在好ましいと考えられる実施例では、移送アーム28
が非常にこしんまりと動くことが出来る様にする為に、
回転自在の移送アーム支持体44の内側にリンク機構を
用いる。移送アーム支持体44を回転棒に接続し、この
回転棒がアーム駆動モータ34によって駆動されること
が好ましいが、アーム支持体44は回転しない管状支持
体46に取付けることが好ましい。アーム支持体44と
移送アーム28の間の継目が、アーム支持体44と管状
支持体46の間の継目の2倍の角速度で動く様に、内部
ヂエーン及びスプロケット形すンク機構を使うことが好
ましい。(勿論、この代りに、こういうことを行なう為
に、この他の多くの礪械的なリンク機構を使うことが出
来る。)つまり、アーム支持体44が定位置にある時、
支持されるウェーハ48は大体管状支持体46の上方に
あるが、アーム支持係44が管状支持体46に対して9
0’回転した時、移送アーム28がアーム支持係44に
対して180°回転して、移送アームが真直ぐウェーハ
支持体10の中に入ることが出来るか、又はボー1−3
0を介して隣の処理室に真直ぐに入ることが出来ること
を意味する。このリンクn構は1984年10月24日
に出願された係属中の米国特許出願通し番号力664.
448号に詳しく記載されている。
移送アーム28は厚さが例えば0.030吋の1枚のば
ね鋼であることが好ましい。移送アームにはウェーハを
支持する為の3つのビン50がある。各々のビン50が
小さな肩54の上の小さな円錐52を持っていることが
好ましい。円錐52及び肩54はシリコンをひつかくこ
とがない位に軟かい材料で作ることが好ましい。現在好
ましいと考えられる実施例では、これらの部分(これが
、移送アーム28の内、輸送するウェーハに実際に接触
する唯一の部分である)は、アーデル(ユニオン・カー
バイド社によって製造される熱可塑性フェニル・アクリ
レート)又はデルリンの様な高温プラスチック(叩ち、
真空状態で脱ガスする傾向が比較的に小さいプラスナッ
ク)で作ることが好ましい。位置きめビン50の中心に
円錐52を使うことにより、移送アーム28に対するウ
ェーハの撞く僅かな整合外れを補正することが出来る。
言換えれば、この発明のウェーハ輸送装置は安定な機械
的な装置であり、相次ぐ作業の間の小さな整合外れが累
積せず、減衰してなくなる。
ウェーハ48を図示の様に位置きめする時、3つのビン
50の内の1つがウェーハの円周の平たい部分56に接
することに注意されたい。つまり、この実施例では、移
送アーム28の3つのビン50が、取扱うウェーハ48
の直径と同じ直径の円を限定しない。
ウェーハの平坦部56がウェーハの正確な取扱いの妨げ
にならない様に保証する為、ボックス10はその内側の
裏側に平坦な面を持ち、ウェーハ48の平坦部56がそ
れに接する様にする。ドア14の内側にあるバネ圧縮要
素が、ドア14を閉じた時に、各々のウェーハをこの平
坦な面に押付け、この為移動中にウェーハががたつくこ
とがない。これも、ドア14を開いた時、各々のウェー
ハ18の平坦部56の場所が正確に判っていると云う保
証になる。
この為、ボックス10が室12内にあって、そのドア1
4が開いている時、昇降駆動モータ32を作動して、移
送アーム28を、取出そうとする最初のウェーハの高さ
の直ぐ下の所に持って来て、その後アーム駆動モータ3
4を作動して、移送アーム28をボックス10の内部に
入れる。昇降駆動モータ32を短時間作動することによ
り、移送アーム28がこの位置で上昇し、その円周にあ
る3つのビン50が所望のウェーハを、支持体ボックス
10内でそれかのつかっていた桟60から持上げる。
桟60が平Jnな而ではなく、テーバ面を持っていて、
桟6oとその上にのっかるウェーハ48の間の接触が、
面接触ではなく線接触になり、ウェーハの縁に制限され
る様にすることが好ましいことに注意されたい。即ち、
従来のウェーハ支持体では、何平方ミリものかなりの面
積にわたって面接触が行なわれることがあるが、この発
明で用いる「線接触」は、典型的には数平方ミリ又はそ
れ以下のずっと小さな面積にわたってしか接触しない。
この発明のこの実施例で使われる1線接触」の別の定義
としては、ウェーハ支持体が、その縁から1ミリ未満の
点だ()で、ウェーハの面と接触することである。
こうして、移送アーム28を上昇させることにより、所
望のウェーハ48が拾い上げられ、移送アーム28の3
つのビン50にある円錐52又は肩54の上にのっかる
現在好ましいと考えられる実施例では、桟60はボック
ス内で中心間の間隔が0.187吋である。この中心間
間隔からウェーハの厚さを差引いた(直は、移送アーム
28の高さにビン50の高さを加えたものに対して十分
なすき間がなければならないが、それよりずっと大きく
する必要はない。
例えば、現在好ましいと考えられる実施例では、移送ア
ームの厚さは、移送ビン50上の円錐52の高さを含め
て、約0.080吋である。(4吋のウェーハを使う現
在好ましいと考えられる実施例では、)ウェーハ自体の
厚さは約0.21吋であり、この為約0.08501の
すき間が得られる。
勿論、直径が一層大きいウェーハは厚さが一層大きいが
、ボックス1oの寸法及びボックス10の内部の桟16
の中心間隔は適当に変えることが出来るので、この発明
はこの様な直径の一層大きいウェーハに特に適している
こうして、移送アーム28が所望のウェーハ48を拾い
上げた侵、アーム駆動モータ34を作動して、移送アー
ム28を定位置に持って来る。
次に昇降駆動モータ32を作動して、移送アーム28を
それがポート30に達することが出来る高さにする。
ポート30は、第3図に示すゲート31と異・なり、隔
離ゲート31よって覆われていることが好ましい。ゲー
ト31は情動接触をせずに、ポート30を密封すること
が好ましい。(前と同じく、WIjfJJ接触がないこ
と(よ、内部で発生される粒子状物質を少なくする点で
有利である。) この実施例では、ボー1へ30上の隔離ゲー1−31は
空気シリンダによって作動されることが好ましいが、そ
の代りにステップ・モータを用いてもよい。この為、合
計4個のモータが使われる。即ち、真空通り抜は部を使
う2つと、好ましくは排気マニホルド36内に収容され
た2つとである。
アーム駆動モータをこの時再び作4Jシ、移送アーム2
8をポート31を通って隣の処理室に伸ばす。
隣の処理室は数多くのいろいろな種類の処理部の内のど
れであつもよい。例えば、この処理部が打込み装置、プ
ラズマ・エッチ部又はデボジツション部であってよい。
現在好ましいと考えられる実施例では、ポート30を通
った移送アームが、移送アーム自体に使われているのと
同様な、第3図に示す様な3つのビン50上にウェーハ
48をのせる。(ポート30が、アーム28をポート3
oを通る様に伸ばす間、若干垂直方向に移動出来る位の
垂直方向の高さを持っていて、この為、アーム28が処
理室内のビン50からウェーハを持上げ又はこのビンの
上にウェーハをおろす為に垂直方向に移動出来る様にす
ることが好ましいことに注意されたい。)この代りに、
処理室が、移送ボックス内の桟16と同様な相隔たる勾
配をつけた桟を持つ治具を持っていてもよいし、或いは
ウェーハを受けるこの伯の機械的な装置を持っていても
よい。然し、何れにせよ、移送されたウェーハを受ける
為に使われる装置は、(少なくとも移送時に)ウェーハ
の下側にすき間を持っていて、移送アーム28がウェー
ハを置く為又はそれを取出す為に、ウェーハの下側に入
ることが出来る様にしなければならない。移送されたウ
ェーハを受ける為にビン50を使う場合、処理室内のウ
ェーハ支持ビンの垂直移動を行なわせる為に、ベロー運
動又は真空通り央は部を設けることが望ましいことがあ
る。即ち、例えば処理室がプラズマエッチ部又はRIE
(反応性イオン・エッチ)部である場合、通り(友は部
を設けて、移送アーム28がウェーハの通路から引込め
られた後、ウェーハを受容体の上に位置きめすることが
出来る。
勿論、処理部は技術検査部であってもよい。真空によっ
て隔離された顕微鏡の対物レンズが、真空状態にあって
(適当に折曲げた光路を用いて)面を下にした姿勢にあ
るウェーハを検査することが出来る。つまり、技術者の
時間を食わず、クリーン・ルームの通過量が多いことに
よって起こる慣れのあるクリーン・ルームの品質の低下
を沼かすに、適切な場合、技術者による検査を大々的に
使うことが出来る。
何れにせよ、処理が進行する間、移送アーム28を引込
め、ポート30の上の隔離ゲートを閉じることが好まし
い、、処理が完了した後、ポート30の上の隔離ゲート
を再び開き、アーム28を再び伸ばし、昇降駆動モータ
32を短時間作動して、アーム28がウェーハ48を拾
う様にし、アーム駆動モータ34を再び作動して、移送
アーム28を再び定位置に持って来る。その後、昇降駆
動モータ32を作動して、移送アーム28を、ウエ−ハ
48をウェーハ支持体内部の所望の溝孔と整合させるの
に正しい高さに持ってくる。その後、アーム駆動モータ
34を作動して、移送アーム28をウェーハ支持体10
の中に入れ、処理されたばかりのウェーハ48が1対の
桟60の上に坐着する様にする。その後昇降駆りJモー
タ32を短時間作動して、移送アーム28を下げ、ウェ
ーハがそれ自身の桟6oの上にのつかる様にし、アーム
駆動モー934を作動して移送アーム28を定位置へ後
退させる。今述べた一連の工程がこの後繰返され、移送
アーム28が処理の為に別のウェーハを選択する。
上に)ホベた様な移送アーム28及びアーム支持体44
の機械的なリンク1構を用いると、移送アーム28及び
アーム支持体34の中心間の長さが等しければ、移送さ
れるウェーハは正確に直線で移動する。これは、移送さ
れるウェーハの側面が、ウェーハをボックスから引出す
時又はその中に押込む時、ボックス10の側面にぶつか
ったりかすったりすることがないことを意味するから、
有利である。即ら、ウェーハ支持体ボックスのすき間を
比較的小さくしても(これは支持体内の輸送中のウェー
ハのがたつきによる粒子状物質の発生を少なくするのに
役立つ)、ウェーハがボックスの金属側面によって摩耗
することにより、粒子状物質を発生する慣れがない。
この様にして、支持体1o内にある全てのウェーハ(又
は少なくとも希望するだけ多くのウェーハ)が処理され
るまで、ウェーハ毎に処理が続【プられる。そうなった
時点で、移送アーム28を空のま)定位置に戻し、ドア
14の下縁より下方に下げ、ポート30の上の隔離ゲー
トを閉じる。次にドア開け軸24を回転して、ドア14
を閉じ、ドア14と支持体10の平坦な前面の間の真空
封じの最初の接触が起こり、こうしてロードロック内の
圧力が高くなる時、支持体を(差圧によって)密封する
用意が出来る。この時、ロードロック12を再び加圧す
ることが出来る。圧力が大気圧になったことが真空計6
2の差圧センサによって判ると、ロードロックのN2o
を開き、ウェーハ支持体10(これはこの時差圧によっ
て密封されている)を手で取出すことが出来る。好まし
い実施例では、支持体の上側に折曲げ把手11を設【ノ
て、ロードロック内内部で支持体に要する容積を大幅に
増加せずに、この手動による取出しを助ける。
支持体を取出した後、それを持運ぶことが出来、或いは
希望に応じて保管することが出来る。封じ13がこの間
支持体内に高真空を保ち、この為、ウェーハの面に対す
る粒子状物質の輸送(並びに気相の汚染物の吸着も)@
単眼に押えられる。
ウェーハ支持体がそのドアに取付けられた弾性要素27
をも持つことに注意されたい。こういう弾性要素は、ド
ア14を閉じる時、ウェーハ48に軽い圧力を加え、こ
うしてウェーハががたついて粒子状物質を発生しない様
に拘束する。弾性要素27が図示の実施例では、1組の
ばねとして構成されているが、この代りに、この他の機
械的な構造(例えば弾性重合体の突出する玉縁)を用い
ることが出来る。使われるfウェーハが平坦部を持つ場
合、スライスの平坦部が圧接する様に、つニー八支持体
ボックス10の内側の後面に平坦な接触面29を設ける
ことが好ましい。
支持体ボックス10の側壁にある桟60にテーバがつい
ていることに注意されたい。これは、ウェーハの支持さ
れる面との接触が、実質的な面積ではなく、線のみに沿
って行なわれることを保証する助けになる。これによっ
てウェーハの損傷や、輸送中の粒子状物質の発生が少な
くなる。更にこれは、前に述べた様に、位置ぎめ誤差の
累積をなくす助けになる。
ロードロックのM2Oに窓を設けて、機械的なひっかか
りが起こったかどうかをオペレータが検査することが出
来る様にするのが好ましい。
この発明の利点は、考えられるいろいろなffl bl
的な誤動作が起こった場合、問題を是正しようとする前
にウェーハ支持体10のドアを閉じることが出来ること
である。例えば、移送アーム28が、ウェーハが3つの
ビン50全部の上に正しく坐着しない様にウェーハを拾
い上げた場合、ドア駆動モータ26を作動してドア14
を閉じてから、この問題を是正する試みを行なうことが
出来る。同様に、移送アーム28を定位置に後退させる
ことが出来れば、ポート30を閉じることが出来る。
単に普通の1.制御順序を変えることにより、この様な
ある機械的な整合外れの問題を是正することが可能であ
る。例えば、場合によっては、単に移送アーム28を途
中まで伸ばして、ウェーハ48の縁が丁度ドア14又は
ポート30上の隔離ゲートの外側に接触する様にするこ
とにより、移送アーム28上のウェーハ48の位置を調
節することが出来る。これで旨くいかなければ、(ウェ
ーハ支持体1oのドア14を閑じたま))ロードロック
12を大気圧に戻し、ロードロックの蓋20を開いて、
問題を手作業で是正することが出来る。
上に述べた全ての動作を非常に容易に制御することが出
来ることに注意されたい。即ち、サーボや?!2雑な負
帰還機構を必要としない。上に述べた4つのモータ全部
は簡単なステップ・モータであり、この為この発明の多
数のステーションは1個のマイクロコンピュータによっ
て制御することが出来る。装置全体の義械的な安定性、
即ち、ウェーハ支持体のテーバ・ピンによる、ウェーハ
支持体のウェーハ支持桟の勾配による、並びにウェーハ
支持体の後壁の平坦部による小さな位置きめ誤差の固有
の補正は、小さな誤差が累積することを防止する助けと
なり、容易な制御が出来るようにする。
制御が簡単であると云うこの利点は1つには、機械的な
整合の良好な制御が達成される為である。
前に)ホべた様に、支持体1oがプラットホーム18と
合体することにより、機械的な整合の1つの要素が得ら
れる。これは、移送アーム28に対するブラフl−ホー
ム18の位置を正確に且つ永久的に較正することが出来
るからである。同様に、ウェーハ支持体10は各々の次
元で制御する必要はなく、支持プラットホーム18と合
さるボックスの底(又はその他の部分)に対して支持棚
60の位置と向きが正確に判る様に制御しさえすればよ
い。前に述べた様に、これは、ウェーハ支持体がプラッ
トホーム18にのっかるまでそれに沿って(囲動する溝
路を設(プることによって達成することが好ましいが、
この他に多くの異なる機械的な装置を用いることが出来
る。
同様に、移送アーム28の定位置と処理室の内側でウェ
ーハをそれと合体させる支持ビン50(又はその他の支
持形式)の間でも機械的な整合を達成しなければならな
い。然し、この機械的な整合は簡単な1回の設定較正に
すべきである。
前に述べた様に、ボックス自体によって角度方向の位置
ぎめが守られる。ドア14を閉じた時には、何れもその
内側にあるばね要素がボックスの内側の後面にある平坦
部にウェーハ48を押付ける。
随意選択により、ウェーハ支持体10に速接続の真空管
継手を設けて、支持体10に対する別個の減圧を行なう
ことが出来る。然し、現在好ましいと考えられる実施例
では、これが省略されている。それは、必要でないから
であり、更にこれは信頼性の低下の別の原因になり得る
からである。
これまで説明したロードロック機構は、それが最も好ま
しい実施例ではあるが、真空密なウェーハ支持体だけに
使う必要はない。このロードロックは内部が大気圧であ
るウェーハ支持体にも使うことが出来る。これが最も好
ましい実施例ではないが、それでも前に述べた様に、従
来のロードロック作業に較べてかなりの利点を依然とし
て持っている。
上に述べたウェーハ支持体は、任意の所望の数のウェー
ハを担持する様に、異なる寸法に作ることが出来ること
に注意されたい。更に、この発明のウェーハ支持体(よ
、最大限までの任意の所望の数のウェーハを担持又は保
管する為に使うことが出来る。これは計画並びにプロセ
ス装置の論理の点で余分の融通性を持たせる。
第5図は、何れもウェーハ支持体10を持つ2つのロー
ドロックが、4つのプロセス・ステーション104を持
つプロセス・モジュール102に両方とも接続されてい
る様な別の実施例を示す。
移送アーム28がロードロック12からボード30を通
ってプロセス・モジュール102に入る時、それがウェ
ーハを2つのウェーハ・ステージ106内の1つの上に
置く。前に述べた様に、こういうウェーハ・ステージ1
06は3つのピンを持つ支持体であってもよいし或いは
2つの桟を待つ支持体であってもよいし或いは当業者に
考えられるこの他の機械的な形式であってもよいが、支
持されるウェーハの下には、移送アーム28がウェーハ
を支持体の上に置いた後、移送アーム28が下がってウ
ェーハから離れ、後退することが出来る様にする為の空
間がなければならない。(然し、使われるウェーハ支持
体は、ウェーハの下面に対し、実質的な面積にわたって
ではなく、線接触で接触するものであることが好ましい
。)プロセス・モジョールの中には別の移送アーム集成
体106が設けられている。この移送アーム集成体は、
ロードロックの内側で使われた移送アーム集成体28,
44.46と全体的に同様であるが、若干の違いがある
。第1に、ロードロックの内側で使われる移送アーム2
8はウエーハギ直線に沿って移動しさえすればよい。こ
れと対照的に、移送アーム集成体106は、任意の1つ
のプロセス・モジュール104を選択する為に、半径方
向にも移動することが出来なければならない。
この為もう1つの自由度が必要である。第2に、移送ア
ーム集成体106の移動範囲は、ロードロックの内側で
使われる移送アーム集成体28,44.46ど同じであ
る必要はなく、実際、移送アーム106の移動範囲は、
プロセス・ステーション104を適切な間隔にすること
が出来る様に、一層大きくすることが好ましい。第3に
、アーム集成体106は、ロードロック内で使われる移
送アーム28程、高さが大きく移動する必要がない。
第4に図示の形式では、移送アーム128はその3つの
ピン50の内の1つがウェーハの平坦部にのつからず、
この為、それらが同じ直径のウェーハを取扱うが、ピン
50が描く円の直径はアーム28と128では同じでは
ない。
こういう違いはあるが、移送アーム集成体106は本質
的にロードロツタ内で使われる移送アーム集成体28,
44.46と同じであることが好ましい。管状支持体4
6を回転自在にし、この回転を駆動する為の3番目のモ
ータを設けることにより、移送アームの371目の自由
度が得られる。
同様に、移送アームの寸法は希望に応じて筒(41に変
えることが出来る。この為、移送アーム集成体106が
、移送アーム支持体144に回転自在に装着された移送
アーム128を含むことが好ましい。移送アーム支持体
144が管状支持体146(図に示してない)に枢着さ
れ、移送アーム支持体144に固定された内部軸が管状
支持体146の中を下向きに伸びる。2対1の歯車比を
持つ内部チェーン駆動装置が、管状支持体146とアー
ム支持体144の間の差別的な回転があれば、それをア
ーム支持体144と移送アーム128の間の別の差別的
な回転(2倍の度数にわたり)に変換する。輸送集成体
106の下方に装着されたアーム駆動モータが、アーム
支持体144に固定された軸を回転させる様に接続され
る。アーム回転モータが管状支持体146を回転させる
様に接続される。最後に、胃、降機構が移送アーム集成
体106の垂直方向の移動を行なわせる。
集成体106に要求される垂直方向の移動は典型的には
ロードロック12内の移送アーム28に要求される程大
きくない。これは、移送アーム128が典型的にはウェ
ーハ支持体10内にあるものの様に、垂直方向に離れた
幾つかのウェーハ位置の内の1つを選択する必要がなく
、典型的には単に、全て同じ平面上にある幾つかの可能
なウェーハ・ステーションからウェーハを拾い、又はそ
こにウェーハを置く為に使われるだ警ノであるからであ
る。この為、随意選択により、移送アーム128の垂直
方向の高さは、前に述べた様な昇降モータ集成体によっ
てではなく、空気シリンダによって制御することが出来
る。
この為、アーム支持体144と同時に管状支持体146
を回転させることにより、移送アーム集成体106を伸
出させずに回転させることが出来る。アーム支持体10
6が所望の位置に回転した後、管状支持体146を固定
にしたま)、アーム支持体144を回転させることが出
来る。これによって、移送アーム128が前に述べた様
に伸出ず。
この為、1つのロードロック12からの移送アーム28
が処理すべきウェーハを1つのウェーハ・ステージ10
6の上に置いた後、移送アーム集成体106を(必要で
あれば)回転し、低い位置で伸ばし、移送アーム128
がウェーハの下に来る様にし、上昇さ拷て、移送アーム
128がウェーハを拾う様にし、定位置へ後退させるこ
とが出来る。その後、集成体106を再び回転させ、移
送アーム128を伸ばし、ウェーハがこの時1つのプロ
セス・スーション104にあるつ1−ハ支持体の上方又
は他のウェーハ・ステージ106の上方に来る様にする
。アーム集成体106を下げることにより、この時ウェ
ーハをウェーハ支持体又はウェーハ・ステージの上に置
くことが出来、そこでアーム128を後退させることが
出来る。
この時プロセス・ステーション104を主たるプロセス
・モジュール102から密封し、ウェーハの別個の単一
ウェーハ処理を開始することが出来る。一方、移送アー
ム128.28が他の作業を行なうことが出来る。モジ
ュール104内のウェーハの処理が完了した時、このプ
ロセス・ステーション104をプロセス・モジュール1
02の内部と同じ低い圧力に減圧し、プロセス・ステー
ション104を聞くことが出来る。この時、移送アーム
集成体106を作動して、このウェーハを取出し、それ
を1つのウェーハ・ステージ106又は別の1つのプロ
セス・モジュール104へ移送することが出来る。
この発明の1つの利点は、プロセス・モジュール104
が全て同じ作業をする様に構成することが出来ることで
ある。これによって、プロセス・モジュール102内に
」−分な数のプロレス・ステーション104があれば、
ウェーハの処理1は(かなりゆっくりした処理作業でも
)輸送によって制限される様にすることが出来るし、或
いは相異なるプロセス・ステーション104で異なる作
業を行なうことが出来る。
即ち、吸着された汚染物又は自然の酸化物による処理の
変動が除かれるから、この発明は逐次的な処理を使える
様にするが、これは次第に望ましいとHaされているこ
とである。例えば、2つのプロセス・ステーション10
4は、1つは窒化物のデポジッション、1つはポリのデ
ボジツションの酸化物の成長の為に構成することが出来
、こうしてオキシ窒化物ポリ・ポリ・キャパシタの現場
での製造を完了することが出来る。更に、異なるステー
ション104に異なるプロセス工程を用いることは、技
術者がどのウェーハがどの装置に入るかを正しく確認す
ることに頼らずに、適当な作業をプログラムすることに
より、多数のロットの分割及びプロセスの変更を行なう
ことが出来ることを意味する。この為、相異なるプロセ
ス・ステーションで異なる作業が進行する様に出来るこ
とは、処理の別の融通性となる。
全体的なウェーハ移送順序は完全に任意であり、希望に
応じて選択することが出来ることにも注意されたい。例
えば、1つのウェーハ支持体1oからのウェーハは完全
に処理して、そのウェーハ支持体10に戻し、処理した
ばかりのウェーハを収容しているロードロック12をプ
ロセス・モジュール102から密封して、他のロードロ
ック12にある別のウェーハ支持体10にあるウェーハ
を処理し、その間、技術者が他方のロードロック12か
ら処理済みのウェーハが一杯入っている支持体を取出す
ことが出来る。この代りに、この構成のプログラム能力
及びランダムアクセスを利用して、どんな形ででも、希
望する形で、ウェーハを2つの支持体10の間で移し又
は交換することが出来る。
この構成が2つのロードロック12や、4つのプロセス
・ステーション104に何等制限されず、こ)で説明し
た構成は、モジュール102内の他の数のプロセス・ス
テーション104又はモジュール102に取付けられた
他の数のロードロック12に合せて、又は希望によって
は1つのモジュールの内部に2つ以上の移送アーム集成
体106を使うことが出来る様に、変更することが出来
ることに注意されたい。
この崩成がウェーハの向きをそのま)にしていることに
注意されたい。ウェーハがその平坦部が支持体10の裏
側に向けて支持体10内で支持されていると仮定すると
、ウェーハはウェーハ・ステージ106上には、その平
坦部をモジュール102の中心に向けて配置される。移
送アーム106がこの向きをそのま)にし、この為、平
坦部が何れかのウェーハ支持体10に戻される時、ウェ
ーハの平坦部はボックスの裏側を向いている。
第6図は、第5図に示す様な構造に使うことが出来る見
本としてのプロセス・ステーション1゜4を示す。
第6図は反応性イオン・エツチング又はプラズマ・エツ
チングの為に使うことの出来る単一スライス反応器を示
す。前に述べた様に、移送アーム128がウェーハをテ
ーパ付きアーデル・ビン50の上におき、その後後退す
る。この時点で、室112、アース電極11Q1ガス分
配器120、基板138及び天井板114を含む下側集
成体全体が、例えば空気シリンダ又は真空通り1友は部
(図面に示してない)を用いて、上向きに移動する。ベ
ロー124は、モジコール102の内部の真空密の界面
を保らながら、こういう垂直方向の移動が出来る様にす
る。この垂直方向の移動により、ビン50にのっかって
いるウェーハの裏側が給電電極118と接触し、この時
点で、テーパ・ビン50の下側に取付(プられた摺動ビ
ン支持体130が根ばね132に逆らって若干後退する
くウェーハが余り大きな力で給電型4fi118に押付
けられない様に、ビン支持体132に少量の弾力性を保
証する為に、板ばね132の代りに他の弾性要素を用い
てもよい。) この集成体の上向きの移動の最後の部分により、封じ1
34が室112の頂部にある石英板114と給電電極1
18を取囲む石英板116の間を密閉する。この為、こ
の封じが出来た時、このプロセス室の内部はプロセス・
モジュール102の内部から真空密封される。
ヘリウム分流ポート134を設けて、ウェーハの裏側に
ヘリウム源を接続する。このヘリウムの空間は、給電電
極118の低い点とウェーハの間の空間が、真空ではな
く、ヘリウムで満たされることを意味しており、これに
よってウェーハと給電電糧118の間の熱抵抗がかなり
小さく、高度に反復性のある熱接触が保証される。給電
電極118は冷却材マニホルド空間136を持っている
ことが好ましく、この空間に冷却材を供給することが出
来る。
この発明の別の実施例では、テーパ・ビン50を弾性要
素130に支持された摺動ピン支持体130に取付けず
、固定にする。ヘリウム11)流ポート134がウェー
ハの裏側と給電電極118の表面の間の良好な熱接触を
保証するから、1.000分の数吋の許容公差があって
も、ウェーハに対する電ViA18の良好な無線周波結
合が得られ、電極118とウェーハの間の良好な熱1&
触が得られる。こういう大きさの許容公差は、室壁の熱
膨張、封じの厚さの変動、ウェーハの厚さの変動等があ
っても、上側部分に対する下側の掌部分の確実な密封を
依然として出来る様にする。この実施例では、石英面1
14,116は、ウェーハの面に隣接するプラズマの横
方向の広がりを最小限に抑える為に、若干異なる形にす
ることが好ましい。然し、現在好ましいと考えられる実
施例では、摺動ビン支持体130を用いる。これは、そ
れらが、第7図に示す様に、石英板114がプラズマを
ウェーハ48の面に極く近くに局限することが出来る様
にするからである。
第7図は閉じた位置にある第6図のプロセス・ステーシ
ョンの上側部分を示しており、処理の為につ1−ハ48
がその中に保持されている。反応器を閉じた後、ポート
134を介してヘリウムの分流を開始することが出来る
。同時に、プロセス・ガス分配置1120を介して所望
のプロセス・ガスを供給することが出来る。
現在好ましいと考えられる実施例では、プロセス・ガス
分配器120は石英で作られ、存在する無線周波電力か
ら渦電流を拾わない峰にする。更に、石英の表面は高度
に絶縁性であるから、石英の近くのプラズマの境界は、
アースされた導電素子の近くのプラズマの境界はど、大
きな電圧や大きな電流を持たない。こ机は、石英の近く
のプラズマの助【プを借りる反応が、アースされた導電
素子の近くで起こる程の高い速度で行なわれず、従って
デボジッションが減少することを意味する。
石英がかなりよい熱絶縁体であり、従って、受容体の温
度は100又は200℃に(プラズマからの放射によっ
て)高めることが出来ることに注意さ札だい。分配器の
温度を高めることは、その上のデボジッションを更に減
らすので、これは有利なことである。
好ましい動作条件(10乃至100ミクロンの圧力、及
び400乃至800ワツトの印加電力)では、発生され
るプラズマが給電電極118とアース電極110の間の
室をかなり一様に充たす。
この為、ガス分配器120がプラズマの最も密度の高い
部分に突入する。ガス分配器120は、大体処理するウ
ェーハの直径の半分の直径を持つリングであることが好
ましく、基板138に取付けられたガス接続部140に
通ずる中空支持体を持っている。
石英分配器120に連接続取付は部を設(プて、希望に
応じて手早く且つ容易に変えることが出来る様にするの
が好ましい。
現在好ましいと考えられる実施例では、ガス分配器12
0はウェーハの表面から約4センチだけ隔たっている。
この間隔、ガス分配器120の正確な形、並びにガス分
配器上のポート122の間隔は、それ自体として臨界的
ではない。希望によってこういうパラメータを変えるこ
とが出来るが、変える場合、プロセス・ガス及びガス分
配器120のポート122からのプロセス・ガス生成物
の拡散により、1)ウェーハ48の面に於けるプラズマ
の境界まで、プロセス・ガス及びプロセス・ガス生成物
の拡散によって支配される輸送、及び2) ウェーハ4
8の面に隣合うプラズマの境界に於けるプロセス・ガス
及びプロセス・ガス生成物のかなり一様な濃度が得られ
る様に選択すべきである。例えば、ウェーハの面からの
分配器の間隔は、1乃至15c11の範囲内にすること
が出来る。
低圧状態で、プラズマと接触する電極118の面積(こ
れはこの実施例では、ウェーハ48の面積と大体同じで
ある。)及びアース電極の面積(これはこの実施例では
、実質的にアース電極110の面積に室壁112の内部
面積及び基板138の露出した上側面積を加えたもの)
の高い面積比があれば、ウェーハ48の面で高い密度の
プラズマ照射が行なわれる。当業者によく知られている
様に、このイオン照射がエツチングの際、望ましいw方
性効果を達成する助けになる。
アース平面電極110は、電極110内のマニホルド空
所に接続された冷却材配管150を用いて、冷却するこ
とが好ましい。更に冷却を必要とする場合、壁112も
冷却することが出来る。
前に述べた様に、下側エツチング室110,112.1
38,120,114全体の垂直方向の移動が出来る様
に、配管150は可撓性ホースであることが好ましいこ
とに注意されたい。ガス供給管150が、接続部140
を介してガス分配器120にプロセス・ガスを供給する
が、これら同じ理由で可撓性であることが好ましい。ホ
ースの撓みによって過剰の粒子状物質を発生することが
判った場合、その代りにベロー124の外側のガス供給
部を基板138の側面に通すことが出来る。
第8図は第6図の反応器の平面図を示す。ガス分配器1
20の形がこの平面図で更によく判る。
基板138がアース電極110の縁の周りにかなりの場
所を持つことが判る。これによって、ガス供給ポート1
22からその下の真空ポンプに通すことが出来る。
この反応器の全体的なガスの流れは、ウェーハの面から
遠ざかる様な下向きであり、これが粒子状物質を減らす
のに役立つ。
所望のエツチング作業が終わった後、ガス分配器120
を介してのガスの供給を打切り、プロセス・ステーショ
ン104をプロセス・モジュールの他の部分と同じ圧力
(10−5t−ル又はそれ未満)に減圧する。この後、
プロセス・ステーションが熱的に安定する様にする為、
又は懸濁されている粒子状物質が放出される様にする為
に、間に保留時間を置くことが出来、その後プロセス・
ステーション104を聞き、移送アーム集成体106が
前と同じ様に動作して、それからウェーハを取出す。
従って、この発明は前に述べた全ての利点をもたらすと
共に、その他の利点をもしたらす。この発明は大幅に変
更することが出来、その範囲は特許請求の範囲のみによ
って限定されることを承知されたい。
以上の説明に関連して更に下記の項を開示する。
(1)  真空に密封し得る蓋を持つ室と、ウェーハ支
持体に対する前記室内の空間と、ウェーハ支持体に対す
る前記空間に接近して当該ロードロック内に配置された
ドア開け装置とを有し、該ドア開け装置が、前記室を真
空状態にしたま)ウェーハ支持体のドアを開閉すること
が出来る様にしたロードロック。
(2)  真空に密封し得る蓋を持つ室と、予定の直径
を持つウェーハを収容するウェーハ支持体を配置するこ
との出来る前記室内の空間と、昇降可能な並びに伸出し
可能な移送アームとを有し、該移送アームが支持要素を
侍っていて、前記予定の直径を持つ1つのウェーハを縁
と接触するだりで前記移送アームによって支持すること
が出来る様にしたロードロック。
(3)  第(2)項に記載したロードロックに於て、
前記移送アームがその周縁に沿って複数個のビンを持ち
、該ピンは円錐形にテーパのついた上側部分を持ってい
て、前記予定の直径を持つウェーハを支持する様に隔た
っているロードロック。
(4)  第(2)項に記載したロードロックに於て、
前記アームが昇降可能であるが、前記ロードロックが真
空状態にある間、前記ウェーハ支持体が昇降可能でない
ロードロック。
(5)  第(2)項に記載したロードロックに於て、
前記移送アームの合計の垂直方向の厚さが0.1吋未満
であるロードロック。
(6)  第(2)項に記載したロードロックに於て、
ロードロックの側面に開放可能な真空密のポートを有す
るロードロック。
(7)  第(6)項に記載したロードロックに於て、
前記開放し得るポートは、前記移送アームがウェーハを
支持しながら、前記開放し得るポートを介して伸出すこ
とができる様に配置されているロードロック。
(8)  第(2)項に記載したロードロックに於て、
ウェーハ支持体に対する前記室内の空間が支持体位置整
合プラットホームによって限定され、この為、前記ロー
ドロック内で静止時のウェーハ支持体の位置が確実に且
つ精密に判っているロードロック。
(9)  第(2)項に記載したロードロックに於て、
前記ロードロック内の移送アームが2つの自由度しか持
っていないロードロック。
(10)第(2)項に記載したロードロックに於て、前
記移送アームが直線的にだけ伸出し可能であると共に昇
降可能であるロードロック。
(11)第(1)項に記載したロードロックに於て、該
ロードロックの底面の近くが真空ポンプに接続された真
空排気マニホルドに接続されているロードロック。
(12)第(2)項に記載したロードロックに於て、該
ロードロックの底面の近くが真空ポンプに接続された真
空排気マニホルドに接続されているロードロック。
(13)第(12)項に記載したロードロックに於て、
前記排気マニホルド内に配置されたモータが前記移送ア
ームに動力を供給するロードロック。
(14)第(12)項に記載したロードロックに於て、
前記移送アームが前記排気マニホルドの内部にある昇降
ステージに接続されており、該排気マニホルドの内部に
ある昇降ステージに取付けられたモータによって、前記
移送アームの伸出しが制御されるロードロック。
(15)第(2)項に記載したロードロックに於て、前
記移送アームが移送アーム支持体に枢着されており、該
移送アーム支持体が管状支持体に枢着されており、前記
移送アーム及び前記アーム支持体が略相等しい中心間距
離を持ち、前記移送アーム及び移送アーム支持体の間の
枢着継目が、前記管状支持体に対する前記移送アーム支
持体の差別的な回転速度の2倍の差別的な回転を生ずる
様に機械的に接続されているロードロック。
(16)第(13)項に記載したロードロックに於て、
前記移送アームが移送アーム支持体に枢着され、該移送
アーム支持体が管状支持体に枢着され、前記移送アーム
及び前記アーム支持体が大体相等しい中心間距離を持ち
、前記移送アーム及び前記移送アーム支持体の間の継目
が、管状支持体に対する移送アーム支持体の差別的な回
転速度の2倍の差別的な回転を生ずる様に機械的に接続
されているロードロック。
(17)第(16)項に記載したロードロックに於て、
前記アーム支持体が、前記昇降ステージに取付けられた
アーム駆動モータに接続される軸に接続されているロー
ドロック。
(18)第(1)項に記載したロードロックに於て、前
記ロードロックの内部に圧力センサを接続したロードロ
ック。
(19)第(2)項に記載したロードロックに於て、該
ロードロックの内部に圧カセンザを接続したロードロッ
ク。
(20)  第(1)項に記載したロードロックに於て
、該ロードロツタの内部に粒子状物質センサを接続した
ロードロック。
(21)第(2)項に記載したロードロックに於て、該
ロードロックの内部に粒子状物質センサを接続したロー
ドロック。
(22)第(1)項に記載したロードロックに於て、位
置感知スイッチを有し、該位置感知スイッチが前記ロー
ドロック内の前記空間にあるウェーハ支、持体のドアが
完全に開いているかどうか、又は前記ロードロック内の
前記空間内にあるウェーハ支持体のドアが完全に閉じて
いるかどうかを示す様に、前記位置感知スイッチが位置
ぎめされているロードロック。
(23)第(2)項に記載したロードロックに於て、前
記移送アームが1つのウェーハ支持体のドアの高さの下
方まで昇降自在であり、この為該移送アームの上方にす
き間をおいて、前記ウェーハ支持体のドアを開くことが
出来る様にしたロードロック。
(24)第(1)項に記載したロードロックに於て、前
記ロードロックの蓋がその中にガス・マニホルドを持ち
、この為濾過したガスを前記マニホルドに適用して、前
記ロードロック内に配置された1つのウェーハ支持体の
外部から粒子状物質を吹飛ばずことが出来る様にしたロ
ードロック。
(25)第(8)項に記載したロードロックに於て、複
数個のウェーハ支持体を有し、該ウェーハ支持体は夫々
真空に密封されたドアを持つと共に前記プラットホーム
と合さる形になっているロードロツタ。
(26)第(2)項に記載したロードロックに於て、前
記室の内部の前記空間にはまる様な形にした複数個のウ
ェーハ支持体を有し、各々のウェーハ支持体が、実質的
な面積溶融ではなく、線接触を用いて、面を下にしてウ
ェーハをその中に支持する様になっているロードロック
(27)  ロードロックと、該ロードロックの至の外
側にあるポートに接近したウェーハ・ステージとを有し
、前記ロードロックは、真空に密封し得る蓋を持つと共
に開放し得る真空密のポートを持つ室、予定の直径を持
つウェーハを収容するウェーハ支持体を配置することが
出来る前配室内の空間、及び昇降可能及び伸出し可能な
移送アームで構成されており、該移送アームは支持要素
を持っていて、前記予定の直径を持つ1つのウェーハを
実質的な面接触をせずに、縁と接触することによって、
前記移送アームによって支持することが出来る様になっ
ており、前記ウェーハ・ステージは、前記ロードロック
からの移送アームが当該ウェーハ支持体の上にウェーハ
を置き、下降し、後退して、該ウェーハを前記ウェーハ
支持体の上に残す様に位置ぎめされたウェーハ支持体を
有する集積回路処理ステーション。
(28)第(27)項に記載した集積回路処理ステーシ
ョンに於て、前記ウェーハ・ステージがその上に置かれ
たウェーハの下面と線接触をして、実質的な面接触をし
ない集積回路処理ステーション。
(29)第(27)項に記載した集積回路処理ステーシ
ョンに於て、前記ロードロックの移送アームが2つの自
由度しか待たない集積回路処理ステーション。
(30)複数個のウェーハをその中に保持する溝孔、真
空に密封し得るドア、及び該真空に密封し得るドアを閉
めた状態に保持する安全掛金を持つウェーハ支持体と、
真空に密封し得る蓋を持つ室、ウェーハ支持体に対する
前記室内の空間、及びウェーハ支持体に対する前記空間
に接近して当該ロードロック内に位置ぎめされていて、
当該ドア開け装置が、前記ロードロックが真空状態にあ
る間に前記ウェーハ支持体のドアを開閉することが出来
る様にするドア聞は装置を有するロードロックとを有し
、該ロードロックが、前記ウェーハ支持体が前記ロード
ロック内のウェーハ支持体に対する空間に配置された時
には、何時でも前記安全掛金を解放するフィンガーをも
有するウェーハ輸送装置。
(31)真空に密封し得るドアを持つウェーハ支持体ボ
ックス内に複数個のウェーハを用意し、該ウェーハ支持
体ボックスをプロセス・ステーションに取付けられたロ
ードロックの中に配置し、該ロードロックは真空に密封
し得る蓋を侍ってa3す、前記蓋を閉じてロードロック
を0.1ミリトル未満の圧力に減圧し、前記ウェーハ支
持体のドアを開けて移送アームを前記ウェーハ支持体の
中に入れて、そこから選ばれた1つのウェーハを取出し
、前記移送アームを前記ロードロツタ及び前記プロセス
・ステーションの間のポートに通すことにより、所望の
順序でウェーハを前記ウェーハ支持体から前記プロセス
・ステーションへそして元に戻す様に移送し、前記ウェ
ーハ支持体のドアを閉じ、隣接した処理室にあるポート
を閉じ、前記ロードロックの圧力を大体大気圧まで高め
て、前記ウェーハが前記ウェーハ支持体内で真空状態に
とずまり且つ前記ウェーハ支持体のドアを差圧によって
閉じたま)に保ち、前記ウェーハ支持体を前記ロードロ
ックから取出す工程を含む集積回路を製造する方法。
(32)第(31)項に記載した方法に於て、前記ロー
ドロックが、前記ウェーハ支持体に対する空間に接近し
て前記ロードロックの内側に配置されたドア聞は装置を
有し、この為前記ロードロック室が真空状態にある間、
該ドア聞は装置が前記ウェーハ支持体のドアを聞ける工
程及び前記支持体のドアを閉じる工程を行なうことが出
来る様にした 一方法。
(33)第(31)項に記載した方法に於て、前記ロー
ドロックが昇降可能及び伸出し可能な移送アームを有し
、該移送アームが支持要素を持っていて、予定の直径を
持つ1つのウェーハを縁の接触だけで前記移送アームに
よって支持することが出来る様にし、ウェーハを輸送す
ることが少なくとも部分的には前記移送アームによって
行なわれる方法。
(34)第(31)項に記載した方法に於て、前記ウェ
ーハ支持体が前記ウェーハの下面の実質的な面積とは接
触せずに、線接触によって前記ウェーハを支持する方法
(35)  第(31)項に記載した方法に於て、前記
ロードロックの蓋にガス・マニホルドが設けられ、前記
支持体が前記ロードロックの中に配置された模、濾過し
たガスを前記マニホルドに供給して、ウェーハ支持体の
外部から粒子状物質を吹飛ばす方法。
(36)第(31)項に記載した方法に於て、前記ロー
ドロックが第1及び第2の位置感知スイッチを持ち、該
第1の位置感知スイッチが、ウェーハ支持体のドアが完
全に開いていることを示すまでは、前記移送アームは前
記ウェーハ支持体の中に伸ばさず、前記第2の位置感知
スイッチが、前記ウェーハ支持体のドアが真空封じが得
られる位に閉じていることを示すまでは、前記ロードロ
ックの圧力を高くしない方法。
(31)第(31)項に記載した方法に於て、前記ロー
ドロックが該ロードロックの内部に接続された粒子状物
質センサを有する方法。
(38)第(31)項に記載した方法に於て、前記ロー
ドロックが該ロードロックの内部に接続された圧力セン
サを有する方法。
(39)第(31)項に記載した方法に於て、前記ロー
ドロックの底面の近くが真空ポンプに接続された真空排
気マニホルドに接続されている方法。
(40)第(31)項に記載した方法に於て、前記移送
アームが直線的にだけ伸出し可能であると共に昇降可能
である方法。
(41)第(31)項に記載した方法に於て、前記移送
する工程で、前記ウェーハ支持体が固定された状態に保
持されている間に、前記アームを持ち上げて前記ウェー
ハ支持体内の所望のウェー八位置をアクセスする方法。
(42)第(31)項に記載した方法に於て、前記ロー
ドロックの移送アームが2つの自由度しか持たない方法
(43)第(31)墳に記載した方法に於て、前記移送
アームの垂直方向の合計の厚さが0.1吋未満である方
法。
(44)第(31)項に記載した方法に於て、ウェーハ
支持体に対する前記室内の空間が、前記ロードロック室
内の支持体位置整合プラットホームによって定められ、
この為前記ロードロック内で静止している時の1つの・
ウェーハ支持体の位置が確実に且つ精密に判る様にした
方法。
(45)真空密の処理モジュール室と、該モジフール室
の内部にある複数個のプロセス・ステーションと、前記
モジュール室の内部にある少なくとも1つのウェーハ・
ステージと、前記モジュール室の内側にあって、前記ウ
ェーハ・ステージ並びに複数個のプロヒス・ステーショ
ンの間でウェーハを移送する様に制御し得るモジュール
転送アームと、前記モジュール室に接する少なくとも1
つのロードロックとを有し、該ロードロックはウェーハ
支持体を保持する空間をその中に持ち、前記ロードロツ
タはその中にドア開け装置を持ち、該ドア開け装置は、
該ロードロックが真空状態である間、該ロードロックの
内部にある1つのウェーハ支持体のドアを聞く様に制御
可能であり、前記ロードロツタが1ミリトルより高い真
空に引くことが出来る真空ポンプに接続されており、前
記ロードロックは、前記ウェーハ支持体から所望のウェ
ーハを取出して、該所望のウェーハを前記ウェーハ・ス
テージに置く様に制御し得る移送アームをも含んでいる
ウェーハ処理モジュール。
(46)第(45)項に記載したウェーハ処理モジュー
ルに於て、1ミリトルより高い真空に引くことが出来る
真空ポンプが前記真空プロセス・モジュールの内部に接
続されているウェーハ処理モジュール。
(41)第(45)項に記載したウェーハ処理モジュー
ルに於て、前記モジュールの移送アームがその周縁に沿
って複数個のビンを持ち、該ビンが円錐形にテーパの付
いた上側部分を持つと共に前記予定の直径を持つウェー
ハを支持する様に隔たっているウェーハ処理モジュール
(48)第(45)項に記載したウェーハ処理モジュー
ルに於て、ウェーハ支持体に対する前記ロードロック内
の空間が支持体位置整合プラットホームによって限定さ
れ、この為前記ロードロック内で静止している時のウェ
ーハ支持体の位置が確実に且つ精1ぞに判る様にしだウ
ェーハ処理モジュール。
(49)第(45)項に記載したウェーハ処理モジュー
ルに於て、前記ロードロック内の移送アームが2つの自
由度しか持たず、前記モジュールの移送アームが3つの
自由度を持っているウェーハ処理モジュール。
(50)第(45)項に記載したウェーハ処理モジュー
ルに於て、少なくとも1つのプロセス・ステーションが
、その底面の近くで真空ポンプに接続された真空排気マ
ニホルドに接続された内部空間を有するウェーハ処理モ
ジュール。
(51)第(45)項に記載したウェーハ処理モジュー
ルに於て、前記ロードロック内の移送アームが前記排気
マニホルドの内部に配置されたモータから動力を受ける
ウェーハ処理モジュール。
(52)第(45)項に記載したウェーハ処理モジュー
ルに於て、前記ロードロックの内部に接続された圧力セ
ンサを有するウェーハ処理モジュール。
(53)第(45)項に記載したウェーハ処理モジュー
ルに於て、前記ロードロックの内部に接続された粒子状
物質センサを有するウェーハ処理モジュ−ル。
(54)第(45)項に記載したウェーハ処理モジュー
ルに於て、少なくとも1つのプロセス・ステーションの
内部に接続された圧ツノセンサを有するウェーハ処理モ
ジュール。
(55)第(45)項に記載したウェーハ処理モジュー
ルに於て、少なくとも1つのプロセス・ステーションの
内部に接続された粒子状物質センサを有するつ1−ハ処
理モジュール。
(56)第(45)項に記載したウェーハ処理モジュー
ルに於て、前記ウェーハ支持体が線接触を利用し、実質
的な面接触を使わずに、面を下にしてウェーハをその中
で支持する様になっているウェーハ処理モジュール。
(57)真空に密封し得るウェーハ支持ボックス内に複
数個のウェーハを用意し、プロセス・モジュールに取付
けられた真空に密封し得るロードロックの中に前記ウェ
ーハ支持ボックスを配置し、該ロードロックを0.1ミ
リトル未満の圧力に減圧し、前記ウェーハ支持体を開き
、ロードロックの移送アームを前記ウェーハ支持体の中
に入り込まVて、そこから選ばれた1つのウェーハを取
出し、所望の順序の処理作業が完了するまで、前記ウェ
ーハ支持体からプロセス・モジュール内にある1つ又は
更に多くの選ばれたプロセス・ステーションへ並びに逆
に所望の順序でウェーハを移送し、前記ウェーハ支持体
を閉じて、前記ロードロックの圧力を大体大気圧に高め
て、前記ウェーハ支持体のドアが差圧によって閉じた状
態に保たれている間、前記ウェーハが前記ウェーハ支持
体の内部で真空状態にとイまる様にする工程を含む集積
回路を製造する方法。
(58)真空に密封し得るドアを持つウェーハ支持体ボ
ックスの内に複数個のウェーハを用意し、プロセス・モ
ジュールに取付けられいて真空に密封し得る蓋を持つロ
ードロックの中に前記ウェーハ支持ボックスを配置し、
前記蓋を閉じて、前記ロードロックを0.1ミリトル未
渦の圧力まで減圧し、前記ウェーハ支持体のドアを開く
と共に、ロードロックの移送アームを前記ウェーハ支持
体の中に入り込まぜて、そこから選ばれた1つのウェー
ハを取出し、所望の順序の処理作業が完了するまで、前
記ロードロックの移送アームを選択的に昇降させ且つウ
ェーハ支持体の方に伸ばして前記ウェーハ支持体内の選
ばれた溝孔からウェーハを取出し又は元に戻すと共に、
前記ロードロック及びプロセス・モジュールの間のポー
トを介して前記ウェーハ支持体から遠ざかる向きに運び
、前記ウェーハ支持体及び前記プロセス・モジュールの
内部にあるウェーハ・ステージの間でウェーハを移送し
、モジュールの移送アームを選択的に昇降させ、伸出さ
せ且つ回転させて、前記ウェーハ・ステージ及びプロは
ス・ステーションの間でウェーハを選択的に移送するこ
とにより、前記ウェーハ支持体からプロセス・モジュー
ルの中にある1つ又は更に多くの選ばれたプロセス・ス
テーションへ並びにその逆に所望の順序でウェーハを移
送し、前記ウェーハ支持体のドアを閉じ、隣接する処理
室内のポートを閉じ、前記ロードロックの圧力を大体大
気圧に高めて、前記ウェーハが前記ウェーハ支持体の内
部で真空状態にとずまり且つウェーハ支持体のドアが差
圧によって閉じた状態に保たれる様にし、前記ウェーハ
支持体を前記ロードロックから取出す工程を含む集積回
路を製造する方法。
(59)第(58)項に記載した方法に於て、ウェーハ
支持体に対する前記室内の空間が支持体位置整合プラッ
トホームによって限定され、この為、前記ロードロック
内で静止している時の1つのウェーハ支持体の位置か確
実に且つ精密に判る様にした方法。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の真空ロードロックの1実施例の斜視図
で、ローディング及びアンローディングの過程に於ける
本発明のウェーハ支持体を示している。第2図は粒子状
物質の種々の寸法に対し、種々の圧力で空気中を落下す
るのに要する時間を示すグラフ、第3図は処理ステーシ
ョンにある1例のウェーハ移送構造を示す、一部分を破
断した斜視図で、隣接するロードロックからポートを通
る移送アームによってウェーハが3つのビンの上に置か
れる状態を示している。第4図はウェーハの位置を機械
的に整合さける為に、ロードロックの内側にあるプラッ
トホームと合体した1実施例のウェーハ支持体の詳細図
、第5図は4つのブOセス・ステーション、2つのウェ
ーハ移送ステージ及び各々のウェーハ移送ステージに隣
接するロードロックを含む1例の処理モジュールの平面
図、第6図は第5図に示す処理ステーションの内側にあ
る1つの処理モジュールとして使うことが出来る]形式
の処理モジュールの側面図、第7図は実の反応器の平面
図である。 主な符号の説明 10:ウェーハ支持体 12:真空ロードロック室 14:ウェーハ支持体のドア 18ニブラツトフオーム 20:蓋 24:ドア聞は軸

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)真空に密封し得る蓋を持つ室と、ウェーハ支持体に
    対する前記室内の空間と、ウェーハ支持体に対する前記
    空間に接近して当該ロードロック内に配置されたドア開
    け装置とを有し、該ドア開け装置が、前記室を真空状態
    にしたまゝウェーハ支持体のドアを開閉することが出来
    る様にしたロードロック。 2)真空に密封し得るドアを持つウェーハ支持体ボック
    ス内に複数個のウェーハを用意し、該ウェーハ支持体ボ
    ックスをプロセス・ステーションに取付けられたロード
    ロックの中に配置し、該ロードロックは真空に密封し得
    る蓋を持っており、前記蓋を閉じてロードロックを0.
    1ミリトル未満の圧力に減圧し、前記ウェーハ支持体の
    ドアを開けて移送アームを前記ウェーハ支持体の中に入
    れて、そこから選ばれた1つのウェーハを取出し、前記
    移送アームを前記ロードロック及び前記プロセス・ステ
    ーションの間のポートに通すことにより、所望の順序で
    ウェーハを前記ウェーハ支持体から前記プロセス・ステ
    ーションへそして元に戻す様に移送し、前記ウェーハ支
    持体のドアを閉じ、隣接した処理室にあるポートを閉じ
    、前記ロードロックの圧力を大体大気圧まで高めて、前
    記ウェーハが前記ウェーハ支持体内で真空状態にとゞま
    り且つ前記ウェーハ支持体のドアを差圧によつて閉じた
    まゝに保ち、前記ウェーハ支持体を前記ロードロックか
    ら取出す工程を含む集積回路を製造する方法。
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DE (3) DE3650057T2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03134176A (ja) * 1989-10-18 1991-06-07 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置用ユニット
JPH08227929A (ja) * 1988-02-12 1996-09-03 Tokyo Electron Ltd 処理装置

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4917556A (en) * 1986-04-28 1990-04-17 Varian Associates, Inc. Modular wafer transport and processing system
GB2194500B (en) * 1986-07-04 1991-01-23 Canon Kk A wafer handling apparatus
EP0303030A1 (en) * 1987-07-16 1989-02-15 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus and method
JPS6428912A (en) * 1987-07-24 1989-01-31 Hitachi Electr Eng Wafer handling device
DE3735449A1 (de) * 1987-10-20 1989-05-03 Convac Gmbh Fertigungssystem fuer halbleitersubstrate
US4949783A (en) * 1988-05-18 1990-08-21 Veeco Instruments, Inc. Substrate transport and cooling apparatus and method for same
IL86514A0 (ja) * 1988-05-26 1988-11-15
DE3822598C2 (de) * 1988-07-04 1997-09-04 Siemens Ag Justieranordnung und Verfahren zum Justieren einer Greifvorrichtung eines Roboterarms zum Handhaben einer Halbleiterscheibe
EP0367423A3 (en) * 1988-10-31 1991-01-09 Eaton Corporation Vacuum deposition system
JP2528962B2 (ja) * 1989-02-27 1996-08-28 株式会社日立製作所 試料処理方法及び装置
US5868854A (en) 1989-02-27 1999-02-09 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for processing samples
US6077788A (en) * 1989-02-27 2000-06-20 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for processing samples
US6989228B2 (en) 1989-02-27 2006-01-24 Hitachi, Ltd Method and apparatus for processing samples
NL8901630A (nl) * 1989-06-28 1991-01-16 Philips Nv Vacuuem systeem.
JP2525284B2 (ja) * 1990-10-22 1996-08-14 ティーディーケイ株式会社 クリ―ン搬送方法及び装置
JPH05251408A (ja) * 1992-03-06 1993-09-28 Ebara Corp 半導体ウェーハのエッチング装置
US5398481A (en) * 1992-05-19 1995-03-21 Ebara Corporation Vacuum processing system
KR100303075B1 (ko) * 1992-11-06 2001-11-30 조셉 제이. 스위니 집적회로 웨이퍼 이송 방법 및 장치
EP0596537A1 (en) * 1992-11-06 1994-05-11 Applied Materials, Inc. Micro-environment load lock and method for coupling a micro-environment container to a process chamber
US5643366A (en) * 1994-01-31 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Wafer handling within a vacuum chamber using vacuum
GB2320135A (en) * 1996-12-04 1998-06-10 Smiths Industries Plc Semiconductor wafer processing apparatus
JP3850951B2 (ja) * 1997-05-15 2006-11-29 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板搬送方法
TWI294155B (en) 2002-06-21 2008-03-01 Applied Materials Inc Transfer chamber for vacuum processing system
US6955197B2 (en) 2002-08-31 2005-10-18 Applied Materials, Inc. Substrate carrier having door latching and substrate clamping mechanisms
US7258520B2 (en) 2002-08-31 2007-08-21 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for using substrate carrier movement to actuate substrate carrier door opening/closing
US20050167554A1 (en) 2003-11-13 2005-08-04 Rice Michael R. Kinematic pin with shear member and substrate carrier for use therewith
DE10359464A1 (de) * 2003-12-17 2005-07-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von insbesondere EUV-Strahlung und/oder weicher Röntgenstrahlung
US7720558B2 (en) 2004-09-04 2010-05-18 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for mapping carrier contents
KR20080087880A (ko) 2006-01-11 2008-10-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 캐리어 세정 방법 및 장치
US7849889B2 (en) * 2006-05-31 2010-12-14 Philip Morris Usa Inc. Applicator wheel for filling cavities with metered amounts of particulate material
JP5329854B2 (ja) 2008-06-25 2013-10-30 ティアック株式会社 光ディスク装置及びこれを備える光ディスク処理システム
JP5329853B2 (ja) 2008-06-25 2013-10-30 ティアック株式会社 光ディスク装置及びこれを備える光ディスク処理システム
JP5382211B2 (ja) 2010-05-11 2014-01-08 トヨタ自動車株式会社 車両用シフト制御装置
KR102139673B1 (ko) * 2013-07-04 2020-07-31 엘지디스플레이 주식회사 평판표시장치 제조용 장비 및 그의 동작방법
JP2017204608A (ja) * 2016-05-13 2017-11-16 信越ポリマー株式会社 基板収納容器
WO2021014675A1 (ja) * 2019-07-22 2021-01-28 株式会社アルバック 真空処理装置
KR102515863B1 (ko) * 2020-03-24 2023-03-31 주식회사 히타치하이테크 진공 처리 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5480086A (en) * 1977-12-09 1979-06-26 Hitachi Ltd Mask aligner
JPS57113245A (en) * 1980-12-29 1982-07-14 Fujitsu Ltd Sample conveying method into vacuum device
JPS58170028A (ja) * 1982-03-31 1983-10-06 Fujitsu Ltd 真空処理装置
JPS59208837A (ja) * 1983-05-13 1984-11-27 Nec Kyushu Ltd プラズマエツチング装置
JPS6054449A (ja) * 1983-09-05 1985-03-28 Toshiba Corp 半導体ウエハ搬送治具
JPS60102744A (ja) * 1983-11-09 1985-06-06 Hitachi Ltd 真空処理装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5337546U (ja) * 1976-09-06 1978-04-01
JPS5337456U (ja) * 1976-09-07 1978-04-01
US4181161A (en) * 1977-02-02 1980-01-01 Balzers Aktiengesellschaft Fur Hochvakuumtechnik Und Dunne Schichten Method of producing a high vacuum in a container
US4293249A (en) * 1980-03-03 1981-10-06 Texas Instruments Incorporated Material handling system and method for manufacturing line
JPS5730341A (en) * 1980-07-30 1982-02-18 Anelva Corp Substrate processing device
JPS5739914A (en) * 1980-08-25 1982-03-05 Shimizu Construction Co Ltd Method of controlling moisture of high slump concrete
US4433951A (en) * 1981-02-13 1984-02-28 Lam Research Corporation Modular loadlock
JPS57145321A (en) * 1981-03-03 1982-09-08 Nec Corp Dry etching device
JPS57149748A (en) * 1981-03-12 1982-09-16 Anelva Corp Treating device for substrate
US4466766A (en) * 1981-05-20 1984-08-21 Ruska Instrument Corporation Transfer apparatus
JPS57194531A (en) * 1981-05-26 1982-11-30 Toshiba Corp Electron beam transfer device
JPS58292U (ja) * 1981-06-26 1983-01-05 同和機器工業株式会社 冷却兼冷凍装置
JPS58127341A (ja) * 1982-01-25 1983-07-29 Hitachi Ltd 自動ウエハハンドリング装置
DE3214256A1 (de) * 1982-04-17 1983-10-20 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Vorrichtung zur handhabung eines substrates
JPS58204347A (ja) * 1982-05-24 1983-11-29 Nippon Jido Seigyo Kk パタ−ンの欠陥検査装置に用いる被検体の自動装填装置
DE3219502C2 (de) * 1982-05-25 1990-04-19 Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar Vorrichtung zum automatischen Transport scheibenförmiger Objekte
JPS58213429A (ja) * 1982-06-07 1983-12-12 Nec Corp ドライエツチング装置
JPS5956739A (ja) * 1982-09-27 1984-04-02 Ulvac Corp ウエハ装填装置
JPS5994435A (ja) * 1982-11-20 1984-05-31 Tokuda Seisakusho Ltd 真空処理装置
JPS59186326A (ja) * 1983-04-06 1984-10-23 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
US4534695A (en) * 1983-05-23 1985-08-13 Eaton Corporation Wafer transport system
JPS6020515A (ja) * 1983-07-14 1985-02-01 Ulvac Corp 真空処理装置
DE3483828D1 (de) * 1983-09-28 1991-02-07 Hewlett Packard Co Verarbeitungssystem fuer integrierte schaltkreise.
US4584045A (en) * 1984-02-21 1986-04-22 Plasma-Therm, Inc. Apparatus for conveying a semiconductor wafer
JPS60175411A (ja) * 1984-02-22 1985-09-09 Hitachi Ltd 半導体薄膜の製造方法及びその製造装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5480086A (en) * 1977-12-09 1979-06-26 Hitachi Ltd Mask aligner
JPS57113245A (en) * 1980-12-29 1982-07-14 Fujitsu Ltd Sample conveying method into vacuum device
JPS58170028A (ja) * 1982-03-31 1983-10-06 Fujitsu Ltd 真空処理装置
JPS59208837A (ja) * 1983-05-13 1984-11-27 Nec Kyushu Ltd プラズマエツチング装置
JPS6054449A (ja) * 1983-09-05 1985-03-28 Toshiba Corp 半導体ウエハ搬送治具
JPS60102744A (ja) * 1983-11-09 1985-06-06 Hitachi Ltd 真空処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08227929A (ja) * 1988-02-12 1996-09-03 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JPH03134176A (ja) * 1989-10-18 1991-06-07 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置用ユニット

Also Published As

Publication number Publication date
JP2693352B2 (ja) 1997-12-24
JPH0645425A (ja) 1994-02-18
EP0555890B1 (en) 1998-09-02
DE3650697T2 (de) 1999-04-15
DE3650057D1 (de) 1994-10-13
DE3650710D1 (de) 1999-03-04
EP0555890A3 (en) 1993-09-15
JPH0556859B2 (ja) 1993-08-20
JPH04226049A (ja) 1992-08-14
DE3650057T2 (de) 1995-02-16
EP0219826B1 (en) 1994-09-07
EP0555891A2 (en) 1993-08-18
DE3650697D1 (de) 1998-10-08
JPH0658932B1 (ja) 1994-08-03
EP0555891A3 (en) 1993-09-15
JPH0640517A (ja) 1994-02-15
EP0555891B1 (en) 1999-01-20
JPH0658931B1 (ja) 1994-08-03
DE3650710T2 (de) 1999-08-19
EP0555890A2 (en) 1993-08-18
JPH0629369A (ja) 1994-02-04
EP0219826A3 (en) 1989-07-26
EP0219826A2 (en) 1987-04-29

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