JPH08227929A

JPH08227929A - 処理装置

Info

Publication number: JPH08227929A
Application number: JP7302227A
Authority: JP
Inventors: Mitsuru Ushijima; 満牛島; Masami Akumoto; 正己飽本; Osamu Hirakawa; 修平河; Yoshio Kimura; 義雄木村
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date: 1988-02-12
Filing date: 1995-10-27
Publication date: 1996-09-03
Anticipated expiration: 2014-07-28
Also published as: JP2926593B2

Abstract

(57)【要約】【課題】処理工程を必要に応じて選択的に変更が可能
で、処理のスループット性を向上させる。【解決手段】被処理体に溶剤を塗布する塗布処理ユニッ
ト、又は、被処理体を現像する現像処理ユニットを少く
とも１つ以上備えた処理ユニットと、これらの処理ユニ
ットに並設して設けられると共に前記被処理体を前記処
理ユニットに搬入出するための直線状に移動する搬送装
置を備えた搬送ユニットと、この搬送ユニットの前記処
理ユニットと反対側に設けられた前記被処理体を加熱す
る加熱ユニット、又は、前記被処理体を冷却する冷却ユ
ニットを具備する温度制御ユニットとを備えた。【効果】各種プロセスに対応出来ると共に、処理のスル
ープット性を高くすることが出来る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】開示技術は、処理装置技術に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ等の半導体装置の製造には、シリコ
ンのような半導体単結晶のウエハーにトランジスタ等の
素子を形成するために、多数の微細加工工程が含まれ
る。その中で、ウエハーの表面に所定のレジストパター
ンを形成するＰＥＰ（ｐｈｏｔｏｅｎｇｒａｖｉｎｇ
ｐｒｏｃｅｓｓ）は非常に重要な地位を占める。

【０００３】蓋し、該ＰＥＰで形成されるレジストパタ
ーンはエッチングマスク等として使用され、現在の微細
加工技術の基礎を提供するからである。

【０００４】而して、該ＰＥＰにおけるレジストパター
ンの形成は、ウエハー表面にフォトレジストを塗布して
均一な膜厚のフォトレジスト膜を形成する工程と、該フ
ォトレジスト膜の所定領域を選択的に露光する工程と、
露光されたフォトレジスト膜を現像して所望のレジスト
パターンを形成する工程とからなる。

【０００５】このうち露光工程は、例えば、ステップ・
アンド・リピート・アライナー（ステッパーと称され
る）等の露光装置を用いて行われ、他方、基板表面にフ
ォトレジスト膜を形成する工程は、例えば、以下に説明
する装置を用いて行われる。

【０００６】図７はトラック方式と呼ばれるフォトレジ
スト膜形成装置での処理手順を示すフローチャートであ
り、この装置は図示するようにそれぞれ予備加熱工程
４、冷却工程５、塗布工程６、加熱工程８を行う処理ス
テーションを有している。

【０００７】表面にフォトレジスト膜を形成すべき半導
体ウエハー１は、カセット状容器２に収納されてこの装
置に導入され、該半導体ウエハー１は一枚ずつカセット
２から取出され、ベルト搬送機構３により順次各処理ス
テーションに搬送され、所定の処理を施されるようにさ
れ、予備加熱工程４においては、ウエハー１は加熱によ
り水分を除去される。

【０００８】予備加熱されたウエハー１は冷却工程５で
冷却された後、塗布工程６に送られ、該塗布工程６で
は、例えば、スピンナーコーター（ｓｐｉｎｎｅｒｃ
ｏａｔｅｒ）等の塗布装置により、該ウエハー１の表面
にフォトレジストが均一に塗布され、該フォトレジスト
を塗布されたウエハー１はウォーキングビーム方式と称
される搬送機構７を具備した加熱工程８に送られ、該加
熱工程８で加熱されることにより、ウエハー１に塗布さ
れたフォトレジスト液は膜状に安定化される。

【０００９】そして、加熱工程８を終了し、表面に初期
のフォトレジスト薄膜が形成されたウエハー９はベルト
搬送機構３により、処理済みウエハー９を収納するため
のカセット１０に収納される。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上述の如く、従来の装
置においてはそれぞれの独立した処理ステーションが直
列に配置され、処理されるべき半導体ウエハー１はこれ
らのステーションを所定の順序で、且つ、一方通行で必
ず通り、必要の有無に関係なく処理を受けなければなら
ないようになっており、このため、一旦設定された処理
順序を任意に変更することは出来ず、又、ある処理ステ
ーションだけを選択的に通過させることも不可能である
という欠点があった。

【００１１】これを対し、半導体ウエハー１に半導体素
子を形成するに、必要な処理工程はその順序も含めて該
半導体ウエハー１に形成されるＩＣの種類によって変わ
るにもかかわらず、上述従来のフォトレジスト膜形成装
置では、ある処理工程が不要な半導体ウエハー１につい
ても全ての処理工程を実施せざるを得ないため、スルー
プット性を向上する妨げとなっている難点があった。

【００１２】したがって、処理すべき半導体ウエハー１
の種類に応じ、装置に設けられた処理ステーションのう
ち、いずれの処理ステーションをどの順序で使用するか
を任意に変更出来る装置が望まれているがこれに応える
装置が案出されていなかった。

【００１３】この出願の発明の目的は上述の従来事情に
対処してなされたもので、処理工程を必要に応じ選択的
に変更が可能で処理のスループット性が高い製造装置を
提供せんとするものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上述目的に沿い先述特許
請求の範囲を要旨とするこの出願の発明の構成は、前述
課題を解決するために、第１の発明は被処理体に溶剤を
塗布する塗布処理ユニット、又は、被処理体を現像する
現像処理ユニットを少くとも１つ以上備えた処理ユニッ
トと、これらの処理ユニットに並設して設けられると共
に前記被処理体を前記処理ユニットに搬入出するための
直線状に移動する搬送装置を備えた搬送ユニットと、こ
の搬送ユニットの前記処理ユニットと反対側に設けられ
た前記被処理体を加熱する加熱ユニット、又は、前記被
処理体を冷却する冷却ユニットを具備する温度制御ユニ
ットとを備えたことを特徴とする。

【００１５】第２の発明は、前記搬送装置には、少くと
も前記被処理体を１枚以上保持するピンセットを具備し
たことを特徴とする。

【００１６】第３の発明は、前記搬送装置は、所定のプ
ログラムにより前記処理ユニット、又は、前記温度制御
ユニットに対し、前記被処理体を搬入出するよう構成さ
れてなることを特徴とする。

【００１７】第４の発明は、前記ピンセットには、前記
被処理体を保持する３つの支持部が設けられてなること
を特徴とする。

【００１８】第５の発明は、前記ピンセットは複数設け
られ、これらのピンセットは重設して設けられているこ
とを特徴とする。

【００１９】第６の発明は、前記搬送装置は、１方向に
対していったりきたりすることを特徴とする。

【００２０】第７の発明は、前記加熱ユニットは、前記
被処理体に対してＨＭＤＳ処理を行うことを特徴とす
る。

【００２１】第８の発明は、前記加熱ユニットは、前記
被処理体に溶剤を塗布した後の被処理体に対し、加熱処
理することを特徴とする。

【００２２】第９の発明は、前記冷却ユニットは前記加
熱ユニットで処理された被処理体を冷却するよう構成さ
れていることを特徴とする。

【００２３】第１０の発明は、前記複数のピンセット
は、独立して回転可能に構成されていることを特徴とす
る技術的手段を講じたものである。

【００２４】

【作用】而して、この出願の発明の処理装置では対向配
置された複数の工程間を選択して被処理体を搬送出来る
ようにした処理装置により、被処理体の種類に応じた処
理工程を選択し得るようにするものである。

【００２５】

【実施例】以下、この出願の発明の処理装置を塗布現像
装置に適用した一実施例について図面を参照して説明す
る。

【００２６】図１はフォトレジスト膜の塗布現像装置１
００を示す平面図であり、図中１０１は装置本体の基台
である。該基台１０１の中央部には矢印Ｙ方向（横方
向）に延設された通路１０２が設けられており、該通路
１０２の一方側には未処理の半導体ウエハーＷを加熱し
て水分等を除去するためのＨＭＤＳ処理を伴うか、又
は、単に加熱する予備加熱ステーション１０３、予備加
熱された該ウエハーＷを冷却するための冷却ステーショ
ン１０４、例えば、フォトレジスト液を塗布した後のウ
エハーＷを加熱し、乾燥したフォトレジスト膜を形成す
るために用いる垂直方向にそれぞれ２枚の加熱装置を有
する第１、及び、第２の加熱ステーション１０５，１０
６が併置的に設けられている。

【００２７】又、通路１０２の他方側には予備加熱、及
び、冷却を終了した半導体ウエハーＷの表面に、例え
ば、フォトレジスト液を塗布するために用いる第１、及
び、第２の塗布ステーション１０７，１０８が設けられ
ている。

【００２８】尚、当該図１では冷却ステーション１０
４、及び、予備加熱ステーション１０３、第１，第２の
加熱ステーション１０５，１０６が図示の都合上平面的
に配置されているように示されてはいるが、これは便宜
上のもので実際には冷却ステーション１０４の上に予備
加熱ステーション１０３の加熱装置が上下に２枚設けら
れた積層構造となっている。

【００２９】而して、通路１０２には該通路１０２内
を、例えば、ボールスクリュー等の図示しない駆動機構
によってＹ方向に移動するハンドリング手段、例えば、
ウエハー搬送装置１１０が設けられており、該搬送装置
１１０はキャリッジ１１１を有し、該キャリッジ１１１
にはバキュームピンセット、例えば、半導体ウエハーＷ
を吸着保持するための２つのピンセット１１２，１１３
が上下に重畳されて取付けられ、該ピンセット１１２，
１１３はそれぞれ独立にＸ方向（縦方向）、Ｙ方向（横
方向）に移動可能で、重畳されたピンセット１１２，１
１３は同時にＺ方向（垂直方向）にも平行移動が可能
で、又、θ方向に回動することが出来るようにされてお
り、該ピンセット１１２，１１３のこのような平行移
動、及び、回動を可能とするため、キャリッジ１１１に
はステッピングモータ、及び、これに連結されたボール
スクリュー等の図示しない駆動機構が設けられている。

【００３０】ピンセット１１２，１１３は一方のピンセ
ットでウエハーＷを保持して処理ステーションに搬送
し、該処理ステーションに処理済ウエハーＷ_Fがあった
時、他のピンセットで該処理済ウエハーＷ_Fをピックア
ップしセットするようにされ、搬送装置１１０はウエハ
ーＷを前記の各処理ステーション１０３〜１０８に搬送
するために用いられる。

【００３１】基台１０１の左側にはウエハー搬入搬出機
構１２０が設けられており、該搬入搬出機構１２０には
処理前の半導体ウエハーＷ_Bを収容したウエハーカセッ
ト１２２、及び、処理後のウエハーＷ_Fを収容するウエ
ハーカセット１２３が設けられ、又、搬入搬出機構１２
０はウエハーＷの裏面を吸着保持するためのピンセット
１２１を具備しており、該ピンセット１２１は前記のピ
ンセット１１２，１１３と同様の構成により、Ｘ，Ｙ方
向に平行移動が可能になっていて、該ピンセット１２１
は処理前のウエハーＷ_Bをカセット１２２から取出し、
又、処理済みのウエハーＷ_Fをウエハーカセット１２３
に収納する。

【００３２】而して、該搬入搬出機構１２０のピンセッ
ト１２１は処理前のウエハーＷ_Bを搬送装置１１０のピ
ンセット１１２，１１３に渡し、又、処理後のウエハー
Ｗ_Fをピンセット１１２，１１３から受け取るようにさ
れており、この受渡しを可能とするインターフェース機
構３０が通路１０２と搬入搬出機構１２０との境界に設
けられている。

【００３３】又、該搬送装置１１０のピンセット１１
２，１１３は各処理ステーション１０３〜１０８との間
で半導体ウエハーＷの受渡しを行うことによって該半導
体ウエハーＷは所定の順序に従い、各処理ステーション
１０３〜１０８での処理を受けるようにされている。

【００３４】そして、搬送装置１１０の動作は全て図示
しない制御システムによって制御されるようになってお
り、したがって、制御システムのプログラムを変更する
ことによって処理ステーション１０３〜１０８における
処理を任意に設定することが出来、即ち、処理ステーシ
ョン１０３〜１０８における処理の幾つかのみを行うこ
とも処理の順序を変更することも可能である。

【００３５】図２、及び、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に上
記ピンセット１１２，１１３，１２１を詳細に記載して
おり、これの図において、２１はピンセット本体であ
り、該ピンセット本体２１には３つの支点２２，２３，
２４が突設され、半導体ウエハーＷはこれらの支点によ
って三点支持され、この三点支持は該ピンセット本体２
１の表面のコミの付着を防止する効果がある。

【００３６】これらの支点２２〜２４のうち、２４には
その頂面に開口した真空吸着のための吸引口が設けられ
ている。

【００３７】又、半導体ウエハーＷのアライメントのた
めに、該半導体ウエハーＷの周縁に対応した円弧状のガ
イド部材２５とストッパ部材２６とが設けられており、
半導体ウエハーＷは、まず、図３（Ａ）に示す状態でピ
ンセット上に載置され、この状態では該半導体ウエハー
Ｗはアライメントされておらず、真空吸着もされていな
いが、次いで、図３（Ｂ）に示す様に、ピンセット本体
２１をストッパ部材２６に向けて水平に移動させ、半導
体ウエハーＷのオリエンテーションフラットＷ_aをスト
ッパ部材２６に当接させ、その後、更に水平移動を続け
ることにより、該半導体ウエハーＷはピンセット本体２
１の支点２２〜２４上をスライドし、最終的にはガイド
部材２５に当接して停止する。

【００３８】したがって、もし図３（Ａ）の状態で半導
体ウエハーＷの位置がピンセット本体２１の中央部から
ズレていたとしても、ガイド部材２５に案内されること
によって、該ピンセット本体２１中央の所定位置にアラ
イメントすることが出来る。

【００３９】図４は通路１０２とウエハー搬入搬出機構
１２０との境界に設けられたインターフェース機構３０
を示しており、該インターフェース機構３０はピンセッ
ト１２１とピンセット１１２，１１３との間で受渡しさ
れる半導体ウエハーＷを一時待機させる機能を有し、真
空吸着機構により該半導体ウエハーＷを保持する保持部
材３１と該保持部材３１を昇降させるための駆動装置
（例えばエアシリンダ）３２とからなり、搬入搬出機構
１２０のピンセット１２１が図示の位置に半導体ウエハ
ーＷを搬送してくると、保持部材３２が上昇し、図示の
様に該半導体ウエハーＷを持上げて保持するようにし、
次に、レジスト塗布現像装置１００側のウエハー搬送装
置１１０が図示のインターフェース機構３０の位置に移
動し、そして、保持部材３１が下降することにより、該
保持部材３１に保持されている半導体ウエハーＷはピン
セット１１２、又は、１１３に載置され、該ピンセット
１１２，１１３からピンセット１２１への半導体ウエハ
ーＷの受渡しも上述同様にして行われる。

【００４０】次に、上述実施例の装置１００によって半
導体ウエハーＷの表面にフォトレジスト膜を形成する工
程を順を追って説明すると、該工程は既述の制御システ
ムの予め記憶されたプログラムに基づいて実施される。

【００４１】まず、搬入搬出機構１２０のピンセット１
２１によりカセット１２２から半導体ウエハーＷを１枚
取出し、インターフェース機構３０の位置まで搬送し、
搬送されてきた該半導体ウエハーＷは該インターフェー
ス機構３０を介して通路１０２の左端に待機している搬
送装置１１０の一方のピンセット、例えば、ピンセット
１１２に渡され吸着保持されるが、この際、１つのカセ
ット１２２に同一種の半導体ウエハーＷのみが収納され
ている場合には、カセット１２２にＩＤコードを表示
し、該ＩＤコードを読取って製造工程プログラムを選択
するようにしても良い。

【００４２】以下、予備加熱ステーション１０３、冷却
ステーション１０４、第１の塗布ステーション１０７、
第１の加熱ステーション１０５での処理がこの順序で選
択された場合について説明する。

【００４３】まず、半導体ウエハーＷを受取ったピンセ
ット１１２を予備加熱ステーション１０３に向かって移
動させ、該半導体ウエハーＷを予備加熱ステーション１
０３にセットして予備加熱するが、当該予備加熱はヒー
タプレートにより構成し、該半導体ウエハーＷを該ヒー
タプレート上に載置するようにし、この時、該半導体ウ
エハーＷは該ヒータプレート上に直接接触させず、三点
支持により０．３ｍｍ程度浮かせるとゴミ対策が良好で
ある。

【００４４】この間にピンセット１２１を移動させて２
番目の半導体ウエハーＷをカセット１２２から取出し、
前記インターフェース機構３０に待機させておくように
し、最初の半導体ウエハーＷを予備加熱ステーション１
０３に搬入し終った後、搬送装置１１０は該インターフ
ェース機構３０から２番目の半導体ウエハーＷをピンセ
ット１１２で受取り、該ピンセット１１２上に吸着保持
するようにし、該予備加熱ステーション１０３での最初
の半導体ウエハーＷの処理が終了するまでそのまま待機
する。

【００４５】該最初の半導体ウエハーＷの予備加熱処理
が終了した時、搬送装置１１０は次の動作を行い、即
ち、まず半導体ウエハーＷを保持していないピンセット
１１３を移動させることにより、予備加熱処理が終了し
た最初の半導体ウエハーＷを予備加熱ステーション１０
３から取出す。

【００４６】こうして該予備加熱ステーション１０３を
空にした後、２番目の半導体ウエハーＷを保持している
ピンセット１１２を動作させ、２番目の半導体ウエハー
Ｗを予備加熱ステーション１０３にセットし、次いで、
ピンセット１１２，１１３をＹ方向，θ方向，Ｚ方向に
移動し、冷却ステーション１０４位置に移動し、基板を
保持したピンセット１１３をＸ方向に動作し、この最初
の半導体ウエハーＷを該冷却ステーション１０４にセッ
トする。

【００４７】この動作から２つのピンセット１１２，１
１３を設けた利点が理解される。即ち、ピンセットが１
つしかない場合には、搬送装置１１０はまず最初の半導
体ウエハーＷを予備加熱ステーション１０３から取出
し、これを冷却ステーション１０４にセットし、その後
にインターフェース機構３０から２番目の半導体ウエハ
ーＷを受取ってこれを予備加熱ステーション１０３にセ
ットする動作を行わなければならない。

【００４８】尚、上述の動作が行われている間に、搬入
搬出機構１２０ではピンセット１２１により次に処理す
る３番目の半導体ウエハーＷをインターフェース機構３
０に待機させておく。

【００４９】次に、搬送装置１１０は該インターフェー
ス機構３０から３番目の半導体ウエハーＷをピンセット
１１２に保持し、そして、冷却ステーション１０４での
処理が終了するまで待機させる。

【００５０】而して、最初の半導体ウエハーＷの冷却工
程が終了した時、搬送装置１１０は半導体ウエハーＷを
保持していない方のピンセット１１３で該冷却ステーシ
ョン１０４内の半導体ウエハーＷを取出し、次にプログ
ラムされたフォトレジストの塗布工程のための第１の塗
布ステーション１０７にセットし、この塗布処理の間に
予備加熱ステーション１０３における２番目の半導体ウ
エハーＷの処理が終了したら、搬送装置１１０は該半導
体ウエハーＷを保持していない方のピンセット１１３に
よってこの半導体ウエハーＷを予備加熱ステーション１
０３から取出し、ピンセット１１２に保持している３番
目の半導体ウエハーＷを予備加熱ステーション１０３に
セットすると同時に、ピンセット１１３に保持している
２番目の半導体ウエハーＷを冷却ステーション１０４に
セットするが、この動作は既述した態様と同じである。

【００５１】尚、もし最初の半導体ウエハーＷの冷却工
程が終了する前に、２番目の半導体ウエハーＷの予備加
熱処理が終了する場合には、次のような動作を行うよう
にプログラムすることも可能である。

【００５２】即ち、まず３番目の未処理の半導体ウエハ
ーＷをピンセット１１２に保持した状態で、ピンセット
１１３により２番目の半導体ウエハーＷを予備加熱ステ
ーション１０３から取出し、続いてピンセット１１２に
保持されている３番目の半導体ウエハーＷを予備加熱ス
テーション１０３にセットした後待機する。

【００５３】そして、冷却ステーション１０４における
最初の半導体ウエハーＷの冷却工程が終了した後、この
最初の半導体ウエハーＷをピンセット１１２、又は、１
１３で取出し、第１の塗布ステーション１０７にセット
するが、この塗布は、例えば、レジスト液を滴下スピン
コーティング装置により実行する。

【００５４】而して、第１の塗布ステーション１０７に
おいて最初の半導体ウエハーＷに対するフォトレジスト
の塗布処理が終了した時、搬送装置１１０はピンセット
１１３によりこの半導体ウエハーＷを第１の塗布ステー
ション１０７から取出し、続いてＹ方向に沿って右側に
移動し、取出した最初の半導体ウエハーＷを第１の加熱
ステーション１０５にセットして加熱処理を行い、当該
加熱処理を行っている間に冷却ステーション１０４内で
の２番目の半導体ウエハーＷの冷却処理が終了したら、
搬送装置１１０はこの半導体ウエハーＷをピンセット１
１３にて取出し、更に第１の塗布ステーション１０７に
セットしてフォトレジストの塗布を開始する。

【００５５】そして、第１の加熱ステーション１０５に
於て最初の半導体ウエハーＷの処理が終了し、所望のフ
ォトレジスト膜が形成されたら、搬送装置１１０はこの
最初の半導体ウエハーＷをピンセット１１３にて取出
し、続いて、搬送装置１１０はＹ方向左側に移動し、ピ
ンセット１１３に保持した半導体ウエハーＷを前記のイ
ンターフェース機構３０に渡す。

【００５６】該インターフェース機構３０での待機中、
半導体ウエハーＷを直接載置部に接触させず、僅かに浮
かせて載置することがゴミ対策上有効であり、又、待機
機構はキャリアカセットにより構成すると更に有利であ
る。

【００５７】このようにして処理済みの半導体ウエハー
Ｗ_Fがインターフェース機構３０に待機されると、搬入
搬出機構１２０のピンセット１２１がこの半導体ウエハ
ーＷ_Fを受取り、カセット１２３に収納する。

【００５８】以上述べた一連の処理動作はカセット１２
２内の未処理の半導体ウエハーＷ_Bがなくなるまで続け
られる。

【００５９】尚、上述の動作説明では第１の塗布ステー
ション１０７と第１の加熱ステーション１０５とを用い
たが、これらの代わりに第２の塗布ステーション１０
８、及び、第２の加熱ステーション１０６を使用しても
良いし、又、フォトレジストの塗布工程及び／又は加熱
工程が他の工程に較べて時間がかかる場合には、２つの
塗布ステーション１０７，１０８及び／又は２つの加熱
ステーション１０５，１０６を同時に使用することも可
能である。

【００６０】ところで、上述のフォトレジスト膜形成工
程を実施する際、プログラムされたプロセスが適切なも
のであるか否かを確認するために、１枚の半導体ウエハ
ーＷについて試しに処理を行ってみるのが普通であり、
この場合、試しの処理が終了したテストウエハーＷ_Tを
検査のためにカセット１２１から取出す必要があるが、
この取出しを容易にするため、図５に示す様に、カセッ
ト１２３の基部に引出し可能なレシーバ４０を設けるの
が好ましく、該レシーバ４０の一端には取手４１を設
け、内部にはウエハー載置台４２を設けておくように
し、試しの処理を終了したテストウエハーＷ_Tはピンセ
ット１２１によって開口部４３から挿入され、載置台４
２に載せられ、したがって、該テストウエハーＷ_Tはレ
シーバ４０を図示のように引出すことによって容易に取
出すことが出来る。

【００６１】尚、上述の動作説明では第１の塗布ステー
ション１０７と第１の加熱ステーション１０５とを用い
たが、これらの代わりに、第２の塗布ステーション１０
８、及び、第２の加熱ステーション１０６を使用しても
良く、又、フォトレジストの塗布工程及び／又は加熱工
程が他の工程に較べて時間がかかる場合には、２つの塗
布ステーション１０７，１０８及び／又は２つの加熱ス
テーション１０５，１０６を同時に使用することも可能
である。

【００６２】以上の動作説明から明らかなように、上述
実施例の装置によれば半導体ウエハーの表面にフォトレ
ジスト膜を形成するために必要な複数の工程を、その順
序をも含めた任意に組合せて最良の工程をプログラムす
ることが出来、したがって、処理すべき半導体ウエハー
の種類に応じて最も効率の良い組合せプロセスを選択
し、最大のスループットを得ることが出来る。

【００６３】又、搬送装置１１０が２つのピンセット１
１２，１１３を有し、それぞれ独立の動作をすることか
ら、処理の自由度が高く、例えば、次工程のステーショ
ンに半導体ウエハーＷが存在していると、その工程は半
導体ウエハーＷの入替えが出来ないといった不都合がな
い。

【００６４】尚、搬送機構１１０のピンセットは必ずし
も２つである必要はなく、３つ以上であっても良い。

【００６５】更に、各処理ステーションを通路１０２に
沿ってその両側に配設しているため、搬送装置１１０の
動作プログラムを変更する際の自由度が極めて高く、し
たがって、処理プログラムの変更が容易であり、又、予
備加熱ステーション１０３と冷却ステーション１０４と
を上下に積層配置したため、設置のために必要な床面積
も節減される。

【００６６】上述の実施例の装置は、所定のパターンで
露光されたフォトレジスト膜を現像し、レジストパター
ンを形成する装置としても使用することが出来、その場
合、塗布ステーション１０７，１０８に現像液を塗布す
る装置も設けられており、現像装置は、例えば、変速回
転中の半導体ウエハーＷ上に現像液をジェット状に噴出
させて現像する構成としても良いものである。

【００６７】又、２つの塗布ステーション１０７，１０
８のいずれか一方をフォトレジストの塗布に用い、他方
を現像液の塗布に用いることによりフォトレジスト膜の
形成、及び、現像の両方を行う装置として使用すること
が出来、その際、通路１０２の右端にも図４の様なイン
ターフェース機構３０を設け、露光装置との間で半導体
ウエハーＷの受渡しを行えるようにすることにより、レ
ジスト塗布から現像までを一貫した連続プロセスとして
実施することも出来る。

【００６８】尚、処理ユニットを複数連設したい場合に
は、通路１０２の延長線上に次の通路が形成されるよう
に構成し、この接続部に半導体ウエハーＷの待機機構、
例えば、キャリアステーションを設けると良い。

【００６９】即ち、例えば、図６に示す様に、カセット
１２２，１２３内の半導体ウエハーＷを搬出、或いは、
カセット１２２，１２３内へ搬入するアーム１２０ａを
有する搬入搬出機構１２０と、インターフェース機構３
０で半導体ウエハーＷの受渡しを行う搬送装置１１０ａ
を有する第１の処理系１５０により上述したような動作
で各処理を行い、例えば、この第１の処理系１５０にＨ
ＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）処理ステーション１
５１、第１の加熱ステーション１５２、第１の冷却ステ
ーション１５３、第１層目のレジストを回転塗布する第
１の塗布ステーション１５４、第２層目のレジストを回
転塗布する第２の塗布ステーション１５５を設け、これ
ら各ステーションに選択的に半導体ウエハーＷを搬送し
て処理を行い、更に、複数の処理ステーション、例え
ば、第２の加熱ステーション１５６、第２の冷却ステー
ション１５７、露光工程時の光乱反射を防止するために
レジスト上面にＣＥＬ膜等の表面被覆層を塗布形成する
第３の塗布ステーション１５８等がそれぞれ対向配置さ
れ、且つ、これら各ステーションに半導体ウエハーＷを
搬送する搬送装置１１０ｂを備えた第２の処理系１５９
を設け、該第２の処理系１５９、及び、第１の処理系１
５０の間に待機機構１６０を配置させ、該待機機構１６
０には半導体ウエハーＷ１枚を載置出来る載置台１６１
を設け、上記インターフェース機構３０における半導体
ウエハーの受渡しと同様に、上記載置台１６１を利用し
て第１の処理系１５０の搬送装置１１０ａと第２の処理
系１５９の搬送装置１１０ｂとの間で該半導体ウエハー
Ｗの受渡しを行うようにするが、該待機機構１６０の構
成は載置台１６１を設けずにバッファー用カセット（図
示せず）を設け、該カセットにより複数枚の半導体ウエ
ハーＷを待機出来る構造としても良く、該バッファー用
カセットにより、搬送機構１１０ａ、及び、搬送機構１
１０ｂの作業量の差があっても、一方の搬送機構が待機
する時間を少くすることが可能となる。

【００７０】このように待機機構１６０を介して搬送機
構を２系統とすることにより、処理ステーションの増加
に容易に対応出来ると共に、高スループット処理が可能
となる。

【００７１】そして、上記搬送機構は２系統に限定する
ものではなく、３系統以上としても良く、待機機構の増
設に伴って増加させることが出来る。

【００７２】上述実施例では、処理装置としてレジスト
の塗布現像処理に適用した例について説明したが、これ
に限定するものではなく、例えば、エッチング処理、Ｃ
ＶＤ処理、アッシング処理等では同様な効果が得られ
る。

【００７３】

【発明の効果】以上、説明したようにこの出願の発明に
よれば、各種プロセスに対応出来ると共に、処理のスル
ープット性を高くすることが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この出願の発明の装置の１実施例を説明するた
めの塗布現像装置の構成図である。

【図２】図１のピンセット説明図である。

【図３】図１のピンセット説明図である。

【図４】図１装置のインターフェース機構説明図であ
る。

【図５】図１のカセット説明図である。

【図６】この出願の発明の装置の他の実施例の説明図で
ある。

【図７】従来の塗布装置の構成図である。

【符号の説明】

１１０搬送装置１１２，１１３ピンセット１２０搬入搬出機構１６０待機機構

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｊ (72)発明者平河修熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地テル九州株式会社内 (72)発明者木村義雄熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地テル九州株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体に溶剤を塗布する塗布処理ユニッ
ト又は、被処理体を現像する現像処理ユニットを少くと
も１つ以上備えた処理ユニットと、これらの処理ユニットに並設して設けられると共に前記
被処理体を前記処理ユニットに搬入出するための直線状
に移動する搬送装置を備えた搬送ユニットと、この搬送ユニットの前記処理ユニットと反対側に設けら
れた前記被処理体を加熱する加熱ユニット又は、前記被
処理体を冷却する冷却ユニットを具備する温度制御ユニ
ットとを備えたことを特徴とする処理装置。
【請求項２】前記搬送装置には、少くとも前記被処理体
を１枚以上保持するピンセットを具備したことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の処理装置。
【請求項３】前記搬送装置は、所定のプログラムにより
前記処理ユニット又は前記温度制御ユニットに対し、前
記被処理体を搬入出するよう構成されてなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の処理装置。
【請求項４】前記ピンセットには、前記被処理体を保持
する３つの支持部が設けられてなることを特徴とする特
許請求の範囲第２項記載の処理装置。
【請求項５】前記ピンセットは複数設けられ、これらの
ピンセットは重設して設けられていることを特徴とする
特許請求の範囲第２項記載の処理装置。
【請求項６】前記搬送装置は、１方向に対していったり
きたりすることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の処理装置。
【請求項７】前記加熱ユニットは、前記被処理体に対し
てＨＭＤＳ処理を行うことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の処理装置。
【請求項８】前記加熱ユニットは、前記被処理体に溶剤
を塗布した後の被処理体に対し、加熱処理することを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の処理装置。
【請求項９】前記冷却ユニットは前記加熱ユニットで処
理された被処理体を冷却するよう構成されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の処理装置。
【請求項１０】前記複数のピンセットは、独立して回転
可能に構成されていることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の処理装置。