JPS59208837A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
- Publication number
- JPS59208837A JPS59208837A JP8365583A JP8365583A JPS59208837A JP S59208837 A JPS59208837 A JP S59208837A JP 8365583 A JP8365583 A JP 8365583A JP 8365583 A JP8365583 A JP 8365583A JP S59208837 A JPS59208837 A JP S59208837A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafers
- wafer
- chamber
- cylinder
- carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
板型枚葉処理プラズマエツチング装置に関するものであ
る。
る。
従来のプラズマエツチング装置は第１図（ｌζ示すよう
に、真空予備室２内のキャリア１０にウエノ・ース表面
を上向きにしてウエノ・−ス１１を支え、該ウェハース
１１をシリンダー４により水平移動させて真空予備室２
からウニ・・−ス処理室１に送り込み、該ウェハース１
１を高圧電極１３の上面に載置してエツチングを行ない
、エツチング処理されたウエノ・−ス１１を再びシリン
ダー７で室２内のキャリア１０上に戻していた。この場
合、ウェハース表面よりエツチングされたものが電極あ
るいはウエノ・−ス処理室等に耐着し、この付着したも
のが堆積し、やがてゴミとなる。従来、ウエノ・−ス１
１はそのウェハース表面を上向きにして搬送或いはエツ
チング処理するため、ゴミが搬送中あるいはエツチング
中にウェハース表面に落下し、落下した表ｔ０１にエツ
チング処理が行われることになり、エツチング処理を生
じ、製品の品質に大きく影響してい／こ。
に、真空予備室２内のキャリア１０にウエノ・ース表面
を上向きにしてウエノ・−ス１１を支え、該ウェハース
１１をシリンダー４により水平移動させて真空予備室２
からウニ・・−ス処理室１に送り込み、該ウェハース１
１を高圧電極１３の上面に載置してエツチングを行ない
、エツチング処理されたウエノ・−ス１１を再びシリン
ダー７で室２内のキャリア１０上に戻していた。この場
合、ウェハース表面よりエツチングされたものが電極あ
るいはウエノ・−ス処理室等に耐着し、この付着したも
のが堆積し、やがてゴミとなる。従来、ウエノ・−ス１
１はそのウェハース表面を上向きにして搬送或いはエツ
チング処理するため、ゴミが搬送中あるいはエツチング
中にウェハース表面に落下し、落下した表ｔ０１にエツ
チング処理が行われることになり、エツチング処理を生
じ、製品の品質に大きく影響してい／こ。
また、ウェハース処理室を頻繁に清掃する必要があるだ
め、装置のダウンタイムが増加し、作業能率が著しく低
下していた。
め、装置のダウンタイムが増加し、作業能率が著しく低
下していた。
本発明は前記問題点を解消するもので、真空予備室内の
キャリアに、ウェハース表面を下に向けてウェハースの
周辺のみを支え、外部よりピストン式に該キャリアに支
えられたウェハースを１枚ずつウェハースの周辺を支え
るガイドに沿ってウェハース処理室へ水平移動させて搬
入し、ウェハース表面を下向きのままウェハースの周辺
をリングに支え、これを上部の高圧電極まで持ち上げて
該高圧電極に押し付けた状態でプラズマエツチングを行
ない、エツチング終了後ウェハースの乗ったリングを下
へ降ろし、ウェハース表面を下向きでウェハースのみを
真空予備室のキャリアへ搬送するようにしてエツチング
処理を行なうようにしたことを特徴とするものである。
キャリアに、ウェハース表面を下に向けてウェハースの
周辺のみを支え、外部よりピストン式に該キャリアに支
えられたウェハースを１枚ずつウェハースの周辺を支え
るガイドに沿ってウェハース処理室へ水平移動させて搬
入し、ウェハース表面を下向きのままウェハースの周辺
をリングに支え、これを上部の高圧電極まで持ち上げて
該高圧電極に押し付けた状態でプラズマエツチングを行
ない、エツチング終了後ウェハースの乗ったリングを下
へ降ろし、ウェハース表面を下向きでウェハースのみを
真空予備室のキャリアへ搬送するようにしてエツチング
処理を行なうようにしたことを特徴とするものである。
以下、本発明の一実施例を図面によって説明するＯ
第２図に示すように本発明装置は、ウェハース処理室１
と真空予備室２とを備え、それぞれの室はバルブ１５で
区切られており、とのバ〃４プ１５を開いて、ウェハー
ス１１をシリンダー４又は７により室相互間で搬入搬出
する。なお各室は４Ｗｌ気装ｆ６３によって真空に排気
される。未処理のウェハース１１は真空予備室２の中の
キャリア１ｏに表面が下向きにセットされている。バル
ブ１５を開はノこ状態で未処理ウェハース１１はシリン
ダー４によって室２内のガイド９に水平移動によシ送り
込まれる。第３図に示すように、カイト９はウェハース
１１の周辺部のみを支えるようにしてあり、カイト９の
終端には円弧の一部を切欠いたリング８が同一高さで配
置されており、未処理ウェハース１１ｉｌ″Ｊ：水平移
動させられてその周辺がリング８に支えられる。
と真空予備室２とを備え、それぞれの室はバルブ１５で
区切られており、とのバ〃４プ１５を開いて、ウェハー
ス１１をシリンダー４又は７により室相互間で搬入搬出
する。なお各室は４Ｗｌ気装ｆ６３によって真空に排気
される。未処理のウェハース１１は真空予備室２の中の
キャリア１ｏに表面が下向きにセットされている。バル
ブ１５を開はノこ状態で未処理ウェハース１１はシリン
ダー４によって室２内のガイド９に水平移動によシ送り
込まれる。第３図に示すように、カイト９はウェハース
１１の周辺部のみを支えるようにしてあり、カイト９の
終端には円弧の一部を切欠いたリング８が同一高さで配
置されており、未処理ウェハース１１ｉｌ″Ｊ：水平移
動させられてその周辺がリング８に支えられる。
リング８はシリンダー６によって持ち上げられ、高圧電
極１３にウェハース１１の裏面が押し１寸けられる。リ
ング８の一端は第４図に示すようにシリンダー７の先端
がウェハースに当る部分は逃け８ａがつくられている。
極１３にウェハース１１の裏面が押し１寸けられる。リ
ング８の一端は第４図に示すようにシリンダー７の先端
がウェハースに当る部分は逃け８ａがつくられている。
一方、シリンダー４は元の位置まで戻った時点でバルブ
１５が閉シる。ウェハース処理室１にはガスがガス導入
用バルブ１２４ｆ：通して供給され、高圧電極１３には
高周波電源１４より高周波電圧が印加されプラズマエツ
チングが行なわれる。エツチング終了後、ウェハース表
面を下向きでウェハース１１を乗ぜたリング８はシリン
ダー６によって元の位置まで下がる。処理済のウェハー
ス１１はシリンダー７によってガイド９に沿って水平移
動され、キャリア１０に収納される。収納されたキャリ
ア１０はシリンダー５によって１ピツチ移動し、つぎの
未処理ウェハース１１が再びウェハース処理室１へ送り
適寸れていく。つまり、ウニ・・−ス１１は常に表面が
下向きになって搬送、エツチングが連続的に繰り返され
る。
１５が閉シる。ウェハース処理室１にはガスがガス導入
用バルブ１２４ｆ：通して供給され、高圧電極１３には
高周波電源１４より高周波電圧が印加されプラズマエツ
チングが行なわれる。エツチング終了後、ウェハース表
面を下向きでウェハース１１を乗ぜたリング８はシリン
ダー６によって元の位置まで下がる。処理済のウェハー
ス１１はシリンダー７によってガイド９に沿って水平移
動され、キャリア１０に収納される。収納されたキャリ
ア１０はシリンダー５によって１ピツチ移動し、つぎの
未処理ウェハース１１が再びウェハース処理室１へ送り
適寸れていく。つまり、ウニ・・−ス１１は常に表面が
下向きになって搬送、エツチングが連続的に繰り返され
る。
またウェハース１１は、従来のようにただ高圧電極の上
に乗せているのではなく、シリンダー６によって強性的
に高圧電極１３に押し付けられるので、高圧電極内部で
行っている冷却水１６の冷却効果は大きくウェハース１
１表面のレジストへのダメージが軽減できる。
に乗せているのではなく、シリンダー６によって強性的
に高圧電極１３に押し付けられるので、高圧電極内部で
行っている冷却水１６の冷却効果は大きくウェハース１
１表面のレジストへのダメージが軽減できる。
以上説明したように、本発明はウェハース表面を下向き
でウェハースを搬送し、エツチング処理するようにした
ため、ウェハース表面を清浄に保ってエツチング処理を
行なうことができ、エツチング不良を回避して製品の品
質を良くすることができる。丑だ、ウェハース処理室を
頻繁に７１１ｊ帰することなく、ウェハース表面を清浄
に保てる／こめ、装置の停止時間を短縮して作業能率を
向上できる効果を有するものである。
でウェハースを搬送し、エツチング処理するようにした
ため、ウェハース表面を清浄に保ってエツチング処理を
行なうことができ、エツチング不良を回避して製品の品
質を良くすることができる。丑だ、ウェハース処理室を
頻繁に７１１ｊ帰することなく、ウェハース表面を清浄
に保てる／こめ、装置の停止時間を短縮して作業能率を
向上できる効果を有するものである。
第１図は従来のプラズマエツチング装置の構成図、第２
図は本発明のプラズマエツチング装置の構成図、第３図
は第２図のＡ −Ａ’がら見た平面図、第４図は第３図
のＢ部詳細図である。 ■・・・ウェハース処理室、２・・真空予備室、３・・
・排気装置、４，５，６．７・・・シリンダー、８・・
・リング、９・・・ガイド、１０・・・キャリア、１１
・・・ウェハース、１２−・ガス導入用バルブ、１３・
・・高圧電極、１４・・・高周波電源、１５・・・バル
ブ、１６・・・冷却水特許出願人 九州日本電気株式
会社 第１図 第２図
図は本発明のプラズマエツチング装置の構成図、第３図
は第２図のＡ −Ａ’がら見た平面図、第４図は第３図
のＢ部詳細図である。 ■・・・ウェハース処理室、２・・真空予備室、３・・
・排気装置、４，５，６．７・・・シリンダー、８・・
・リング、９・・・ガイド、１０・・・キャリア、１１
・・・ウェハース、１２−・ガス導入用バルブ、１３・
・・高圧電極、１４・・・高周波電源、１５・・・バル
ブ、１６・・・冷却水特許出願人 九州日本電気株式
会社 第１図 第２図
Claims (1)
- （１）プラズマエツチングするウェハース処理室とウェ
ハースを前記処理室へ送り込む真空予備室とを有し、ｉ
ｉｊ記真空予備室中に、ウェハース表面を下に向けてウ
エノ・−ス周辺を支えるキャリアと、前記キャリアから
１枚ずつウェハースをウエノ・−ス処理室へ送り込む機
構とを備え、前記ウェハース処理室に、送り込まれたウ
エノ・−スをウエノ・−ス処理室内に設けられた高圧電
極に向かって上下に動かす機構と、ウェハース処理室に
あるウェハースを真空予備室内の前記キャリアに収納す
る機構とを備えたことを特徴とする平行平板型枚葉処理
プラズマエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8365583A JPS59208837A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8365583A JPS59208837A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59208837A true JPS59208837A (ja) | 1984-11-27 |
Family
ID=13808465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8365583A Pending JPS59208837A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59208837A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62181440A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-08-08 | テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド | ウェーハ処理方法 |
| JPS63308928A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-16 | Fuji Electric Co Ltd | ウエハ搬送装置 |
| CN101825841A (zh) * | 2010-03-30 | 2010-09-08 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 掩膜存储清洗系统 |
-
1983
- 1983-05-13 JP JP8365583A patent/JPS59208837A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62181440A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-08-08 | テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド | ウェーハ処理方法 |
| JPH04226049A (ja) * | 1985-10-24 | 1992-08-14 | Texas Instr Inc <Ti> | ウェーハ処理モジュールとウェーハ処理方法 |
| JPH0640517A (ja) * | 1985-10-24 | 1994-02-15 | Texas Instr Inc <Ti> | ウェーハ移送方法及び集積回路ステーション |
| JPS63308928A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-16 | Fuji Electric Co Ltd | ウエハ搬送装置 |
| JPH0581177B2 (ja) * | 1987-06-11 | 1993-11-11 | Fuji Electric Co Ltd | |
| CN101825841A (zh) * | 2010-03-30 | 2010-09-08 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 掩膜存储清洗系统 |
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