JPS645883Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は半導体製造工程のエピタキシヤル工程
で形成されるシリコンマウンドの除去に用いられ
るマウンドクラツシユ装置に関するものである。

バイポーラー型トランジスタやI.C.では半導体
ウエハーの表面に比抵抗の小さいエピタキシヤル
層を形成する。その成長過程においてウエハー表
面にシリコン粉やゴミ等があると、その部分は突
起状に成長し、いわゆるシリコンマウンドが形成
される。ところで、ウエハー上に回路パターンを
形成するために、ガラスマスクパターンの転写と
写真触刻技術を利用した目合せ露光装置が使用さ
れる。この装置はウエハーとガラスマスクとを密
着させてパターンの転写を行なうため、シリコン
マウンドがウエハー上に形成されていると、ガラ
スマスクに傷がつきガラスマスクが使用不能にな
るばかりでなく、１枚のガラスマスクで数10枚の
ウエハーを処理するため全てのウエハーにその傷
が転写され、良品歩留りが低下する大きな要因と
なつている。そこで成長したシリコンマウンドを
除去するためにマウンドクラツシユ装置が使用さ
れる。

従来のマウンドクラツシユ装置の一例を第１図
ａ，ｂに示す。すなわち、作業開始前にホルダー
１に超硬基板からなるクラツシユ板３を吸着用真
空溝２を通して真空吸着し固定する。次に、ウエ
ハー４を載置台５上に載置して真空吸着させ、エ
アー吸入口６よりエアーを供給し、シリンダー７
を上昇させる。シリンダー７と載置台５とは、ウ
エハー４とクラツシユ板３との平行を維持するた
めのイコライズ部８を介して一体となつているた
めに、シリンダー７が上昇すると、載置台５、ウ
エハー４が上昇しウエハー４がクラツシユ板３下
面に押し当てられる。この際の加圧力によりウエ
ハー面上に成長したシリコンマウンドを潰す。こ
のとき、クラツシユ板３下面に付着したシリコン
クズを取り除かないと以後処理するウエハー４に
傷をつけることになるため、ウエハー４を１枚処
理する度毎にクラツシユ板３下面を清掃する必要
がある。そこで、第１図ｂに示すように、ブラシ
９をクラツシユ板下面に前後に移動させてクラツ
シユ板下面に付着したシリコンクズを取除いてい
た。

しかし、従来のマウンドクラツシユ装置では、
クラツシユ板をホルダーに吸着保持させる動作
と、クラツシユ板とウエハーとの平行出しを行な
う動作とを切り離して行なわなければならず、作
業能率がきわめて悪いという問題があつた。

本考案の特徴は、半導体ウエハー上に形成され
た突起物をクラツシユ板で潰すマウンドクラツシ
ユ装置において、前記クラツシユ板を下面に保持
するホルダーと、前記半導体ウエハーを上面に載
置する台であつて前記ホルダー下に位置しかつ上
下動の可能な載置台と、前記ホルダー下よりその
外部へと水平に延在するスライドガイドと、前記
クラツシユ板を搬送する台であつて前記スライド
ガイドにより案内されて前記ホルダー下と前記外
部との間を水平に移動しかつ前記載置台よりも大
きい開口部を有する搬送台と、前記外部に位置す
るクラツシユ板清掃部とを具備し、これにより、
前記開口部をふさぐようにして前記クラツシユ板
を載置した前記搬送台を前記スライドガイドの案
内により前記ホルダー下に進入させ、ここで前記
半導体ウエハーを上面に載置した前記載置台の前
記開口部を貫いた上昇動作により前記クラツシユ
板の前記ホルダーの下面への保持、前記半導体ウ
エハー上の前記突起物の前記クラツシユ板による
潰し作業を可能とし、かつ、前記潰し作業の後に
前記外部における清掃部において前記搬送台上の
前記クラツシユ板の下面に付着したクズの除去を
可能としたマウンドクラツシユ装置である。

以下、本考案の実施例を図によつて説明する。
尚第１図と同一構成のものには同一符号を付して
説明する。

第２図ａ，ｂに示すように、本考案は半導体ウ
エハー上に形成された突起物（以下、マウンドと
いう）をクラツシユ板で潰す動作（以下、クラツ
シユ動作という）を行なうマウンドクラツシユ装
置において、ホルダー１に吸着保持させるクラツ
シユ板３を搬入搬出させる搬送台１０を備え、該
搬送台１０に開口部１０ａを設け、搬入された搬
送台１０上のクラツシユ板３をホルダー１に向け
て押上げる載置台５をホルダー下方に進入した搬
送台１０の開口部１０ａを通して昇降可能に設置
したものである。また、ホルダー１の内外にスラ
イドガイド１１を水平に設置し、該スライドガイ
ド１１に搬送台１０を案内させる。またホルダ１
下方から引き出した搬送台１０の搬出位置には、
クラツシユ板の下面を清掃するブラシ９を設置す
る。１２はクラツシユ板３の浮き上がりを防止す
る押さえローラーである。

次に実施例における動作を説明する。

半導体ウエハー４を載置台５上に載置しウエハ
ー吸着用真空吸入口１３を通して真空吸着させた
後、クラツシユ板３を載せたまま搬送台１０をス
ライドガイド１１に沿つてホルダ１の下面に移動
させる（第３図ロ）。シリンダー駆動用低圧エア
ーを吸入口１４より吸入しシリンダー７を上昇さ
せる。載置台５はイコライズ部８を介してシリン
ダー７と一体となつているためシリンダー７の上
昇にともなつて載置台５及びウエハー４も上昇す
る。このとき、第３図ロに示すように搬送台１０
に設けられた開口部１０ａを載置台５がその上方
に向けて通り抜け、載置台５はクラツシユ板３を
搬送台１０から上方に抜き取りホルダ１に押し当
てる。そして、第３図ハに示すようにクラツシユ
板吸着用真空溝２に真空を供給しクラツシユ板３
をホルダ１に固定する。このときイコライズ部８
を大気圧に解放しウエハー４とクラツシユ板３と
の平行を出す。次にシリンダー駆動低圧エアーを
遮断し載置台５を下降させる。このときイコライ
ズ真空吸入口１５より真空を供給しウエハー４と
クラツシユ板３との平行を保持する。第３図ニに
示すように、再度シリンダー駆動エアー吸入口１
４よりシリンダー駆動高圧エアーを供給し、ウエ
ハー４をクラツシユ板３に押し当てる。このとき
の加圧力によりウエハー表面に成長したシリコン
マウンドをつぶす。次に、第３図ホに示すように
シリンダー駆動高圧エアーを切り、載置台５を下
降させると同時にクラツシユ板吸着用真空を切
り、クラツシユ板３を搬送台１０に載せる。そし
て第３図ヘに示すように、ウエハー４を載置台５
より搬送させるとともに搬送台１０をスライドガ
イド１１に沿つてクラツシユ板清掃部まで後退さ
せる。その位置で清掃ブラシ９を左右に移動させ
クラツシユ板下面に付着したシリコンクズを取り
除く。その際、クラツシユ板の浮き上がりを防ぐ
ためにクラツシユ板押さえローラー１２でクラツ
シユ板３を押さえる。

以上のように本考案はホルダーに吸着保持され
るクラツシユ板を搬入搬出させる搬送台を備え、
搬入された搬送台上のクラツシユ板をホルダーに
向けて押上げる載置台をホルダー下方に進入した
搬送台の開口部を通して昇降可能に設置したの
で、クラツシユ板の固定及びクラツシユ板とウエ
ハーとの平行出しの動作を一回の動作で行なうこ
とができ、しかもその動作によりマウンドのクラ
ツシユ動作を行なうことができる効果を有するも
のである。

【図面の簡単な説明】

第１図ａは従来のマウンドクラツシユ装置の正
面図、第１図ｂは平面図、第２図ａは本考案によ
るマウンドクラツシユ装置の正面図、第２図ｂは
平面図、第３図はクラツシユ部動作の詳細図であ
る。 １……ホルダ、５……載置台、１０……搬送
台、１０ａ……開口部。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 半導体ウエハー上に形成された突起物をクラツ
   シユ板で潰すマウンドクラツシユ装置において、
   前記クラツシユ板を下面に保持するホルダーと、
   前記半導体ウエハーを上面に載置する台であつて
   前記ホルダー下に位置しかつ上下動の可能な載置
   台と、前記ホルダー下よりその外部へと水平に延
   在するスライドガイドと、前記クラツシユ板を搬
   送する台であつて前記スライドガイドにより案内
   されて前記ホルダー下と前記外部との間を水平に
   移動しかつ前記載置台よりも大きい開口部を有す
   る搬送台と、前記外部に位置するクラツシユ板清
   掃部とを具備し、これにより、前記開口部をふさ
   ぐようにして前記クラツシユ板を載置した前記搬
   送台を前記スライドガイドの案内により前記ホル
   ダー下に進入させ、ここで前記半導体ウエハーを
   上面に載置した前記載置台の前記開口部を貫いた
   上昇動作により前記クラツシユ板の前記ホルダー
   の下面への保持、前記半導体ウエハー上の前記突
   起物の前記クラツシユ板による潰し作業を可能と
   し、かつ、前記潰し作業の後に前記外部における
   清掃部において前記搬送台上の前記クラツシユ板
   の下面に付着したクズの除去を可能としたことを
   特徴とするマウンドクラツシユ装置。