JPH0610163A - 固体の厚さプロフィルを変更するためのプログラムされたプラズマエッチング装置の運動装置 - Google Patents
固体の厚さプロフィルを変更するためのプログラムされたプラズマエッチング装置の運動装置Info
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- JPH0610163A JPH0610163A JP5025782A JP2578293A JPH0610163A JP H0610163 A JPH0610163 A JP H0610163A JP 5025782 A JP5025782 A JP 5025782A JP 2578293 A JP2578293 A JP 2578293A JP H0610163 A JPH0610163 A JP H0610163A
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- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/202—Movement
- H01J2237/20221—Translation
- H01J2237/20228—Mechanical X-Y scanning
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、プラズマ補助化学エッチングリア
クタシステムのプラズマ領域に近接する基体表面の線形
の正確な速度および位置制御装置を腐食性および非常に
低い圧力の環境で長期間の信頼性を有する動作ができる
ようにすることを目的とする。 【構成】 汚染されない材料で構成された線形移動段46
と、この移動段46をプラズマ領域に関して駆動するモー
タ62およびリードねじシャフト74を含む線形速度および
位置制御手段と、この制御手段を調整された大気状況内
に収容するために線形速度および位置制御手段を内蔵す
るハウジング64とを具備することを特徴とする。
クタシステムのプラズマ領域に近接する基体表面の線形
の正確な速度および位置制御装置を腐食性および非常に
低い圧力の環境で長期間の信頼性を有する動作ができる
ようにすることを目的とする。 【構成】 汚染されない材料で構成された線形移動段46
と、この移動段46をプラズマ領域に関して駆動するモー
タ62およびリードねじシャフト74を含む線形速度および
位置制御手段と、この制御手段を調整された大気状況内
に収容するために線形速度および位置制御手段を内蔵す
るハウジング64とを具備することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基体表面に関してプラ
ズマリアクタのプラズマ領域を移動するための装置、特
に腐食性の真空環境内に位置する小型のプラズマ補助化
学エッチングリアクタの下で基体の固体層の相対的で正
確でプログラム可能な２次元運動を行うための装置に関
する。
ズマリアクタのプラズマ領域を移動するための装置、特
に腐食性の真空環境内に位置する小型のプラズマ補助化
学エッチングリアクタの下で基体の固体層の相対的で正
確でプログラム可能な２次元運動を行うための装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマ補助化学エッチングリアクタは
材料を表面の特定位置で表面から取り除くことによって
基体の固体層の厚さプロフィルを変更するために使用さ
れる。このようなプラズマ補助化学エッチングリアクタ
システム装置は通常、ハウジングを具備し、このハウジ
ングはプラズマ領域と、プラズマエッチング処理を受け
る基体とプログラム可能な２次元移動テ−ブルと、プラ
ズマ領域下で基体表面を運動させる運動手段を含む。ハ
ウジング内では装置は非常に低い圧力と腐食性環境に置
かれ、この両者はプラズマエッチング処理に必要であ
る。２次元移動テ−ブルハ−ドウェアはこの厳しい環境
にさらされるため、このようなハ−ドウェアの長期間の
信頼性が影響を受ける。またハウジング内に運動手段を
含む機械的ハ−ドウェアが位置することによってこのよ
うなハ−ドウェアが真空状態を汚染する危険性を生じ
る。
材料を表面の特定位置で表面から取り除くことによって
基体の固体層の厚さプロフィルを変更するために使用さ
れる。このようなプラズマ補助化学エッチングリアクタ
システム装置は通常、ハウジングを具備し、このハウジ
ングはプラズマ領域と、プラズマエッチング処理を受け
る基体とプログラム可能な２次元移動テ−ブルと、プラ
ズマ領域下で基体表面を運動させる運動手段を含む。ハ
ウジング内では装置は非常に低い圧力と腐食性環境に置
かれ、この両者はプラズマエッチング処理に必要であ
る。２次元移動テ−ブルハ−ドウェアはこの厳しい環境
にさらされるため、このようなハ−ドウェアの長期間の
信頼性が影響を受ける。またハウジング内に運動手段を
含む機械的ハ−ドウェアが位置することによってこのよ
うなハ−ドウェアが真空状態を汚染する危険性を生じ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明はプラズマエッ
チング領域に関して基体を運動させる従来のシステムの
改良に関する。
チング領域に関して基体を運動させる従来のシステムの
改良に関する。
【０００４】本発明の１つの目的は、正確な光学仕上、
フィルムの厚さプロフィルまたは基体のダメ−ジ表面の
除去を可能にするためにプラズマ領域に関して基体表面
を運動させる手段を提供することである。本発明の別の
目的は、腐食性および非常に低い圧力の環境で長期間の
信頼性を有する運動手段を提供することである。本発明
の別の目的は、反応が行われる環境を汚染しない運動装
置を提供することである。
フィルムの厚さプロフィルまたは基体のダメ−ジ表面の
除去を可能にするためにプラズマ領域に関して基体表面
を運動させる手段を提供することである。本発明の別の
目的は、腐食性および非常に低い圧力の環境で長期間の
信頼性を有する運動手段を提供することである。本発明
の別の目的は、反応が行われる環境を汚染しない運動装
置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はプログラムされ
たプラズマエッチングを行う装置に関する。本発明の装
置はプラズマ補助化学エッチングリアクタシステムの真
空チャンバ内に完全に位置される多次元移動段と運動手
段とを具備する。システムの動作期間中非常に低い圧力
と腐食性環境がチャンバ内に存在する。厳しい環境は移
動段と駆動手段の信頼性を減少し、駆動手段が真空チャ
ンバを汚染する危険性が強まるので本発明では駆動手段
を厳しい状況から分離するためハウジング内に収容す
る。大気からの換気はフレキシブルな導管により駆動手
段と位置および速度センサを付勢するための電力と共に
ハウジングに供給される。移動段とその駆動手段はこれ
らがチャンバを不必要に拡大することなくチャンバ内に
完全に位置されるように配置されている。本発明の他の
目的および利点は後述の詳細な説明と添付の図面と請求
の範囲により当業者に明白である。
たプラズマエッチングを行う装置に関する。本発明の装
置はプラズマ補助化学エッチングリアクタシステムの真
空チャンバ内に完全に位置される多次元移動段と運動手
段とを具備する。システムの動作期間中非常に低い圧力
と腐食性環境がチャンバ内に存在する。厳しい環境は移
動段と駆動手段の信頼性を減少し、駆動手段が真空チャ
ンバを汚染する危険性が強まるので本発明では駆動手段
を厳しい状況から分離するためハウジング内に収容す
る。大気からの換気はフレキシブルな導管により駆動手
段と位置および速度センサを付勢するための電力と共に
ハウジングに供給される。移動段とその駆動手段はこれ
らがチャンバを不必要に拡大することなくチャンバ内に
完全に位置されるように配置されている。本発明の他の
目的および利点は後述の詳細な説明と添付の図面と請求
の範囲により当業者に明白である。
【０００６】
【実施例】図１は光学仕上、フィルムの厚さプロフィル
形成、又は基体のダメ−ジ表面除去に使用されるプラズ
マ補助化学エッチングリアクタ装置を示している。図１
を参照すると装置は基体上のプラズマエッチング領域を
限定するように設計されている。これはリアクタ10を具
備し、このリアクタ10は処理ガスを高周波フィ−ルドが
反応成分に分解するために供給される基体表面上の領域
に運搬されるように設計されている。この望ましい結果
を達成するために、リアクタ10は第１の絶縁体16に限定
されている壁15と反応ガス拡散装置20に限定されている
天井18を有するプラズマチャンバ14を具備する。プラズ
マチャンバ14はエッチング反応の中心であり、従って第
１の絶縁体は非汚染材料から製造されなくてはならな
い。チャンバ14の上には高周波駆動電極22が拡散装置20
と第１の絶縁体16の間に固定されている。第１の絶縁体
16を中心に通過して延在する処理ガス供給管24はエッチ
ング動作期間中、反応ガスをプラズマチャンバ14の拡散
装置20に供給する。高周波入力導体26は高周波駆動電極
22を高周波電源に接続する。第２の絶縁体28は第１の絶
縁体16を包囲し、基本的に基体12を覆い、チャンバ14の
外部のプラズマ形成を阻止するように寸法が定められて
いる。リアクタ10の部品はベ−ス34から中間天井36まで
延在する第１の壁と頂部天井フランジ40まで延在する第
２の壁38を具備する真空ハウジング30に収容されてい
る。
形成、又は基体のダメ−ジ表面除去に使用されるプラズ
マ補助化学エッチングリアクタ装置を示している。図１
を参照すると装置は基体上のプラズマエッチング領域を
限定するように設計されている。これはリアクタ10を具
備し、このリアクタ10は処理ガスを高周波フィ−ルドが
反応成分に分解するために供給される基体表面上の領域
に運搬されるように設計されている。この望ましい結果
を達成するために、リアクタ10は第１の絶縁体16に限定
されている壁15と反応ガス拡散装置20に限定されている
天井18を有するプラズマチャンバ14を具備する。プラズ
マチャンバ14はエッチング反応の中心であり、従って第
１の絶縁体は非汚染材料から製造されなくてはならな
い。チャンバ14の上には高周波駆動電極22が拡散装置20
と第１の絶縁体16の間に固定されている。第１の絶縁体
16を中心に通過して延在する処理ガス供給管24はエッチ
ング動作期間中、反応ガスをプラズマチャンバ14の拡散
装置20に供給する。高周波入力導体26は高周波駆動電極
22を高周波電源に接続する。第２の絶縁体28は第１の絶
縁体16を包囲し、基本的に基体12を覆い、チャンバ14の
外部のプラズマ形成を阻止するように寸法が定められて
いる。リアクタ10の部品はベ−ス34から中間天井36まで
延在する第１の壁と頂部天井フランジ40まで延在する第
２の壁38を具備する真空ハウジング30に収容されてい
る。
【０００７】動作中、真空は真空ハウジング30の下部の
真空排気出口42を通して排気して設定される。エッチン
グ期間中プラズマチャンバ14の下に近接して位置するエ
ッチング可能な基体12は基体保持装置44により支持さ
れ、それはその電位を好ましくは接地電位を有する第２
の電極として作用する。基体保持装置44はまた基体の温
度を制御する装置（図示せず）も有する。
真空排気出口42を通して排気して設定される。エッチン
グ期間中プラズマチャンバ14の下に近接して位置するエ
ッチング可能な基体12は基体保持装置44により支持さ
れ、それはその電位を好ましくは接地電位を有する第２
の電極として作用する。基体保持装置44はまた基体の温
度を制御する装置（図示せず）も有する。
【０００８】基体保持装置44は基体12の表面の局所的な
エッチング反応の正確な配置を可能にする２次元移動の
ための装置45に取付けられている。リアクタ10はねじ管
48を有し、このねじ管48の内面のねじはリアクタ支持手
段49に結合されている。管48はプラズマチャンバ14と基
体12の表面との間の距離の調整を可能にするため時計方
向又は反時計方向に回転される。示された実施例ではプ
ラズマチャンバと基体の間の距離は約１乃至10ｍｍの範
囲で調節される。
エッチング反応の正確な配置を可能にする２次元移動の
ための装置45に取付けられている。リアクタ10はねじ管
48を有し、このねじ管48の内面のねじはリアクタ支持手
段49に結合されている。管48はプラズマチャンバ14と基
体12の表面との間の距離の調整を可能にするため時計方
向又は反時計方向に回転される。示された実施例ではプ
ラズマチャンバと基体の間の距離は約１乃至10ｍｍの範
囲で調節される。
【０００９】リアクタはまた円上で等間隔で隔てられて
いる３つのねじ50を有する運動設置手段も具備し、それ
ぞれのねじは頂部の天井フランジ40のＶ溝（図示せず）
中に位置している。この整列は基体12の表面に関してプ
ラズマチャンバの端部52の角度が調節されることを可能
にする。
いる３つのねじ50を有する運動設置手段も具備し、それ
ぞれのねじは頂部の天井フランジ40のＶ溝（図示せず）
中に位置している。この整列は基体12の表面に関してプ
ラズマチャンバの端部52の角度が調節されることを可能
にする。
【００１０】前述した本発明の実施例は基体12表面に関
してプラズマチャンバ14の位置を設定するための手段4
6,47,48,49,50を備えているが、永久的にプラズマチャ
ンバを固定し、基体の３次元および多重角度移動段によ
る基体の３次元および多重角度位置設定するような他の
適合に容易に置換することができる。実際、固定したリ
アクタ構造を使用すると、プラズマリアクタへの高周波
パワ−、ガス、冷却剤の大気圧力の部分とをインタ−フ
ェ−イスを簡単にすることができる。
してプラズマチャンバ14の位置を設定するための手段4
6,47,48,49,50を備えているが、永久的にプラズマチャ
ンバを固定し、基体の３次元および多重角度移動段によ
る基体の３次元および多重角度位置設定するような他の
適合に容易に置換することができる。実際、固定したリ
アクタ構造を使用すると、プラズマリアクタへの高周波
パワ−、ガス、冷却剤の大気圧力の部分とをインタ−フ
ェ−イスを簡単にすることができる。
【００１１】リアクタシステムはリアクタを真空シ−ル
するための装置を提供するため真空ハウジング36の天井
フランジ40と第２の絶縁体28との間に取付けられている
ベロ−54を備え、プラズマチャンバ構造はリアクタ内の
相対的運動を可能にされている。複数の観察窓56は反応
の観察のために設けられている。
するための装置を提供するため真空ハウジング36の天井
フランジ40と第２の絶縁体28との間に取付けられている
ベロ−54を備え、プラズマチャンバ構造はリアクタ内の
相対的運動を可能にされている。複数の観察窓56は反応
の観察のために設けられている。
【００１２】駆動手段を含む２次元変換装置45は真空チ
ャンバ30内の腐食性で非常に低い圧力環境内で動作する
ので装置の長期間の信頼性が必要とされる。また駆動手
段は潤滑剤を必要とし、厳しい状況で動作しなければな
らないので、真空ハウジング30に潜在的な汚染が存在す
る。本発明は現在駆動手段が真空応用から分離されるよ
うに真空ハウジング36内の別のハウジング中に誘導手段
を含むことによって従来の移動装置およびその対応する
駆動手段を改良する。
ャンバ30内の腐食性で非常に低い圧力環境内で動作する
ので装置の長期間の信頼性が必要とされる。また駆動手
段は潤滑剤を必要とし、厳しい状況で動作しなければな
らないので、真空ハウジング30に潜在的な汚染が存在す
る。本発明は現在駆動手段が真空応用から分離されるよ
うに真空ハウジング36内の別のハウジング中に誘導手段
を含むことによって従来の移動装置およびその対応する
駆動手段を改良する。
【００１３】２次元移動装置45は２つの線形移動段構造
46,47 を具備する。図２は本発明の線形移動段46のうち
の１つの平面概略図である。線形移動段構造46は基体を
取付けるための段61を含む移動スライド構造60と、位置
および速度測定のためのエンコ−ダと回転速度計（図示
せず）を含むモ−タ構造62と、モ−タと駆動構造62を含
むハウジング64と、モニタ電力およびセンサの導体と、
モ−タ冷却のための空気流を伝送するフレキシブルな通
気ホ−ス66と、回転的貫通部68（大気と真空との間）
と、ホ−ルドバックモ−タ取付け構造70とを備えてい
る。
46,47 を具備する。図２は本発明の線形移動段46のうち
の１つの平面概略図である。線形移動段構造46は基体を
取付けるための段61を含む移動スライド構造60と、位置
および速度測定のためのエンコ−ダと回転速度計（図示
せず）を含むモ−タ構造62と、モ−タと駆動構造62を含
むハウジング64と、モニタ電力およびセンサの導体と、
モ−タ冷却のための空気流を伝送するフレキシブルな通
気ホ−ス66と、回転的貫通部68（大気と真空との間）
と、ホ−ルドバックモ−タ取付け構造70とを備えてい
る。
【００１４】図３はプラズマチャンバ14に関する基体の
２次元運動が線形運動の２つの垂直軸を有する方法で重
ねられた２つの線形移動段構造46、47のプログラムされ
た運動により得られることを示している。第１の段46は
真空チャンバ30の床に取付けられ、第２の段47は基体保
持装置に支持を提供するため第１の段の上部に取付けら
れている。各段46,47 の必要な線形運動は商業的に入手
可能な移動段で得られるが、適切な段の選択は腐食性の
真空環境で長期間動作されることを考慮しなければなら
ない。適切な材料と潤滑剤が選択されると移動スライド
構造とベアリングは劣化なしに動作する。段構造に適切
な材料はステンレス鋼（300 シリ−ズ）、アルミナ、ポ
リテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を含む。適切な
潤滑剤はフォムブリン（Fomblin ）油（商標）およびキ
リトックス（Krytox）油（商標）のようなＰＴＦＥで負
荷された過フッ化ポリエ−テル油を含む。
２次元運動が線形運動の２つの垂直軸を有する方法で重
ねられた２つの線形移動段構造46、47のプログラムされ
た運動により得られることを示している。第１の段46は
真空チャンバ30の床に取付けられ、第２の段47は基体保
持装置に支持を提供するため第１の段の上部に取付けら
れている。各段46,47 の必要な線形運動は商業的に入手
可能な移動段で得られるが、適切な段の選択は腐食性の
真空環境で長期間動作されることを考慮しなければなら
ない。適切な材料と潤滑剤が選択されると移動スライド
構造とベアリングは劣化なしに動作する。段構造に適切
な材料はステンレス鋼（300 シリ−ズ）、アルミナ、ポ
リテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を含む。適切な
潤滑剤はフォムブリン（Fomblin ）油（商標）およびキ
リトックス（Krytox）油（商標）のようなＰＴＦＥで負
荷された過フッ化ポリエ−テル油を含む。
【００１５】変更スライド構造60は腐食性真空環境で動
作できるが、このような動作はモ−タおよび駆動構造6
2、関連する位置速度センサでは実行できない。真空中
の動作のために準備されていてもプラズマエッチング動
作の特性である腐食性ガス環境との相互作用のためモ−
タ構造が問題を有する。腐食性ガス環境は有害な汚染物
質を導入し、モ−タ構造62の臨界的要素の寿命を短くす
る。１つの軸自身に対する駆動システムは移動スライド
構造と共に運動しなければならないので多重軸（多次
元）システムを真空チャンバ30の外部から駆動すること
は望ましくない。従って、要求される運動の必要条件、
特に正確な速度制御の必要条件はモ−タ構造62が真空チ
ャンバの外部に位置されるならば満たすのが困難であ
る。それ故本発明は真空チャンバ30内の多次元移動装置
を含む。
作できるが、このような動作はモ−タおよび駆動構造6
2、関連する位置速度センサでは実行できない。真空中
の動作のために準備されていてもプラズマエッチング動
作の特性である腐食性ガス環境との相互作用のためモ−
タ構造が問題を有する。腐食性ガス環境は有害な汚染物
質を導入し、モ−タ構造62の臨界的要素の寿命を短くす
る。１つの軸自身に対する駆動システムは移動スライド
構造と共に運動しなければならないので多重軸（多次
元）システムを真空チャンバ30の外部から駆動すること
は望ましくない。従って、要求される運動の必要条件、
特に正確な速度制御の必要条件はモ−タ構造62が真空チ
ャンバの外部に位置されるならば満たすのが困難であ
る。それ故本発明は真空チャンバ30内の多次元移動装置
を含む。
【００１６】モ−タおよび駆動構造62は真空チャンバ30
内の真空および腐食性環境の影響から構造62を隔離し、
密封するためハウジング64に収容される。ハウジング64
の内部環境は大気環境で調整され、維持される。モ−タ
62とロ−タリ−貫通部68により生成される廃熱はフレキ
シブルな通気ホ−ス66内の小さい直径のフレキシブルな
プラスチックホ−ス（図示せず）を通過する空気又は窒
素流によりフレキシブルな通気ホ−ス66を通過して排出
される。小さい直径のフレキシブルなプラスチックホ−
スの開放端部はロ−タリ−貫通部68に近接して位置し、
ハウジング内の空気又は窒素の流れを生成するためでき
るだけフレキシブルな通気ホ−スの開端部から離れてい
る。
内の真空および腐食性環境の影響から構造62を隔離し、
密封するためハウジング64に収容される。ハウジング64
の内部環境は大気環境で調整され、維持される。モ−タ
62とロ−タリ−貫通部68により生成される廃熱はフレキ
シブルな通気ホ−ス66内の小さい直径のフレキシブルな
プラスチックホ−ス（図示せず）を通過する空気又は窒
素流によりフレキシブルな通気ホ−ス66を通過して排出
される。小さい直径のフレキシブルなプラスチックホ−
スの開放端部はロ−タリ−貫通部68に近接して位置し、
ハウジング内の空気又は窒素の流れを生成するためでき
るだけフレキシブルな通気ホ−スの開端部から離れてい
る。
【００１７】スライド構造60はロ−タリ−貫通部68に結
合する大気環境で動作するモ−タおよび駆動構造62によ
り駆動される。ロ−タリ−貫通部はハウジング64内の大
気環境と真空ハウジング30の真空および腐食性環境の間
の密封を維持する。適切な高真空ロ−タリ−シ−ルは商
業的に入手可能なフェロ流体型タイプのロ−タリ−シ−
ルである。化学的に不活性なフェロ流体型シ−ルは真空
環境においてガスと反応しないものであれば使用でき
る。
合する大気環境で動作するモ−タおよび駆動構造62によ
り駆動される。ロ−タリ−貫通部はハウジング64内の大
気環境と真空ハウジング30の真空および腐食性環境の間
の密封を維持する。適切な高真空ロ−タリ−シ−ルは商
業的に入手可能なフェロ流体型タイプのロ−タリ−シ−
ルである。化学的に不活性なフェロ流体型シ−ルは真空
環境においてガスと反応しないものであれば使用でき
る。
【００１８】リードねじ軸74に直接結合されたモ−タシ
ャフト72を有するスライド構造60を駆動するよりホ−ル
ドバックモ−タ駆動構造が使用される。ホ−ルドバック
構造ではモ−タ駆動軸とリードねじ軸は平行でモ−タ軸
は歯形ベルトのような結合手段によりリードねじ軸に結
合されることができる。この構造は移動段の容器の大き
さを減少するために使用され、従って、さらに小さい真
空チャンバを可能にする。
ャフト72を有するスライド構造60を駆動するよりホ−ル
ドバックモ−タ駆動構造が使用される。ホ−ルドバック
構造ではモ−タ駆動軸とリードねじ軸は平行でモ−タ軸
は歯形ベルトのような結合手段によりリードねじ軸に結
合されることができる。この構造は移動段の容器の大き
さを減少するために使用され、従って、さらに小さい真
空チャンバを可能にする。
【００１９】基体の位置を維持する基体保持装置44は温
度制御される。温度制御は材料除去処理期間中、長期間
にわたる熱生成を防止し、基体保持装置が僅かに室温よ
り高い温度で動作することを許容し、その結果フィルム
表面に凝縮して汚染の可能性を減少させる。
度制御される。温度制御は材料除去処理期間中、長期間
にわたる熱生成を防止し、基体保持装置が僅かに室温よ
り高い温度で動作することを許容し、その結果フィルム
表面に凝縮して汚染の可能性を減少させる。
【００２０】以上の記載はプラズマ補助化学エッチング
リアクタのプラズマエッチング領域に関して基体表面を
運動するための装置についてのものである。装置の運動
手段は厳しいプラズマエッチング状況から分離されるの
で、装置はプラズマ環境を汚染する危険性なしに長期間
の基体の正確な位置速度制御を可能にする。
リアクタのプラズマエッチング領域に関して基体表面を
運動するための装置についてのものである。装置の運動
手段は厳しいプラズマエッチング状況から分離されるの
で、装置はプラズマ環境を汚染する危険性なしに長期間
の基体の正確な位置速度制御を可能にする。
【図１】本発明の多次元移動段の配置を示したプラズマ
補助化学エッチングリアクタ装置の側面概略図。
補助化学エッチングリアクタ装置の側面概略図。
【図２】本発明の線形移動段と駆動手段の平面概略図。
【図３】２次元の垂直運動を提供する本発明の２つの積
重なった線形移動段の平面概略図。
重なった線形移動段の平面概略図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョージ・エヌ・スタインバーグ アメリカ合衆国、コネチカット州 06880、 ウエストポート、ジェニングス・コート 17
Claims (10)
- 【請求項１】 プラズマ補助化学エッチングリアクタシ
ステムのプラズマ領域に近接する基体表面の線形の正確
な速度および位置制御装置において、 汚染されない線形移動段と、 前記移動段をプラズマ領域に関して駆動する線形速度お
よび位置制御手段と、 前記制御手段を調整された大気状況内に収容するために
前記線形速度および位置制御手段を内蔵するハウジング
手段とを具備することを特徴とする速度および位置制御
装置。 - 【請求項２】 線形移動段と線形速度および位置制御手
段が運動部分を具備し、この運動部分はポリテトラフル
オロエチレンで負荷された過フッ化ポリエ−テル油で潤
滑にされている請求項１記載の装置。 - 【請求項３】 線形移動段は位置制御シャフトを含み、
線形速度および位置制御手段はモ−タと、前記線形移動
段の位置制御シャフトに結合する関連する駆動素子列
と、位置および速度センサを具備している請求項１記載
の装置。 - 【請求項４】 位置制御シャフトはリードねじを含み、
制御手段は前記ハウジング内の調整された環境を維持し
ながら前記モ−タおよび関連する駆動素子列が前記ハウ
ジングを通過することを可能にするためロ−タリ−シ−
ル手段により前記段のリードねじに間接的に結合されて
いる請求項３記載の装置。 - 【請求項５】 ロ−タリ−シ−ル手段が非汚染物のフェ
ロ流体型タイプのロ−タリ−シ−ルである請求項４記載
の装置。 - 【請求項６】 ハウジング手段が、内部に換気、電力、
デ−タ、制御信号を供給するためさらに前記ハウジング
手段の内部に結合されたフレキシブルなホ−スを具備し
ている請求項１記載の装置。 - 【請求項７】 プラズマ補助化学エッチングリアクタシ
ステムのプラズマ領域に近接し直交する方向に基体表面
の２次元の正確な速度および位置制御を行うための装置
において、 ａ）基体保持装置と、 ｂ）それぞれ運動手段を提供するリードねじシャフトを
有し、第１の段はそのリードねじシャフトが第２の段の
リードねじシャフトと垂直であるように第２の段の上部
に配置されている第１、第２の線形移動段と、 ｃ）それぞれ駆動素子列と速度および位置センサに関連
し、第１のモ−タと駆動素子列シャフトが第１の移動段
のリードねじシャフトに間接的に結合され、第２のモ−
タと駆動素子列シャフトが第２の移動段のリードねじシ
ャフトに間接的に結合されている第１、第２のモータ
と、 ｄ）それぞれのモ−タおよび関連する駆動素子列とセン
サが調整された環境に収容されるようにそれぞれモ−タ
と、関連する駆動素子列とセンサとを含む２個のハウジ
ングと、 ｅ）それぞれ前記ハウジングを通過する回転可能なシャ
フトを有し、そのシャフトは一方の端部が前記モ−タお
よび駆動素子列のシャフトに結合されており、他方の端
部が前記移動段のリードねじシャフトと回転可能に結合
する手段に結合されている２つのフェロ流体型ロ−タリ
−シ−ルと、 ｆ）換気、電力、制御信号を前記ハウジング内部に供給
するためにハウジングの一方の内部にそれぞれ結合する
２つのフレキシブルなホ−スとを備えていることを特徴
とする速度および位置制御装置。 - 【請求項８】 基体保持装置がその温度を制御する手段
を含む請求項７記載の装置。 - 【請求項９】 プラズマ補助化学エッチングリアクタシ
ステムのプラズマ領域に近接する基体表面の線形の正確
な速度および位置制御装置において、 汚染されない線形移動段と、 前記移動段をプラズマ領域に関して駆動するための線形
速度および位置制御手段と、 前記制御手段を調整された大気環境内に収容するように
前記線形速度および位置制御手段を内蔵するハウジング
手段とを備えていることを特徴とする速度および位置制
御装置。 - 【請求項１０】 ロ−タリ−シ−ル手段が汚染されない
フェロ流体型タイプのロ−タリ−シ−ルである請求項９
記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US83474292A | 1992-02-13 | 1992-02-13 | |
| US834742 | 1992-02-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0610163A true JPH0610163A (ja) | 1994-01-18 |
| JPH0756078B2 JPH0756078B2 (ja) | 1995-06-14 |
Family
ID=25267683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5025782A Expired - Lifetime JPH0756078B2 (ja) | 1992-02-13 | 1993-02-15 | 固体の厚さプロフィルを変更するためのプログラムされたプラズマエッチング装置の運動装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0556043A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0756078B2 (ja) |
| IL (2) | IL104608A0 (ja) |
| NO (1) | NO930479L (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103602956B (zh) * | 2013-11-08 | 2016-02-17 | 南方科技大学 | 一种真空沉积系统及其旋转馈入装置 |
| EP2991095B1 (en) * | 2014-08-25 | 2018-01-31 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | High voltage feedthrough assembly, electron diffraction apparatus and method of electrode manipulation in a vacuum environment |
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| JPS5179650A (ja) * | 1975-01-08 | 1976-07-12 | Hitachi Ltd | Supatsutaetsuchingusochi |
| JPS60100687A (ja) * | 1983-11-04 | 1985-06-04 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
| JPS62221115A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | Hitachi Ltd | エツチング方法および装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55104057A (en) * | 1979-02-02 | 1980-08-09 | Hitachi Ltd | Ion implantation device |
| JPS59129633A (ja) * | 1983-01-08 | 1984-07-26 | Canon Inc | ステージ装置 |
| US4668366A (en) * | 1984-08-02 | 1987-05-26 | The Perkin-Elmer Corporation | Optical figuring by plasma assisted chemical transport and etching apparatus therefor |
-
1993
- 1993-02-04 IL IL104608A patent/IL104608A0/xx unknown
- 1993-02-11 EP EP93300988A patent/EP0556043A1/en not_active Withdrawn
- 1993-02-11 NO NO93930479A patent/NO930479L/no unknown
- 1993-02-12 IL IL104720A patent/IL104720A0/xx unknown
- 1993-02-15 JP JP5025782A patent/JPH0756078B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IL104608A0 (en) | 1993-06-10 |
| EP0556043A1 (en) | 1993-08-18 |
| IL104720A0 (en) | 1993-06-10 |
| NO930479L (no) | 1993-08-16 |
| JPH0756078B2 (ja) | 1995-06-14 |
| NO930479D0 (no) | 1993-02-11 |
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