CN1608318A - 被处理体的搬送装置和具有搬送装置的处理系统 - Google Patents

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Abstract

构成处理系统的一部分的主搬送装置具有间隔成真空环境的主搬送室(44)的壳体(40)。在壳体(40)上形成用于在搬送室(44)和外部之间移送被处理体(W)的多个移送口(52A、52B)。在搬送室(44)内水平设置的导轨(48)上，滑动自由地安装移动体(58)。具有沿着导轨(48)移动移动体(58)的线性马达机构(54、62)。保持被处理体(W)的保持体(64)通过支持部件(66)相对移动体(58)升降自由地连接。在与壳体(40)的移送口(52A、52B)对应的位置，设置相对移动体(58)升降支持部件(66)的升降机构(74)。

Description

被处理体的搬送装置和具有搬送装置的处理系统
技术领域
本发明涉及一种用于搬送半导体晶片等被处理体的搬送装置，以及具有这样的搬送装置且用于在被处理体上进行成膜等的处理系统。
背景技术
通常，在半导体器件的制造工序中，向真空处理装置内搬入半导体晶片等的被处理体，在减压环境下进行规定的处理。通常情况下，分别利用不同的处理装置来进行晶片的成膜、蚀刻、加热等多种处理，直到完成器件。
这种情况下，如果在各个独立设置的多个处理装置间搬送晶片，在每次搬入、搬出晶片时，要将各个处理装置的处理室(或者负载锁定室)向大气开放。这样，处理室(负载锁定室)的真空排气需要较多的时间，降低了处理效率。另外，在进行连续成膜的情况下，根据处理内容，会有对于在晶片表面上非常怕附着自然氧化膜或者水分的处理。
这里，开发了例如在规划成真空环境的共同搬送室的多角形状的共同容器的周围，放射状连接多个真空处理装置，即所谓的集束式处理系统。如按这种处理系统，无需将各处理装置的处理室向大气开放，可在多个处理装置间移动晶片来进行多种处理。另外，在多个集束式处理系统之间，利用自动搬送装置(AGV或者RGV)低速搬送大量的晶片。
但是，现在，半导体器件的高密度化、高集成化、多品种少量生产的要求提高了，另外，处理的更有效率化或处理的种类增加等要求也提高了。随之，既使在集束式装置中，也需要在共同容器上连接比原来需要的处理装置的个数(例如三个)多的个数(例如五个以上)的处理装置。另外，对于一旦设置成的集束式处理系统，也存在增设处理装置的情况。
这种情况下，考虑加大集束式处理系统的多角形状的共通容器的尺寸，通过该外周连接多个处理装置，或者连接多个共通容器。但是，如果加大共通容器的尺寸，由于内部是真空，所以必须大幅增加容器的顶板壁和底壁的强度(壁厚)，这不现实。另外，如果对多角形状的共通容器放射状连接多个处理装置，处理装置之间是死角，就不能有效利用空间。
这里，也提出了特开平4-288812、特开平6-349931号公报、特开平8-119409号公报、特开2001-2241号公报等中所公开的那样的处理系统。在这些方式的处理系统中，将共通容器形成稍微细长的长方体形状，在该长的侧壁上连接多个处理装置等。而且，在共通容器中，沿着共通容器的长度方向可直线移动地设置移动部分，该移动部分具有载置晶片且可旋转和伸缩的搬送臂。
这些处理系统与上述放射状配置处理装置的处理系统相比，在空间的有效性方面有优势。但是，相对于处理装置的增设，其自由度不大。例如，相对已经设置的处理系统，既使要增设1台到几台处理装置，立即实现是困难的。
另外，在共通容器中，通过向其长度方向移动移动部分来搬送晶片。但是，在该移动部分的搬送臂本身设置用于交接晶片的升降机构，在移动部分连接供给用于驱动其(搬送臂和升降机构)电力的电缆等是不理想的。因为在这种情况下，可能会产生由升降机构的滑动等引起的颗粒或者由电缆等产生的杂质，另外，还会引起移动部分的复杂化和大型化。
发明内容
因此，本发明的目的在于，提供一种被处理体的搬送装置和处理系统，不仅空间利用率高，而且能够实现与被处理体同时移动的移动部分的简化和小型化。
另外，本发明的目的在于，提供一种处理系统，能够容易地增减处理装置的数目。
因此，本发明提供一种用于搬送被处理体的搬送装置，其特征在于，具有：壳体，其分隔成真空环境的搬送室，同时具有用于在上述搬送室和外部之间移送被处理体的移送口；导轨，在上述搬送室内大致水平地设置；移动体，在上述导轨上可移动地设置；水平驱动机构，沿着上述导轨移动上述移动体；升降支持构件，其具有保持被处理体的保持体、相对上述移动体升降自由地连接该保持体的支持部件；升降机构，配置在与上述壳体的移送口对应的位置，相对上述移动体升降上述升降支持构件的支持部件。
通过这样，不必在作为与被处理体同时移动的移动部分的移动体和升降支持构件上设置升降机构，就能够实现移动部分的简化和小型化。
这种情况下，在上述壳体的外部设置通过上述移送口仅在水平方向移动被处理体的水平搬送机构，上述升降机构构成为，将在上述保持体所保持的被处理体定位到与上述水平搬送机构对应的高度。
上述移动体可构成为，具有限制上述支持部件的最低位置的限制器，同时，上述支持部件在上述最低位置的状态下移动。
上述升降机构具有：贯通上述壳体的底部，相对上述支持部件可接触的推杆；配置在上述壳体的外部，升降上述推杆的垂直驱动机构；用于气密地保持上述壳体和上述推杆之间的气密部件。
上述搬送装置优选更具有：在上述移动体和上述升降支持构件中的至少一个上设置的、沿着上述移动体的移动方向延伸的位置检测用的线性标度；在上述壳体的内面的与上述线性标度相对的高度所设置的、沿着上述移动体的移动方向、以比上述线性标度的长度还短的间隔来配置的多个位置检测传感器。通过这样，在壳体的内面设置位置检测传感器，由此无需将位置检测传感器的布线连接到移动体上。另外，由位置检测传感器产生的热量会传导到壳体，所以能够防止其过热。
上述水平驱动机构是由在上述壳体内沿着上述移动体的移动方向设置的电枢线圈、设置在上述移动体的励磁磁铁构成的线性马达机构，在上述壳体内，优选设置将上述电枢线圈与上述搬送室内气密地隔离的隔板。通过这样，能够不必在移动体上连接用于供给驱动用的电力的电缆。另外，通过隔板，能够防止电枢线圈上通常使用的模铸部件向搬送室内的脱气。
优选还具有将上述移动体从上述导轨上浮的磁上浮装置或者气体喷出式上浮装置。通过这样，能够防止移动体和导轨之间的滑动导致的颗粒的发生。
在上述壳体内，设置将上述搬送室间隔成上部和下部的间隔壁，上述升降支持构件的保持体配置在上述搬送室的上部，上述移动体配置在上述搬送室的下部，上述间隔壁具有允许上述升降支持构件的支持部件的移动的缝隙，该搬送装置优选还具有：向上述搬送室的上部供给惰性气体的气体供给系统；用于从上述搬送室的下部进行真空排气的排气系统。通过这样，能够抑制由于搬送室下部的移动体等的滑动而产生的颗粒附着到被处理体上，该被处理体保持在搬送室上部的保持部。另外，通过流动惰性气体，能够降低随着真空排气而产生的搬送室内的杂质的分压。而且，这里所说的惰性气体包含N2气体。
另外，本发明提供一种用于搬送被处理体的搬送装置，其特征在于，具有：壳体，其分隔成真空环境的搬送室，同时具有用于在上述搬送室和外部之间移送被处理体的移送口；导轨，在上述搬送室内大致水平地设置；移动部分，在上述导轨上可移动地设置的、具有保持被处理体的保持部；水平驱动机构，沿着上述导轨移动上述移动部分；线性标度，设置在上述移动部分上、沿着上述移动部分的移动方向延伸、用于位置检测；多个位置检测传感器，在上述壳体的内面设置成与上述线性标度相对的高度，沿着上述移动部分的移动方向以与上述线性标度的长度相比较短的间隔配置。
另外，本发明提供一种处理系统，其特征在于，具有：(a)主搬送装置，其中包括：壳体，间隔真空环境的主搬送室，同时具有多个移送口；导轨，在上述搬送室内大致水平设置；移动体，在上述导轨上可移动设置；水平驱动机构，沿着上述导轨移动上述移动体；升降支持构件，具有保持被处理体的保持体、相对上述移动体升降自由地连接该保持体的支持部件；相对上述移动体升降上述升降支持构件的支持部件的升降机构。(b)辅助搬送装置，具有：间隔与上述主搬送室可连通的真空环境的辅助搬送室的壳体；在上述辅助搬送室内设置的辅助搬送机构。(c)负载锁定装置，具有间隔可与上述辅助搬送室连通且真空排气的负载锁定室的壳体。(d)入口侧搬送装置，具有：间隔可与上述负载锁定室连通的大气环境的入口侧搬送室的壳体；设置在上述入口侧搬送室内的入口侧搬送机构。(e)连接在上述入口侧搬送室、用于载置可收容多个被处理体的盒容器的盒站。(f)多个个别搬送装置，该个别搬送装置对应于上述主搬送装置的各个移送口来设置，分别具有：壳体，间隔成通过上述移送口可与上述主搬送室连通的真空环境的个别搬送室；在上述个别搬送室内设置的个别搬送机构。(g)多个处理装置，该处理装置对应于各个个别搬送装置来设置，分别具有壳体，该壳体间隔成可与上述个别搬送室连通的真空处理室，对上述被处理体进行规定的处理。
通过这样，对主搬送装置的壳体，连接在移动体的移动方向具有间隔的多个处理装置(通过个别搬送室)，由此，能够构成既使处理装置的个数多也具有好的空间利用率的处理系统。另外，在主搬送装置中，既使水平方向的搬送距离长，也能够比现有技术更高速地搬送被处理体。另外，通过利用主搬送装置的升降支持构件和升降机构，作为个别搬送机构，能够采用仅在水平方向移动被处理体的水平搬送机构。
所述主搬送装置的壳体，优选利用具有至少一个上述移送口的相互可连接的多个壳体段的至少一个来构成；上述导轨利用可相互连接的多个导轨段的至少一个来构成。通过这样，分别仅相互连接需要个数的壳体段和导轨段，由此能够简单构成具有希望长度的主搬送室的主搬送装置。因此，与主搬送装置(通过个别搬送室)连接的处理装置的个数也容易地增减。
附图说明
图1是示意性表示本发明的处理系统的一个实施方式的水平截面图。
图2是放大表示图1的处理系统中构成主搬送装置的一个搬送组件的纵截面图。
图3是图2的搬送组件的横截面图。
图3A是表示在保持体的侧面设置线性标度的情况下的放大截面图。
图3B是表示在支持部件的连接部侧面设置线性标度的情况下的放大截面图。
图4是表示主搬送装置中线性标度和位置检测传感器的排列关系的图。
图5是表示主搬送装置中保持被处理体的保持体的一部分的立体图。
图6是表示图5的保持体的整体的平面图。
图7是表示图1的处理系统中一个个别搬送装置的图。
图8是表示图1的处理系统的第一变形例的图。
图9是表示图1的处理系统的第二变形例的图。
图10是表示图1的处理系统的第三变形例的图。
图11是表示上浮移动体的磁上浮装置的构造的横截面图。
图12是表示上浮移动体的气体喷出式上浮装置的构造的横截面图。
图13是图12的气体喷出式上浮装置的示意性侧面图。
具体实施方式
下面，基于附图详细描述本发明的被处理体的搬送装置和处理系统的一实施例。
图1所示的处理系统2具有：主搬送装置14；辅助搬送装置12；两个负载锁定装置8A、8B；入口侧搬送装置4；三个盒站6A、6B、6C；四个个别搬送装置18A～18D；和四个处理装置20A～20D。
主搬送装置14具有壳体40，该壳体间隔成真空环境的主搬送室44，同时具有两组移送口52A、52B、52A、52B。辅助搬送装置12具有：间隔成与主搬送室44可连通的真空环境的辅助搬送室的壳体；设置在该搬送室内的辅助搬送机构10。各个负载锁定装置8A、8B具有间隔成与辅助搬送装置12的搬送室可连通且可真空排气的负载锁定室的容器(壳体)。入口侧搬送装置4具有：间隔成与各负载锁定装置8A，8B的负载锁定室可连通的大气压大气的入口侧搬送室的壳体；在该搬送室内设置的入口侧搬送机构22。各个盒站6A，6B，6C在入口侧搬送装置4与该搬送室连通连接，载置能收容多个作为被处理体的半导体晶片W的盒容器。
各个个别搬送装置18A～18D对应于主搬送装置14的各个移送口52A，52B，52A，52B来设置。这些个别搬送装置18A～18D分别具有：间隔成通过对应的移送口52A，52B，52A，52B与主搬送室44连通的真空大气的个别搬送室的壳体；设置在该搬送室内的个别搬送机构16。
各个处理装置20A～20D对应于各个个别搬送装置18A～18D来设置。这些处理装置20A～20D分别构成为，具有间隔成与对应的个别搬送装置18A～18D的搬送室可连通的真空处理室的容器(壳体)，在该处理室内对晶片W进行一定的处理。作为这些处理装置20A～20D，例如，能够适当组合进行成膜、预热、清洗、等离子体蚀刻、氧化扩散、冷却等任意的处理。
具体地说，入口侧搬送装置4的壳体形成细长的箱状。入口侧搬送机构22具有包括支持晶片W的拾取器22A，同时可旋转、屈伸和垂直移动的多关节臂。而且，在该搬送机构22上，可独立控制地设置多个拾取器22A。该入口侧搬送装置22构成为，使得通过线性马达等水平移动机构，沿着导轨24向着壳体的长度方向移动具有拾取器22A的臂。
而且，在该入口侧搬送装置4的长边的一侧壁上，设置连接各个盒站6A～6C的搬入搬出口26A～26C。图1表示了在一个盒站6A上载置盒子容器C的状态。在各个搬入搬出口26A～26C，也可以设置在搬出晶片W时打开的门。
另外，在入口侧搬送装置4的长边方向的一端，设置校准装置28。该校准装置28具有：载置晶片W且旋转的旋转台30；检测晶片W的边缘的光学线性传感器32。校准装置28检测晶片W的中心位置，和参考面(orientation flat)或者开口，来进行校准。包含该校准装置28的入口侧搬送装置4的搬送室内成为由空气和氮气等形成的大气压环境。
而且，在入口侧搬送装置4的长边的另一侧壁上，在其两端通过阀门G1、G2连接负载锁定装置8A、8B。在该负载锁定装置8A、8B的容器内，设置用于暂时支持晶片W的可垂直移动的载置台34A、34B。负载锁定装置8A、8B构成为，可向该容器内提供惰性气体，例如N2气，而且可真空排气。通过这样，负载锁定装置8A、8B能够按照需要将该容器内形成为真空状态和大气压状态。
而且，在负载锁定装置8A、8B之间，设置辅助搬送装置12。该辅助搬送装置12通过阀门G3、G4分别与负载锁定装置8A、8B连接。在辅助搬送装置12的搬送室内设置的辅助搬送机构10由可旋转和可屈伸的多关节臂来构成。使得辅助搬送装置12通过该辅助搬送机构10在各个负载锁定装置8A，8B之间进行晶片W的移送。该辅助搬送机构10也可以具有多个可独立控制的拾取器。辅助搬送装置12的壳体的一侧开口，在该开口周边部形成连接用凸缘36A。
在该辅助搬送装置12的开口连接主搬送装置14。该主搬送装置14的主要部分利用一个以上由螺栓等可相互连接的多个搬送装置单元来构成。即，主搬送装置14的主要部分是可串联连接任意个数模块化的搬送室单元的构造。图1表示了具有串联连接2个搬送装置单元38A，38B的构造的主搬送装置14。在主搬送装置14的搬送室44内，水平设置沿着搬送装置单元38A，38B的连接方向延伸的导轨48。在该导轨48上，设置通过线性马达机构49可移动的移动部分65，作为水平驱动机构。
在主搬送装置14的壳体40上形成的两组移送口52A、52B、52A、52B，对各个搬送装置单元38A、38B的每个平均分配一组52A、52B。各个个别搬送装置18A～18D通过短的连接管42A、42B和42C、42D分别与主搬送装置14的移送口52A、52B和52A、52B部分连接。各个个别搬送装置18A～18D通过阀门G5～G8分别与处理装置20A～20D连接。各个个别搬送装置18A～18D的个别搬送机构16构成为仅在水平方向移动晶片W的水平搬送机构。
下面，参照图2～图7来说明构成主搬送装置14的搬送装置单元38A、38B。由于各个搬送装置单元38A、38B具有相互相同的结构，所以在下面说明一个搬送装置单元38A。
如图2和图3所示那样，搬送装置单元38A具有构成壳体40的一部分的铝制的壳体段50。该壳体段50为两端开口的截面是矩形的筒状。下面，仅将该壳体段50(壳体40)的纵轴方向(图2的纸面的左右方向)称为“纵轴方向”。而且，该纵轴方向与沿着导轨48的移动部分65的移动方向一致。
在壳体段50的两端的开口周缘部分别设置连接用凸缘50A。在各个凸缘50A上形成多个螺栓孔50B。通过这样，使得能够通过螺栓来连接壳体段50。而且，在连接的壳体段50之间，插入用于确保气密性的O型环等密封部件。在壳体段50的两侧壁上部，上述移送口52A，52B形成长方形。
在壳体段50的一侧壁下部固定水平地沿着纵轴方向延伸的导轨段48A。多个导轨段48A彼此串联连接，由此能够形成一个较长的导轨48(图1)。
在壳体段50的一侧壁上，形成线性马达机构49(图1)的一部分的电枢线圈段54A通过安装部件55(图3)来固定。该线圈段54A相对导轨段48A，从其上方沿着纵轴方向，以规定的间隔设置多个。通过电连接该线圈段54A，能够形成电枢线圈54(图1)。
另外，在壳体段50的一侧壁上，沿着纵轴线方向以一定的间隔P设置多个位置检测传感器56。作为这些位置检测传感器56，取决于与后面描述的线性标度63的关系，可采用光学方法或者磁方法等检测方法。位于壳体段50的两端的位置检测传感器56，为了与相邻连接的其它壳体段50的位置检测传感器56之间也保持一定间隔P，设置在距壳体端部为P/2距离的位置。
沿着导轨48移动的移动部分65具有：安装到导轨48上的移动体58；安装到该移动体58上的升降支持构件60。如图3所示，移动体58在其一侧具有与导轨48结合的爪58A，通过该爪58A相对导轨48可自由滑动地安装。在该移动体58的一侧，设置电枢线圈段54A和起到磁作用的励磁磁铁62。励磁磁铁62由间隔一点间隙上下夹着线圈段54A的一对永磁铁62A构成。该励磁磁铁62也构成线性马达机构49的一部分。
电枢线圈段54A由在励磁磁铁62之间屈伸并延伸的隔壁57覆盖。该隔壁57的基部通过O型环等密封部件59来气密地固定到壳体段50的内壁上。隔壁57由非磁性材料，例如非磁性的不锈钢构成。通过这样，电枢线圈段54A放置在与励磁磁铁62侧气密隔离的大气环境内。因此，能够防止电枢线圈54上通常使用的来自模铸部件的向主搬送室44内的脱气(参照图1)。
在移动体58的一侧面上设置上述直线刻度63，使得与位置检测传感器56相对。如图4所示那样，位置检测传感器56间的间隔P与直线刻度63的长度L1相比设定得较短。通过这样，不管移动体58停止在何处，也能够通过位置传感器56来检测其位置。而且，如果位置检测传感器56之间的间隔分别比直线刻度63的长度短，也不一定需要一定间隔。
升降支持构件60具有保持晶片W的保持体64、相对移动体58升降自由地连接该保持体64的支持部件66。支持部件66相对于设置在移动体58的另一侧的垂直导轨68，通过爪66A可自由滑动地连接。在垂直导轨68的下端部设置限制支持部件66的最低位置的限制器70。移动部分65(移动体58)在支持部件66处于其最低位置的状态下移动。在支持部件66的下端部设置向另一方延伸的连接部72。
在与移送口52A、52B相对应的纵轴方向位置(图2)，在壳体段50的底部，设置相对于移动体58升降支持部件66的升降机构74。该升降机构74具有：贯通壳体段50的底部的推杆76；作为升降该推杆76的垂直驱动机构的致动器78。在壳体段50的底壁上，形成用于推杆76的贯通孔80。另外，致动器78配置在壳体段50的外部。
在推杆76的前端安装与支持部件66的接触部72接触的垫板81。在该垫板81和壳体段50的贯通孔80的周围之间，设置作为气密部件的金属波纹管82。只要能够将壳体段50和推杆76之间保持气密，气密部件也可以具有其它形式。例如，气密部件也可以是在推杆76和贯通孔80之间设置的O型环等密封部件。
升降机构74构成为将保持在保持体64上的晶片W定位在与个别搬送机构16对应的高度。在本实施方式中，在下述这样的保持体64上能够支持上下两个晶片。另外，为了在保持体64和个别搬送机构16之间移动更换各个晶片W，需要将保持体64移动到两阶的高度。因此，为了在保持体64和个别搬送机构16之间进行晶片W的移动装载，定位的升降机构74能够将保持体64定位到(除了最低位置的)四阶的高度。
如图5和图6所示那样，保持体64具有载置板84、在该载置板84上设置的四个支柱86。各个支柱86分别设置在正方形载置板84的四个角部。各个支柱86具有完全相同的形状，图5中放大表示了其中的一个支柱86。在各个支柱86的内侧，形成上下隔开间隔的两个台阶部88、90(图3中有显示)。各个台阶部88、90形成为具有与晶片W的外周大致相同曲率的圆弧状。通过将晶片W外周的底面载置到各个支柱86的台阶部88、90，能够分别四点支持两个晶片W。
在各个台阶部88、90上，分别形成向上方变宽的圆锥面形状的锥面92、94。通过这样，能够将晶片W滑落到锥面92、94上，载置到台阶部88、90上。另外，在上侧台阶部88和下侧锥面94之间，在支柱86的两侧形成缝隙96。这些缝隙96用于相对支柱86不干涉不冲突地通过晶片W。在下侧台阶部90的下方，形成用于抽出个别搬送机构16的拾取器的游动空间98。
而且，上述设定直线刻度63的位置不限于图3所示的移动体58的一侧面。例如，直线刻度63可以设置在如图3A所示的保持体64的侧面上，也可以设置在图3B所示的支持部件66的接触部72的侧面上。这种情况下，不言而喻，各个位置检测传感器56也移动设置到与直线刻度63相对的位置。
如图3所示那样，在各个壳体段50内，设置将主搬送室44内间隔成上部空间S1和下部空间S2的水平间隔壁100。升降支持构件65的保持体64配置在上部空间S1内，移动体58配置在下部空间S2内。另外，在间隔壁100的大致中央，形成用于允许支持部件66在水平和垂直方向移动的在纵轴方向延伸的缝隙102。而且，间隔壁100被设置在作为可相互串联连接的段的每个搬送装置单元38A、38B上。
如图2和图3所示那样，在壳体段50的顶壁上设置气体导入口104。而且，具有通过导入口104向上部空间S1供给作为惰性气体的N2气的气体供给系统106。另外，在壳体段50的底部壁上，设置气体排气口108。而且，具有用于通过排气口108从下部空间S2进行真空排气的未图示的具有真空泵等的排气系统。在基本的搬送装置单元38A、38B(图1)中分别具有这些气体供给系统106和排气系统。
通过以上的构成，能够抑制在下部空间S2中由移动体58或支持部件66等的滑动而产生的颗粒附着在保持在上部空间S1的保持部64上的晶片W上。另外，通过在主搬送室44内流动惰性气体，能够降低随着真空排气而发生的主搬送室44内的杂质(从模铸材料上脱离的气体成分等)的分压。
如图1所示，上述构成的搬送装置单元38A、38B，相互是在一端侧的连接用的凸缘50A间连接，并用螺栓110固定。一个搬送装置单元38A的另一端同样地与辅助搬送装置12连接。另一个搬送装置单元38B的另一端同样地气密地安装盖体112。而且，在本实施方式中，不是每个搬送装置单元38A、38B都具有移动部分65，而且整个主搬送装置14仅具有一个移动部分65。
如图7所示，在各个个别搬送装置18A～18D的搬送室内，设置个别搬送机构16。由于各个个别搬送装置18A～18D的构成是相同的，所以在图7中，仅表示了一个个别搬送装置18A。该个别搬送机构16具有能够屈伸和旋转的多关节臂。如前所述，主搬送装置14具有通过升降支持构件60和升降机构74来升降晶片W的功能(图3)。为此，个别搬送机构16，作为仅在水平方向移动晶片W的水平搬送机构，能够形成更简单的构造。
下面，说明上述构成的本实施方式的处理系统的操作。
首先，如图1所示，使用入口侧搬送装置4的搬送机构22，从例如载置在盒站6A上的盒子容器C内，取出未处理的半导体晶片W。该晶片W通过搬送机构22搬送到校准装置28。校准装置28根据规定的顺序进行晶片W的校准。
校准后的晶片W通过搬送机构22搬送到任何一个负载锁定装置，例如负载锁定装置8A之前。在将该装置8A的负载锁定室内调整为大气压后，打开阀门G1，将晶片W载置到负载锁定室内的载置台34A上。在关闭阀门G1后，对装置8A的负载锁定室内进行真空排气。之后，打开阀门G3，连通负载锁定室内和预先为真空状态的辅助搬送装置12的搬送室内。
下面，使用辅助搬送装置12内的搬送机构10，从负载锁定装置8A的载置台34A上向主搬送装置14的主搬送室44内移送晶片W。被移送的未处理的晶片W虽然载置到图3的保持体64上，但是，载置到保持体64的上侧的台阶部88(图3)是优选的防止颗粒的对策。那是因为如果将处理完的晶片载置到上侧的台阶部88，就有可能从那里向下掉颗粒。
在主搬送装置14中，一边将未处理的晶片W保持到保持体64中，一边由线性马达机构49来驱动移动体58，移动移动部分65，直到与希望的处理装置20A～20D对应的位置。例如在利用处理装置20A来进行处理的情况下，将移动部分65移动到与跟前的移送口52A相对应的位置。
而且，在个别搬送装置18A内的搬送机构16(图7)中，将处理完的晶片W从处理装置20A中取出，载置到保持体64的下侧的台阶部90(图3)上。利用相同的搬送机构16，取出上侧的台阶部88(图3)的晶片W，向处理装置20A移送。这样，进行处理完的晶片W和未处理的晶片W的移送交换。这种情况下，由于个别搬送机构16不具有升降功能，所以升降机构74就将保持体64升降到需要的高度。
像上述那样，结束一个处理装置中的处理后，再将晶片W搬送到下一个处理装置，进行下一步处理。并且，全部必要处理进行完了的晶片W从主搬送装置14，沿着例如与上述相反的路线，返回到原来的盒容器C。
在本实施方式的主搬送装置14中，通过利用升降机构74来驱动移动部分65的升降支持构件60，来将保持晶片W的保持体64升降。因此，各个个别搬送装置18A～18D的个别搬送机构16不必具有升降功能，由此可简化构造。另外，由于能够从在导轨48上移动的移动部分65中省略相当于升降机构74的构成，所以，可实现与作为被处理体的晶片W同时移动的移动部分65的简化和小型化。另外，由于升降支持构件60本身重量轻，所以容易进行移动部分65的启动、停止。
另外，在移动体58上设置由永磁铁形成的励磁磁铁62，需要电力供给的电枢线圈54设置在壳体段50侧。为此，在移动部分65上不需要连接用于电枢线圈的供电用电缆。
这里，对于如图1那样构成的处理系统，附加更多的处理装置，就会出现想进行更多的处理的情况。
在这种情况下，如图8所示的本实施方式的第一变形例，可以在卸下盖体112的搬送装置单元38B的端部连接新的搬送装置单元38C。在图8中，对于与图1中相同的构成部分赋予相同的符号。这里，在追加的搬送装置单元38C上，通过两个个别搬送装置18E、18F连接两个处理装置20E、20F。在追加的处理单元38C内，也包含用于延长电枢线圈54和导轨48的电枢线圈段54A和导轨段48A(图3)。
如果这样串联连接任意个数的搬送装置单元，就能够简单增设需要个数的处理装置。另外，既使在处理系统出厂前的制造阶段，也能够容易地组装具有与订单对应的数量的处理装置的处理系统。
另外，在需要的情况下，如图9的第二变形例所示那样，在搬送装置单元38C上连接个别搬送装置18E、18F之时，也可以通过阀门G9、G10来代替连接管。这种情况下，优选在个别搬送装置18E、18F上分别设置N2气导入系统和真空排气系统。将个别搬送装置18E、18F通过阀门G9、G10可与主搬送室44气密地分离，由此能够抑制特别是由处理装置20E、20F内的颗粒等污染的大气倒流向主搬送室44侧。另外，各个个别搬送装置18E、18F具有作为负载锁定装置的功能，由此也能够使用常压处理装置作为处理装置20E、20F。
另外，在上面的例子中，说明了串联连接多个搬送装置单元的情况，但如图10所示的第三变形例，也可以通过仅具有一个搬送装置单元38A的主搬送装置14来构成处理系统。
另外，在上面的例子中，移动体58设为在导轨48上滑动的构造，但如图11到图13所示，也可以设为将移动体从导轨浮出的构造。
图11是表示将移动体58’上浮的磁上浮装置的构造。在该构造中，导轨114具有设置在壳体段50的底壁上的导轨主体116。导轨主体116具有大致T字形的横截面，移动体58’具有在导轨主体116的周围留有缝隙且包围它那样的横截面形状。
在导轨主体116的上面中央部形成槽部118，在该槽部118的两侧设置一对电枢线圈段54A。而且，在移动体58’上，设置由永磁铁形成的励磁磁铁62，使得在线圈段54A之间伸出。通过这样，形成对移动体58’赋予水平方向的驱动力的线性马达机构。
另外，在导轨主体116的外周面上，安装多个例如由永磁铁形成的固定侧磁铁120。在移动体58的内周面上，与各个固定侧磁铁120相对，安装多个例如由永磁铁形成的移动侧磁铁122。将相对的固定侧磁铁120和移动侧磁铁122设定为使得产生相反的力那样的极性。通过这样，构成将移动体58’从导轨114通常上浮的磁上浮装置。
通过使用这样的磁上浮装置，能够防止由移动体58’的滑动产生的颗粒的发生。而且，固定侧磁铁120也可以由电枢线圈段或者电磁铁形成。另外，导轨114也可以与图3所示的导轨48相同设置在壳体段50的侧壁上。
图12和图13是表示气体上浮移动体58”的气体喷出式上浮装置的构造。如图12所示那样，在该构造中，在设置在壳体段50的底部的块50C上，设置向上方突出的电枢线圈段54A。而且，在移动体58”的下侧中央设置由一对永磁铁形成的励磁磁铁62，使得线圈段54A夹在其间。通过这样，形成对移动体58”赋予水平方向的驱动力的线性马达机构。
在移动体58”的底面两侧形成在纵轴方向延伸的一对突起部126。各突起部126具有形成90度左右的夹角θ配置的一对气体接收面124。在块50C的上面设置与移动体58”的突起部126对应的一对气体喷出部件129。各气体喷出部件129具有为与突起部126对应的大致三角形截面且在纵轴方向延伸的气体槽128。在与突起部126的气体接收面124相对的气体槽128的两侧，分别形成多个气体喷嘴130。
如图13所示，气体喷嘴130每一对与具有开闭阀133的气体供给部件132连接。该气体供给部件132与一对气体喷嘴130的组合在纵轴方向形成规定间隔(图13)且平均配置2组(图12)。如图13所示，具有控制各个气体供给部件132的阀133的开闭的气体喷射控制部134。气体喷射控制部134控制各个阀133的开闭，使得对应于移动体58”的移动，仅从位于其下和即将移动的方向上之前的气体喷嘴130选择地喷射N2气。这样，形成时常上浮移动体58”的气体喷出上浮装置。通过使用这样的气体喷出式上浮装置，与磁上浮装置的情况相同，能够防止由移动体58”的滑动导致的颗粒的发生。
而且，在以上的说明中，说明了使用半导体晶片作为被处理体的情况，但本发明不限于此。例如，在将LCD基板或者玻璃基板等作为被处理体的情况也能够适用本发明。

Claims (12)

1.一种用于搬送被处理体的搬送装置，其特征在于，具有：
壳体，其分隔成真空环境的搬送室，同时具有用于在所述搬送室和外部之间移送被处理体的移送口；
导轨，在所述搬送室内大致水平地设置；
移动体，在所述导轨上可移动地设置；
水平驱动机构，沿着所述导轨移动所述移动体；
升降支持构件，其具有保持被处理体的保持体、相对所述移动体升降自由地连接该保持体的支持部件；
升降机构，配置在与所述壳体的移送口对应的位置，相对所述移动体升降所述升降支持构件的支持部件。
2.根据权利要求1所述的搬送装置，其特征在于，
在所述壳体的外部设置通过所述移送口仅在水平方向移动被处理体的水平搬送机构，
所述升降机构构成为，将所述保持体所保持的被处理体定位到与所述水平搬送机构对应的高度。
3.根据权利要求1所述的搬送装置，其特征在于，
所述移动体可构成为，具有限制所述支持部件的最低位置的限制器，同时，所述支持部件在所述最低位置的状态下移动。
4.根据权利要求1所述的搬送装置，其特征在于，
所述升降机构具有：
贯通所述壳体的底部，相对所述支持部件可接触的推杆；
配置在所述壳体的外部，升降所述推杆的垂直驱动机构；
用于气密地保持所述壳体和所述推杆之间的气密部件。
5.根据权利要求1所述的搬送装置，其特征在于，
还具有：在所述移动体和所述升降支持构件中的至少一个上设置的、沿着所述移动体的移动方向延伸的位置检测用的线性标度；
在所述壳体的内面的与所述线性标度相对的高度所设置的、沿着所述移动体的移动方向、以比所述线性标度的长度还短的间隔来配置的多个位置检测传感器。
6.根据权利要求1所述的搬送装置，其特征在于，
所述水平驱动机构是由在所述壳体内沿着所述移动体的移动方向设置的电枢线圈、设置在所述移动体的励磁磁铁构成的线性马达机构，
在所述壳体内，设置将所述电枢线圈与所述搬送室内气密地隔离的隔板。
7.根据权利要求1所述的搬送装置，其特征在于，
还具有将所述移动体从所述导轨上浮的磁上浮装置。
8.根据权利要求1所述的搬送装置，其特征在于，
还具有将所述移动体从所述导轨上浮的气体喷出式上浮装置。
9.根据权利要求1所述的搬送装置，其特征在于，
在所述壳体内，设置将所述搬送室间隔成上部和下部的间隔壁，
所述升降支持构件的保持体配置在所述搬送室的上部，所述移动体配置在所述搬送室的下部，
所述间隔壁具有允许所述升降支持构件的支持部件的移动的缝隙，
该搬送装置还具有：
向所述搬送室的上部供给惰性气体的气体供给系统；
用于从所述搬送室的下部进行真空排气的排气系统。
10.一种用于搬送被处理体的搬送装置，其特征在于，具有：
壳体，其分隔成真空环境的搬送室，同时具有用于在所述搬送室和外部之间移送被处理体的移送口；
导轨，在所述搬送室内大致水平地设置；
移动部分，在所述导轨上可移动地设置的、具有保持被处理体的保持部；
水平驱动机构，沿着所述导轨移动所述移动部分；
线性标度，设置在所述移动部分上、沿着所述移动部分的移动方向延伸、用于位置检测；
多个位置检测传感器，在所述壳体的内面设置成与所述线性标度相对的高度，沿着所述移动部分的移动方向以与所述线性标度的长度相比较短的间隔配置。
11.一种处理系统，其特征在于，具有：
(a)主搬送装置，其中包括：
壳体，间隔真空环境的主搬送室，同时具有多个移送口；
导轨，在所述搬送室内大致水平设置；
移动体，在所述导轨上可移动设置；
水平驱动机构，沿着所述导轨移动所述移动体；
升降支持构件，具有保持被处理体的保持体、相对所述移动体升降自由地连接该保持体的支持部件；
相对所述移动体升降所述升降支持构件的支持部件的升降机构，
(b)辅助搬送装置，具有：
间隔与所述主搬送室可连通的真空环境的辅助搬送室的壳体；
在所述辅助搬送室内设置的辅助搬送机构，
(c)负载锁定装置，具有间隔可与所述辅助搬送室连通且真空排气的负载锁定室的壳体，
(d)入口侧搬送装置，具有：间隔可与所述负载锁定室连通的大气环境的入口侧搬送室的壳体；设置在所述入口侧搬送室内的入口侧搬送机构，
(e)连接在所述入口侧搬送室、用于载置可收容多个被处理体的盒容器的盒站，
(f)多个个别搬送装置，该个别搬送装置对应于所述主搬送装置的各个移送口来设置，分别具有：壳体，间隔成通过所述移送口可与所述主搬送室连通的真空环境的个别搬送室；在所述个别搬送室内设置的个别搬送机构，
(g)多个处理装置，该处理装置对应于各个个别搬送装置来设置，分别具有壳体，该壳体间隔成可与所述个别搬送室连通的真空处理室，对所述被处理体进行规定的处理。
12.根据权利要求11所述的处理系统，其特征在于，
所述主搬送装置的壳体，利用具有至少一个所述移送口的相互可连接的多个壳体段的至少一个来构成，
所述导轨，利用可相互连接的多个导轨段的至少一个来构成。
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