JPH0722158B2 - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPH0722158B2 JPH0722158B2 JP61247003A JP24700386A JPH0722158B2 JP H0722158 B2 JPH0722158 B2 JP H0722158B2 JP 61247003 A JP61247003 A JP 61247003A JP 24700386 A JP24700386 A JP 24700386A JP H0722158 B2 JPH0722158 B2 JP H0722158B2
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- Japan
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- gas
- flow rate
- vacuum container
- freon
- dry etching
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （発明の技術分野） 本発明はドライエッチング装置に関し、特に反応ガスの
種類、流量比に改良を施したものである。
種類、流量比に改良を施したものである。
（従来の技術） 従来、エッチング装置としては、例えば第４図に示すも
のが知られている。
のが知られている。
図中の１は真空容器である。この真空容器１の内部には
被処理物２を多段に載置する載置棚３が設けられてい
る。この載置棚３は、下面にシャフト４が取付られた支
持台５上に載置されている。前記シャフト４の端部は前
記真空容器１の下面を貫通してモーター６に接続され、
エッチング中に前記支持台５を回転するようになってい
る。前記真空容器１の側壁には、エッチングガスを真空
容器１内に導入するためのガス導入管７が接続されてい
る。このガス導入管７の中途部には、プラズマ発生装置
８が介設されている。ここで、前記発生装置８は、前記
ガス導入管７の中途部に設けられた放電管９とこの外側
の導波管10とから構成され、導波管10を介してマイクロ
波11を印加することによりプラズマを発生するようにな
っている。前記真空容器１の側壁には反応ガスを排気す
るガス排気管12が設けられ、該排気管12には真空ポンプ
（図示せず）が接続されている。
被処理物２を多段に載置する載置棚３が設けられてい
る。この載置棚３は、下面にシャフト４が取付られた支
持台５上に載置されている。前記シャフト４の端部は前
記真空容器１の下面を貫通してモーター６に接続され、
エッチング中に前記支持台５を回転するようになってい
る。前記真空容器１の側壁には、エッチングガスを真空
容器１内に導入するためのガス導入管７が接続されてい
る。このガス導入管７の中途部には、プラズマ発生装置
８が介設されている。ここで、前記発生装置８は、前記
ガス導入管７の中途部に設けられた放電管９とこの外側
の導波管10とから構成され、導波管10を介してマイクロ
波11を印加することによりプラズマを発生するようにな
っている。前記真空容器１の側壁には反応ガスを排気す
るガス排気管12が設けられ、該排気管12には真空ポンプ
（図示せず）が接続されている。
上記構造のドライエッチング装置の操作は以下の通りで
ある。まず、水平にした装置棚３に被処理物を載置し、
ガス排気管12の真空排気を行う。つづいて、ガス導入管
７によりエッチングガスとしてフレオン及び酸素を送
り、真空容器１内を所定圧力のガス雰囲気とするととも
に、放電管９にマイクロ波出力11を印加することにより
ガスプラズマを発生させる。そして、このガスプラズマ
の発生によりフッ素ラジカル及び酸素ラジカルが生成さ
れ、真空容器１内の被処理物２のエッチングを行なう。
ある。まず、水平にした装置棚３に被処理物を載置し、
ガス排気管12の真空排気を行う。つづいて、ガス導入管
７によりエッチングガスとしてフレオン及び酸素を送
り、真空容器１内を所定圧力のガス雰囲気とするととも
に、放電管９にマイクロ波出力11を印加することにより
ガスプラズマを発生させる。そして、このガスプラズマ
の発生によりフッ素ラジカル及び酸素ラジカルが生成さ
れ、真空容器１内の被処理物２のエッチングを行なう。
上記構造のドライエッチング装置は、エッチング処理と
プラズマ発生とを別個の室で行なうため、プラズマが直
接被処理物に照射することがないという利点を有する。
しかしながら、従来装置によれば、第５図に示す如く、
フレオン及び酸素の総流量に対するフレオンの流量比を
20％以下とした場合下地との選択比が最大で35と低いと
いう問題を有する。
プラズマ発生とを別個の室で行なうため、プラズマが直
接被処理物に照射することがないという利点を有する。
しかしながら、従来装置によれば、第５図に示す如く、
フレオン及び酸素の総流量に対するフレオンの流量比を
20％以下とした場合下地との選択比が最大で35と低いと
いう問題を有する。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、従来と比べ
被処理物の下地との選択比を向上し得るドライエッチン
グ装置を提供することを目的とする。
被処理物の下地との選択比を向上し得るドライエッチン
グ装置を提供することを目的とする。
［発明の構成］ 本発明は、基板上に下地膜を介してレジストが形成され
た被処理物を加熱する手段を有した真空容器と、前記真
空容器に連結されたガス導入管と、前記真空容器内部に
送られ、酸素，フレオン及び窒素からなり、フレオン流
量が酸素及びフレオン流量の20％以下で、窒素流量が酸
素及びフレオン流量の10％以下の反応性ガスと、反応性
ガスを排気するガス排出管と、上記ガス導入管の中途部
に介設されたプラズマ発生装置とを具備し、前記被処理
物のレジストをエッチングすることを特徴とするドライ
エッチング装置である。本発明によれば、被処理物の下
地膜との選択比を著しく向上できる。
た被処理物を加熱する手段を有した真空容器と、前記真
空容器に連結されたガス導入管と、前記真空容器内部に
送られ、酸素，フレオン及び窒素からなり、フレオン流
量が酸素及びフレオン流量の20％以下で、窒素流量が酸
素及びフレオン流量の10％以下の反応性ガスと、反応性
ガスを排気するガス排出管と、上記ガス導入管の中途部
に介設されたプラズマ発生装置とを具備し、前記被処理
物のレジストをエッチングすることを特徴とするドライ
エッチング装置である。本発明によれば、被処理物の下
地膜との選択比を著しく向上できる。
（実施例） 以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説明する。
図中の21は真空容器である。この真空容器21の内部に
は、被処理物22を多段に載置する載置棚23が設けられて
いる。この載置棚23は、下面にシャフト24が取付けられ
た支持台25上に載置されている。前記シャフト24の端部
は前記真空容器２の下面を貫通してモーター26に接続さ
れ、エッチング中に前記支持台25を回転するようになっ
ている。また、前記載置棚23には熱板27が組み込まれ、
支持台25及びシャフト24を通じて電源28に接続されてい
る。前記真空容器21の側壁には、エッチングガスを真空
容器21内に導入するためのガス導入管29が接続されてい
る。このガス導入管29の中途部には、プラズマ発生装置
30が介設されている。ここで、前記プラズマ発生装置30
は前記ガス導入管29の中途部に設けられた放電管31とこ
の外側の導波管32とから構成され、導波管32を介してマ
イクロ波33を印加することによりプラズマを発生するよ
うになっている。前記真空容器21の側壁には反応ガスを
排気するガス排気管34が設けられ、該排気管34には真空
ポンプ（図示せず）が接続されている。
は、被処理物22を多段に載置する載置棚23が設けられて
いる。この載置棚23は、下面にシャフト24が取付けられ
た支持台25上に載置されている。前記シャフト24の端部
は前記真空容器２の下面を貫通してモーター26に接続さ
れ、エッチング中に前記支持台25を回転するようになっ
ている。また、前記載置棚23には熱板27が組み込まれ、
支持台25及びシャフト24を通じて電源28に接続されてい
る。前記真空容器21の側壁には、エッチングガスを真空
容器21内に導入するためのガス導入管29が接続されてい
る。このガス導入管29の中途部には、プラズマ発生装置
30が介設されている。ここで、前記プラズマ発生装置30
は前記ガス導入管29の中途部に設けられた放電管31とこ
の外側の導波管32とから構成され、導波管32を介してマ
イクロ波33を印加することによりプラズマを発生するよ
うになっている。前記真空容器21の側壁には反応ガスを
排気するガス排気管34が設けられ、該排気管34には真空
ポンプ（図示せず）が接続されている。
こうした構造のドライエッチング装置を用いて本実施例
では、第２図の被処理物22をエッチングする場合につい
て述べる。同図において、41は例えばシリコン基板であ
り、この基板41上には厚さ1000Åの熱酸化膜42が形成さ
れ、更にこの熱酸化膜42上には多結晶シリコン層43を介
してエッチングすべきポジ型レジスト44が形成されてい
る。まず、水平にした載置棚23に被処理物22を載置し、
ガス排気管34の真空排気を行う。つづいて、載置棚23を
モーター26により6rpmで回転させながら、圧力30Pa,高
周波出力80W,被処理物22の温度140℃の条件下でポジ型
レジスト44のエッチングを行なった。この際、ガス導入
管29からは酸素（O2），フレオン（CF4）及び窒素
（N2）ガスを矢印Ａの如く真空容器21内へ導入し、これ
ら３種のガスの流量比を ｛CF4ガス流量／（O2＋CF4）ガス流量｝ ×100％≦20％ …（１） ｛N2ガス流量／（O2＋CF4）ガス流量｝ ×100％≦10％ …（２） とした。そして、ガスプラズマの発生により酸素ラジカ
ルとフッ素ラジカルと窒素ラジカルを生成し、真空容器
21内の被処理物22のエッチングを行う。
では、第２図の被処理物22をエッチングする場合につい
て述べる。同図において、41は例えばシリコン基板であ
り、この基板41上には厚さ1000Åの熱酸化膜42が形成さ
れ、更にこの熱酸化膜42上には多結晶シリコン層43を介
してエッチングすべきポジ型レジスト44が形成されてい
る。まず、水平にした載置棚23に被処理物22を載置し、
ガス排気管34の真空排気を行う。つづいて、載置棚23を
モーター26により6rpmで回転させながら、圧力30Pa,高
周波出力80W,被処理物22の温度140℃の条件下でポジ型
レジスト44のエッチングを行なった。この際、ガス導入
管29からは酸素（O2），フレオン（CF4）及び窒素
（N2）ガスを矢印Ａの如く真空容器21内へ導入し、これ
ら３種のガスの流量比を ｛CF4ガス流量／（O2＋CF4）ガス流量｝ ×100％≦20％ …（１） ｛N2ガス流量／（O2＋CF4）ガス流量｝ ×100％≦10％ …（２） とした。そして、ガスプラズマの発生により酸素ラジカ
ルとフッ素ラジカルと窒素ラジカルを生成し、真空容器
21内の被処理物22のエッチングを行う。
上記構造によるドライエッチング装置によれば、O2,CF4
及びN2ガスを上記（１），（２）式の如く混合し、この
混合ガスをガス導入管29を通して真空容器21内へ導入す
るため、良好な選択比を得ることができる。事実、前述
した条件下で被処理物21をエッチングしたところ、第５
図〜第７図に示す実験結果が得られた。
及びN2ガスを上記（１），（２）式の如く混合し、この
混合ガスをガス導入管29を通して真空容器21内へ導入す
るため、良好な選択比を得ることができる。事実、前述
した条件下で被処理物21をエッチングしたところ、第５
図〜第７図に示す実験結果が得られた。
第５図は、O2ガス及びCF4ガスの総流量を1SLMとし、O2
ガスとCF4ガスとの流量比を変化させた場合のポジ型レ
ジストのエッチング速度、選択比を示したものである。
ここで、選択比はポジ型レジスト44のエッチング速度を
E1,下地の熱酸化膜のそれをE2としたとき、E1/E2で表わ
される。第５図より、ガス流量比が20％を越えるとエッ
チング速度が急激に低下するとともに、選択比が低下す
ることが明らかである。また、ガス流量比が減少するに
従ってエッチング速度、選択比がともに増加することが
明らかである。以上より、ガス流量比が式（１）を満足
すれば良好な選択比が得られることが理解できる。但
し、式（１）において、ガス流量比は０にならず、より
好ましい範囲は５〜20（％）である。
ガスとCF4ガスとの流量比を変化させた場合のポジ型レ
ジストのエッチング速度、選択比を示したものである。
ここで、選択比はポジ型レジスト44のエッチング速度を
E1,下地の熱酸化膜のそれをE2としたとき、E1/E2で表わ
される。第５図より、ガス流量比が20％を越えるとエッ
チング速度が急激に低下するとともに、選択比が低下す
ることが明らかである。また、ガス流量比が減少するに
従ってエッチング速度、選択比がともに増加することが
明らかである。以上より、ガス流量比が式（１）を満足
すれば良好な選択比が得られることが理解できる。但
し、式（１）において、ガス流量比は０にならず、より
好ましい範囲は５〜20（％）である。
第６図は、O2ガス及びCF4ガスの総流量を1SLM、総流量
に対するCF4ガスの流量を20％とし、総流量に対するN2
ガスの流量比を変化させた場合のエッチング速度及び選
択比を示したものである。第６図より、ガス流量比が本
体10％を越えるとエッチング速度、選択比が急激に低下
するとともに、ガス流量比が10％以下ではエッチング速
度、選択比が大きいことが明らかである。以上より、ガ
ス流量比が式（２）を満足すれば良好な選択比が得られ
ることを理解できる。但し、式（２）でガス流量比は０
にはならず、より好ましい範囲は５〜10（％）である。
に対するCF4ガスの流量を20％とし、総流量に対するN2
ガスの流量比を変化させた場合のエッチング速度及び選
択比を示したものである。第６図より、ガス流量比が本
体10％を越えるとエッチング速度、選択比が急激に低下
するとともに、ガス流量比が10％以下ではエッチング速
度、選択比が大きいことが明らかである。以上より、ガ
ス流量比が式（２）を満足すれば良好な選択比が得られ
ることを理解できる。但し、式（２）でガス流量比は０
にはならず、より好ましい範囲は５〜10（％）である。
第７図は、O2ガス及びCF4ガスの総流量を1SLM、総流量
に対するN2ガス流量を10％とし、被処理物22の加熱温度
を変化させた場合のエッチング速度、選択比を夫々示し
たものである。第７図より、加熱温度が大体200℃を越
えると、エッチング速度が増加し選択比が低下するのが
明らかである。逆に、加熱温度が200℃以下になると、
エッチング速度が減少し選択比が大きくなることが明ら
かである。以上により、加熱温度が200℃以下であれ
ば、良好な選択比が得られることを理解できる。
に対するN2ガス流量を10％とし、被処理物22の加熱温度
を変化させた場合のエッチング速度、選択比を夫々示し
たものである。第７図より、加熱温度が大体200℃を越
えると、エッチング速度が増加し選択比が低下するのが
明らかである。逆に、加熱温度が200℃以下になると、
エッチング速度が減少し選択比が大きくなることが明ら
かである。以上により、加熱温度が200℃以下であれ
ば、良好な選択比が得られることを理解できる。
即ち、本発明ではガス流量比CF4/（CF4＋O2）,N2/（CF4
＋O2）を夫々20％、10％以下更に好ましくは５〜20％,5
〜10％とすることにより、ポジ型レジスト44のエッチン
グ速度を低下させることなく、下地との選択比を著しく
大きくできる。また、被処理物22の加熱温度200℃以下
とすれば、更に好ましい結果が得られる。
＋O2）を夫々20％、10％以下更に好ましくは５〜20％,5
〜10％とすることにより、ポジ型レジスト44のエッチン
グ速度を低下させることなく、下地との選択比を著しく
大きくできる。また、被処理物22の加熱温度200℃以下
とすれば、更に好ましい結果が得られる。
なお、本発明に係るドライエッチング装置は第１図に示
す装置に限らず、第３図に示す装置でもよい。第３図に
おいて、51は真空容器21の上部に取り付けたガス分散管
であり、エッチングガスを真空容器21内に均一に導入す
るためのものである。前記ガス分散管51の一端側は、ガ
ス導入管29に連結されている。また、前記真空容器21の
底部にはマニホルド52が設けられ、このマニホルド52は
ガス排気管34に連結されている。こうした構造の装置に
よれば、第１図の装置と同様な結果が得られる。
す装置に限らず、第３図に示す装置でもよい。第３図に
おいて、51は真空容器21の上部に取り付けたガス分散管
であり、エッチングガスを真空容器21内に均一に導入す
るためのものである。前記ガス分散管51の一端側は、ガ
ス導入管29に連結されている。また、前記真空容器21の
底部にはマニホルド52が設けられ、このマニホルド52は
ガス排気管34に連結されている。こうした構造の装置に
よれば、第１図の装置と同様な結果が得られる。
また、上記実施例では、下地膜が熱酸化膜である場合に
ついて述べたが、これに限らず、下地膜が多結晶シリコ
ン層、シリコン窒化膜、あるいは単結晶シリコン膜であ
る場合についても、上記実施例と同様な効果が期待でき
る。
ついて述べたが、これに限らず、下地膜が多結晶シリコ
ン層、シリコン窒化膜、あるいは単結晶シリコン膜であ
る場合についても、上記実施例と同様な効果が期待でき
る。
［発明の効果］ 以上詳述した如く本発明によれば、被処理物の下地との
選択比を著しく大きくし得るドライエッチング装置を提
供できる。
選択比を著しく大きくし得るドライエッチング装置を提
供できる。
第１図は本発明の一実施例に係るドライエッチング装置
の説明図、第２図は被処理物の断面図、第３図は本発明
の他の実施例に係るドライエッチング装置の説明図、第
４図は従来のドライエッチング装置の説明図、第５図及
び第６図は夫々ガス流量比とエッチング速度、選択比と
の関係を示す特性図、第７図は加熱温度とエッチング速
度、選択比との関係を示す特性図である。 21……真空容器、22……被処理物、29……ガス導入管、
30……プラズマ発生装置、31……放電管、32……導波
管、33……マイクロ波、34……ガス排気管、51……ガス
分散管、52……マニホルド。
の説明図、第２図は被処理物の断面図、第３図は本発明
の他の実施例に係るドライエッチング装置の説明図、第
４図は従来のドライエッチング装置の説明図、第５図及
び第６図は夫々ガス流量比とエッチング速度、選択比と
の関係を示す特性図、第７図は加熱温度とエッチング速
度、選択比との関係を示す特性図である。 21……真空容器、22……被処理物、29……ガス導入管、
30……プラズマ発生装置、31……放電管、32……導波
管、33……マイクロ波、34……ガス排気管、51……ガス
分散管、52……マニホルド。
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に下地膜を介してレジストが形成さ
れた被処理物を加熱する手段を有した真空容器と、前記
真空容器に連結されたガス導入管と、前記真空容器内部
に送られ、酸素，フレオン及び窒素からなり、フレオン
流量が酸素及びフレオン流量の20％以下で、窒素流量が
酸素及びフレオン流量の10％以下の反応性ガスと、反応
性ガスを排気するガス排出管と、上記ガス導入管の中途
部に介設されたプラズマ発生装置とを具備し、前記被処
理物のレジストをエッチングすることを特徴とするドラ
イエッチング装置。 - 【請求項２】前記被処理物を200℃以下で加熱すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のドライエッチ
ング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61247003A JPH0722158B2 (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61247003A JPH0722158B2 (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | ドライエツチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63102232A JPS63102232A (ja) | 1988-05-07 |
| JPH0722158B2 true JPH0722158B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=17156933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61247003A Expired - Lifetime JPH0722158B2 (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722158B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63152126A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-24 | Fujitsu Ltd | アツシング方法 |
| US4869777A (en) * | 1988-12-16 | 1989-09-26 | Ibm Corporation | Method for selectively etching the materials of a composite of two materials |
| US6080680A (en) * | 1997-12-19 | 2000-06-27 | Lam Research Corporation | Method and composition for dry etching in semiconductor fabrication |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5621330A (en) * | 1979-07-31 | 1981-02-27 | Toshiba Corp | Method of dry etching |
| JPS61127877A (ja) * | 1984-11-27 | 1986-06-16 | Tokuda Seisakusho Ltd | ドライエツチング装置 |
-
1986
- 1986-10-17 JP JP61247003A patent/JPH0722158B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63102232A (ja) | 1988-05-07 |
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