JPH1197417A

JPH1197417A - リアクティブイオンエッチング方法および装置

Info

Publication number: JPH1197417A
Application number: JP9251739A
Authority: JP
Inventors: Shuichi Saito; 秀一齋藤; Jiyunichi Tonoya; 純一戸野谷
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1997-09-17
Filing date: 1997-09-17
Publication date: 1999-04-09

Abstract

(57)【要約】【課題】基板上に形成されたアルミニウム薄膜もしく
はシリコン窒化初津薄膜をリアクティブイオンエッチン
グする際に、基板内での高いエッチング均一性を実現す
ることが可能な、リアクティブイオンエッチング方法お
よびリアクティブイオンエッチング装置を提供すること
を目的とする。【解決手段】基板上に形成されたアルミニウムもしく
はシリコン窒化物からなる被エッチング薄膜を反応性エ
ッチングガスを用いてエッチングするリアクティブイオ
ンエッチング方法において、前記被エッチング薄膜と同
じ材料からなり、前記基板の周囲を実質的に囲むように
配置されたエッチング補正部材とともにエッチングする
ことを特徴とするリアクティブイオンエッチング方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体用の基板や
液晶ディスプレイ用のガラス基板上に成膜されたＡｌ薄
膜もしくはＳｉＮ_x 薄膜を加工するための、リアクティ
ブイオンエッチング方法および装置に係り、より具体的
にはＡｌ薄膜もしくはＳｉＮ_x 薄膜を均一性良くリアク
ティブイオンエッチングする方法および装置に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】液晶ディスプレイの製造工程において
は、３００ｍｍ×４００ｍｍ以上の大型のガラス基板上
に、薄膜トランジスタのほか、配線電極や絶縁膜などを
形成する。前記配線電極としては抵抗率の低いＡｌ電極
が使用され、また、前記絶縁膜としてはＳｉＮ_x 絶縁膜
が広く用いられている。これらＡｌ電極もしくはＳｉＮ
_x絶縁膜を形成するためには、前記ガラス基板上にＡｌ
薄膜もしくはＳｉＮ_x 薄膜を成膜し、その後、ドライエ
ッチング工程によって、エッチングマスクパターンに対
応した形状に加工することが行われている。

【０００３】前記ドライエッチング工程には、リアクテ
ィブイオンエッチング方法が使用されている。つまり、
Ａｌ電極もしくはＳｉＮ_x 絶縁膜が形成されたガラス基
板をエッチング室内に配置し、エッチングガスを導入し
て放電させる。放電プラズマに含まれる中性のラジカル
または分子は、前記薄膜表面と反応し、その結果生成さ
れた反応生成物が排気により基板表面から除去されるこ
とによって、前記薄膜がエッチングされる。

【０００４】ところで、上述のリアクティブイオンエッ
チング方法においては、基板内でのエッチング均一性が
悪いという問題点が生じていた。つまり、前記反応生成
物は、基板周囲付近で排気されやすく除去されやすい。
そのため、基板周囲付近でのエッチング速度は基板の他
の部分よりも大きく、基板内でエッチング速度に差が生
じていた。その結果、エッチングにより形成されたＡｌ
電極もしくはＳｉＮ_x絶縁膜の形状と、エッチングマス
クパターンとの間の寸法差が、基板内で大きくばらつ
き、マスクのパターン形状に対応した液晶ディスプレイ
製品が製造できないという問題を引き起こしていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、基板
上に形成されたＡｌ薄膜もしくはＳｉＮ_x 薄膜をリアク
ティブイオンエッチングする際に、基板内の高いエッチ
ング均一性を実現することが可能な、リアクティブイオ
ンエッチング方法およびリアクティブイオンエッチング
装置を提供するものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明においては、基板上に形成されたアルミニウ
ムもしくはシリコン窒化物からなる被エッチング薄膜
を、前記被エッチング薄膜と同じ材料からなり、少なく
とも前記基板の周囲を実質的に囲むように配置されたエ
ッチング補正部材とともにエッチングすることとした。

【０００７】（１）すなわち、本発明によれば、基板上
に形成されたアルミニウムもしくはシリコン窒化物から
なる被エッチング薄膜を反応性エッチングガスを用いて
エッチングするリアクティブイオンエッチング方法にお
いて、前記被エッチング薄膜と同じ材料からなり、前記
基板の周囲を実質的に囲むように配置されたエッチング
補正部材とともにエッチングすることを特徴とするリア
クティブイオンエッチング方法が提供される。

【０００８】（２）また、本発明によれば、前記エッチ
ング補正部材は非導電物の上に薄膜状に形成されている
ことを特徴とする（１）に記載のリアクティブイオンエ
ッチング方法が提供される。

【０００９】（３）また、本発明によれば、前記被エッ
チング薄膜には高周波電力を供給し、前記エッチング補
正部材には高周波電力を供給せずにエッチングすること
を特徴とする（１）もしくは（２）に記載のリアクティ
ブイオンエッチング方法が提供される。

【００１０】（４）また、本発明によれば、真空チャン
バ内に一対の電極が配置され、前記一対の電極の一方に
アルミニウムもしくはシリコン窒化物からなる被エッチ
ング薄膜が形成された基板を載置して反応性エッチング
ガスにより前記被エッチング薄膜をリアクティブイオン
エッチングによりエッチングする装置において、前記基
板の周囲を実質的に囲むように、前記被エッチング薄膜
と同じ材料からなるエッチング補正部材を配置したこと
を特徴とするリアクティブイオンエッチング装置が提供
される。

【００１１】（５）また、本発明によれば、前記エッチ
ング補正部材は、非導電物の上に薄膜状に形成されてい
ることを特徴とする（４）に記載のリアクティブイオン
エッチング装置が提供される。

【００１２】（６）また、本発明によれば、前記被エッ
チング薄膜には高周波電力を供給し、前記エッチング補
正部材には高周波電力を供給せずにエッチングすること
を特徴とする（４）もしくは（５）に記載のリアクティ
ブイオンエッチング装置が提供される。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
まず、本発明に係るリアクティブイオンエッチング方法
および装置につき、液晶ディスプレイの製造工程に適用
して説明する。

【００１４】アルミニウム（Ａｌ）もしくはシリコン窒
化物（ＳｉＮ_x ）からなる被エッチング薄膜が成膜され
た例えば矩形状をなすガラス基板を、エッチング室内に
配置された一対の平行平板電極の一方の電極上に保持
し、エッチング室内にエッチングガスを導入する。Ａｌ
薄膜をエッチングする際には、ＢＣｌ₃ 、Ｃｌ₂ などの
ガスを導入し、ＳｉＮ_x 薄膜をエッチングする際には、
ＣＦ₄ 、ＳＦ₆ 、Ｏ₂ 、Ｎ₂ などのガスを導入する。つ
づいて、平行平板電極に高周波電圧を印加することによ
り、被エッチング薄膜に高周波電力を供給する。そし
て、被エッチング薄膜上でエッチングガスのプラズマを
発生させる。このプラズマ中に含まれる中性のＣｌ₂ 分
子、ラジカルのＣｌ^* もしくはラジカルのＦ^* 等と、被
エッチング薄膜とが反応する結果、ＡｌＣｌ₃ もしくは
ＳｉＦ₄ 、Ｎ₂ 等の反応生成物が生成する。これらの反
応生成物を排気により被エッチング薄膜表面から除去す
ることにより、被エッチング薄膜をエッチングする。

【００１５】上述のエッチング工程において、ガラス基
板をエッチング室内に配置する際、前記ガラス基板上に
形成されたＡｌ薄膜もしくはＳｉＮ_x 薄膜からなる被エ
ッチング薄膜と同じ材料からなるエッチング補正部材
を、この被エッチング薄膜が形成されたガラス基板の周
囲を囲むようにエッチング室内に配置する。そして、前
記ガラス基板上の被エッチング薄膜を前記エッチング補
正部材とともにエッチングする。

【００１６】エッチング補正部材は被エッチング薄膜と
同じ材料から形成されているため、被エッチング薄膜と
同様にエッチングされて反応生成物を生成する。従っ
て、見かけ上、被エッチング領域が、被エッチング薄膜
とその周囲を囲むエッチング補正部材とを合わせた領域
に拡大される。そして、エッチング中の反応生成物は、
エッチング補正部材の周囲付近で排気・除去されやすく
なるため、エッチング速度はエッチング補正部材の周囲
付近で大きくなる。その結果、エッチング補正部材の内
側の被エッチング薄膜上では、反応生成物は一様に排気
・除去されることになるため、均一性の高いエッチング
が実現される。すなわち、エッチング補正部材は、被エ
ッチング薄膜のエッチングの不均一性を補正して、全体
が均一になるようにエッチングを行わせるものである。

【００１７】図１は、上記本発明の方法を実施するため
に好適なエッチング補正部材の形状の一例を示す概略平
面図である。エッチング補正部材１は、被エッチング薄
膜４が形成されたガラス基板を囲む環状の形状をなし、
内周線２と、外周線３とによって規定される。内周線２
は被エッチング薄膜４が形成されたガラス基板の外周５
に隣接している。

【００１８】内周線２は、被エッチング薄膜４が形成さ
れたガラス基板の外周５から、この外周５と垂直な方向
に測って、２ｍｍ以下の範囲に位置している。また、内
周線２は外周５と相似をなす形状であることが好まし
く、特に、この外周５と相似でかつ同心をなす形状であ
ることが好ましい。

【００１９】外周線３は、被エッチング薄膜４が形成さ
れたガラス基板の外周５から、この外周５と垂直な方向
に測って、１０ｍｍ以下の範囲に位置している。また、
外周線３は外周５と相似をなす形状であることが好まし
く、特に、この外周５と相似でかつ同心をなす形状であ
ることが好ましい。

【００２０】図２は、分割された複数の部材から構成さ
れたエッチング補正部材１の形状の一例を示す概略平面
図である。エッチング補正部材１は一つ以上の間隙をも
って分割された複数の部材から構成されていても、前述
と同様の効果を示す。つまり、図２（ａ）に示すよう
に、被エッチング薄膜４の中心に向かうような径方向の
間隙６によって、複数の例えば４つの分割部材１ａ〜１
ｄに分割されていても良い。または、図２（ｂ）に示す
ように、被エッチング薄膜４の外周５に沿った間隙６に
よって、複数の例えば２つの分割部材１ｅ、１ｆに分割
されていても良い。ここで、図２（ａ）、（ｂ）におい
て、間隙６は、２ｍｍ以下であることが好ましい。

【００２１】以上、図１および図２に示す形状を有する
エッチング補正部材１は、表面が平坦であることが好ま
しく、エッチング補正部材１の表面は、特に被エッチン
グ薄膜４の表面を含む平面に含まれることが好ましい。

【００２２】エッチング補正部材１を配置する仕方とし
ては、単独で配置するか、またはエッチング補正部材１
と同じ平面形状の支持体に支持された形態で配置する仕
方が挙げられる。エッチング補正部材１を支持体上に形
成する方法としては、蒸着、スパッタリングなどにより
薄膜状に形成する方法が挙げられる。

【００２３】前記支持体は、金属のような導電物から形
成するよりも、絶縁物もしくは半導体物質のような非導
電物から形成する方が好ましい。つまり、被エッチング
薄膜４が形成されているガラス基板は絶縁物であるた
め、エッチング補正部材１が形成されている支持体も絶
縁物もしくは半導体のような非導電物からなる方が好ま
しい。その結果、エッチング中に被エッチング薄膜４が
プラズマに及ぼす影響と、エッチング補正部材１がプラ
ズマに及ぼす影響とを同様にすることができるため、被
エッチング薄膜４のエッチング均一性をより向上させる
ことができる。エッチング補正部材１を金属のような導
電物からなる支持体上に形成すると、被エッチング薄膜
４がプラズマに及ぼす影響とエッチング補正部材１がプ
ラズマに及ぼす影響とが異なる。その結果、被エッチン
グ薄膜４上のプラズマがエッチング補正部材１上のプラ
ズマによって乱されて不均一になるため、被エッチング
薄膜４内のエッチング均一性が低下する。

【００２４】前記非導電物を形成する絶縁物としては、
たとえば石英、ガラス、セラミックスなどが挙げられ、
また半導体物質としては、たとえばシリコンなどが挙げ
られる。液晶ディスプレイ製造工程においては、これら
の材料のうち、基板と同じガラスが好ましい。

【００２５】また、エッチング中に、エッチング補正部
材１には高周波電力を供給しても良いし、高周波電力を
供給しなくても良い。エッチング補正部材１に高周波電
力を供給しない場合、エッチング補正部材１上ではプラ
ズマは発生しないが、被エッチング薄膜４上で発生した
プラズマ中に含まれる中性の分子やラジカルがエッチン
グ補正部材１上にも及ぶ。エッチング補正部材１は、被
エッチング薄膜４と同様に中性の分子やラジカルと反応
するため、エッチングされて反応生成物を生成する。そ
の結果、エッチング補正部材１に高周波電力を供給しな
くても、前述したように被エッチング薄膜４上のエッチ
ング均一性を向上させることができる。

【００２６】エッチング補正部材１には高周波電力を供
給しない方が好ましい。その理由は、エッチング補正部
材１上で放電が発生しないため、エッチング室内で放電
が発生する領域を減少させることができるからである。
その結果、放電によるエッチング室内の汚れが減少し
て、クリーニングなどのメンテナンスが容易になる。ま
た、エッチング補正部材１とエッチング室内の内壁等と
の間で発生する不要な放電により、高周波電力が消費さ
れることが抑えられ、被エッチング薄膜４上の放電を安
定に保持することができる。その結果、被エッチング薄
膜４のエッチング均一性をより向上させることができ
る。

【００２７】上述のように、エッチング補正部材１に高
周波電力を供給しない方法としては、エッチング補正部
材１を平行平板電極上に配置しないか、もしくはエッチ
ング補正部材１の電位をエッチング中に一定の値に固定
する方法が挙げられる。

【００２８】エッチング補正部材１の電位を一定の値に
固定する方法としては、エッチング補正部材１を非導電
物からなる支持体上に薄膜状に形成した上で、エッチン
グ補正部材１をＤＣ電源と接続してＤＣ電圧を印加する
か、もしくはエッチング補正部材１をエッチング室に接
続するなどして接地する方法が挙げられる。

【００２９】なお、これまで述べてきたように、エッチ
ング補正部材１をエッチング室内に配置するか、もしく
はエッチング補正部材１が形成された支持体をエッチン
グ室内に配置する代わりに、後述するように、エッチン
グ補正部材１を直接エッチング室内に形成したリアクテ
ィブイオンエッチング装置を構成するか、もしくはエッ
チング補正部材１が形成された支持体を直接エッチング
室内に形成したリアクティブイオンエッチング装置を構
成しても、同様の効果が得られる。

【００３０】図３は、上記本発明の方法を実施するため
に好適なリアクティブイオンエッチング装置の一例を示
す概略断面図である。エッチング室を構成する真空チャ
ンバ７の床部には、排気管８、および第１絶縁部材９に
より支持された中空の基板ホルダー１０が配置されてい
る。排気管８には真空ポンプ（図示せず）が介装されて
いる。基板ホルダー１０は、真空チャンバ７の外側に配
置されたブロッキングキャパシタ１１と高周波電源１２
に接続されている。また、基板ホルダー１０内には、真
空チャンバ７の外部から導入された冷却用配水管１３が
挿入され、冷却用配水管１３は冷却装置（図示せず）に
連結されている。

【００３１】真空チャンバ７の天井部には、接地された
中空の対向電極１４が、第２絶縁部材１５により支持さ
れて配置されている。対向電極１４は、基板ホルダー１
０と対向し、基板ホルダー１０と同程度の面積を有して
いる。対向電極１４の基板ホルダー１０と対向する面に
は、複数のエッチングガス噴射穴１６が設けられてい
る。これら噴射穴１６は、対向電極１４内に外部から挿
入されたエッチングガス供給管１７を通して供給される
エッチングガスを、真空チャンバ７内に噴射させる。な
おエッチングガス供給管１７は、エッチングガス供給ボ
ンベ（図示せず）に連結されている。

【００３２】基板ホルダー１０上には、Ａｌ薄膜もしく
はＳｉＮ_x 薄膜からなる被エッチング薄膜４が形成され
基板ホルダー１０上に載置されたガラス基板１８の周囲
を囲むように、被エッチング膜４と同じ材料からなるエ
ッチング補正部材１が形成されている。エッチング補正
部材１は、図１もしくは図２に示す平面形状をなす。ま
た、前述のように、エッチング補正部材１は基板ホルダ
ー１０上に直接形成されているか、もしくは支持体１９
を介して形成されている。

【００３３】図３においては、エッチング補正部材１は
基板ホルダー１０上に形成され、エッチング補正部材１
に基板ホルダー１０から高周波電力が供給される装置構
成となっている。しかし、前述したように、エッチング
補正部材１に高周波電力が供給されない装置構成であっ
ても良い。エッチング補正部材１に高周波電力が供給さ
れない構成としては、前述のようにエッチング補正部材
１の電位が一定の値に固定される構成か、またはエッチ
ング補正部材１が、高周波電圧が印加される基板ホルダ
ー１０上に形成されない構成が挙げられる。

【００３４】図４は、エッチング補正部材１が基板ホル
ダー１０上に形成されない構成を示す概略断面図であ
る。図４（ａ）に示すように、たとえば基板ホルダー１
０が、被エッチング薄膜４に対向する領域を有する第１
基板ホルダー１０ａと、エッチング補正部材１に対向す
る領域を有する第２基板ホルダー１０ｂとに、絶縁体２
０によって分割される構成が挙げられる。そして、被エ
ッチング薄膜４が形成されたガラス基板１８は第１基板
ホルダー１０ａ上に載置され、エッチング補正部材１は
第２基板ホルダー１０ｂ上に形成されて、高周波電圧が
第１基板ホルダー１０ａのみに印加される構成とする。

【００３５】または、図４（ｂ）に示すように、第２基
板ホルダー１０ｂ自体も絶縁体２０から形成されること
によって、エッチング補正部材１が絶縁体２０の上に形
成される構成が挙げられる。

【００３６】または、図４（ｃ）に示すように、第２基
板ホルダー１０ｂが、第１絶縁部材９と一体となる絶縁
体から形成されることによって、エッチング補正部材１
が第１絶縁部材９の上に形成される構成が挙げられる。

【００３７】なお、図４（ａ）〜（ｃ）に示した構成に
おいて、エッチング補正部材１は第２基板ホルダー１０
ｂもしくは絶縁体２０もしくは第１絶縁部材９の上に、
薄膜状に直接形成されていても良いし、または支持体１
９を介して形成されていても良い。

【００３８】また、図４（ａ）〜（ｃ）に示したように
エッチング補正部材１が基板ホルダー１０上に形成され
ない構成とした上で、前述のように、エッチング補正部
材１の電位が一定の値に固定される構成としても良い。

【００３９】次に、図３に示したリアクティブイオンエ
ッチング装置を用いて、Ａｌ薄膜もしくはＳｉＮ_x 薄膜
からなる被エッチング薄膜４をエッチングする方法を示
す。まず、Ａｌ薄膜もしくはＳｉＮ_x 薄膜からなる被エ
ッチング薄膜４が成膜された例えば矩形状のガラス基板
１８を、基板ホルダー１０上に形成されたエッチング補
正部材１が、被エッチング薄膜４が形成されたこのガラ
ス基板１８の周囲を囲むようにして、基板ホルダー１０
上に載置する。

【００４０】以下、当該技術分野でよく知られた方法で
行うことができる。つまり、真空ポンプ（図示せず）を
作動させて、真空チャンバ７内を所定の圧力に保持す
る。次に、冷却装置（図示せず）を作動させて、基板ホ
ルダー１０に冷却用配水管１３を通して冷却水を流すこ
とにより、基板ホルダー１０を冷却する。次に、エッチ
ングガス供給ボンベ（図示せず）から、例えばＢＣｌ
₃ 、Ｃｌ₂ もしくはＣＦ₄、４ＳＦ₆ 、Ｏ₂ 、Ｎ₂ など
のエッチングガスを、エッチングガス供給管１７を通し
てエッチングガス噴射穴１６から、ガラス基板１８表面
へ導入する。つづいて、基板ホルダー１０に、ブロッキ
ングキャパシタ１１を介して高周波電源１２により高周
波電力を供給することにより、ガラス基板１８上の被エ
ッチング薄膜４をエッチング補正部材１とともにエッチ
ングする。以上の結果、ガラス基板１８上の被エッチン
グ薄膜４を均一性高くエッチングすることができる。

【００４１】

【実施例】以下、本発明の実施例を前述の図面を参照し
て具体的に説明する。（実施例）図３において、３６０ｍｍ×４６０ｍｍの矩
形状の基板ホルダー１０を配置したリアクティブイオン
エッチング装置を用いて、以下のようにして、ガラス基
板１８上のＡｌ薄膜４をエッチングした。

【００４２】まず、４００ｎｍの膜厚のＡｌ薄膜４が成
膜された、３００ｍｍ×４００ｍｍの矩形状の１ｍｍの
厚さのガラス基板１８を、基板ホルダー１０の中心に載
置した。

【００４３】次に、３００ｍｍ×４００ｍｍの内周線
２、および３６０ｍｍ×４６０ｍｍの外周線３を有する
薄膜状のＡｌエッチング補正部材１が形成された、エッ
チング補正部材１と同じ形状をなすガラスの支持体１９
を、Ａｌ薄膜４が形成されたガラス基板１８の周囲をＡ
ｌエッチング補正部材１が囲むようにして、基板ホルダ
ー１０上に載置した。Ａｌエッチング補正部材１は１ｍ
ｍの膜厚をなし、ガラスの支持体１９は１ｍｍの厚さを
有する。図５（ａ）に、本実施例におけるガラス基板１
８、および支持体１９が載置された基板ホルダー１０の
概略斜視図を示し、図５（ｂ）にはその概略断面図を示
す。

【００４４】次に、真空ポンプ（図示せず）を作動させ
て、真空チャンバ内を１３．３Ｐａ以下の圧力に保持し
た。冷却装置（図示せず）を作動させて、基板ホルダー
１０に冷却用配水管１３を通して冷却水を流すことによ
り、基板ホルダー１０を冷却した。

【００４５】次に、エッチングガス供給ボンベ（図示せ
ず）から、３２０ｓｃｃｍのＢＣｌ₃ ガスおよび８０ｓ
ｃｃｍのＣｌ₃ ガスを、エッチングガス供給管１７を通
してガス供給穴１６からガラス基板１８表面上へ導入す
ることにより、真空チャンバ７内の圧力を約１００ｍＴ
ｏｒｒに保持した。そして、基板ホルダー１０に、ブロ
ッキングキャパシタ１１を介して、高周波電源１２によ
り約１ｋＷの高周波電力を供給することにより、ガラス
基板１８上のＡｌ薄膜４をエッチングした。エッチング
時間は約１分間とした。

【００４６】（比較例）基板ホルダー１０上に、Ａｌ薄
膜４が形成されたガラス基板１８のみを載置し、薄膜状
のＡｌエッチング補正部材１が形成された支持体１９を
載置しなかったこと以外は、実施例と同じ条件にて、ガ
ラス基板１８上のＡｌ薄膜４をエッチングした。図５
（ｃ）に、比較例におけるガラス基板１８のみが載置さ
れた基板ホルダー１０の概略斜視図を示し、図５（ｄ）
にはその概略断面図を示す。

【００４７】実施例および比較例の各条件にてＡｌ薄膜
４をエッチングした計２枚のガラス基板１８について、
各ガラス基板１８内でのエッチング均一性を調べた。図
６に示すように、各ガラス基板１８の対角線上に位置す
る点ａ、点ｂ、点ｃ、点ｄの４箇所について、エッチン
グ量を測定した。ここで、点ａは前記対角線上の一方の
基板頂点から測って１５ｍｍ、点ｂは３０ｍｍ、点ｃは
１５０ｍｍ、点ｄは２５０ｍｍの地点に位置する。測定
値から、エッチング量の最大値と最小値を求め、下記数
１により、エッチング均一性を算出した。

【００４８】均一性［％］＝［{(最大値）−（最小値)}／{(最大値）＋（最小値)}］×１００ …（１）表１に、結果を示す。

【００４９】

【表１】

【００５０】表１から明らかなように、本発明の実施例
によれば、２．１７％という高いエッチング均一性が実
現されており、比較例による２９．３％のエッチング均
一性と比べて、格段に向上している。

【００５１】以上のように、本実施例のリアクティブイ
オンエッチング装置によって、ガラス基板１８上のＡｌ
薄膜４に対して、基板内での高いエッチング均一性を実
現することができた。

【００５２】

【発明の効果】以上、詳述したように、本発明によれ
ば、ガラス基板上に形成されたＡｌ薄膜もしくはＳｉＮ
_x 薄膜をリアクティブイオンエッチングする際に、基板
内での高いエッチング均一性を実現することが可能な、
リアクティブイオンエッチング方法およびリアクティブ
イオンエッチング装置を提供できる。

【００５３】その結果、エッチングによりガラス基板上
に形成されたＡｌ電極やＳｉＮ_x 絶縁膜の形状と、エッ
チングマスクパターンとの間の寸法差が、基板内で大き
くばらつくことを抑制できるため、マスクのパターン形
状に高精度に対応させることができ、歩留まりが向上す
る等の効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るエッチング補正部材の形状の一例
を示す概略平面図。

【図２】本発明に係るエッチング補正部材の形状の他の
例を示す概略平面図。

【図３】本発明に係るリアクティブイオンエッチング装
置の一例を示す概略断面図。

【図４】本発明に係るエッチング補正部材および基板ホ
ルダーの構成の一例を示す概略断面図。

【図５】本発明の実施例および比較例におけるガラス基
板およびエッチング補正部材を示す概略斜視図および概
略断面図。

【図６】本発明の実施例および比較例におけるガラス基
板上のエッチング量の測定点を示す概略図。

【符号の説明】

１…エッチング補正部材、４…被エッチング薄膜、７…真空チャンバ、１０…基板ホルダー、１８…ガラス基板、１９…支持体。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成されたアルミニウムもしく
はシリコン窒化物からなる被エッチング薄膜を反応性エ
ッチングガスを用いてエッチングするリアクティブイオ
ンエッチング方法において、前記被エッチング薄膜と同
じ材料からなり、前記基板の周囲を実質的に囲むように
配置されたエッチング補正部材とともにエッチングする
ことを特徴とするリアクティブイオンエッチング方法。
【請求項２】前記エッチング補正部材は非導電物の上
に薄膜状に形成されていることを特徴とする請求項１記
載のリアクティブイオンエッチング方法。
【請求項３】前記被エッチング薄膜には高周波電力を
供給し、前記エッチング補正部材には高周波電力を供給
せずにエッチングすることを特徴とする請求項１もしく
は２記載のリアクティブイオンエッチング方法。
【請求項４】真空チャンバ内に一対の電極が配置さ
れ、前記一対の電極の一方にアルミニウムもしくはシリ
コン窒化物からなる被エッチング薄膜が形成された基板
を載置して反応性エッチングガスにより前記被エッチン
グ薄膜をリアクティブイオンエッチングによりエッチン
グする装置において、前記基板の周囲を実質的に囲むように、前記被エッチン
グ薄膜と同じ材料からなるエッチング補正部材を配置し
たことを特徴とするリアクティブイオンエッチング装
置。
【請求項５】前記エッチング補正部材は、非導電物の
上に薄膜状に形成されていることを特徴とする請求項４
記載のリアクティブイオンエッチング装置。
【請求項６】前記被エッチング薄膜には高周波電力を
供給し、前記エッチング補正部材には高周波電力を供給
せずにエッチングすることを特徴とする請求項４もしく
は５記載のリアクティブイオンエッチング装置。