JPS6146029A - プラズマ装置 - Google Patents

プラズマ装置

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Publication number
JPS6146029A
JPS6146029A JP16747284A JP16747284A JPS6146029A JP S6146029 A JPS6146029 A JP S6146029A JP 16747284 A JP16747284 A JP 16747284A JP 16747284 A JP16747284 A JP 16747284A JP S6146029 A JPS6146029 A JP S6146029A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
pipe
temperature
cooling water
thermocouple
Prior art date
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Pending
Application number
JP16747284A
Other languages
English (en)
Inventor
Akiro Kobayashi
小林 章朗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP16747284A priority Critical patent/JPS6146029A/ja
Publication of JPS6146029A publication Critical patent/JPS6146029A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435Target holders (includes backing plates and endblocks)

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、円筒型プラズマ装置の改良に関する。
(従来の技術) 従来半導体製造業界において円筒型プラズマ装置は酸素
プラズマを用いドラ1エツチ後、イオン注入後等の7オ
トレジストの除去に広く用いられているか、下地にモリ
ブデン、及びチタニウムを配線材料等に用いた半導体ウ
ェハーに対してプラズマ処理を実施した場合、ある条件
下すなわち処理時チャンバー内の温度が高温(概略15
0℃以上)になる場合、モリブデン、チタニウム等の配
線の表面が著しく、酸化され配線材料の要を成さなくな
る問題がある。このため、処理パッチ間の時間をあけて
酸素プラズマ処理開始前のチャンバー内温度を低くした
り、チャ/バー内の温度が高温になりすぎないようにプ
ラズマ出力を制限する等の必要がありスループットの低
下の問題を誘起   “していた。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明の目的はプラズマ処理期間中にチャンバー内温度
が高温になりすぎないようにしたプラズマ装置を得るこ
とにある。
(問題点を解決するための手段) 本発明によれば、チャンバー内に冷却水配管を設け、チ
ャンバー内の温度を低温に安定化させる事により効率よ
く半導体ウェハーの処理を行なえるようにしたものであ
る。
(実施例) 次に、本発明について図面を参照してより詳細に説明す
る。
本発明は第1図に示すごとく同軸型・ε極構造のチャン
バー1内のエッチトンネル2の内周に金属製冷却水配管
3を設け、かつ同様にエッチトンネル2に取り付けた熱
電対4により冷却水配管3を流れる冷却水流量を調整す
る温度調節計5及び電磁弁6を設けたものである。なお
特に図には示してないが漏水時の漏電防止上対策を十分
に行なっている。また真空ポンプ処理ガスの流!調節機
能等従来より円筒型プラズマ装置に備わっている機構が
完備されているのはもちろんである。
(発明の効果) このように、本発明によれば、チャンバー内に冷却水配
管を設けているので、プラズマ処理期間中の温度上昇を
防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す断面図である。 1・・・・・・チャンバー、2・・・・・・エッチトン
ネル、3・・・・・・冷却水配管、4・・・・・・熱電
対、5・・・・・・温度調節計、6・・・・・・電磁弁
、7・・・・・・高周波電極、8・・・・・・冷却水配
管(排水側)、9・・・・・・冷却水配管(給水側)、
10・・・・・・処理ガス導入配管、11・・・・・・
真空引き配管、12・・・・・・チャンバードア、13
・旧・・高周波電源。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. チャンバー内に冷却用配水管を有する事を特徴とするプ
    ラズマ装置。
JP16747284A 1984-08-10 1984-08-10 プラズマ装置 Pending JPS6146029A (ja)

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JP16747284A JPS6146029A (ja) 1984-08-10 1984-08-10 プラズマ装置

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JPS6146029A true JPS6146029A (ja) 1986-03-06

Family

ID=15850307

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JP (1) JPS6146029A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01287285A (ja) * 1988-05-13 1989-11-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd ドライエッチング装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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