TWI409877B - Vacuum containers, pressure vessels and such sealing methods - Google Patents

Description

真空容器、耐壓容器及此等密封方法

本發明係有關對於介入存在有分割於周方向之環狀的中間構件，其內側空間及外側空間之一方乃大氣環境，而另一方為真空環境，將此等兩環境氣密地區分之密封構造，具有特徵之真空容器，耐壓容器及此等密封方法。

例如，包含於FPD (Flat Panel Display)基板的表面，形成電路圖案之工程，而針對在其工程係於基板施以蝕刻或濺鍍，CVD (Chemical Vapor Deposition)等之電漿處理，而作為進行如此之電漿處理的裝置，係例如可舉出平行平板電漿處理裝置。

此種電漿處理裝置係具備於處理容器內之處理空間，構成下部電極之載置台，和平行地設置於其載置台之上部，具備處理氣體之供給孔的上部電極，並且，對於在基板處理時，處理空間則做為真空抽出之同時，藉由前述氣體供給孔而供給處理氣體至處理容器內，當處理空間成為特定之壓力時，於上部電極施加高頻率，於此等上部電極與下部電極之間形成電場，根據經由此電場所形成之處理氣體的電漿，於前述載置台上之基板，實施處理。

圖13係為表示其電漿處理裝置之一例的縱斷側面之構成，而其電漿處理裝置1係具備作為接地之處理容器11，而處理容器11係經由處理容器主體11a及上蓋11b所 構成，圖中11c係為閘式閥，圖中11d，11e係為為了將處理容器11內做為氣密之O環，而圖12係為構成基板B之載置台的下部電極，電性連接於電漿產生用之高頻率電源13，而下部電極12係藉由額緣狀之墊片(中間構件)14，設置於處理容器11之底板上，並其墊片14係由經由鐵氟龍(登錄商標)等之絕緣構件所構成之情況，下部電極12係從處理容器11電性地浮隔。

對於下部電極12之上方係設置有平板狀之上部電極15，支撐於角板狀之上部電極基座16，上部電極15及上部電極基座16係例如由鋁所構成，而圖中16a係為處理氣體之擴散空間，經由上部電極15與於上部電極基座16下面，分散設置於橫方向所形成之凹部所形成，而上部電極基座16係藉由額緣狀之墊片(中間構件)17而支撐於處理容器11之頂部，前述墊片17係為了從處理容器11使上部電極15電性地做為浮隔，而墊片14同樣地經由絕緣構件所構成，而對於經由上部電極基座16，墊片17及處理容器11之頂部所構成之上部空間17a，係配設有氣體供給源18及連接於前述擴散空間16a之氣體供給管18a，當從氣體供給源18，藉由氣體供給管18a而供給處理氣體於擴散空間16a時，其處理氣體係藉由設置於上部電極15之氣體供給孔15a而供給至前述基板B上的處理空間S。

但，通常，高頻率電源13係因設置於大氣環境中，故經由下部電極12，墊片14及處理容器11之底板所圍住之下部空間14a，則有做為大氣環境所構成之情況，此情 況，處理空間S係有必要呈保持其真空度地從下部空間14a所區劃。

以往係為了進行處理空間S與下部空間14a之區劃，而墊片14係未設置接口或間隙之一體性係地所形成，也就是使用一體形狀之構成，並且，如圖14所示，藉由O環10，10而呈在下部電極12與處理容器11之底面夾持墊片14地構成，而圖中10a係為為了引導O環而言著墊片14之形狀所設置的溝。

但，FPD基板之大型化的進展，伴隨於此，如此之電漿處理裝置亦作為大型化，而墊片14亦必須成為較以往為大之構成，但對於製造如此做為大型化之墊片14，配合其尺寸而一體地形成絕緣構件之情況則變為困難，另外，從可加工其形成之絕緣構件的加工機亦被限制之情況，製造如此做為大型化之墊片14之情況則變為困難。

另外，通常，氣體供給源18因亦設置在處理容器11外之大氣環境中，故有著由墊片17及上部電極基座16所圍住之上部空間17a則呈成為大氣環境地所構成之情況，針對在此情況，處理空間S，則為了亦呈保持其真空度地從上部空間17a而區劃，墊片17係與墊片14同樣地有必要為一體成形，並該墊片17係呈藉由O環10，10而夾持於處理容器11之頂面與上部電極基座16之間地所構成，但，作為伴隨著裝置的大型化而有必要成為大型之構成的結果，而產生其製造變為困難之問題。

本發明係為依據如上述之情事所做為之構成，其目的為提供針對在介入存在有分割於周方向之環狀的中間構件，其內側空間及外側空間之一方乃大氣環境，而另一方為真空環境，亦含有中間構件之分割構件間的間隙而可區分中間構件之內外的環境(作為氣密的密封)之真空容器，耐壓容器及此等密封方法。

本發明之真空容器係屬於具備一面側及另一面側則各自緊密於第1構件及第2構件而介入存在於此等構件之間，並由分割於周方向之複數的分割構件而成之中間構件，由其中間構件所圍住之內側空間及該中間構件之外側空間之中的一方乃大氣環境，而另一方為真空環境之真空容器，其特徵乃具備沿著前述中間構件而形成為環狀之同時，為了氣密地堵住該中間構件與前述第1構件之間，而以按壓於此等之間的狀態，介入存在之彈性體而成之環狀的第1密封部，和沿著前述中間構件而形成為環狀之同時，為了氣密地堵住該中間構件與前述第2構件之間，而以按壓於此等之間的狀態，介入存在之彈性體而成之環狀的第2密封部，和為了氣密地堵住相互鄰接之前述分割構件之間，而 沿著前述中間構件而形成為環狀，一方的周緣及另一方的周緣則各自緊密於第1密封部及第2密封部的密封部；前述密封部係設置於大氣環境側，或前述中間構件乃分割內側部分與外側部分而設置於其間者。

前述第1構件係為容器主體之壁部，前述中間構件係亦可呈圍住形成於前述壁部之開口部地所設置，此情況，例如以前述中間構件所圍住之內側空間乃大氣環境，前述第2構件係為為了在真空容器內使電漿產生的電極，前述中間構件係經由為了將其電極，對於前述容器主體之壁部作為絕緣之絕緣材所構成，另外，此情況，前述電極係亦可為為了將平板顯示用之玻璃基板作為電漿處理之平行平板型電漿裝置之電極。

例如，對於前述第1構件及中間構件相互對向的面之至少一方，係亦可設置崁合第1密封部之溝部，另外，對於前述第2構件及中間構件相互對向的面之至少一方，係亦可設置崁合第2密封部之溝部，另外，例如一體地形成前述密封部與第1密封部及第2密封部。

本發明之耐壓容器係屬於具備一面側及另一面側則各自緊密於第1構件及第2構件而介入存在於此等構件之間，並由分割於周方向之複數的分割構件而成之中間構件，由其中間構件所圍住之內側空間及該中間構件之外側空間之中的一方乃構成為第1壓力之第1環境，而另一方構成為較第1壓力為低之第2壓力的第2環境之耐壓容器，其特徵乃具備沿著前述中間構件而形成為環狀之同時，為了 氣密地堵住該中間構件與前述第1構件之間，而以按壓於此等之間的狀態，介入存在之彈性體而成之環狀的第1密封部，和沿著前述中間構件而形成為環狀之同時，為了氣密地堵住該中間構件與前述第2構件之間，而以按壓於此等之間的狀態，介入存在之彈性體而成之環狀的第2密封部，和為了氣密地堵住相互鄰接之前述分割構件之間，而沿著前述中間構件而形成為環狀，一方的周緣及另一方的周緣則各自緊密於第1密封部及第2密封部的密封部；前述密封部係設置於第1環境側，或前述中間構件乃分割為內側部分與外側部分而設置於其間者。

本發明之真空容器的密封方法係屬於具備一面側及另一面側則各自緊密於第1構件及第2構件而介入存在於此等構件之間，並由分割於周方向之複數的分割構件而成之中間構件，使用於由其中間構件所圍住之內側空間及該中間構件之外側空間之中的一方乃大氣環境，而另一方為真空環境之真空容器的密封方法，其特徵乃具備：將沿著前述中間構件而形成為環狀之彈性體而成之第1密封部，經由以按壓於該中間構件與前述第1構件之間的狀態而使其介入存在之情況，氣密地塞住此等之間的工程，和將沿著前述中間構件而形成為環狀之彈性體而成之第2密封部，經由以按壓於該中間構件與前述第2構件之間的狀態而使其介入存在之情況，氣密地塞住此等之間的 工程，和將沿著前述中間構件而形成為環狀之密封部，經由使一方的周緣及另一方的周緣則各自緊密於第1密封部及第2密封部之情況，氣密地堵住相互鄰接之前述分割構件之間的工程；前述密封部係設置於大氣環境側，或前述中間構件乃分割為內側部分與外側部分而設置於其間者。

本發明之耐壓容器的密封方法係屬於具備一面側及另一面側則各自緊密於第1構件及第2構件而介入存在於此等構件之間，並由分割於周方向之複數的分割構件而成之中間構件，使用於由其中間構件所圍住之內側空間及該中間構件之外側空間之中的一方構成為第1壓力之第1環境，而另一方構成為較第1壓力為低之第2壓力的第2環境之耐壓容器的密封方法，其特徵乃具備：將沿著前述中間構件而形成為環狀之彈性體而成之第1密封部，經由以按壓於該中間構件與前述第1構件之間的狀態而使其介入存在之情況，氣密地塞住此等之間的工程，和將沿著前述中間構件而形成為環狀之彈性體而成之第2密封部，經由以按壓於該中間構件與前述第2構件之間的狀態而使其介入存在之情況，氣密地塞住此等之間的工程，和將沿著前述中間構件而形成為環狀之密封部，經由使一方的周緣及另一方的周緣則各自緊密於第1密封部及第2密封部的情況，氣密地塞住相互鄰接之前述分割構件 之間的工程前述密封部係設置於第1環境側，或前述中間構件乃分割為內側部分與外側部分而設置於其間者。

如根據本發明，對於具備介入存在於第1構件及第2構件間的中間構件，區分以中間構件所圍住之內側空間及外側空間的環境，因將中間構件的兩面，經由沿著該中間構件而形成為環狀之第1密封部及第2密封部，各自進行密封之同時，設置沿著中間構件而形成為環狀，一方的周緣及另一方的周緣則各自緊密於第1密封部及第2密封部的密封部，故中間構件即使分隔於周方向，針對在此等間隙，亦可容易且確實地區分大氣環境與真空環境，因此，從可採用中間構件分割於周方向之構造情況，中間構件即使為大型化，亦可作為分割構件之組合而製造，例如，從FPD基板作為大型化之情況，對於使從容器主體為了電性絕緣電漿處理裝置之電極的中間構件之絕緣材，介入存在於電極與容器主體之壁部之間的情況，從可分割其絕緣材而構成之情況，製造則有變為容易之效果。

另外，如根據其他的發明，中間構件及史分割於周方向，針對在此等之間隙，亦可容易且確實地區分為第1壓力之第1環境與為較第1壓力為低之第2壓力的第2環境，隨之同樣地，可採用中間構件分割於周方向之構造情況，中間構件即使為大型化，亦可作為分割構件之組合而製 造。

[為了實施發明之最佳型態] (第1實施型態)

以下，關於就將本發明之真空容器，適用於對於FPD基板B而言，進行蝕刻處理之電漿處理裝置的例，參照圖1之同時進行說明，而圖1之電漿處理裝置2係具備為了對於基板B實施蝕刻處理之做為接地的角筒型之處理容器21，其處理容器21係相當於針對在專利申請範圍之真空容器，而處理容器21係具備由平面形狀構成為四角形狀的鋁而成，頂部作為開口之容器主體21A，和呈堵住其容器主體21A之頂開口部地所設置之上蓋21B，而此等容器主體21A與上蓋21B係為了保持處理容器21內之處理空間S的氣密性而藉由O環22a所接合，另外，對於容器主體21A之側壁係開口有基板B之運送口22，經由閘式閥G而構成為開閉自由，而圖中22b係為閘式閥G在關閉狀態，為了保持處理空間S之氣密性的O環。

對於構成容器主體21A之底板23上係設置有構成基板B之載置部的角型載置台3，當亦參照圖2及圖3同時進行說明時，其載置台3係具備為了形成電漿之下部電極31，和罩蓋32，和將下部電極31支撐於底板23上之中間構件的墊片33，和襯墊36(在圖2中方便上未記載)，下部電極31係形成為角板狀，罩蓋32係呈圍住下部電極 31及墊片33之側周地形成為環狀，其上部係做為朝向內側，被覆下部電極31之段差31a之凸緣所形成，下部電極31之上面，和其罩蓋32之凸緣的上面係構成平坦面，構成基板B之載置面，然而，基板B係例如，一邊形成為2200mm，另一邊形成為2500mm程度之大小的角型。

墊片33係例如經由鐵氟龍(登錄商標)等之絕緣構件所構成之情況，形成為沿著下部電極31的邊之角環狀，經由其墊片33與罩蓋32，下部電極31則成為從處理容器21，電性地充分浮隔之狀態，如圖2所示，墊片33係呈圍住開口於下部電極31之中央下方的孔24及開口於其孔24之周圍的孔25地，設置於底板23上，另外，對於墊片33之上面，係形成有沿著該墊片33之形狀的環狀的溝34，而墊片33係經由構成環圈之角部的L字型之4個墊片構件33A，和構成環圈以外之部分的直線型之4個墊片構件33B所構成，墊片構件33A,33B係呈可自由地連接及分割地所構成。

返回至圖1，對於下部電極31之中心部係連接導電路41之一端，而其導電路41之另一端係藉由處理容器21之底板23的孔25而引出於處理容器21之外，並藉由整合器42a而連接於例如13.56MHz之電漿產生用之高頻率電源42。

底板23的孔25係將下方側擴徑而形成段部，對於其孔25，係插入有從底板12之下面側支撐下部電極31之同時，為了固定於底板上之筒狀的固定用構件43，對於固定 用構件43之下方，係呈對應於前述段部地形成凸緣，另外，在前述下部電極31之下面，於對應於固定用構件43的孔44之位置，設置有孔31b，對於孔31b的周面係穿過螺絲，並且，對應於形成於孔31b之螺絲的棒螺絲45則從底板23之下面側貫通孔44，由插入於孔31b之情況，下部電極31係固定於底板23上。

接著，亦參照為載置台3之角部的分解斜視圖之圖4同時，進行說明，如圖4所示，對於處理容器21之底板23的表面，係形成有對應於墊片33之形狀的環狀的溝26，另外，對於下部電極31之下面係對應於墊片33的溝34，呈相互重疊地形成環狀的溝35。

另外，對於由處理容器21之墊片33所圍住之內側範圍係設置有為密封構件之襯墊36，而其襯墊36係被作為一體形成，例如為撓性，具有彈性之環狀的薄片，朝外方彎曲，其縱斷面則呈成為朝向外方而開口之コ形狀地所形成之構成，其剖面之コ形狀之兩緣部係如後述，呈崁入於既述之各溝26,34,35地構成膨脹於上下之密封部37,38，然而，作為襯墊36之材質係例如使用橡膠或樹脂等，例如亦可使用如布之可撓性之材質，而亦可使用如其實施形態，固定形狀之板狀體，如圖3所示，襯墊36係呈圍住處理容器21之底板23的孔24,25地所構成。

當參照圖4同時，關於就載置台3之製造方法進行說明時，首先，使襯墊36之下側的密封部38崁入於處理容器21之底板23的溝26，接著，連接墊片構件33A,33B， 形成墊片33，將其墊片33載置於前述底板23上，接著，於墊片33的溝34，使襯墊36之上側的密封部37崁入，然後，下部電極31之下面的溝35與墊片33之上面的溝34呈重疊地，將下部電極31載置於墊片33上，接著，將固定用構件43插入於孔25，經由棒螺絲45，使下部電極31固定於底板23。

圖5係表示此時之載置台3的縱斷側面，由呈按壓介入存在於底板23與墊片33之間的密封部38及介入存在於墊片33與下部電極31之間的密封部37地拴住棒螺絲45之情況，密封部38則經由其復原力而緊密於底板23及墊片33之同時，密封部37則經由其復元力而緊密於墊片33及下部電極，而底板23及墊片33之間隙及墊片33與下部電極31之間隙則被密封，也就是，密封部37,38係為相當於以往之O環之構成，襯墊36係可看做一體地形成2個O環與設置於此等之間的1片薄片部之構成，如此經由進行密封之情況，即使為分割墊片33之構成，作為大氣環境所構成，從由襯墊36，下部電極31及底板23所圍住之下部空間3A區劃處理空間S，而該處理空間S則做為真空抽出時，亦維持其真空度，而在密封之後，於下部電極31及墊片33的周圍，安裝罩蓋32，製造載置台3。

返回圖1，呈圍住載置台3地，對於處理容器21之底板23係開口有排氣口51，排氣口51係藉由排氣路徑52，連接例如由真空幫浦而成之真空排氣手段53，經由其真 空排氣手段53，將處理空間S作為真空徘氣，該處理空間S則維持成所期望的真空度地所構成。

針對在載置台3之上方，對於處理容器21之頂部的下面係形成有凹部，並呈埋入於其凹部地，設置有為了供給處理氣體於載置台3上之基板B的上部氣體供給機構6，而上部氣體供給機構6係具備呈與載置台3之表面地所設置之上部電極61，和支撐其上部電極61之上部電極基座62，和墊片63及絕緣構件65，而上部電極61係例如經由鋁，作為角型之平板所構成，對於其下面係例如於橫方向，形成有複數之凹部，而各凹部係由蓋於前述上部電極61之情況，形成處理氣體之擴散空間62a。

上部電極基座62係例如上部電極基座62經由鋁所構成，藉由設置於該上部電極基座62之周緣部上的角型環狀之墊片63而安裝於處理容器21之頂部，而其墊片63係與載置台3之墊片33同樣地所構成，分割自由地構成於對應於墊片33之墊片構件33A的墊片構件63A與對應於墊片構件33B的墊片構件63B，而墊片63係與墊片33同樣地經由鐵氟龍(登錄商標)等之絕緣構件所構成之情況，另外，呈圍住上部電極61，上部電極基座62及墊片63之側周地設置有環狀之絕緣構件65，經由其絕緣構件65及墊片63，上部電極基座62及上部電極61則成為從處理容器21，電性地充分浮隔之狀態。

圖6係為表示處理容器21之墊片63及其周圍的構成之分解斜視圖，如此圖所示，對於上部電極基座62之上 面，處理容器21之頂部下面，係呈對應於墊片63的形狀地，各自形成溝62b,27，另外，對於墊片63之上面，係形成有對應於墊片33的溝34之溝64，另外，圖中66係為襯墊，與載置台3之襯墊36同樣地所構成，具備各自對應於密封部37,38的密封部67,68。

密封部68則崁入於上部電極基座62的溝62b而夾持於上部電極基座62與墊片63之間的同時，密封部67則呈崁入於溝64,27地夾持於墊片63與處理容器21之頂部，並由呈按壓密封部67,68地所構成之情況，經由各密封部67,68，密封上部電極基座62與墊片63之間的間隙及墊片63與處理容器21之頂部之間的間隙。

襯墊66係呈圍住開口於處理容器21之頂部中央的孔28地所設置，即使由如此所構成之情況，分割墊片63之構成，由上部電極基座62，襯墊66及處理容器21之頂部所圍住，從做為大氣環境所構成之上部空間6A，區劃處理空間S，將該處理空間S作為真空抽出時，亦維持其真空度。

返回至圖1，對於上部電極基座62之各擴散空間62a係連接氣體供給管69之一端，而氣體供給管69之另一端係相互作為合流，藉由前述空間6A及孔28而引出於處理容器21外，並且，所引出之氣體供給管69之另一端係連接於處理氣體供給源60，另外，對於上部電極基座62係連接導電路46之一端，而其導電路46之另一端係藉由孔28而引出於處理容器21外，並連接於阻抗調整機構47， 而阻抗調整機構47係包含電容成分，具有使均一之電漿產生於處理容器21內之作用。

接著，關於就電漿蝕刻裝置2之處理動作，進行說明，當開啟閘式閥G，經由不圖示之運送機構，將基板B搬入至處理容器21內，載置於載置台3上時，關閉閘式閥G，經由真空排氣手段53，將處理空間S進行排氣，成為真空環境，此時，為了經由襯墊36,66而各自作為密封，而下部電極31之下部空間3A及上部電極61之上部空間6A係為持為大氣環境，當開始真空抽出時，從處理氣體供給源60，藉由氣體供給管69而對於擴散空間62a供給處理氣體，例如Cl2,SF6,CF4等之鹵素系氣體，維持處理容器21內為特定之壓力。

然後，經由高頻率電源42，對於載置台3，上部電極61間供給高頻率電力，將處理氣體作為電漿化，並經由其電漿，進行對於基板B之蝕刻處理，在蝕刻處理結束後，停止高頻率電力之供給及處理氣體之供給，基板B係經由不圖示之運送機構而運出於處理容器21之外。

如根據其實施形態，墊片33與下部電極31，處理容器21之底板23之間則各自以襯墊36之密封部37,38所密封，並且，因分割墊片33，故對於為其分割之構件的墊片構件33A,33B係有間隙，但其間隙係因經由襯墊36之密封部所堵住，故處理容器21內之處理空間S則由襯墊36與下部電極31所圍住，從為大氣環境之下部空間3A作為區劃，在處理空間S作為真空抽出時而維持其處理空 間S之真空度，隨之，因可對於各墊片構件33A,33B製造墊片33，故因可縮小控制為了進行製造而必要之材料的尺寸，而控制經由加工機而限制從其材料的製造者，作為其結果，如此之墊片33的製造則變為容易，另外，由縮小控制材料的尺寸情況，所使用的材質選定幅度則變廣。

另外，關於墊片63，亦與墊片33同樣地分割為墊片構件63A,63B，但此等構件間的間隙係因經由襯墊66所堵住，故處理空間S則從大氣環境之上部空間6A所區劃，處理空間S作為真空抽出時而維持其真空度，隨之，因可對於各墊片構件63A,63B製造墊片構件63，故因可縮小控制為了進行製造而必要之材料的尺寸，墊片63的製造則變為容易，另外，由縮小控制材料的尺寸情況，所使用的材質選定幅度則變廣。

然而，針對在上述實施形態，各墊片33,63之分割數，分割形狀並不限於上述的例，另外，亦可如在背景技術的攔而表示墊片33,63之任一一方地作為一體形狀之構成。

接著，參照圖7的同時，關於就為了密封下部電極31之下方的下部空間3A之襯墊及墊片的其他構成例而進行說明，圖7係為適用此等襯墊及墊片的載置台之分解斜視圖，圖中的襯墊71係經由與襯墊36同樣的材質而構成為環狀，但與襯墊36不同，未彎曲成コ形狀，而呈伸長於上下地所形成，其上下端係做為各自對應於密封部37,38之密封部72,73所構成。

另外，其載置台係具備形成為矩形之方塊狀的多數之墊片構件74A及墊片構件75A，而墊片構件74A,75A係各自排列呈環狀，在墊片構件74A之間，墊片構件75A之間，相互分割及連接自由地所構成，由作為連接之情況而形成角型環狀之墊片74,75，而圖8係表示從上方而視安裝於底板23上之墊片74,75的狀態，如此圖所示，墊片74,75係具有各自不同之口徑，呈從外周側，內周側各自夾持襯墊71地所形成，在此係說明的方便上分作墊片74,75，但此係可看作將墊片分割成內側部分與外側部分之構造者。

另外，圖9係表室安裝於底板23上之墊片74,75，襯墊71及下部電極31之縱剖面，如此圖所示，墊片74,75的高度係呈支撐襯墊71之同時，可支撐下部電極31地，對應於襯墊71之高度地所構成。

如圖9所示，當構成載置台之各部安裝於底板23上時，按壓密封部72，經由其復元力而緊密於墊片74,75之上側角部及溝35內，而同樣按壓密封部73，經由其復元力而緊密於墊片74,75之下側角部及溝26內，從下部空間3A區劃處理空間S，而針對在如此之構成，因亦經由分割的構件而形成墊片，故得到與上述之實施形態同樣的效果。

接著，參照圖10之同時，更加地關於就為了密封其他下部空間3A之構成例而進行說明，而針對在其構成例之載置台係具備與墊片33略同樣地所構成之環狀的墊片 81，對應於墊片33之墊片構件33A的墊片構件81A與對應於墊片構件33B之墊片構件81B，分割自由地所構成，但於其上面未形成有溝，另外，前述載置台係與襯墊36略同樣地，具備縱剖面則呈成為コ形狀地所構成之襯墊82，但，對於襯墊82之前端係如襯墊36地未設置有密封部，而取代此，對於載置台係對應於其密封部，設置與襯墊36各體之O環(樹脂製之環狀的密封構件)83,84，作為O環83,84之材質，係例如使用作為構成襯墊36之材質而舉出之構成。

如圖11所示，各自崁入O環83,84於下部電極31的溝35，底板23的溝26，由從上下夾持經由此等下部電極31及底板23，將墊片81夾持於之間之襯墊82的情況，使O環83緊密於下部電極31及襯墊82之同時，使O環84緊密於底板23及襯墊82，從下部空間3A區劃處理空間S，而針對在如此之構成，因亦經由分割的構件而形成墊片81，故得到與上述之實施形態同樣的效果，然而，構成上述襯墊82之材質，係使用作為構成襯墊36之材質而舉出之橡膠或樹脂。

圖7及圖10所示之墊片及襯墊之構造係亦可作為密封上部空間6A之構成而適用者。

針對在上述之實施形態，係表示中間構件之內側則作為大氣環境，而外側則作為真空環境而各自所構成的例，但本發明之真空容器係對於將中間構件之內側則作為真空環境，而將外側則作為大氣環境而各自所構成的情況，亦 可適用，圖12 (a)，(b)係為表示如此之真空容器9的構成，而該真空容器9係經由下側做為開口之第1構件91，上側做為開口之第2構件92，作為4分割之環狀的中間構件93及襯墊94(在圖2 (a)中係方便上省略)所構成，襯墊94係與襯墊36同樣地所構成，但如圖12 (b)所示，與襯墊36不同，其縱斷側面則呈成為開口於內側之コ形狀地所形成，並由襯墊94之密封部95，密封第1構件91與中間構件93之間的同時，襯墊94之密封部96，密封第2構件92與中間構件93之間的情況，真空容器9內則從容器9外部之大氣環境所區劃，呈成為真空環境地所構成，而針對在如此之實施形態，對於製造中間構件93，因亦可對各分割之各部分進行製造，故縮小控制對於為了製造中間構件93而必要之材料的尺寸。

對於圖12 (c)，係例如表示將內側空間做為陽壓的耐壓容器90，其耐壓容器90係與前述真空容器9同樣地所構成，具備第1構件91，第2構件92，中間構件93，此情況，對應於前述襯墊94之襯墊97係呈從耐壓容器90內圍上中間構件93地所設置，其縱剖面係成為開口於外側之コ形狀，圖中98係相互固定第1構件91，中間構件93及第2構件92之固定部，如此構成耐壓容器之情況，亦得到如上述，與構成真空容器之情況同樣的效果。

B‧‧‧基板

3‧‧‧載置台

3A‧‧‧下部空間

6‧‧‧上部氣體供給機構

6A‧‧‧上部空間

21‧‧‧處理容器

21A‧‧‧容器主體

21B‧‧‧上蓋

23‧‧‧底板

24‧‧‧孔

25‧‧‧孔

26‧‧‧溝

31‧‧‧下部電極

31a‧‧‧段差

31b‧‧‧孔

32‧‧‧罩蓋

33‧‧‧墊片

33A,33B‧‧‧墊片構件

34‧‧‧溝

35‧‧‧溝

36‧‧‧襯墊

37,38‧‧‧密封部

41‧‧‧導電路

42‧‧‧高頻率電源

43‧‧‧固定用構件

44‧‧‧孔

51‧‧‧排氣口

52‧‧‧排氣路徑

53‧‧‧真空排氣手段

60‧‧‧處理氣體供給源

61‧‧‧上部電極

61a‧‧‧氣體供給孔

62‧‧‧上部電極基座

62a‧‧‧擴散空間

63‧‧‧墊片

66‧‧‧襯墊

69‧‧‧氣體供給管

S‧‧‧處理空間

71‧‧‧襯墊

72,73‧‧‧密封部

74,75‧‧‧墊片

74A,75A‧‧‧墊片構件

81‧‧‧墊片

82‧‧‧襯墊

83,84‧‧‧O環

90‧‧‧耐壓容器

91‧‧‧第1構件

92‧‧‧第2構件

93‧‧‧中間構件

94‧‧‧襯墊

95,96‧‧‧密封部

97‧‧‧襯墊

[圖1]係為本發明之實施形態的電漿蝕刻裝置之縱剖 面圖。

[圖2]係為設置於前述電漿蝕刻裝置之載置台的分解斜視圖。

[圖3]係為構成前述載置台之墊片及襯墊的斜視圖。

[圖4]係為構成針對在前述載置台之下部空間的各部之分解斜視圖。

[圖5]係為構成前述下方空間之各部的縱斷側面圖。

[圖6]係為構成設置於前述電漿蝕刻裝置之上部空間的各部之分解斜視圖。

[圖7]係為表示構成前述下方空間之各部的其他構成例之分解斜視圖。

[圖8]係為表示構成前述下方空間之墊片的上面圖。

[圖9]係為構成前述上部氣體供給機構之上部電極基座及上部電極之下側斜視圖。

[圖10]係為表示構成前述下方空間之各部的又其他構成例之分解斜視圖。

[圖11]係為構成前述下方空間之各部的縱斷側面圖。

[圖12]係為表示本發明之真空容器及耐壓容器之構成的說明圖。

[圖13]係為以往之電漿蝕刻裝置之縱剖面圖。

[圖14]係為構成設置於前述電漿蝕刻裝置之載置台的各部之分解斜視圖。

21‧‧‧處理容器

26‧‧‧溝

31‧‧‧下部電極

31a‧‧‧段差

33‧‧‧墊片

33A，33B‧‧‧墊片構件

34‧‧‧溝

35‧‧‧溝

36‧‧‧襯墊

37，38‧‧‧密封部

Claims (9)

1. 一種真空容器，屬於具備一面側及另一面側為各自緊密於第1構件及第2構件而介入存在於此等構件之間，並由分割於周方向之複數的分割構件而成之中間構件，由該中間構件所圍住之內側空間及該中間構件之外側空間之中的一方乃大氣環境，而另一方為真空環境之真空容器，其特徵乃具備襯墊，該襯墊具有：沿著前述中間構件而形成為環狀之同時，為了氣密地堵住該中間構件與前述第1構件之間，而以按壓於此等之間的狀態，介入存在之彈性體而成之環狀的第1密封部，和沿著前述中間構件而形成為環狀之同時，為了氣密地堵住該中間構件與前述第2構件之間，而以按壓於此等之間的狀態，介入存在之彈性體而成之環狀的第2密封部，和為了氣密地堵住相互鄰接之前述分割構件之間，而沿著前述中間構件而形成為環狀，一方的周緣及另一方的周緣則各自緊密於第1密封部及第2密封部的密封部；前述密封部係設置於大氣環境側，或前述中間構件乃分割為內側部分與外側部分而設置於其間者。
2. 如申請專利範圍第1項之真空容器，其中，前述第1構件係為容器主體之壁部，前述中間構件係呈圍住形成於前述壁部之開口部地所 設置者。
3. 如申請專利範圍第2項之真空容器，其中，以前述中間構件所圍住之內側空間乃大氣環境，前述第2構件係為為了在真空容器內使電漿產生的電極，前述中間構件係經由為了將該電極，對於前述容器主體之壁部作為絕緣之絕緣材所構成者。
4. 如申請專利範圍第3項之真空容器，其中，前述電極乃為了將平板顯示用之玻璃基板作為電漿處理之平行平板型電漿裝置之電極者。
5. 如申請專利範圍第1項乃至第4項任一之真空容器，其中，對於前述第1構件及中間構件相互對向的面之至少一方，係設置嵌合第1密封部之溝部，另外，對於前述第2構件及中間構件相互對向的面之至少一方，係設置嵌合第2密封部之溝部者。
6. 如申請專利範圍第1項乃至第4項任一之真空容器，其中，一體地形成前述密封部與第1密封部及第2密封部者。
7. 一種耐壓容器，屬於具備一面側及另一面側則各自緊密於第1構件及第2構件而介入存在於此等構件之間，並由分割於周方向之複數的分割構件而成之中間構件，由其中間構件所圍住之內側空間及該中間構件之外側空間之中的一方乃構成為第1壓力之第1環境，而另一方構成為較第1壓力為低之第2壓力的第2環境之耐壓容器，其特 徵乃具備沿著前述中間構件而形成為環狀之同時，為了氣密地堵住該中間構件與前述第1構件之間，而以按壓於此等之間的狀態，介入存在之彈性體而成之環狀的第1密封部，和沿著前述中間構件而形成為環狀之同時，為了氣密地堵住該中間構件與前述第2構件之間，而以按壓於此等之間的狀態，介入存在之彈性體而成之環狀的第2密封部，和為了氣密地堵住相互鄰接之前述分割構件之間，而沿著前述中間構件而形成為環狀，一方的周緣及另一方的周緣則各自緊密於第1密封部及第2密封部的密封部；前述密封部係設置於第1環境側，或前述中間構件乃分割為內側部分與外側部分而設置於其間者。
8. 一種真空容器的密封方法，屬於具備一面側及另一面側各自緊密於第1構件及第2構件而介入存在於此等構件之間，並由分割於周方向之複數的分割構件而成之中間構件，使用於由該中間構件所圍住之內側空間及該中間構件之外側空間之中的一方乃大氣環境，而另一方為真空環境之真空容器的密封方法，其特徵乃具備：將沿著前述中間構件而形成為環狀之彈性體而成之第1密封部，經由以按壓於該中間構件與前述第1構件之間的狀態而使其介入存在之方式，氣密地堵住此等之間的工程，和將沿著前述中間構件而形成為環狀之彈性體而成之第2密封部，經由以按壓於該中間構件與前述第2構件之 間的狀態而使其介入存在之方式，氣密地堵住此等之間的工程，和將沿著前述中間構件而形成為環狀之密封部，經由使一方的周緣及另一方的周緣各自緊密於第1密封部及第2密封部之方式，氣密地堵住相互鄰接之前述分割構件之間的工程；前述密封部係設置於大氣環境側，或前述中間構件乃分割為內側部分與外側部分而設置於其間者。
9. 一種耐壓容器的密封方法，屬於具備一面側及另一面側為各自緊密於第1構件及第2構件而介入存在於此等構件之間，並由分割於周方向之複數的分割構件而成之中間構件，使用於由該中間構件所圍住之內側空間及該中間構件之外側空間之中的一方構成為第1壓力之第1環境，而另一方構成為較第1壓力為低之第2壓力的第2環境的耐壓容器之密封方法，其特徵乃具備：將沿著前述中間構件而形成為環狀之彈性體而成之第1密封部，經由以按壓於該中間構件與前述第1構件之間的狀態而使其介入存在之方式，氣密地堵住此等之間的工程，和將沿著前述中間構件而形成為環狀之彈性體而成之第2密封部，經由以按壓於該中間構件與前述第2構件之間的狀態而使其介入存在之方式，氣密地堵住此等之間的工程，和將沿著前述中間構件而形成為環狀之密封部，經由使一方的周緣及另一方的周緣各自緊密於第1密封部及第 2密封部的方式，氣密地堵住相互鄰接之前述分割構件之間的工程前述密封部係設置於第1環境側，或前述中間構件乃分割為內側部分與外側部分而設置於其間者。