JP6600990B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6600990B2 JP6600990B2 JP2015107754A JP2015107754A JP6600990B2 JP 6600990 B2 JP6600990 B2 JP 6600990B2 JP 2015107754 A JP2015107754 A JP 2015107754A JP 2015107754 A JP2015107754 A JP 2015107754A JP 6600990 B2 JP6600990 B2 JP 6600990B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- top plate
- metal window
- plasma
- metal
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
- H01J37/32119—Windows
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
しかしながら、これら特許文献2、3のいずれにも、処理容器から絶縁された状態を維持しつつ、大型の金属窓を設置する手法は開示されていない。
前記被処理基板が載置される載置台を備え、当該載置台に対向する上面が開口すると共に、電気的に接地された金属製の処理容器と、
前記処理容器の開口を塞ぐ位置に配置されて前記処理空間を形成すると共に、絶縁部材を介して前記処理容器から絶縁された状態で設けられた導電性の金属窓と、
前記金属窓の上方側に、当該金属窓と対向するように設けられ、誘導結合により前記処理ガスをプラズマ化するためのプラズマアンテナと、
前記金属窓と対向するようにプラズマアンテナの上方側に配置された天板部と、この天板部に設けられ、前記金属窓を吊り下げ支持するための複数の第1の吊り下げ部とを備えた金属窓支持機構と、
前記天板部を上方側から吊り下げ支持するための複数の第2の吊り下げ部が設けられた横架部と、前記横架部を支持するための脚柱部と、を備えた骨組み構造の天板支持機構と、を備え、
前記脚柱部は、前記開口の周囲の処理容器上に設けられており、
前記天板支持機構の横架部及び脚柱部は、前記天板部よりも機械的強度が高い金属製であることを特徴とする。
(a)前記金属窓は複数の部分窓に分割され、隣り合う部分窓同士は、絶縁部材を介して互いに絶縁されていること。前記処理容器と金属窓とを絶縁する絶縁部材、及び当該金属窓の隣り合う部分窓同士を絶縁する絶縁部材は、前記処理容器に支持されていること。
(b)前記天板部は、電気的に接地された金属製であり、前記第1の吊り下げ部は、前記金属窓と天板部とを絶縁する絶縁部材を備えること。前記天板支持機構の横架部及び脚柱部は、前記天板部よりも導電性が低い金属製であること。
(c)前記横架部は、アーチ状に形成されていること。
(d)前記金属窓は、前記処理空間に処理ガスを供給するガスシャワーヘッドを兼ねていること。
プラズマ処理装置1は、被処理基板である矩形基板、例えば、FPD用の基板G上に薄膜トランジスタを形成する際のメタル膜、ITO膜、酸化膜などを形成する成膜処理やこれらの膜をエッチングするエッチング処理、レジスト膜のアッシング処理などの各種プラズマ処理に用いることができる。ここで、FPDとしては、液晶ディスプレイ(LCD)、エレクトロルミネセンス(Electro Luminescence;EL)ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル(PDP)などが例示される。また、プラズマ処理装置1は、FPD用の基板Gに限らず、太陽電池パネル用の基板Gに対する上述の各種プラズマ処理にも用いることができる。
なお、載置台13内には、基板Gの温度を制御するために、セラミックヒータなどの加熱手段と冷媒流路とからなる温度制御機構、温度センサー、基板Gの裏面に熱伝達用のHeガスを供給するためのガス流路が設けられている(いずれも図示せず)。
なお、部分窓30の分割形状は矩形状に限定されるものではない。また、絶縁部材31を補強するために、上面側から見て金属枠11の内面を分割するように金属梁を設け、この金属枠にて絶縁部材31を支持する構成としてもよい。
以下、金属窓3の支持機構の構成について詳細に説明する。
以上に説明した構成により、金属窓3(部分窓30)を吊り下げ支持する天板部61は、さらに天板支持機構7(横棒部71、傾斜部711、脚柱部72)によって吊り下げ支持された構造となっている。
初めに、ゲートバルブ102を開き、隣接する真空搬送室から搬送機構(いずれも図示せず)により、搬入出口101を介して処理空間100内に基板Gを搬入する。次いで、載置台13上に基板Gを載置して、不図示の静電チャックにより固定する一方、前記搬送機構を処理空間100から退避させてゲートバルブ102を閉じる。
そして、予め設定した時間だけプラズマ処理を行ったら、各高周波電源512、152からの電力供給、処理ガス供給部42からの処理ガス供給、及び処理空間100内の真空排気を停止し、搬入時とは反対の順序で基板Gを搬出する。
なお、図4の側壁部63と比較したとき、本発明の天板支持機構7の「骨組み構造」とは、各々、金属枠11(容器本体10の側壁)の短辺、及び長辺よりも横幅の短い部材によって天板支持機構7が構成されている場合をいう。例えば骨組み構造の部材には、数cm〜十数cm程度の横幅の部材が用いられる。
なお、以下に説明する図5〜図7の各図において、図1〜図3に示したものと共通の構成要素に対しては、これらの図に付したものと共通の符号を付してある。
なお、鉄よりも導電性が高いアルミニウム製の1枚板にて天板部61を構成することにより、接地された天板部61の除電が容易になるという効果もある。
1、1a〜1c
プラズマ処理装置
10 容器本体
100 処理空間
11 金属枠
13 載置台
3 金属窓
30 部分窓
31 絶縁部材
5 高周波アンテナ
61、61a
天板部
62 金属窓吊り下げ部
7、7a〜7c
天板支持機構
71 横棒部
711 傾斜部
72 脚柱部
721 天板支持部
73 天板吊り下げ部
8 制御部
Claims (7)
- 真空排気された処理空間内の被処理基板に対し、プラズマ化された処理ガスによるプラズマ処理を実行するプラズマ処理装置において、
前記被処理基板が載置される載置台を備え、当該載置台に対向する上面が開口すると共に、電気的に接地された金属製の処理容器と、
前記処理容器の開口を塞ぐ位置に配置されて前記処理空間を形成すると共に、絶縁部材を介して前記処理容器から絶縁された状態で設けられた導電性の金属窓と、
前記金属窓の上方側に、当該金属窓と対向するように設けられ、誘導結合により前記処理ガスをプラズマ化するためのプラズマアンテナと、
前記金属窓と対向するようにプラズマアンテナの上方側に配置された天板部と、この天板部に設けられ、前記金属窓を吊り下げ支持するための複数の第1の吊り下げ部とを備えた金属窓支持機構と、
前記天板部を上方側から吊り下げ支持するための複数の第2の吊り下げ部が設けられた横架部と、前記横架部を支持するための脚柱部と、を備えた骨組み構造の天板支持機構と、を備え、
前記脚柱部は、前記開口の周囲の処理容器上に設けられており、
前記天板支持機構の横架部及び脚柱部は、前記天板部よりも機械的強度が高い金属製であることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記金属窓は複数の部分窓に分割され、隣り合う部分窓同士は、絶縁部材を介して互いに絶縁されていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器と金属窓とを絶縁する絶縁部材、及び当該金属窓の隣り合う部分窓同士を絶縁する絶縁部材は、前記処理容器に支持されていることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記天板部は、電気的に接地された金属製であり、前記第1の吊り下げ部は、前記金属窓と天板部とを絶縁する絶縁部材を備えることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
- 前記天板支持機構の横架部及び脚柱部は、前記天板部よりも導電性が低い金属製であることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理装置。
- 前記横架部は、アーチ状に形成されていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
- 前記金属窓は、前記処理空間に処理ガスを供給するガスシャワーヘッドを兼ねていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW105102233A TWI696208B (zh) | 2015-01-27 | 2016-01-25 | 電漿處理裝置 |
KR1020160009236A KR101867147B1 (ko) | 2015-01-27 | 2016-01-26 | 플라즈마 처리 장치 |
CN201610055894.3A CN105826155B (zh) | 2015-01-27 | 2016-01-27 | 等离子体处理装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015013424 | 2015-01-27 | ||
JP2015013424 | 2015-01-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016139592A JP2016139592A (ja) | 2016-08-04 |
JP6600990B2 true JP6600990B2 (ja) | 2019-11-06 |
Family
ID=56558483
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015107754A Active JP6600990B2 (ja) | 2015-01-27 | 2015-05-27 | プラズマ処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6600990B2 (ja) |
KR (1) | KR101867147B1 (ja) |
CN (1) | CN105826155B (ja) |
TW (1) | TWI696208B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6719290B2 (ja) * | 2016-06-22 | 2020-07-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 補強構造体、真空チャンバー、およびプラズマ処理装置 |
JP6804392B2 (ja) * | 2017-06-05 | 2020-12-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びガスシャワーヘッド |
CN107633991B (zh) * | 2017-09-20 | 2019-10-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种干法刻蚀设备 |
KR102409375B1 (ko) * | 2018-11-15 | 2022-06-15 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판처리장치 |
JP7303980B2 (ja) * | 2019-07-09 | 2023-07-06 | 日新電機株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN112117176B (zh) * | 2019-06-20 | 2023-03-07 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理设备及等离子体处理系统 |
CN112820616B (zh) * | 2021-01-18 | 2024-04-12 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种半导体工艺腔室 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3986618A (en) | 1975-09-05 | 1976-10-19 | Lee C. Moore Corporation | Pipe rack with pivoted fingers and screw conveyors |
JP4028534B2 (ja) * | 1999-05-13 | 2007-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘導結合プラズマ処理装置 |
JP3451478B2 (ja) | 1999-12-21 | 2003-09-29 | 住友重機械工業株式会社 | プロセスチャンバ |
JP4522980B2 (ja) * | 2005-11-15 | 2010-08-11 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR101089877B1 (ko) * | 2008-04-15 | 2011-12-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 진공 용기 및 플라즈마 처리 장치 |
US8187381B2 (en) * | 2008-08-22 | 2012-05-29 | Applied Materials, Inc. | Process gas delivery for semiconductor process chamber |
JP5479867B2 (ja) * | 2009-01-14 | 2014-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘導結合プラズマ処理装置 |
JP5327147B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2013-10-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2011258622A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びその誘電体窓構造 |
US9184028B2 (en) * | 2010-08-04 | 2015-11-10 | Lam Research Corporation | Dual plasma volume processing apparatus for neutral/ion flux control |
JP5745812B2 (ja) * | 2010-10-27 | 2015-07-08 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5727281B2 (ja) * | 2011-04-21 | 2015-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘導結合プラズマ処理装置 |
JP6228400B2 (ja) * | 2013-07-16 | 2017-11-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘導結合プラズマ処理装置 |
-
2015
- 2015-05-27 JP JP2015107754A patent/JP6600990B2/ja active Active
-
2016
- 2016-01-25 TW TW105102233A patent/TWI696208B/zh active
- 2016-01-26 KR KR1020160009236A patent/KR101867147B1/ko active IP Right Grant
- 2016-01-27 CN CN201610055894.3A patent/CN105826155B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105826155A (zh) | 2016-08-03 |
KR20160092504A (ko) | 2016-08-04 |
CN105826155B (zh) | 2018-04-27 |
TW201633363A (zh) | 2016-09-16 |
KR101867147B1 (ko) | 2018-06-12 |
TWI696208B (zh) | 2020-06-11 |
JP2016139592A (ja) | 2016-08-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6600990B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR102136925B1 (ko) | 유도 결합 플라스마 처리 장치 | |
US20230268160A1 (en) | Antenna unit for inductively coupled plasma, inductively coupled plasma processing apparatus and method therefor | |
KR102121655B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
JP6650841B2 (ja) | 基板昇降機構、基板載置台および基板処理装置 | |
JP5285403B2 (ja) | 真空容器およびプラズマ処理装置 | |
KR101336565B1 (ko) | 유도 결합 플라즈마용 안테나 유닛 및 유도 결합 플라즈마 처리 장치 | |
TWI547214B (zh) | Antenna unit and inductively coupled plasma processing device | |
JP2018206975A (ja) | プラズマ処理装置及びガスシャワーヘッド | |
JP6719290B2 (ja) | 補強構造体、真空チャンバー、およびプラズマ処理装置 | |
TWI611455B (zh) | 感應耦合電漿處理裝置 | |
JP2021064695A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
TWI600048B (zh) | Inductively coupled plasma processing device | |
KR101775751B1 (ko) | 유도 결합 플라즈마 처리 장치 | |
KR101089877B1 (ko) | 진공 용기 및 플라즈마 처리 장치 | |
KR101798371B1 (ko) | 유도결합 플라즈마 처리장치의 가스공급구조 | |
JP3913681B2 (ja) | 誘導結合プラズマ処理装置 | |
JP4190949B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2018051549A (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20180112 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180313 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190219 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190419 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190910 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190923 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6600990 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |