KR101798371B1 - 유도결합 플라즈마 처리장치의 가스공급구조 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 피처리 기판(S)을 수용하여 플라즈마 처리를 실시하는 본체 용기(10)와, 본체 용기(10) 내에서 피처리 기판(S)이 탑재되는 기판탑재대(20)와, 본체 용기(10) 내부를 배기하는 배기계(30)와, 본체 용기(10)의 상부벽을 구성하는 하나 이상의 유전체벽(100)과, 본체 용기(10) 외부의 유전체벽(100)에 대응되어 설치되고, RF 전원이 공급됨으로써 본체 용기(10) 내에 유도 전계를 형성하기 위한 하나 이상의 RF 안테나(40)를 구비하는 유도결합 플라즈마 처리장치에 있어서, 처리가스 공급관(300)과 연결되며 1차로 처리가스를 확산시키는 제1확산플레이트(210)와, 제1확산플레이트(210)의 하부에 설치되며 제1확산플레이트(210)를 통하여 확산된 처리가스를 본체 용기(10) 내로 확산시키는 제2확산플레이트(220)를 포함하고, 제2확산플레이트(220)는 상기 유전체벽(100)의 저면 중 적어도 일부에 형성된 가스공급구조를 제공함으로써, 피처리 기판의 평면 상의 처리가스 분사제어가 가능하여 균일한 기판처리가 가능하다.

Description

유도결합 플라즈마 처리장치의 가스공급구조 {Gas Supply Structure for Inductively Coupled Plasma Processing Apparatus}
본 발명은 기판에 대하여 에칭 등 기판처리를 수행하는 유도결합 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치(LCD), OLED 등의 제조 공정에 있어서 기판에 소정의 처리를 실시하기 위하여, 플라즈마 에칭 장치나 플라즈마 CVD 성막(成膜) 장치 등 각종 플라즈마 처리 장치가 이용된다. 이러한 플라즈마 처리 장치로는 종래에 용량 결합 플라즈마 처리 장치가 사용되었지만, 최근 고진공도로 고밀도의 플라즈마를 얻을 수 있는 큰 이점을 갖는 유도결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma : ICP) 처리장치가 주목받고 있다.
유도결합 플라즈마 처리장치는, 피처리 기판을 수용하는 본체 용기의 유전체창의 외측에 RF 안테나를 배치하고, 본체 용기 내에 처리가스를 공급하는 동시에 RF 안테나에 RF 전력을 공급함으로써, 본체 용기 내에 유도결합 플라즈마를 발생시키고, 유도결합 플라즈마에 의해서 피처리 기판에 소정의 플라즈마 처리를 실시하는 것이다. 유도결합 플라즈마 처리장치의 RF 안테나로는, 소용돌이 형상의 평면 안테나가 많이 사용되고 있다.
그런데 최근 기판의 대형화가 진행되고, 한 변의 길이가 1m를 초과하는 대형 기판의 기판처리를 위하여 플라즈마 처리장치의 대형화가 필요하게 되었다.
이에 대형기판처리를 위한 유도결합 플라즈마 처리장치 또한 대형화되면서 피처리 기판의 평면 상에서의 플라즈마 밀도의 편차가 증가하여 균일한 기판처리가 불가능한 문제점이 있다.
특히 처리가스의 분사구조에 따라서 플라즈마 밀도의 편차에 큰 영향을 미치는데 종래의 경우 본체 용기의 측벽에서 처리가스를 분사하는 가스분사구조, 유전체벽을 지지하는 지지부재에 형성된 가스분사유로를 통한 가스분사구조 등이 있다.
그러나 위와 같은 종래의 가스분사구조들은, 대면적의 기판으로의 균일한 가스분사 또는 가스분사의 제어가 어려워 플라즈마 밀도의 편차를 증가시켜 궁극적으로는 균일한 기판처리가 불가능한 문제점이 있다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 유전체벽의 적어도 일부에 가스분사구조를 설치하여 피처리 기판의 평면 상의 처리가스 분사제어가 가능하여 균일한 기판처리가 가능한 유도결합 플라즈마 처리장치의 가스공급구조를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치의 가스공급구조는 피처리 기판(S)을 수용하여 플라즈마 처리를 실시하는 본체 용기(10)와, 상기 본체 용기(10) 내에서 피처리 기판(S)이 탑재되는 기판탑재대(20)와, 상기 본체 용기(10) 내부를 배기하는 배기계(30)와, 상기 본체 용기(10)의 상부벽을 구성하는 하나 이상의 유전체벽(100)과, 상기 본체 용기(10) 외부의 상기 유전체벽(100)에 대응되어 설치되고, RF 전원이 공급됨으로써 상기 본체 용기(10) 내에 유도 전계를 형성하기 위한 하나 이상의 RF 안테나(40)를 구비하는 유도결합 플라즈마 처리장치에 있어서, 처리가스 공급관(300)과 연결되며 1차로 처리가스를 확산시키는 제1확산플레이트(210)와, 상기 제1확산플레이트(210)의 하부에 설치되며 상기 제1확산플레이트(210)를 통하여 확산된 처리가스를 상기 본체 용기(10) 내로 확산시키는 제2확산플레이트(220)를 포함하며, 상기 제2확산플레이트(220)는 상기 유전체벽(100)의 저면 중 적어도 일부에 형성되는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 따르면, 상기 유전체벽(100)은 직사각형 평면형상을 가지고 복수개로 설치되며, 상기 복수의 유전체벽들(100)은 격자형으로 배치될 수 있도록 상기 복수의 유전체벽들(100)의 가장자리는 지지부재(230)에 의해 지지되어 상기 본체 용기(10)의 상단에 설치될 수 있다.
그리고 상기 복수의 유전체벽(100) 중 적어도 일부는 상기 제1확산플레이트(210) 및 상기 제2확산플레이트(220) 전체에 의하여 이루어지며, 상기 제1확산플레이트(210) 및 상기 제2확산플레이트(220)는 상하방향으로 간격을 두고 설치될 수 있다.
일 실시예에 따르면 상기 복수의 유전체벽(100) 중 적어도 일부는 상기 제2확산플레이트(220)가 상기 유전체벽(100)의 평면 중 일부에 형성될 수 있다.
그리고 상기 제1확산플레이트(210) 및 상기 제2확산플레이트(220) 중 어느 하나는 상기 유전체벽(100)와 일체로 형성되며, 상기 제1확산플레이트(210) 및 상기 제2확산플레이트(220)는 상하방향으로 간격을 두고 설치된 유도결합 플라즈마 처리장치의 가스공급구조.
일 실시예에 따르면 상기 유전체벽(100)은 상기 안테나(40)의 적어도 일부가 삽입되는 홈이 형성될 수 있다.
일 실시예에 따르면 상기 유전체벽(100)은 상면에 상기 유전체벽(100)과 동일한 재질의 리브(240)가 하나 이상 설치될 수 있다.
일 실시예에 따르면 상기 처리가스 공급관(300)과 연결되며 상기 제1확산플레이트 상측에 처리가스를 미리 확산시키는 확산공간을 형성하는 확산공간형성부재(320)가 더 설치될 수 있다.
그리고 상기 처리가스 공급관(300)과 연결되며 상기 확산공간으로 가스가 분사되는 복수의 분사공들(311)이 형성된 확산을 형성하는 확산보조부재(310)가 더 설치될 수 있다.
본 발명은 유전체벽의 적어도 일부에 가스분사구조를 설치하여 피처리 기판의 평면 상의 처리가스 분사제어가 가능하여 균일한 기판처리가 가능하다.
구체적으로, 본 발명은 유전체벽의 적어도 일부에 복수 개의 확산플레이트가 설치되거나 또는 형성되는 가스공급구조에 의하여 처리가스가 본체 용기 내로의 처리가스 분사 제어가 원활하여 균일한 기판처리가 가능하다.
본 발명은 유전체벽의 상면에 하나 이상의 리브를 일체로 또는 결합시킴으로써 구조적 강성을 높여 대형기판 처리를 위하여 유전체벽 또한 대형화될 때 유전체벽의 강성을 높여 처짐 또는 변형을 방지할 수 있다.
특히 상대적으로 얇은 두께의 유전체벽의 사용이 가능하여 본체 용기 내부에 대한 RF 안테나의 수직거리를 줄여 상대적으로 낮은 전원인가가 가능하여 기판처리의 효율을 증가시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치를 보여주는 단면도,
도 2는 도 1의 유전체벽 및 지지부재를 보여주는 평면도,
도 3은 도 2에서 Ⅲ-Ⅲ 방향의 단면도,
도 4 내지 도 6은 도 3의 변형례들을 보여주는 단면도들,
도 7은, 도 3의 다른 변형례를 보여주는 단면도,
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치를 보여주는 단면도,
도 9은 도 8의 A 부분을 확대하여 보여주는 확대도,
도 10는 도 8의 유전체벽 및 지지부재를 보여주는 평면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치를 보여주는 단면도, 도 2는 도 1의 유전체벽 및 지지부재를 보여주는 평면도, 도 3은 도 2에서 Ⅲ-Ⅲ 방향의 단면도, 도 4 내지 도 6은 도 3의 변형례들을 보여주는 단면도들, 도 7은, 도 3의 다른 변형례를 보여주는 단면도, 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치를 보여주는 단면도, 도 9은 도 8의 A 부분을 확대하여 보여주는 확대도, 도 10는 도 8의 유전체벽 및 지지부재를 보여주는 평면도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는 피처리 기판(S)을 수용하여 플라즈마 처리를 실시하는 본체 용기(10)와, 본체 용기(10) 내에서 피처리 기판(S)이 탑재되는 기판탑재대(20)와, 본체 용기(10) 내부를 배기하는 배기계(30)와, 본체 용기(10)의 상부벽을 구성하는 하나 이상의 유전체벽(100)과, 본체 용기(10) 외부의 유전체벽(100)에 대응되어 설치되고, RF 전원이 공급됨으로써 본체 용기(10) 내에 유도 전계를 형성하기 위한 하나 이상의 RF 안테나(40)를 구비한다.
이 장치는, 예컨대 LCD, OLED의 제조에 있어서 LCD 유리 기판상에 박막 트랜지스터를 형성할 때에, 금속막, ITO막, 산화막 등을 에칭하는 등 기판처리공정을 수행하기 위해 사용된다.
본체 용기(10)는 피처리 기판(S)을 수용하여 플라즈마 처리를 실시하는 내부 공간을 형성하는 구성요소이다.
본체 용기(10)는 도전성 재료, 예컨대 내벽면이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 구성되는 사각통 형상을 가질 수 있으며 분해 가능하게 조립할 수 있고, 접지선(도시되지 않음)에 의해 접지될 수 있다.
그리고 본체 용기(10)의 측벽에는 기판(S)을 반입출하기 위한 게이트 및 그것을 개폐하는 게이트 밸브(도시하지 않음)가 설치되어 있다.
기판탑재대(20)는 도전성 재료, 예컨대 표면이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 구성될 수 있다. 기판탑재대(22)에 탑재된 기판(S)은, 정전척(도시하지 않음)에 의해 기판탑재대(22)에 흡착 유지될 수 있다.
그리고 기판탑재대(22)는 급전봉(도시하지 않음)에 의해, 정합기(도시하지 않음)를 거쳐 RF 전원(도시하지 않음)이 접속될 수 있다.
이 RF 전원은, 플라즈마 처리 중에, 바이어스용 RF 전원, 예컨대 주파수 6㎒의 RF 전원을 기판탑재대(22)에 인가할 수 있다. 이 바이어스용 RF 전원에 의해, 본체 용기(10) 내에 생성된 플라즈마 중의 이온이 효과적으로 기판(S)으로 인입될 수 있다.
또한, 기판탑재대(22) 내에는 기판(S)의 온도를 제어하기 위해, 세라믹 히터 등의 가열 수단이나 냉매 유로 등으로 구성되는 온도 제어 기구와, 온도 센서가 설치되어 있다(모두 도시하지 않음).
배기계(30)는 본체 용기(10) 내부를 배기하는 구성요소이다.
배기계(30)는 본체 용기(10)의 바닥부에 진공 펌프 등을 포함하는 배기 장치가 접속되는 배기관을 포함하며, 배기 장치에 의해 본체 용기(10) 내부가 배기되고, 플라즈마 처리 동안 본체 용기(10) 내가 소정의 진공 분위기(예컨대 1.33 ㎩)로 설정되어 유지된다.
RF 안테나(40)는 본체 용기(10) 외부의 유전체벽(100)에 대응되어 하나 이상으로 설치되고, RF 전원이 공급됨으로써 본체 용기(10) 내에 유도 전계를 형성하는 구성요소이다.
RF 안테나(40)는 절연 부재로 구성되는 스페이서(도시하지 않음)에 의해 유전체벽(100)으로부터 일정한 거리 이하의 범위로 이격되어 있다.
그리고 RF 안테나(40)에 대한 급전을 위하여 하나 이상의 급전 부재(도시하지 않음)가 설치되어 있고, 이들 급전 부재에는 정합기(도시하지 않음)를 거쳐 RF 전원(도시하지 않음)이 접속되어 있다.
플라즈마 처리 중, RF 전원으로부터는, 유도 전계 형성용의 예컨대 주파수가 13.56㎒인 RF 전원이 RF 안테나(40)로 공급될 수 있다. 이와 같이 RF 전원이 공급된 RF 안테나(40)에 의해, 본체 용기(10) 내에 유도전계가 형성되고, 이 유도전계에 의해 처리가스가 플라즈마화된다. 이때의 RF 전원의 출력은 플라즈마를 발생시키는데 충분한 값이 되도록 적절히 설정된다.
유전체벽(100)은 본체 용기(10)의 상부벽을 구성하며 상부에 설치된 RF 안테나(40)의 RF 전원인가에 의하여 그 하부에 유도전계를 형성하도록 하는 구성요소이다.
유전체벽(100)은 하나, 바람직하게는 복수개로 설치되며 Al2O3　등의 세라믹, 석영 등으로 구성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 유전체벽(100)은 직사각형 평면형상을 가지고 복수개로 설치되어 복수의 유전체벽들(100)이 격자형으로 배치될 수 있도록 복수의 유전체벽들(100)의 가장자리는 지지부재(230)에 의해 지지되어 본체 용기(10)의 상단에 설치될 수 있다.
지지부재(230)는 유전체벽(100)을 지지하는 구성요소로서 강성이 큰 금속재질이 사용됨이 바람직하며 유전체벽(100)의 지지구조에 따라서 다양한 실시예가 가능하다.
한편 지지부재(230)는 금속재질 대신 유전체벽(100)과 동일하거나 유사한 재질, 즉 세라믹, 석영 등이 사용될 수 있다.
이때 강성 보강을 위하여 금속부재(231)가 상면에 부착될 수 있다.
한편 본 발명은 유전체벽의 적어도 일부에 가스분사구조를 설치하여 피처리 기판의 평면 상의 처리가스 분사제어가 가능하여 균일한 기판처리가 가능함에 특징이 있다.
즉, 본 발명의 일실시예에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치급구조는 처리가스 공급관(300)과 연결되며 1차로 처리가스를 확산시키는 제1확산플레이트(210)와, 제1확산플레이트(210)의 하부에 설치되며 제1확산플레이트(210)를 통하여 확산된 처리가스를 본체 용기(10) 내로 확산시키는 제2확산플레이트(220)를 포함하며, 제2확산플레이트(220)는 유전체벽(100)의 저면 중 적어도 일부에 형성됨을 특징으로 한다.
제1확산플레이트(210)는 처리가스 공급관(300)과 연결되며 1차로 처리가스를 확산시키는 구성요소이다.
일 실시예에 따르면 제1확산플레이트(210)는 유전체벽(100)과 동일한 재질을 가지며 유전체벽(100)과 일체로 형성되거나 별도 부재로 형성될 수 있다.
그리고 제1확산플레이트(210)는 처리가스가 확산될 수 있도록 복수의 제1확산공들(211)이 형성된다.
제2확산플레이트(220)는 제1확산플레이트(210)의 하부에 설치되며 제1확산플레이트(210)를 통하여 확산된 처리가스를 본체 용기(10) 내로 확산시키는 구성요소이다.
일 실시예에 따르면 제2확산플레이트(220)는 유전체벽(100)과 동일한 재질을 가지며 유전체벽(100)과 일체로 형성되거나 별도 부재로 형성될 수 있다.
그리고 제2확산플레이트(220)는 본체 용기(10) 내로 처리가스가 확산될 수 있도록 복수의 제2확산공들(221)이 형성된다.
제2확산공(221)은 본체 용기(10) 내로 확산됨을 고려하여 제1확산공(211)에 비하여 내경이 작게 형성됨이 바람직하다.
한편 제2확산플레이트(220)는 제1확산플레이트(210)와 유사하게 볼팅결합, 세라믹 본딩 등 다양한 방법에 의하여 유전체벽(100)에 결합될 수 있다
상기와 같은 제1확산플레이트(210) 및 제2확산플레이트(220)는 유전체벽(100)에서의 설치구조에 따라서 다양한 실시예가 가능하다.
일 실시예에 따르면 복수의 유전체벽(100) 중 적어도 일부는 도 5에 도시된 바와 같이 제1확산플레이트(210) 및 제2확산플레이트(220) 전체에 의하여 이루어지며, 제1확산플레이트(210) 및 제2확산플레이트(220)는 상하방향으로 간격을 두고 설치될 수 있다.
구체적으로 유전체벽(100)은 제1확산플레이트(210) 및 제2확산플레이트(220)이 상하로 적층됨으로써 형성될 수 있다.
이 경우 제1확산플레이트(210) 및 제2확산플레이트(220) 사이에는 제1확산플레이트(210)의 제1확산공(211)을 통과한 처리가스가 확산되는 공간을 형성하게 된다.
다른 실시예에 따르면 복수의 유전체벽(100) 중 적어도 일부는 도 1, 도 3, 도 4, 도 6에 도시된 바와 같이 제2확산플레이트(220)가 유전체벽(100)의 평면 중 일부에 형성될 수 있다.
이때 제1확산플레이트(210) 및 제2확산플레이트(220) 중 어느 하나는 유전체벽(100)와 일체로 형성되며, 제1확산플레이트(210) 및 제2확산플레이트(220)는 상하방향으로 간격을 두고 설치될 수 있다.
보다 구체적으로 제1확산플레이트(210) 및 제2확산플레이트(220) 및 유전체벽(100)과의 결합구조에 따라서 다양한 실시예가 가능하다.
일 실시예에 따르면 도 1, 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 제1확산플레이트(210)가 유전체벽(100)과 일체로 형성되고, 제2확산플레이트(220)는 유전체벽(100) 중 제1확산플레이트(210)가 형성된 부분에 별도 부재로서 결합될 수 있다.
이 경우 제1확산플레이트(210)는 볼팅결합, 세라믹 본딩 등 다양한 방법에 의하여 유전체벽(100)에 결합될 수 있다.
한편 본 발명의 착안점은, 가스공급구조를 유전체벽(100)에 설치함으로써 본체 용기(10) 내부로의 가스공급제어를 원활하게 함에 특징이 있는바 다양한 변형이 가능하다.
예로서, 도 3 내지 도 6을 참조하여 제1확산플레이트(210) 및 제2확산플레이트(220)로 구성된 가스공급구조에 관하여 설명하였으나, 변형된 가스공급구조로서 제1확산플레이트(210)의 구성없이, 처리가스 공급관(300)에서 공급된 처리가스가 제2확산플레이트(220)의 상부에서 확산되어 제2확산플레이트(220)의 제2확산공들(221)들을 통하여 본체 용기(10) 내부로 분사되도록 구성될 수 있다.
구체적으로, 유전체벽(100)에는 처리가스 공급관(300)이 결합되는 관통공이 형성되고 제2확산플레이트(220)는 확산공간의 형성을 위하여 관통공이 형성된 부분에서의 유전체벽(100)의 저면과 간격을 두고 설치될 수 있다.
그리고 상기 유전체벽(100)의 저면 중 제2확산플레이트(220)와 결합되는 부분은 제2확산플레이트(220)의 저면과 완만한 면을 이루도록 오목하게 형성됨이 바람직하다.
한편 유전체벽(100)은 대형화 및 가스공급구조가 설치됨에 따라서 두께가 상대적으로 두껍게 되어 본체 용기(10) 내부에 대한 RF 안테나(40)의 수직거리가 증가되어 동일한 유도전계를 형성하기 위해서는 인가전력이 증가될 수 있다.
따라서, 유전체벽(100)은 안테나(40)의 적어도 일부가 삽입되는 홈(150)이 형성될 수 있다.
홈(150)은 안테나(40)의 적어도 일부가 삽입되도록 유전체벽(100)에 형성되는 구성요소로서 안테나(40)의 형상 및 패턴에 따라서 다양한 실시예가 가능하다.
한편 유전체벽(100)은 대형화 및 가스공급구조가 설치됨에 따라서 유전체벽(100)의 강성을 보강할 필요가 있다.
따라서, 유전체벽(100)은 상면에 유전체벽(100)과 동일한 재질의 리브(240)가 하나 이상 설치될 수 있다.
리브(240)는 유전체벽(100)의 상면에 유전체벽(100)과 동일한 재질로서 볼팅결합, 세라믹 본딩 등 다양한 방식에 결합됨으로써 유전체벽(100)의 강성을 보강한다.
리브(240)의 설치에 의하여 상대적으로 얇은 두께의 유전체벽(100)에 의해서도 처짐없이 설치가 가능하다.
한편 제1확산플레이트(210)의 상측에는 처리가스 공급관(300)과 연결되며 제1확산플레이트(210) 상측에 처리가스를 미리 확산시키는 확산공간을 형성하는 확산공간형성부재(320)가 더 설치될 수 있다.
확산공간형성부재(320)는 제1확산플레이트(210)의 상측에서 처리가스 공급관(300)과 연결되며 제1확산플레이트(210) 상측에 처리가스를 미리 확산시키는 구성요소이다.
더 나아가 처리가스 공급관(300)과 연결되며 확산공간으로 가스가 분사되는 복수의 분사공들(311)이 형성된 확산을 형성하는 확산보조부재(310)가 더 설치될 수 있다.
확산공간형성부재(320) 및 확산보조부재(310)에 의하여 처리가스를 미리 확산시킴으로써 본체 용기(10) 내로의 균일한 가스분사가 가능하다.
S... 기판
10... 본체 용기
100... 유전체벽
210... 제1확산플레이트
220... 제2확산플레이트

Claims (9)

  1. 피처리 기판(S)을 수용하여 플라즈마 처리를 실시하는 본체 용기(10)와,
    상기 본체 용기(10) 내에서 피처리 기판(S)이 탑재되는 기판탑재대(20)와,
    상기 본체 용기(10) 내부를 배기하는 배기계(30)와,
    상기 본체 용기(10)의 상부벽을 구성하는 하나 이상의 유전체벽(100)과,
    상기 본체 용기(10) 외부의 상기 유전체벽(100)에 대응되어 설치되고, RF 전원이 공급됨으로써 상기 본체 용기(10) 내에 유도 전계를 형성하기 위한 하나 이상의 RF 안테나(40)를 구비하는 유도결합 플라즈마 처리장치의 가스공급구조에 있어서,
    상기 가스공급구조는 상기 유전체벽(100)에 형성되며,
    처리가스 공급관(300)과 연결되며 1차로 처리가스를 확산시키는 제1확산플레이트(210)와,
    상기 제1확산플레이트(210)의 하부에 설치되며 복수의 제2확산공들이 형성되어 상기 제1확산플레이트(210)를 통하여 확산된 처리가스를 상기 본체 용기(10) 내로 확산시키는 제2확산플레이트(220)를 포함하며,
    상기 제1확산플레이트(210) 및 상기 제2확산플레이트(220) 중 적어도 하나는 상기 유전체벽(100)의 저면 중 적어도 일부에 형성되며,
    상기 제1확산플레이트(210) 및 상기 제2확산플레이트(220)는 상하방향으로 간격을 두고 설치되며,
    상기 제1확산플레이트(210) 및 상기 제2확산플레이트(220)는, 상기 유전체벽(100)과 동일한 재질로 이루어지는 유도결합 플라즈마 처리장치의 가스공급구조.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유전체벽(100)은 직사각형 평면형상을 가지고 복수개로 설치되며, 상기 복수의 유전체벽들(100)은 격자형으로 배치될 수 있도록 상기 복수의 유전체벽들(100)의 가장자리는 지지부재(230)에 의해 지지되어 상기 본체 용기(10)의 상단에 설치되는 유도결합 플라즈마 처리장치의 가스공급구조.
  3. 제2항에 있어서, 상기 복수의 유전체벽(100) 중 적어도 일부는 상기 제1확산플레이트(210) 및 상기 제2확산플레이트(220) 전체에 의하여 이루어지며, 상기 제1확산플레이트(210) 및 상기 제2확산플레이트(220)는 상하방향으로 간격을 두고 설치된 유도결합 플라즈마 처리장치의 가스공급구조.
  4. 제1항에 있어서, 상기 복수의 유전체벽(100) 중 적어도 일부는 상기 제2확산플레이트(220)가 상기 유전체벽(100)의 평면 중 일부에 형성된 유도결합 플라즈마 처리장치의 가스공급구조.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1확산플레이트(210) 및 상기 제2확산플레이트(220) 중 어느 하나는 상기 유전체벽(100)와 일체로 형성되며, 상기 제1확산플레이트(210) 및 상기 제2확산플레이트(220)는 상하방향으로 간격을 두고 설치된 유도결합 플라즈마 처리장치의 가스공급구조.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유전체벽(100)은 상기 안테나(40)의 적어도 일부가 삽입되는 홈이 형성된 유도결합 플라즈마 처리장치의 가스공급구조.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유전체벽(100)은 상면에 상기 유전체벽(100)과 동일한 재질의 리브(240)가 하나 이상 설치된 유도결합 플라즈마 처리장치의 가스공급구조.
  8. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리가스 공급관(300)과 연결되며 상기 제1확산플레이트 상측에 처리가스를 미리 확산시키는 확산공간을 형성하는 확산공간형성부재(320)가 더 설치된 유도결합 플라즈마 처리장치의 가스공급구조.
  9. 제8항에 있어서, 상기 처리가스 공급관(300)과 연결되며 상기 확산공간으로 가스가 분사되는 복수의 분사공들(311)이 형성된 확산을 형성하는 확산보조부재(310)가 더 설치된 유도결합 플라즈마 처리장치의 가스공급구조.
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