JP2008539596A - プラズマリアクタチャンバのためのｏリングレスタンデムスロットル弁 - Google Patents

Abstract

高い最大ガス流量を有し且つガス流量の微細な制御を行える弁システムは、ガス流路を通してのガスの流れを阻止するための弁ハウジングと、第１の弧状側壁部を有する前記ハウジングを通しての大面積開口及び第２の弧状側壁部を有する前記ハウジングを通しての小面積開口と、前記大面積及び小面積開口の各々において、前記第１及び第２の弧状側壁部と各々一致し且つ各々第１及び第２の弁ギャップを間に画成する弧状縁部を有する個々の大面積及び小面積回転弁フラップとを含む。上記第１及び第２の弁ギャップは、前記弁ハウジングの一方の側におけるガスの流れを所定の圧力限界まで阻止し、それにより、Ｏリングの必要性をなくすに十分なほど小さい。
【選択図】 図１Ａ

Description

発明の背景

[001]半導体回路製造のための大半のプラズマ処理は、チャンバに結合される真空ポンプを使用して大気圧以下の圧力に維持されるプラズマリアクタチャンバを必要とするものである。典型的に、その真空ポンプは、名目上、一定割合で作動されるが、チャンバ圧力は、チャンバと真空ポンプとの間に結合される蝶形弁によって調整される。蝶形弁は、回転可能な円板形フラップを有し、その円板形フラップの回転位置によって、真空ポンプへの流量が決定されるので、チャンバ圧力が制御される。その弁フラップは、典型的に、弁が閉位置にあるときはいつでも、弁ハウジングの縁部に着座するＯリングをその周辺に有している。このＯリングは、弁フラップが閉位置にあるときに封止を確実とするのに必要とされている。このＯリングは、所望のチャンバ圧力が達成されている僅かに開いた位置にそれがあるときに、摩耗を受ける。そのＯリングを越して流れるガス及びプラズマは、そのＯリング物質と反応し、それを劣化させ又は除去する。その結果として、弁は、そのＯリングの交換のために定期的に保守管理されねばならず、リアクタの保守管理コスト及びダウンタイムが相当なものとなってしまう。

[002]別の問題は、弁の最大流量容量とチャンバ圧力を正確に調整する能力との間にトレードオフがあることである。圧力を制御できる分解能は、おおよそ、弁直径に逆比例している。何故ならば、弁フラップの回転角度の制御は、そのフラップを回転させるのに使用されるモーター又はサーボに依存して、最小角度変位に制限されるからである。この最小角度変位又は分解能は、１度よりも小さくできる。非常に小さな直径の弁フラップ及び開口の場合には、この分解能により、チャンバ圧力を非常に正確に又は微細に制御することができる。しかしながら、より大きな直径の弁フラップ又は開口の場合には、フラップを最小角度変位に亘って移動させると、チャンバ圧力が比較的に大きく変化させられてしまい、チャンバ圧力の微細な制御ができなくなってしまう。このような問題は、より小さな直径の弁フラップ及び開口を使用することによって克服することができる。しかしながら、このような解決方法では、チャンバを排気又は清浄できる割合が制限されてしまう。例えば、清浄ガス及び副生物の高速「ダンプ」によるＮＦ_３ガスでもチャンバの清浄は、小さな直径の弁では可能ではない。

[003]非常に高い最大流量（最大開口サイズ）を有するが、その大きな最大開口サイズにも関わらず、非常に小さな弁と同様に正確にチャンバ圧力を制御でき、且つＯリングの定期的交換を必要としないような圧力制御弁が必要とされている。

発明の概要

[004]高い最大ガス流量を有し且つガス流量の微細な制御を行える弁システムは、ガス流路を通してのガスの流れを阻止するための弁ハウジングと、第１の弧状側壁部を有する前記ハウジングを通しての大面積開口及び第２の弧状側壁部を有する前記ハウジングを通しての小面積開口と、前記大面積及び小面積開口の各々において、前記第１及び第２の弧状側壁部と各々一致し且つ各々第１及び第２の弁ギャップを間に画成する弧状縁部を有する個々の大面積及び小面積回転弁フラップとを含む。上記第１及び第２の弁ギャップは、前記弁ハウジングを通してのガスの伝導度を、所定の最小ガス流限界に対する所定の圧力限界までに制限し、それにより、Ｏリングの必要をなくするに十分なほど小さい。

発明の詳細な説明

[0013]図１Ａ及び図１Ｂを参照するに、プラズマリアクタ１０は、真空チャンバ１６を包囲する天井部１２及び側壁部１４を有しており、真空チャンバ１６の内側には、処理すべきシリコンウエハを保持するためのウエハ支持ペデスタル１８が設けられている。処理ガス供給源１１は、ガス注入装置１３を通してチャンバ１６内へ処理ガス又は処理ガス混合体を供給する。プラズマバイアス電力は、高周波バイアス電力発生器１５からインピーダンス整合回路１７を通してウエハペデスタル１８へ印加される。プラズマソース電力は、高周波ソース電力発生器１９からインピーダンス整合回路２１を通してソース電力アプリケーター２３（例えば、アンテナ又は電極であってよく、天井部１２又はペデスタル１８に配設することができる）へ印加される。側壁部１４とペデスタル１８との間に、排気アニュラス２０が画成される。この排気アニュラス２０と外部真空ポンプ２４との間に排気導管２２が結合される。

[0014]排気導管２２の内部表面は、この排気導管２２の直径に亘って延長する弁ハウジング２８を支持する肩部２６を有する。弁ハウジング２８は、１対のタンデム蝶形弁、即ち、大きな高容積弁３０及び小さな微細制御弁３２を支持している。高容積弁３０は、弁ハウジング２８を貫通する円形開口３４及び回転弁フラップ３６からなる。弁フラップ３６は、球体の平板状部分であり、従って、弧状縁部を有している。弁ハウジング２８を貫通する開口３４の縁部４０は、弁フラップの弧状縁部のそれと整合する同様の弧状形状を有している。フラップ３６が閉位置（即ち、弁ハウジング２８の平面と平行）にあるとき、それら弧状縁部３８、４０は、厚さＴを有する弧状ギャップを画成する。この弧状ギャップの半径は、その弁の内部側から外部側まで（即ち、チャンバ１６からポンプ２４まで）その弧状ギャップを通して直線路がないようにするに十分なほど小さい。こうすることにより、その弧状ギャップを通して逃げるガスの割合を制限することができる。好ましくは、この弧状ギャップの厚さＴは、所定の圧力範囲内においてチャンバ１６におけるガス又はプラズマの平均自由衝突パスより小さい。この圧力範囲は、１つの実施形態では、２ミリトールから２００ミリトールまでである。換言すると、この実施形態におけるギャップ厚さは、２００ミリトールまでのチャンバ圧力に対する平均自由衝突パスより十分に小さい。このギャップ厚さＴは、意図するチャンバ圧力動作範囲に依存して、例えば、約０．０１０インチと０．０３０インチとの間であってよく、又はそれより低くてよい。チャンバ圧力の粗い制御は、弁開口サイズｄ（図１Ｂ）を決定する高容積弁フラップ３６の回転位置を制御することによって得られる。このような小さなギャップで且つそのギャップを通ずる円形路である場合には、処理ガス又はプラズマ生成物がそのギャップを通して逃げる割合は、低い。このような特徴により、そのギャップを封止するためのＯリングの必要性がなくなり、相当の効果が得られる。

[0015]高容積弁３０の伝導度は、弁フラップ３６の角度又は回転位置に単調的に関連付けられる（０度（閉じた）から９０度（広く開いた）までの角度位置範囲について）弁開口サイズｄによって決定される。この伝導度及びガス流量により、チャンバ圧力が決定され、従って、チャンバは、弁フラップ３６の回転により弁開口サイズｄを制御することにより、調整される。

[0016]微細制御弁３２は、弁ハウジング２８を貫通する円形開口４４及び回転弁フラップ４６からなる。弁フラップ４６は、球体の平板状部分であり、従って、弧状縁部４８を有する。弁ハウジング２８を貫通する開口４４の縁部５０は、弁フラップの弧状縁部４８のそれと整合する同様の弧状形状を有する。フラップ４６が閉位置（即ち、弁ハウジング２８の平面と平行）にあるとき、それら弧状縁部４８、５０は、厚さｔを有する弧状ギャップ５１を画成する。この弧状ギャップ５１の半径は、その弁の内部側から外部側まで（即ち、チャンバ１６からポンプ２４まで）その弧状ギャップ５１を通して直線路がないようにするに十分に小さい。こうすることにより、その弧状ギャップ５１を通して逃げるガスの割合を制限することができる。

[0017]ギャップ５１を通してガスが逃げるのを阻止する別の特徴によれば、そのギャップ厚さｔは、所定の圧力範囲内でチャンバ１６におけるガス又はプラズマの平均自由衝突パスより小さい。この圧力範囲は、１つの実施形態では、２ミリトールから２００ミリトールである。換言するならば、この実施形態におけるギャップ厚さｔは、２００ミリトールまでのチャンバ圧力に対して平均自由衝突パスよりも小さくなるように十分に小さい。このギャップ厚さは、例えば、約０．０１０インチから０．０３０インチである。チャンバ圧力の微細制御は、弁開口サイズを決定するフラップ４６の回転位置を制御することにより得られる。このような小さなギャップで且つそのギャップを通ずる円形路である場合には、処理ガス又はプラズマ生成物がそのギャップを通して逃げる割合は、低い。このような特徴により、そのギャップを封止するためのＯリングの必要性はなくなり、相当の効果が得られる。

[0018]弁３２の伝導度は、弁フラップ４６の角度又は回転位置に単調的に関連付けられる（０度（閉じた）から９０度（広く開いた）までの角度位置範囲について）弁開口サイズによって決定される。各タンデム弁３０、３２の個々の伝導度の並列和及びガス流量により、チャンバ圧力が決定され、従って、チャンバ圧力は、弁フラップ３６及び４６の回転により各弁３０、３２の弁開口サイズを制御することにより、調整される。高容積弁３０の効果は、その高容積弁３０のフラップ３６をその全開放角度位置（即ち、弁ハウジング２８の平面に対して垂直）まで回転することにより、非常に大きなチャンバ排気割合を達成することができるということである。この高容積弁の直径は、例えば、ＮＦ_３の如き清浄ガスを使用する又は膜堆積中に堆積ガスを使用するチャンバ清浄動作中に必要とされる大きなチャンバ排気割合を得るために、非常に大きく（例えば、９インチ）することができる。しかしながら、高容積弁は、チャンバ圧力の所望の圧力値に対する調整を最大限に正確に行えるものではない。何故ならば、そのフラップ３６の小さな角度の回転でも、チャンバ圧力が大きく変化してしまうからである。正確な制御は、開口直径を１インチ（例えば）程にも小さくできる微細制御弁３２によって与えられる。この微細制御弁３２の場合には、そのフラップ４６の小さな角度の回転により、チャンバ圧力の比較的に小さな変化をもたらすことができ、チャンバ圧力の小さな正確な調整を行うことができるようになる。その上、この微細制御弁フラップ４６は、その直径が小さいため、慣性モーメントが比較的に小さく、これにより、適度なトルク容量のモーターにより、チャンバ圧力の非常に急速な修正又は変更を行うことが可能となり、弁３２の微細制御能力を高めることができる。

[0019]動作において、高容積弁３０は、微細制御弁３２が補償できる範囲内に入る十分に小さな差だけ所望のチャンバ圧力よりも高いチャンバ圧力を確立する回転位置（又は開口サイズｄ）に設定される。それから、チャンバ圧力は、そのチャンバ圧力が所望の値まで減少されるまで微細制御弁３２を開くことにより、所望の圧力の厳密な値へと正確に調整される。微細制御弁３２は、このような小さな開口を有するので、この微細制御弁フラップ４６の回転移動により、チャンバ圧力の非常に小さな変化をもたらすことができ、チャンバ圧力の正確な調整を行うことができる。

[0020]図２は、チャンバ１６に面した弁フラップ３６の一方の表面（「プラズマ」側面）が滑らかな連続表面であることを示している。図３の斜視図は、弁フラップ３６の反対側の側部が、弧状縁部３８を画成し且つ平らな上部表面６２から軸方向に延長している周辺スカート６０によって取り囲まれている中空空間を部分的に包囲していることを示している。フラップの中心を通してスカート６０の対向側部の間に延長している放射状ストラット６４により、剛性が与えられている。軸又はシャフト６６は、その直径を部分的に横切って延長し且つスカート６０の一方の側部を通して延びている。このシャフト６６は、放射状ストラット６４のうちの１つの上にあってそこに固定されている。このシャフト６６に整列したピン６１は、スカート６０の反対の側部から外側へ放射状に延びている。図４の断面図を参照するに、上部リング７０は、ハウジング２８の上部半分における中空アニュラス７２に入れ子とされている。この上部リング７０は、弧状縁部４０の上部半分を形成しており、一方、ハウジング２８は、弧状縁部４０の残りの半分を形成している。弁ハウジング２８に形成された半円筒状シャフト孔２８ａ及び上部リング７０における整合する半円筒状シャフト孔２８ｂは、上部リング７０が所定位置にボルト止めされるとき、シャフト６６を包囲する円筒状シャフト孔２７を形成する。半円筒状シャフトスリーブ７１は、上部リング７０を越えて延長するシャフト６６の部分の上にある。同様に、弁ハウジング２８に形成された半円筒状ピン孔２９ａ及び上部リング７０における整合する半円筒状ピン孔２９ｂは、上部リング７０が所定位置にボルト止めされるとき、シャフト６６を包囲する円筒状ピン孔２９を形成する。シャフト６６及びピン６１をそれぞれ取り囲む１対のテフロンスペーサー７４ａ、７４ｂは、弁開口３４内にフラップ３６の軸方向位置を維持する。ギャップ厚さｔが約０．０１０インチから０．０３０インチまでの程度である場合には、各テフロンスペーサー７４ａ、７４ｂの厚さは、例えば、約０．０１０インチである。

[0021]小さな微細制御弁３２及びフラップ４６は、より大きな粗制御弁３０及びフラップ３６より小さいがそれと同一な変形例であり、従って、図２、図３及び図４に例示したのと同じ構成を有した縮小サイズのものである。例えば、１つの実施形態においては、微細制御弁３２の直径は、粗制御弁３０の直径の約１/１０である。

[0022]１つの任意的な特徴として、図５及び図６に例示されるように、弁開口３４の弧状表面４０に流れ増強スロット９０を形成することにより、高容積弁３０の伝導度を増大させることがある。これらスロット９０は、半径方向スロット深さｓを有するような弧状であってよく、この半径方向スロット深さｓは、弁ハウジング２８の表面で最大深さであり、ハウジング２８の表面より下のある深さｐで零となり、ハウジングの表面より下の深さにつれて減少していくようなものである。このスロット深さｓは、ハウジング２８の表面より下の選択された距離ｐのところで零（そのスロット９０がなくなる）となる。ハウジング２８の反対側の面から延長し、スロット９０と同じようにして反対方向において先細りとされた同様のスロット９１を設けることができる。これら上方及び下方スロット９０、９１は、整列しており、同じ深さｐを有することができる。それらの共通のスロット深さｐは、湾曲開口表面４０の表面領域４０ａがそれら２つのスロット９０、９１の間に来るように、弁ハウジング２８の厚さの半分より小さい。その結果として、図６に例示されるように、弁フラップ３６が閉（平行）位置にあるとき、弁フラップ３６の周辺と表面領域４０ａとの間に所望の厚さＴのギャップができるようになる。このギャップ厚さＴは、本明細書において前述したように、Ｏリングを必要とせずに弁を通してのガス又はプラズマの漏れの割合を制限するに、十分に小さい。

[0023]スロット９０、９１の目的は、フラップがその閉位置から回転されるにつれて弁の伝導度が増していく割合を増大させることである。このような増大は、上部ハウジング面におけるスロット９０及び底部ハウジングにおけるスロット９１の数を増すことにより、増加される。

[0024]図７は、１対の高速度正結合モーター９３、９５がどのようにして各弁フラップ３６、４６の回転を制御することができるのかを例示している。これらモーター９３、９５は、それぞれ、弁３０、３２のシャフトに結合されている。フィードバック制御システム９７は、チャンバ内の圧力センサ９８から受け取られる実際のチャンバ圧力測定値を所望のチャンバ圧力と比較し、それらモーター９３、９５によりそれら２つの弁の位置を制御する。この制御システム９７は、モーター９３を作動させることにより、実際のチャンバ圧力を所望の値とほぼ一致させ、それから、モーター９５を作動させることにより、実際のチャンバ圧力と所望のチャンバ圧力とを厳密に一致させるように、プログラムすることもできる。

[0025]弁ハウジング及び弁フラップのプラズマリアクタに面する表面は、プラズマ処理に適合した材料であるのが好ましい。ある処理の場合には、この材料は、アルミニウムであってよい。シャフト並びに真空ポンプに面する弁ハウジング及び弁フラップの反対側は、他の材料（例えば、鋼材又はステンレス鋼）で形成することができる。この弁アセンブリを封止するためのＯリングは必要でなく、相当の効果が得られる。

[0026]好ましい実施形態について本発明を詳細に説明してきたのであるが、本発明の真の精神及び範囲から逸脱せずに、それらに対して種々な変形及び変更がなされうるものであることを理解されたい。

本発明の弁アセンブリを含むプラズマリアクタを例示する。 図１Ａの弁アセンブリにおける弁の拡大断面側面図である。 図１Ｂの弁における弁フラップの上面側からの斜視図である。 図２の弁フラップの底面側からの斜視図である。 弁アセンブリの断面側面図である。 図４の弁アセンブリにおける弁フラップ及びハウジングの斜視図である。 弁アセンブリの断面端面図である。 駆動モーター及びフィードバック制御システムを含む図１のリアクタにおける弁システムの斜視図である。

符号の説明

１０…プラズマリアクタ、１１…ガス供給源、１２…天井部、１３…ガス注入装置、１４…側壁部、１５…高周波バイアス電力発生器、１６…真空チャンバ、１７…インピーダンス整合回路、１８…ウエハ支持ペデスタル、１９…高周波ソース電力発生器、２０…排気アニュラス、２１…インピーダンス整合回路、２２…排気導管、２３…ソース電力アプリケーター、２４…外部真空ポンプ、２６…肩部、２７…円筒状シャフト孔、２８…弁ハウジング、２８ａ…半円筒状シャフト孔、２８ｂ…半円筒状シャフト孔、２９…円筒状ピン孔、２９ａ…半円筒状ピン孔、２９ｂ…半円筒状ピン孔、３０…大きな高容積弁、３２…小さな微細制御弁、３４…円形開口、３６…回転弁フラップ、３８…弧状縁部、４０…弧状縁部、４０ａ…表面領域、４４…円形開口、４６…回転弁フラップ、４８…弧状縁部、５０…弧状縁部、５１…弧状ギャップ、６０…周辺スカート、６１…ピン、６２…上部表面、６４…放射状ストラット、６６…シャフト、７０…上部リング、７１…半円筒状シャフトスリーブ、７２…中空アニュラス、７４ａ…テフロンスペーサー、７４ｂ…テフロンスペーサー、９０…流れ増強スロット、９１…スロット、９３…高速度正結合モーター、９５…高速度正結合モーター、９７…フィードバック制御システム、９８…圧力センサ

Claims (20)

1. 高い最大ガス伝導度を有し且つガス伝導度の微細な制御を行える弁システムにおいて、
   ガス流路を通してのガスの流れを制限するための弁ハウジングと、
   第１の弧状側壁部を有する前記ハウジングを通しての大面積開口と、
   前記大面積開口にあって、前記第１の弧状側壁部と各々一致し且つ第１の弁ギャップを間に画成する弧状縁部を有する大面積回転弁フラップと、
   を備える弁システム。
2. 第２の弧状側壁部を有する前記ハウジングを通しての小面積開口と、
   前記小面積開口にあって、前記第２の弧状側壁部と一致し且つ第２の弁ギャップを間に画成する弧状縁部を有する小面積回転フラップと、
   を更に備える、請求項１に記載の弁システム。
3. 前記第１の弁ギャップは、所定のガス流量にて所定の圧力限界まで前記弁ハウジングのガス伝導度を制限するに十分なほど小さい、請求項１に記載の弁システム。
4. 前記第２の弁ギャップは、所定の最小ガス流量にて所定の圧力限界まで前記弁ハウジングのガス伝導度を制限するに十分なほど小さい、請求項２に記載の弁システム。
5. 前記所定の圧力限界は、約２００ミリトールであり、前記最小ガス流量は、約１０sccmである、請求項４に記載の弁システム。
6. 前記第１の弁ギャップは、前記所定の圧力限界内での上記ガスの平均衝突パス長よりも小さい、請求項３に記載の弁システム。
7. 前記弁ギャップは、前記所定の圧力限界内での前記ガスの平均衝突パス長より小さい、請求項４に記載の弁システム。
8. 前記大面積開口の前記側壁部における複数のスロットを更に備える、請求項１に記載の弁システム。
9. 前記複数のスロットは、前記側壁部において前記弁ハウジングの一方の面から延長し且つ前記側壁部の一方の面で最大で前記弁ハウジングの前記一方の面より下の所定の距離のところで最小又は零の深さまで次第に減じていくような深さを有する弧状孔を含む、請求項８に記載の弁システム。
10. 前記弁ハウジングの反対の面から延長する複数のスロットを更に備え、前記複数のスロットは、前記側壁部において前記側壁部の前記反対の面で最大で前記反対の面より下の所定の距離のところで最小又は零の深さまで次第に減じていくような深さを有する弧状孔を含む、請求項９に記載の弁システム。
11. 前記一方の面から延長する上記複数のスロット及び前記反対の面から延長する上記複数のスロットは、前記側壁部のスロット付けされていない領域により分離される、請求項１０に記載の弁システム。
12. プラズマリアクタチャンバから真空ポンプへのガス伝導度又はチャンバ圧力のうちの１つを制御するための弁アセンブリにおいて：
    第１及び第２の対向表面を有する弁ハウジングと；
    大面積開口及び大面積回転フラップを備える高伝導度弁であって、前記大面積開口は、前記第１及び第２の対向表面において前記弁ハウジングを通して延長していて、前記第１及び第２の表面の間に延長する弧状断面を有する側壁部を画成し、前記大面積回転フラップは、前記大面積開口において前記側壁部の弧状断面と概ね整合する弧状断面を有する周辺縁部を有し且つ閉フラップ位置において前記周辺縁部と前記側壁部との間に小さなギャップを画成する、前記高伝導度弁と；
    小面積開口及び小面積回転フラップを備える微細制御弁であって、前記小面積開口は、前記第１及び第２の対向表面において前記弁ハウジングを通して延長していて、前記第１及び第２の表面の間に延長する弧状断面を有する側壁部を画成、前記小面積回転フラップは、前記小面積開口において前記側壁部の弧状断面と概ね整合する弧状断面を有する周辺縁部を有し且つ閉フラップ位置において前記周辺縁部と前記側壁部との間に小さなギャップを画成する、前記微細制御弁と；
    を備える弁アセンブリ。
13. 前記小さなギャップの各々は、所定の最小ガス流量にて所望の圧力範囲内で前記弁アセンブリを通してのガス伝導度を制限するに十分なほど小さい、請求項１２に記載の装置。
14. 前記圧力範囲は、約２００ミリトールまでに亘り、前記最小ガス流量は、約１０sccｍである、請求項１３に記載の装置。
15. 前記小さなギャップの各々は、約１０００分の２０インチの程度である、請求項１２に記載の装置。
16. 前記ギャップの各々は、前記リアクタチャンバの選択された圧力範囲内で前記リアクタチャンバにおけるプラズマの平均衝突パス長より小さい、請求項１２に記載の装置。
17. 前記大面積開口の前記側壁部における複数のスロットを更に備える、請求項１２に記載の弁システム。
18. 前記複数のスロットは、前記側壁部において前記弁ハウジングの一方の面から延長していて、前記側壁部の一方の面で最大で且つ前記弁ハウジングの前記一方の面より下の所定の距離のところで最小又は零の深さまで次第に減じていくような深さを有する弧状孔を含む、請求項１７に記載の弁システム。
19. 前記弁ハウジングの反対の面から延長する複数のスロットであって、前記側壁部において前記側壁部の前記反対の面で最大で且つ前記反対の面より下の所定の距離のところで最小又は零の深さまで次第に減じていくような深さを有する弧状孔を含む複数のスロットを更に備える、請求項１８に記載の弁システム。
20. プラズマリアクタチャンバと、
    所定のガス流量を有する前記チャンバへの処理ガス供給源と、
    排気ポンプと、
    上記チャンバに結合された圧力センサと、
    前記チャンバと前記排気ポンプとの間に結合され、高い最大ガス伝導度を有し且つガス伝導度の微細な制御を行える弁であって、（ａ）ガス流路を通してのガスの流れを制限するための弁ハウジング、（ｂ）第１の弧状側壁部を有する前記ハウジングを通しての大面積開口及び（ｃ）前記大面積開口において、前記第１の弧状側壁部と各々一致し且つ第１の弁ギャップを間に画成する弧状縁部を有する大面積回転弁フラップを備える弁と、
    前記圧力センサ及び前記回転弁フラップに結合され、前記チャンバ内の圧力を制御するためのフィードバック制御システムと、
    を備える圧力制御システム。

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