JPH03148117A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH03148117A JPH03148117A JP28622889A JP28622889A JPH03148117A JP H03148117 A JPH03148117 A JP H03148117A JP 28622889 A JP28622889 A JP 28622889A JP 28622889 A JP28622889 A JP 28622889A JP H03148117 A JPH03148117 A JP H03148117A
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- JP
- Japan
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- pressure
- dry etching
- reaction chamber
- etching apparatus
- systems
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路の製造工程のドライエツチング
プロセスにおいて使用されるドライエツチング装置に関
する。
プロセスにおいて使用されるドライエツチング装置に関
する。
従来、この種のドライエツチング装置は第２図に示すよ
うに、反応室１１反応性ガス導入口２゜反応性ガス排出
口３．バリアブルオリフィス４゜上部電極５．下部電［
！６．高周波電源７．下部電極６上に載置された被エツ
チング部材である所の半導体ウェハー８．排気袋Ｎ９に
より主に構成されている。以下この従来のドライエツチ
ング装置の動作について説明する。
うに、反応室１１反応性ガス導入口２゜反応性ガス排出
口３．バリアブルオリフィス４゜上部電極５．下部電［
！６．高周波電源７．下部電極６上に載置された被エツ
チング部材である所の半導体ウェハー８．排気袋Ｎ９に
より主に構成されている。以下この従来のドライエツチ
ング装置の動作について説明する。
反応性ガス導入口２から反応室１内に反応ガスが導入さ
れる。次に高周波電源７から下部電８ｉｉ５及び上部型
ｆｉ４を介してこの反応ガスに高周波電力が印加されて
プラズマ放電を発生させるが、この場合に安定したエツ
チングを行う為にはそれぞれのエツチングプロセスに適
した真空度に反応室ｌ内の圧力を制御することが必要と
なる。この為に反応性ガスの流入量に応じて反応室１内
の圧力を一定に制御するためのバリアブルオリフィス４
（以下■Ｏと呼ぶ〉を備えており、これにより排気装置
９により排気される反応性ガスの流量と反応室１に流入
する反応性ガスの流量とをバランスさせることにより圧
力制御を行っている。
れる。次に高周波電源７から下部電８ｉｉ５及び上部型
ｆｉ４を介してこの反応ガスに高周波電力が印加されて
プラズマ放電を発生させるが、この場合に安定したエツ
チングを行う為にはそれぞれのエツチングプロセスに適
した真空度に反応室ｌ内の圧力を制御することが必要と
なる。この為に反応性ガスの流入量に応じて反応室１内
の圧力を一定に制御するためのバリアブルオリフィス４
（以下■Ｏと呼ぶ〉を備えており、これにより排気装置
９により排気される反応性ガスの流量と反応室１に流入
する反応性ガスの流量とをバランスさせることにより圧
力制御を行っている。
上述した従来のドライエツチング装置におけるＶＯは、
バタフライバルブの開閉により排気系のコンダクタンス
を変えることにより排気量を制御しているが、１個のＶ
ｏによる圧力制御ではその制御範囲をあまり広く取るこ
とができないという限界がある。
バタフライバルブの開閉により排気系のコンダクタンス
を変えることにより排気量を制御しているが、１個のＶ
ｏによる圧力制御ではその制御範囲をあまり広く取るこ
とができないという限界がある。
最近の半導体製造プロセスの高度化、多様化によりドラ
イエツチングプロセスにおいても高度化、多様化が要求
され、１台のドライエツチング装置で多種類のエツチン
グ条件による加工をすることが要求されてきている。こ
の為従来のドライエツチング装置の様な１系統のＶＯに
ょる圧力制御では広範囲な圧力領域において安定して高
精度の圧力制御を行うことが困難な状況となってきてい
る。
イエツチングプロセスにおいても高度化、多様化が要求
され、１台のドライエツチング装置で多種類のエツチン
グ条件による加工をすることが要求されてきている。こ
の為従来のドライエツチング装置の様な１系統のＶＯに
ょる圧力制御では広範囲な圧力領域において安定して高
精度の圧力制御を行うことが困難な状況となってきてい
る。
上述した従来のドライエツチング装置に対し本発明は、
２系統のＶＯを有しており、第１のＶＯにより粗い圧力
設定を行った後、第２のＶｏにより微小な範囲における
圧力制御を行うという相違点を有する。
２系統のＶＯを有しており、第１のＶＯにより粗い圧力
設定を行った後、第２のＶｏにより微小な範囲における
圧力制御を行うという相違点を有する。
本発明のドライエツチング装置は、反応ガスを反応室内
に導入し、この反応室内に設けられた電極間に高周波電
力を印加して前記反応ガスをプラズマ化して被エツチン
グ物質をエツチングするドライエツチング装置において
、前記反応室内の圧力を一定に制御するためのバリアブ
ルオリフィスを２系統備えたものである。
に導入し、この反応室内に設けられた電極間に高周波電
力を印加して前記反応ガスをプラズマ化して被エツチン
グ物質をエツチングするドライエツチング装置において
、前記反応室内の圧力を一定に制御するためのバリアブ
ルオリフィスを２系統備えたものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の構成図である。
反応性ガス導入口２から反応室１内に反応ガスが導入さ
れ、次に高周波電源７がら下部電極５及び上部電極４を
介してこの反応ガスに高周波電力が印加されてプラズマ
放電を発生させるが、本実施例ではこの時の反応室内の
圧力を一定に制御する為のＶＯを２系統備えており、先
ず粗い圧力調整を粗調用ＶＯＩＯで行い、その後粗調用
ＶＯ１０を固定した状態で微調用ＶＯ１１を動作させて
より高精度な圧力制御を行う。
れ、次に高周波電源７がら下部電極５及び上部電極４を
介してこの反応ガスに高周波電力が印加されてプラズマ
放電を発生させるが、本実施例ではこの時の反応室内の
圧力を一定に制御する為のＶＯを２系統備えており、先
ず粗い圧力調整を粗調用ＶＯＩＯで行い、その後粗調用
ＶＯ１０を固定した状態で微調用ＶＯ１１を動作させて
より高精度な圧力制御を行う。
また、粗調用ＶＯＩＯにはオリフィス径の大きい物を使
い、微調用Ｖ０１１にはオリフィス径の小さい物を組み
合わせる事により、従来の装置の様に１系統のＶＯを備
えている場合と比べて広範囲な圧力領域において安定し
た圧力制御を行なうことができる。
い、微調用Ｖ０１１にはオリフィス径の小さい物を組み
合わせる事により、従来の装置の様に１系統のＶＯを備
えている場合と比べて広範囲な圧力領域において安定し
た圧力制御を行なうことができる。
なお、粗調用Ｖ○１０として、オリアイスの開口度を１
〜１００％迄連続して可変できるタイプではなくて、例
えば開口度を５０％と９０％と言う様に０Ｎ１０ＦＦの
動作により２種類を切り換えるタイプのものであっても
よい。すなわち、エツチングのプロセス条件を低圧用と
高圧用と限定して使う場合においては、このようなタイ
プのものでもそれぞれの圧力領域において最適な圧力制
御を行うことができる。
〜１００％迄連続して可変できるタイプではなくて、例
えば開口度を５０％と９０％と言う様に０Ｎ１０ＦＦの
動作により２種類を切り換えるタイプのものであっても
よい。すなわち、エツチングのプロセス条件を低圧用と
高圧用と限定して使う場合においては、このようなタイ
プのものでもそれぞれの圧力領域において最適な圧力制
御を行うことができる。
以上説明したように本発明は、ドライエラチン ５−
グ装置の排気系に２系統のバリアブルオリフィスを設け
ることにより、従来の１系統のバリアブルオリフィスを
有する場合と比べて、広い圧力領域において安定した圧
力制御を高精度に行うこ−とができるという効果がある
。
ることにより、従来の１系統のバリアブルオリフィスを
有する場合と比べて、広い圧力領域において安定した圧
力制御を高精度に行うこ−とができるという効果がある
。
第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図は従来のド
ライエツチング装置の構成図である。 １・・・反応室、２・・・反応性ガス導入口、３・・・
反応性ガス排出口、４・・・バリアブルオリフィス（Ｖ
Ｏ）、５・・・上部電極、６・・・下部電極、７・・・
高周波電源、８・・・半導体ウェハー、９山排気装置、
１゜・［ｉ用ｖｏ、１１−、微調用ｖｏ。
ライエツチング装置の構成図である。 １・・・反応室、２・・・反応性ガス導入口、３・・・
反応性ガス排出口、４・・・バリアブルオリフィス（Ｖ
Ｏ）、５・・・上部電極、６・・・下部電極、７・・・
高周波電源、８・・・半導体ウェハー、９山排気装置、
１゜・［ｉ用ｖｏ、１１−、微調用ｖｏ。
Claims (1)
- 反応ガスを反応室内に導入し、この反応室内に設けら
れた電極間に高周波電力を印加して前記反応ガスをプラ
ズマ化して被エッチング物質をエッチングするドライエ
ッチング装置において、前記反応室内の圧力を一定に制
御するためのバリアブルオリフィスを２系統備えたこと
を特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28622889A JPH03148117A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28622889A JPH03148117A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03148117A true JPH03148117A (ja) | 1991-06-24 |
Family
ID=17701627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28622889A Pending JPH03148117A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03148117A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008539596A (ja) * | 2005-04-26 | 2008-11-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プラズマリアクタチャンバのためのｏリングレスタンデムスロットル弁 |
| JP2009016382A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-22 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置及び真空処理方法並びに記憶媒体 |
-
1989
- 1989-11-02 JP JP28622889A patent/JPH03148117A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008539596A (ja) * | 2005-04-26 | 2008-11-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プラズマリアクタチャンバのためのｏリングレスタンデムスロットル弁 |
| JP4875697B2 (ja) * | 2005-04-26 | 2012-02-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プラズマリアクタチャンバのためのｏリングレスタンデムスロットル弁 |
| JP2009016382A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-22 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置及び真空処理方法並びに記憶媒体 |
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