JP2009016382A - 真空処理装置及び真空処理方法並びに記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】その内部において被処理体に対して真空処理が行われる処理容器20に、他端側が真空排気手段52に接続された8本の排気路51を接続し、前記8本の排気路51のうちの4本の排気路51に対応して、処理容器20内の圧力検出値と圧力設定値とに基づいて、自動的に排気路51の開度が制御される圧力制御バルブAVを設け、この圧力制御バルブAVが設けられた排気路51以外の排気路51に対応して、排気路51の開度が選択された開度に固定されるゲートバルブGVを設ける。
【選択図】図2
Description
この処理容器に一端側が接続され、当該処理容器の内部を真空排気するためのn(nは2以上の整数)本の排気路と、
これら排気路の他端側に接続される真空排気手段と、
前記処理容器内の圧力を検出するための圧力検出手段と、
前記n本の排気路のうちのk(1≦k≦n−1)本の排気路に対応して設けられ、排気路のコンダクタンスを選択された値に固定する半固定制御手段と、
この半固定制御手段が設けられた排気路以外の排気路に対応して設けられ、
前記圧力検出手段の検出値と圧力設定値とに基づいて、自動的に排気路のコンダクタンスを制御する常時可変制御手段と、を備えることを特徴とする。
前記処理容器内部に被処理体を搬入する工程と、
前記n本の排気路のうちのk(1≦k≦n−1)本の排気路に対応して設けられ、排気路のコンダクタンスを選択された値に固定するための半固定制御手段の開度をある位置に固定する工程と、
前記半固定制御手段が設けられる排気路以外の排気路に設けられ、処理容器内の圧力検出値と、圧力設定値とに基づいて、自動的に排気路のコンダクタンスを制御するための常時可変制御手段により、前記排気路のコンダクタンスを調整しながら、その内部に被処理体が保持された処理容器を真空排気する工程と、
真空排気された処理容器の内部において、被処理体に対して真空処理を行う工程と、を含むことを特徴とする。
前記プログラムは、前記真空処理方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
一方、処理容器20内部の前記載置台3の上方には、この載置台3の表面と対向するように、平板状の上部電極4が設けられており、この上部電極4は角板状の上部電極ベース41に支持されている。これら上部電極4及び上部電極ベース41は、例えばアルミニウムにより構成されている。また前記上部電極ベース41は、額縁状の導電部材42を介して、処理容器20の天井部から吊り下げられた状態で支持されており、これにより上部電極4は処理容器20と電気的に導通した状態で設けられると共に、上部電極ベース41、導通部材42及び処理容器20の天井部により周囲を囲まれた領域がガス供給空間43として構成されている。
前記排気路51のうちの2本に圧力制御バルブAVを夫々設けると共に、他の4本の排気路51にゲートバルブGVを夫々設け、ゲートバルブGVの開度を全閉として、真空排気手段52により処理容器20を排気し、このときの処理容器20内の圧力と、圧力制御バルブAVの開度との関係を求めた。この結果を図8に▲のデータとして示す。図中横軸は、圧力制御バルブAVの開度、縦軸は処理容器の圧力を夫々示し、このときの2個の圧力制御バルブAVの開度は同一である。
前記6本の排気路51の全てに圧力制御バルブAVを夫々設け、真空排気手段520により処理容器2を排気して、このときの処理容器20内の圧力と、圧力制御バルブAVの開度との関係を求めた。この結果を図8に◆のデータとして示す。このときの圧力制御バルブAVの開度は6個共同一である。
以上において本発明においては、圧力検出手段66を圧力制御バルブAV毎に互いに対応させて設け、対応する圧力検出手段66の検出値と圧力設定値に基づいて圧力制御バルブAVの開度を自動的に調整するようにしてもよい。さらに圧力制御バルブAVの駆動機構65を制御するコントローラ67を圧力制御バルブAV毎に設けるのではなく、共通のコントローラを用意し、1台のコントローラにより複数の圧力制御バルブAVの開度を調整するようにしてもよい。
さらに本発明では、半固定制御手段は、排気路の開度を全開と全閉との間で選択するように構成したものであってもよい。また半固定制御手段が設けられる排気路を、複数の流路を有するように、流路に対して略平行に分割して設け、前記半固定制御手段は前記排気路の複数の流路の全て又はいくつかをオープンにするか、全てをクローズにするかを選択して、前記排気路のコンダクタンスを選択された値に固定するようにしてもよい。
また本発明の真空処理装置はエッチング処理のみならず、アッシングやCVD等、他の真空処理を行う処理に適用することができる。また真空処理は、必ずしもプラズマ処理に限定されるものではなく、他のガス処理であってもよいし、ガス処理以外の真空処理であってもよい。さらにまた被処理体としてはFPD基板の他、半導体基板であってもよい。
20 処理容器
21 容器本体
22 蓋体
3 載置台
4 上部電極
31 高周波電源部
52 真空排気手段
47 処理ガス供給部
66 圧力検出手段
8 制御部
AV 圧力制御バルブ
GV ゲートバルブ
S FPD基板
Claims (7)
- その内部において被処理体に対して真空処理が行われる処理容器と、
この処理容器に一端側が接続され、当該処理容器の内部を真空排気するためのn(nは2以上の整数)本の排気路と、
これら排気路の他端側に接続される真空排気手段と、
前記処理容器内の圧力を検出するための圧力検出手段と、
前記n本の排気路のうちのk(1≦k≦n−1)本の排気路に対応して設けられ、排気路のコンダクタンスを選択された値に固定する半固定制御手段と、
この半固定制御手段が設けられた排気路以外の排気路に対応して設けられ、前記圧力検出手段の検出値と圧力設定値とに基づいて、自動的に排気路のコンダクタンスを制御する常時可変制御手段と、を備えることを特徴とする真空処理装置。 - 処理容器の前記圧力設定値と、前記半固定制御手段の設定情報とを対応付けて記憶した記憶部と、
指定された圧力設定値に応じた前記設定情報を前記記憶部から読み出して、前記半固定制御手段へ制御信号を出力する手段と、を備えることを特徴とする請求項1記載の真空処理装置。 - 前記記憶部には、前記圧力設定値と前記設定情報とが、前記半固定制御手段毎に対応づけて記憶されていることを特徴とする請求項2記載の真空処理装置。
- 前記半固定制御手段は、前記排気路のコンダクタンスを、最大と、最小とのいずれかに選択できるように構成されたバルブを含み、前記設定情報は該バルブの開度であることを特徴とする請求項2又は3記載の真空処理装置。
- 前記半固定制御手段は、前記排気路のコンダクタンスを、最大と、最小と、最大及び最小の間の値とのいずれかに選択できるように構成されたバルブを含み、前記設定情報は該バルブの開度であることを特徴とする請求項2又は3記載の真空処理装置。
- n(nは2以上の整数)本の排気路を介して真空排気手段に接続された処理容器の内部にて、被処理体に対して真空処理を行う真空処理方法において、
前記処理容器内部に被処理体を搬入する工程と、
前記n本の排気路のうちのk(1≦k≦n−1)本の排気路に対応して設けられ、排気路のコンダクタンスを選択された値に固定するための半固定制御手段の開度をある位置に固定する工程と、
前記半固定制御手段が設けられる排気路以外の排気路に設けられ、処理容器内の圧力検出値と圧力設定値とに基づいて、自動的に排気路のコンダクタンスを制御するための常時可変制御手段により、前記排気路のコンダクタンスを調整しながら、その内部に被処理体が保持された処理容器を真空排気する工程と、
真空排気された処理容器の内部において、被処理体に対して真空処理を行う工程と、を含むことを特徴とする真空処理方法。 - 被処理体に対して真空処理が行われる真空処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは、請求項6に記載された真空処理方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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