TW201810421A - 真空處理裝置及真空處理方法和記憶媒體 - Google Patents

Abstract

在處理容器內，對被處理體進行真空處理時，在廣大壓力範圍中穩定地進行壓力控制。

將第1排氣路徑(41)與第2排氣路徑(42)連接於處理容器(10)，並且在第1排氣路徑(41)設置自動調整閥即第1閥(51)，在第2排氣路徑(42)設置從3階段之開合度所選擇的半固定閥即第2閥(52)。第1閥(51)之開合度，係基於處理容器(10)內的壓力檢測值與壓力設定值而自動調整。另一方面，第2閥(52)之開合度，係以如下述的方式而控制：基於第1閥(51)的開合度檢測值，在超過作為該閥之壓力調整界限而預先決定的閥值時自動變更。藉此，在第1閥51所致之壓力控制失效之前，由於第2閥(52)之開合度自動被變更，因此，可在廣大範圍中穩定地進行壓力控制。

Description

真空處理裝置及真空處理方法和記憶媒體

本發明，係關於在處理容器內，對被處理體進行預定的真空處理時，進行處理容器內之壓力控制的技術。

在FPD(平板顯示器)基板的製造工程中，係有在減壓氛圍下對被處理體施予蝕刻處理或成膜處理等之預定真空處理的工程。該些工程，係由例如真空處理裝置所實施，該真空處理裝置，係在處理容器之內部設置用以載置被處理體例如FPD基板(以下稱為「基板」)的載置台，並且具備有與該載置台對向的氣體供給部。在例如真空處理裝置中，係對處理容器內進行抽真空，從氣體供給部供給處理氣體，另一方面，將高頻電力施加至兼用為上部電極的氣體供給部，藉此，形成電漿而進行處理。

在像這樣的真空處理裝置中，被要求實施處理氣體的流量或處理容器內的壓力等之處理條件不同的各種製程，並在廣大壓力範圍中穩定地進行壓力控制。在專利文獻1中，係記載有如下述之構成：在真空腔室設置與真空泵連接的複數個排氣路徑，並且在該些排氣路徑的數 條上設置開合度被固定成3階段的半固定閥，在剩餘的排氣路徑設置自動壓力控制閥。該構成，係在配方中記載有壓力設定值與半固定閥之開合度的對應關係，藉由配方的選擇來讀取壓力設定值而設定半固定閥的開合度。關於自動壓力控制閥，係基於壓力設定值與壓力檢測值，調整開合度而進行壓力控制。

根據專利文獻1，可藉由自動壓力控制閥與半固定閥的組合，在比以往更廣大範圍中進行穩定的壓力控制。然而，由於在自動壓力控制閥，係在其機構上，壓力的調整範圍有所限制，且半固定閥，係與壓力設定值建立對應而預先設定開合度，因此，如後述，雖少量但仍存在有不可進行壓力調整的區域。另一方面，雖從裝置之使用者側，有因製品之多樣化而以與預先被儲存於裝置的配方不同之製程條件來進行處理的需求，但在像這樣的情況下，須擔心無法進行穩定的壓力控制，從而尋求進一步改善。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特許第5322254號公報(參閱第0034、0037段)

本發明，係有鑑於像這樣的情事而進行研究者，其目的，係在於提供一種可在廣大壓力範圍中穩定地進行壓力控制的技術。

因此，本發明之真空處理裝置，係具備有：處理容器，在其內部對被處理體進行真空處理；第1排氣路徑及第2排氣路徑，一端側各自連接於前述處理容器；壓力檢測部，檢測前述處理容器內的壓力；自動調整閥，被設置於前述第1排氣路徑，基於前述壓力檢測部之壓力檢測值與壓力設定值，自動調整排氣路徑的傳導度；半固定閥，被設置於前述第2排氣路徑，且被設定為從預先決定之至少3個開合度中所選擇的開合度；開合度檢測部，檢測前述自動調整閥的開合度；及控制部，在由前述開合度檢測部所檢測到之開合度檢測值超過作為壓力調整界限而預先決定的閥值時，為了擴大壓力調整範圍，而以將前述半固定閥的開合度變更成前述預先決定之開合度中其他開合度的方式，輸出控制信號。

又，本發明之真空處理方法，係在連接有第1排氣路徑及第2排氣路徑的處理容器內，對被處理體進行真空處理，該方法，其特徵係，包含有： 將被處理體搬入至處理容器內之工程；將半固定閥設定為因應進行真空處理時之壓力的壓力設定值與被供給至處理容器內之氣體的流量設定值之組合所決定的開合度之工程，該半固定閥，係被設置於前述第2排氣路徑，且被設定為從預先決定之至少3個開合度中所選擇的開合度；其後，藉由被設置於前述第1排氣路徑的自動調整閥，以使處理容器內之壓力檢測值成為壓力設定值的方式，一面自動調整開合度一面進行真空處理之工程；檢測前述自動調整閥的開合度之工程；及在由前述工程所檢測到之開合度檢測值超過作為壓力調整界限而預先決定的閥值時，為了擴大壓力調整範圍，而將前述半固定閥的開合度變更成前述預先決定之開合度中其他開合度之工程。

再者，本發明之記憶媒體，係記憶有軟體，該軟體，係被使用於在連接有第1排氣路徑及第2排氣路徑的處理容器內，對被處理體進行真空處理的裝置，該記憶媒體，其特徵係，

前述軟體，係包含有編入了步驟群的電腦程式，以便執行本發明之真空處理方法。

根據本發明，將第1排氣路徑與第2排氣路徑連接於處理容器，並且在第1排氣路徑設置自動調整閥， 在第2排氣路徑設置從至少3階段之開合度所選擇的半固定閥。自動調整閥之開合度，係基於處理容器內的壓力檢測值與壓力設定值而自動調整，半固定閥之開合度，係以如下述的方式而控制：基於自動調整閥的開合度檢測值，在超過作為該閥之壓力調整界限而預先決定的閥值時自動變更。藉此，在自動調整閥所致之壓力控制失效之前，由於半固定閥之開合度自動被變更，因此，可在廣大範圍中穩定地進行壓力控制。

S‧‧‧基板

1‧‧‧蝕刻處理裝置

10‧‧‧處理容器

2‧‧‧載置台

3‧‧‧氣體供給部(上部電極)

41‧‧‧第1排氣路徑

42‧‧‧第2排氣路徑

51‧‧‧第1閥(自動調整閥)

52‧‧‧第2閥(半固定閥)

6‧‧‧控制部

[圖1]表示應用了本發明之真空處理裝置之蝕刻處理裝置之一實施形態的縱剖側視圖。

[圖2]表示蝕刻處理裝置之控制部的構成圖。

[圖3]表示第1閥及第2閥的開合度與處理氣體的流量與處理容器內的壓力之關係的特性圖。

[圖4]表示本發明之蝕刻處理裝置之作用的流程圖。

[圖5]表示第1閥及第2閥的開合度與處理氣體的流量與處理容器內的壓力之關係的特性圖。

以下，以將本發明的真空處理裝置應用於用以對基板進行蝕刻處理之蝕刻處理裝置的情況為例子，說明關於本發明之實施形態。圖1，係蝕刻處理裝置1的縱剖 剖面圖。該蝕刻處理裝置1，係具備有用以在其內部對基板S施予蝕刻處理之接地的處理容器10。基板S，係角型被處理體，處理容器10，係例如水平剖面形狀被形成為四角形狀，且藉由例如鋁(Al)等之熱傳導性良好的材質構成。圖中11，係基板S的搬送口，12，係開關搬送口11的閘閥。

在處理容器10之內部，係配置有基板S的載置台2。該載置台2，係被電性連接於電漿產生用之高頻電源部21，具有用以在處理容器10內產生電漿之下部電極的機能。該載置台2，係藉由例如鋁所構成，經由絕緣構件22被配設於處理容器10的底面上。另一方面，在處理容器10內部之載置台2的上方，係以與載置台2對向的方式，設置有兼用為上部電極的氣體供給部3。該氣體供給部3，係藉由例如鋁所構成，在其下面，係形成有多數個氣體供給孔31。在處理容器10，係設置有用以將處理氣體供給至氣體供給部3之內部空間的氣體供給路徑32，該氣體供給路徑32之另一端側，係被連接於處理氣體的供給源33。又，在處理容器10，係設置有用以檢測其內部之壓力的壓力檢測部14。

在處理容器10的底壁，係設置有第1排氣路徑41及第2排氣路徑42。該些第1排氣路徑41及第2排氣路徑42，係各自設置有複數條例如各3條，且在例如處理容器10的底面，沿著處理容器10之周方向而設置。該些第1及第2排氣路徑41、42之各自的另一端側，係連接有由例如 真空泵所構成之未圖示的排氣機構，例如第1排氣路徑41之排氣機構，係共通化，第2排氣路徑42之排氣機構，係共通化。在第1排氣路徑41，係設置有由自動調整閥所構成的第1閥51，在第2排氣路徑42，係設置有由半固定閥所構成的第2閥52。雖作為代表而記載有圖1及圖2的第1閥51及第2閥52，但對各閥51、52具有同樣的控制線。

第1閥51，係包含有閥本體及調整閥本體之開合度的控制器50之APC(Adaptive Pressure Controller)閥，且為基於壓力檢測部14之壓力檢測值與壓力設定值而自動調整開合度，對第1排氣路徑41之傳導度進行自動調整的閥。3個第1閥51之開合度，係基於壓力檢測部14的壓力檢測值，以大致相同的開合度而自動調整。因此，例如3個第1閥51中之一個第1閥51的控制器50具有檢測第1閥51之開合度之開合度檢測部的機能，該開合度檢測部之檢測結果，係被輸出至後述的控制部6。

第2閥52，係被設定為從預先決定之至少3個開合度中所選擇的開合度之閥。例如第2閥52，係由可藉由來自控制部6之控制訊號而自由地調整開合度的閥所構成，且藉由例如APC閥所構成，該APC閥，係包含有閥本體及調整閥本體之開合度的控制器53。例如第2閥52之開合度，係被預先設定為從該閥之最大開合度、最小開合度及最大開合度與最小開合度之間的開合度所選擇的開合度。所謂最大開合度，係亦包含比閥之最大開合度更略微縮減的開合度例如比最大開合度更縮減了5%的開合度， 所謂最小開合度，係亦包含比閥之最小開合度更略微打開的開合度例如比最小開合度更打開了5%的開合度。在此所謂5%，係指將最大開合度設成為100%時的值。最大開合度與最小開合度之間的開合度，雖係可適當地行設定，但在此，係為了方便說明起見，將最大開合度稱為「全開」，將最小開合度稱為「全關」，將最大開合度與最小開合度之間的開合度稱為「半開」。

蝕刻處理裝置1，係被構成為藉由控制部6而控制。控制部6，係如圖2所示，具備有分別連接於匯流排60的CPU61、程式儲存部62、工作記憶體63、記憶體64、輸入部65及配方儲存部66。又，在匯流排60，係各自連接有第1閥51之控制器50及第2閥52之控制器53。如此一來，被構成為藉由控制器50檢測一個第1閥51之開合度，並將其開合度檢測值輸出至控制部6，並且從控制部6將開合度設定值輸出至所有第2閥52。

藉由CPU61，進行用以執行後述之蝕刻處理工程之流程的各種演算。在程式儲存部62，係儲存有編入了命令(各步驟)的各種程式，以便將控制信號發送至蝕刻處理裝置1之各部而使預定的蝕刻處理進行。在記憶體64，係記憶有第1閥51的2個閥值，該閥值，係作為第1閥51之壓力調整界限而預先決定者。

輸入部65，係藉由滑鼠或鍵盤或觸控面板等所構成，且以使裝置之使用者可輸入第1閥51之閥值的方式而構成。配方儲存部66，係儲存與各種處理製程對應之 製程配方的部位，例如每處理製程，記載有進行真空處理時之被供給至處理容器10內之氣體的流量設定值與處理容器10內的壓力設定值與第2閥52之初始的開合度為「全開」、「全關」的任一者。該第2閥52之初始的開合度，係預先進行評估試驗，例如如圖3所示，取得處理容器10內之壓力設定值與處理氣體之流量設定值的相關資料，因應該些壓力設定值與流量設定值的組合而決定。

又，控制部6，係具備有：程式，在由控制器(開合度檢測部)50所檢測到之一個第1閥51的開合度檢測值超過閥值時，以將所有第2閥52之開合度變更成其他開合度的方式，輸出控制訊號。該程式，係以可執行後述之流程的方式，編入有步驟群，且由例如硬碟、光碟、光磁碟、記憶卡、軟碟片等的記憶媒體安裝於控制部6。

如前述，圖3，係表示在蝕刻處理裝置1中，第1閥51及第2閥52的開合度與處理氣體的流量與處理容器10內的壓力之關係的特性圖。圖中橫軸為氣體流量，縱軸為壓力。圖3中以一點鏈線所示的第1曲線A1，係所有第2閥52為「全關」且第1閥51之開合度為「300」時的資料。又，以虛線所示的第2曲線A2，係所有第2閥52為「全開」且第1閥51之開合度為「1」時的資料，以實線所示的第3曲線A3，係所有第2閥52為「全開」且第1閥51之開合度為「300」時的資料。

第1閥51及第2閥52之開合度，係如前述，藉由控制器50、53而控制，所謂「1」、「300」，係控制器 50、53上的設定值。在控制器50、53中，第1及第2閥51、52之開合度，雖係可設定為「1」~「1000」，但即便與「1」相比更縮減、與「300」相比更打開，處理容器10內的壓力亦幾乎沒有變化。如此一來，由於所謂開合度為「1」時，係極接近「全關」的狀態，且所謂開合度為「300」時，係極接近「全開」的狀態，因此，在此，係將開合度「1」以下當作「全關」且將開合度「300」以上當作「全開」而進行說明。

在圖3中，比第1曲線A1更左側的區域S1，係可藉由將第2閥52設成為「全關」，將第1閥51從「全關」調整至「全開」的方式，進行壓力調整的區域。另一方面，第2曲線A2與第3曲線A3之間的區域S2，係可藉由將第2閥52設成為「全開」，將第1閥51從「全關」調整至「全開」的方式，進行壓力調整的區域。對此，第1曲線A1與第2曲線A2之間的斜線中之區域S3，係成為在將第2閥52設成為「全開」或「全關」時，即便將第1閥51從「全關」調整至「全開」，亦無法進行壓力調整的不能調壓區域。

本發明，係為了消除該不能調壓區域且擴大壓力調整範圍，而將第2閥52之開合度從「全開」或「全關」變更成「半開」者，且基於第1閥51之開合度進行該第2閥52之開合度的變更。因此，被構成為預先將第2閥52之初始位置設定為「全開」或「全關」，並且在第1閥51之開合度設置閥值，在超過閥值時，輸出將第2閥52之開 合度變更成「半開」的控制訊號。

第1閥51之閥值，係作為壓力調整界限而預先決定，例如被設定為將第1閥51之開合度縮減之側的閥值(第1閥值)與打開之側的閥值(第2閥值)，藉由例如操作員從輸入部65輸入的方式，各自記憶於記憶體64。所謂第1閥值，係在圖3中，被設定為從第1區域S1側朝向第3區域S3時的閥值，例如設定為從開合度「200」~「300」所選擇的開合度。在該情況下，所謂超過閥值，係意指第1閥51之開合度大於形成第1閥值之從開合度「200」~「300」所選擇的開合度。

又，所謂第2閥值，係在圖3中，被設定為從第2區域S2側朝向第3區域S3時的閥值，例如設定為從開合度「1」~「100」所選擇的開合度。在該情況下，所謂超過閥值，係意指第1閥51之開合度小於從形成第2閥值之從開合度「1」~「100」所選擇的開合度。所謂壓力調整界限，係容易理解發明且簡化記述而使用的用語。因此，意指如下述：就閥的機構上而言，不限於成為壓力調整界限的情況，在觀察裕量(margin)而決定的情況下，亦包含例如進入調整靈敏度變差的區域之前的開合度等、以方便裝置製造商或使用者使用而事前所決定的開合度等。

接著，參閱圖4的流程圖，說明關於本發明之蝕刻處理方法。首先，藉由控制部6，從配方儲存部66選擇並讀出目的之製程配方(步驟S1)。在控制部6中，係基於該製程配方，將控制信號輸出至蝕刻處理裝置1之各 部，對基板S進行預定的蝕刻處理。具體而言，係將基板S搬入至處理容器10而載置於載置部2上，並關閉閘閥12。在該時點中，係將第1閥51及第2閥52之開合度設成為「全開」，使各排氣機構運作。其次，從氣體供給部3朝向基板S吐出氣體，並且從高頻電源部21將高頻電力供給至載置部2。

若針對處理容器10的壓力控制來說明，在控制部6中，係基於所選擇的製程配方，使例如各排氣機構運作後，將第2閥52之開合度設定為因應壓力設定值與氣體之流量設定值的組合所決定之初始的開合度即「全關」或「全開」。其後，從控制部6對第1閥51之各自的控制器50輸出被記載於該製程配方的壓力設定值，在各控制器50中，係以使處理容器10內之壓力檢測值成為壓力設定值的方式，自動調整各自之第1閥51的開合度。

若針對第2閥52之初始的開合度為「全關」的情況來敍述，則判斷第2閥52之開合度是否為「全關」(步驟S2)，只要為「全關」，則在步驟S3中開始製程。亦即，在基板S上的空間形成電漿，藉由該電漿使來自氣體供給部3的處理氣體活性化，進行對基板S的蝕刻處理。而且，製程中，常時檢測一個第1閥51之開合度，並將其開合度檢測值輸出至控制部6。在控制部6中，係判定第1閥51之開合度是否為第1閥值以下(步驟S4)，只要為第1閥值以下，則持續進行製程。

另一方面，只要第1閥51之開合度超過第1閥 值(只要大於第1閥值)，則在步驟S5中，將所有第2閥52之開合度從「全關」例如同步地變更成「半開」，持續進行製程。當使第2閥52之開合度從「全關」成為「半開」時，則第1閥51之開合度，係從接近「全開」的狀態縮減而返回至可自動調整壓力的狀態。參閱圖5具體地進行說明。圖5，係將圖3的特性圖中第2閥52之開合度為「半開」時之資料合併而表示者。圖5中以二點虛線所示的第4曲線A4，係所有第2閥52為「半開」且第1閥51之開合度為「300(全開)」時的資料。

在第1閥51超過第1閥值之際，當將第2閥52設成為「半開」時，則由於第1排氣路徑41與第2排氣路徑42結合而成的排氣能力會提升，因此，第1閥51之開合度暫且被縮減。而且，由於開合度可自動調整至成為「300」為止，因此，第1曲線A1與第4曲線A4之間的區域S4亦成為可進行壓力調整的區域。如此一來，由於該區域S4，係覆蓋區域S2，因此，可消除不能調壓區域S2。如此一來，藉由第1閥51一面進行壓力之自動調整一面持續進行製程，並結束製程(步驟S6)。

接著，若針對第2閥52之初始的開合度為「全開」的情況來敍述，只要在步驟S2中，第2閥52之開合度成為「全開」，則在步驟S7中開始製程。而且，製程中，常時檢測一個第1閥51之開合度，並將其開合度檢測值輸出至控制部6。在控制部6中，係判定第1閥51之開合度是否為第2閥值以上(步驟S8)，只要為第2閥值以上，則持續 進行製程。另一方面，只要第1閥51之開合度超過第2閥值(只要小於第2閥值)，則在步驟S5中，將所有第2閥52之開合度從「全開」例如同步地變更成「半開」，持續進行製程。當使第2閥52之開合度從「全開」成為「半開」時，則由於第1排氣路徑41與第2排氣路徑42結合而成的排氣能力會降低，因此，第1閥51之開合度，係從接近「全關」的狀態被打開而返回至可自動調整壓力的狀態，故可如前述般地消除不能調壓區域S2。如此一來，藉由第1閥51一面進行壓力之自動調整一面持續進行製程，並結束製程(步驟S6)。

根據上述的實施形態，使用由自動調整閥所構成的第1閥51與由從至少3階段之開合度所選擇的半固定閥所構成的第2閥52，檢測第1閥51之開合度，在超過作為壓力調整界限而預先決定的閥值時，自動變更第2閥52之開合度。藉此，在第1閥51所致之壓力控制失效之前，由於第2閥52之開合度自動被變更，因此，如前述般，不能調壓區域S2會消失，可在廣大範圍中穩定地進行壓力控制。

因此，即便為例如在裝置之使用者側變更製程條件的情況下，第2閥52之初始的開合度亦配合條件而自動被變更成適當的開合度，因此，可經常地進行良好的壓力控制。又，因可穩定地進行壓力控制，因此，可在處理容器10內，謀求例如放電狀態的穩定化，從而可在穩定的狀態下進行真空處理。藉此，由於製品之穩定性提升， 因此，可期待良率之改善。

如前述般，第2閥52之初始的開合度，雖係預先進行評估試驗而決定，但在處理容器10內，對與製品不同的基板進行處理時與對製品用基板進行處理時，係有放電狀態發生變化的情況。因此，即便在事前的評估中，將第2閥52之開合度設定於適當的位置，亦如本發明般，在製程中進行第2閥52之開合度的自動調整為有效。

再者，在金屬膜的蝕刻處理等中，係當基板S上之蝕刻種消失時，處理容器10內之壓力有急遽發生變化的情況。在壓力調整機構無法對應於該壓力變化的情況下，係電漿之阻抗一口氣發生變化，導致電流流向基板S之配線而產生造成損害的現象。由於以往，係無法對應於處理容器10內之急遽的壓力變化，再者，在不能調壓的區域中，係難以進行壓力控制，因此，對製程會產生限制。

對此，在本發明中，係對應於處理容器10內的壓力變化，第1閥51之開合度快速地發生變化，藉此，第2閥52之開合度亦發生變化，因此，可使處理容器10內的壓力在短時間內穩定化，再者，亦可進行以往之不能調壓之區域的壓力調整。這是因為首先響應性良好之第1閥51的開合度因處理容器10內的壓力變化而發生變化，隨著該開合度變化，第2閥52的開合度便發生變化。如此一來，由於在處理容器10內之急遽的壓力變化之際，亦可使電漿在短時間穩定，因此，有可穩定地進行基板S之製造，並可抑制良率的降低而難以產生製程上之限制的優 點。

在上述的實施形態中，第2閥52之開合度，雖係如「全關」→「半開」或「全關」→「半開」般地以2階段進行變更，但在製程中之壓力的變化量較大的情況下，係亦可如「全關」→「半開」→「全開」或「全開」→「半開」→「全關」般地以3階段變更第2閥52之開合度。在該情況下，係將使第2閥52從「全關」成為「半開」時用之閥值與使第2閥52從「半開」成為「全開」時用之閥值的2個閥值作為例如縮減第1閥51之側的閥值，並使其記憶於記憶體64。又，將使第2閥52從「全開」成為「半開」時用之閥值與使第2閥52從「半開」成為「全關」時用之閥值的2個閥值作為例如打開第1閥51之側的閥值，並使其記憶於記憶體64。

而且，在超過基於第1閥51之開合度的檢測值而對應之閥值時，如「全關」→「半開」→「全開」或「全開」→「半開」→「全關」般地變更所有第2閥52之開合度。即便在該情況下，由於第2閥52之開合度亦基於第1閥51之開合度檢測值而被適當地變更成適當位置，因此，可在廣大壓力範圍中進行穩定的壓力控制。

再者，在上述的實施形態中，雖係將第2閥52之初始的開合度設成為「全關」或「全開」，但亦可將該初始的開合度設成為「半開」，在超過第1閥51的閥值時，開合度變更成「全關」或「全開」。在該情況下，係使以將第2閥52從「半開」成為「全開」時用之閥值作為 例如縮減第1閥51之側的閥值，與以將第2閥52從「半開」成為「全關」時用之閥值作為打開第1閥51之側的閥值記憶於記憶體64。而且，只要超過第1閥51之開合度縮減之側的閥值，則將所有第2閥52的開合度從「半開」變更成「全開」。另一方面，只要超過第1閥51之開合度打開之側的閥值，則將所有第2閥52的開合度從「半開」變更成「全關」。即便在該情況下，由於第2閥52之開合度亦基於第1閥51之開合度檢測值而被適當地變更，因此，可在廣大壓力範圍中進行穩定的壓力控制。

又，亦可配合第2閥52之開合度的變更，調整第1閥51之增益，使第1閥51的響應性降低。藉由第2閥52之開合度的變更，雖然第1閥51亦開合度往縮減之側或打開之側改變，但從例如第2閥52之開合度的變更，預先設定的時間會使第1閥51的響應性降低，藉此，可抑制第1閥51之急遽的開合度變化。因此，可抑制處理容器10內之突然的壓力變動，而進行更穩定的壓力控制。

再者，亦可基於第2閥52之位置的推移資料，變更第2閥52之初始的開合度。在由例如相同配方來處理多數片基板S的期間，監視第2閥52之開合度而取得作為推移資料。而且，在第2閥52之開合度的變更於較早之時刻發生的情況下等，係亦可將第2閥52之初始的開合度從當初所設定的「全開」或「全關」設定變更成「半開」。

在該情況下，操作員亦可重新設定第2閥52之初始的開合度，或操作員亦可進行配方的改寫。又，亦可 自動進行配方的改寫。在例如自動進行的情況下，係在控制部6取得第2閥52之推移資料，於預先決定的時刻判定第2閥52之開合度是否被變更，在被變更時，係儲存有變更配方中所記載之第2閥52之初始的開合度而改寫的程式。而且，對於例如相同配方之下一批次的基板S而言，係將第2閥52之初始的開合度設定於所改寫的位置而進行處理。

再者，第2閥52之預先決定的開合度，係只要為至少3個即可，亦可具備有4個以上的開合度。在設定例如第1開合度(「全關」)、第2開合度、大於第2開合度之第3開合度、第4開合度(「全開」)的4個開合度時，係針對第1閥51，準備2階段之縮減之側的閥值，並且準備2階段之打開之側的閥值。

而且，在將第2閥52之初始的開合度設定為第1開合度(「全關」)時，係以如下述的方式進行控制：在第1閥51之開合度超過第1個縮減之側的閥值時，將第2閥52設定為第2開合度，在第1閥51之開合度超過第2個縮減之側的閥值時，將第2閥52設定為第3開合度。另一方面，在將第2閥52之初始的開合度設定為第4開合度(「全開」)時，係以如下述的方式進行控制：在第1閥51之開合度超過第1個打開之側的閥值時，將第2閥52設定為第3開合度，在第1閥51之開合度超過第2個打開之側的閥值時，將第2閥52設定為第2開合度。

以上，在本發明中，係例如和進行真空處理 時之壓力的壓力設定值與被供給至處理容器內之氣體的流量設定值之組合建立對應，預先使第2閥52之初始的開合度記憶於記憶體64。另一方面，在製程配方中，係記載有前述壓力設定值與前述氣體之流量設定值的組合。而且，亦可藉由製程配方的選擇，從記憶體64讀出對應之第2閥52之初始的開合度，設定第2閥52之初始的位置。

再者，第2閥52之初始的開合度，係亦可僅基於進行真空處理時之壓力的壓力設定值而進行設定。在該情況下，係亦可在製程配方記載壓力設定值與第2閥52之初始的開合度，藉由該製程配方的選擇，將第2閥52設定於初始位置。又，在製程配方中，係亦可記載壓力設定值，並且使壓力設定值與第2閥52之初始的開合度建立對應而儲存於記憶體64，藉由該製程配方的選擇，從記憶體64讀出所對應的第2閥52而設定於初始位置。

再者，第1閥51之閥值或第2閥52之開合度，係可適當進行設定變更。亦可取得例如第1閥51或第2閥52之開合度的推移資料，抑或處理容器10內之壓力變化的推移資料，而重新設定為更適當的閥值或第2閥52的開合度。例如第2閥52之開合度的變更，係例如在目前為「300」時，將「全開」狀態之開合度設成為「200」左右的情況，或在目前為「1」時，將「全關」之開合度設成為「10」左右的情況，在目前為「150」時，將「半開」之開合度設成為「100」左右等。

以上，在本發明中，雖係使用了開合度被固 定於數處的閥來作為半固定閥，但本發明所稱之被設定為從預先決定之至少3個開合度中所選擇的開合度之半固定閥，係不限於選擇開合度本身的情況，亦包含將排氣傳導度切換成複數個值的閥者。又，第1排氣路徑與第2排氣路徑的條數，係不限於上述的例子，該些第1排氣路徑之各個及第2排氣路徑之各個亦可連接於專用的排氣機構。又，本發明之真空處理裝置，係不限於蝕刻處理，亦可應用於進行灰化或CVD等、其他真空處理的處理。又，真空處理，係不一定限定於電漿處理，亦可為其他的氣體處理或亦可為氣體處理以外的真空處理。再者，作為被處理體，係除了FPD基板以外，亦可為半導體基板。

2‧‧‧載置台

3‧‧‧氣體供給部

6‧‧‧控制部

10‧‧‧處理容器

14‧‧‧壓力檢測部

41‧‧‧第1排氣路徑

42‧‧‧第2排氣路徑

50‧‧‧控制器

51‧‧‧第1閥

52‧‧‧第2閥

53‧‧‧控制器

60‧‧‧匯流排

61‧‧‧CPU

62‧‧‧程式儲存部

63‧‧‧工作記憶體

64‧‧‧記憶體

65‧‧‧輸入部

66‧‧‧配方儲存部

Claims (8)

1. 一種真空處理裝置，其特徵係，具備有：處理容器，在其內部對被處理體進行真空處理；第1排氣路徑及第2排氣路徑，一端側各自連接於前述處理容器；壓力檢測部，檢測前述處理容器內的壓力；自動調整閥，被設置於前述第1排氣路徑，基於前述壓力檢測部之壓力檢測值與壓力設定值，自動調整排氣路徑的傳導度；半固定閥，被設置於前述第2排氣路徑，且被設定為從預先決定之至少3個開合度中所選擇的開合度；開合度檢測部，檢測前述自動調整閥的開合度；及控制部，在由前述開合度檢測部所檢測到之開合度檢測值超過作為壓力調整界限而預先決定的閥值時，為了擴大壓力調整範圍，而以將前述半固定閥的開合度變更成前述預先決定之開合度中其他開合度的方式，輸出控制信號。
2. 如申請專利範圍第1項之真空處理裝置，其中，前述閥值，係因應前述半固定閥所選擇的開合度，被設定為將前述自動調整閥之開合度縮減之側的閥值或打開之側的閥值。
3. 如申請專利範圍第1或2項之真空處理裝置，其中，前述半固定閥中之初始的開合度，係因應進行真空處理時之壓力的壓力設定值與被供給至處理容器內之氣體的流量設定值之組合而決定。
4. 如申請專利範圍第1或2項之真空處理裝置，其中，針對前述半固定閥而預先決定之至少3個開合度，係包含有該閥之最大開合度、最小開合度及最大開合度與最小開合度之間的開合度。
5. 如申請專利範圍第1或2項之真空處理裝置，其中，前述半固定閥，係使用可藉由控制訊號來自由調整開合度的閥。
6. 一種真空處理方法，係在連接有第1排氣路徑及第2排氣路徑的處理容器內，對被處理體進行真空處理，該方法，其特徵係，包含有：將被處理體搬入至處理容器內之工程；將半固定閥設定為因應進行真空處理時之壓力的壓力設定值與被供給至處理容器內之氣體的流量設定值之組合所決定的開合度之工程，該半固定閥，係被設置於前述第2排氣路徑，且被設定為從預先決定之至少3個開合度中所選擇的開合度；其後，藉由被設置於前述第1排氣路徑的自動調整 閥，以使處理容器內之壓力檢測值成為壓力設定值的方式，一面自動調整開合度一面進行真空處理之工程；檢測前述自動調整閥的開合度之工程；及在由前述工程所檢測到之開合度檢測值超過作為壓力調整界限而預先決定的閥值時，為了擴大壓力調整範圍，而將前述半固定閥的開合度變更成前述預先決定之開合度中其他開合度之工程。
7. 如申請專利範圍第6項之真空處理方法，其中，針對前述半固定閥而預先決定之至少3個開合度，係包含有該閥之最大開合度、最小開合度及最大開合度與最小開合度之間的開合度。
8. 一種記憶媒體，係記憶有軟體，該軟體，係被使用於在連接有第1排氣路徑及第2排氣路徑的處理容器內，對被處理體進行真空處理的裝置，該記憶媒體，其特徵係，前述軟體，係包含有編入了步驟群的電腦程式，以便執行如申請專利範圍6或7項之真空處理方法。