JP6584350B2 - 制御装置、基板処理システム、基板処理方法及びプログラム - Google Patents
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Description
本実施形態の基板処理装置について説明する。本実施形態の基板処理装置は、基板の一例としての半導体ウエハ(以下「ウエハ」という。)が垂直方向に所定の間隔をおいて複数枚保持された基板保持具を収容可能であり、複数枚のウエハに対して同時に基板処理を行うことが可能な装置である。
本実施形態の制御装置100について、図2に基づき説明する。図2は、本実施形態の制御装置の一例を示す概略構成図である。
102 モデル記憶部
104 レシピ記憶部
106 ROM
108 RAM
110 I/Oポート
112 CPU
114 バス
116 操作パネル
W ウエハ
Claims (8)
- 基板に所定の処理を行う基板処理装置の動作を制御する制御装置であって、
第1の条件と、前記第1の条件とは異なる第2の条件と、を含む前記所定の処理の条件を記憶するレシピ記憶部と、
前記第1の条件で前記基板に対して行われる第1の処理と、前記第1の処理の後に前記第2の条件で前記基板に対して行われる第2の処理と、において、前記第2の処理の結果と、前記第1の条件と前記第2の条件との関係から予測される結果と、に基づいて、前記第1の処理の結果又は前記第2の処理の結果が異常であるか否かを判定する制御部と、
を有し、
前記制御部は、同時に処理される複数枚の基板を用いて、前記第1の処理の結果又は前記第2の処理の結果が異常であるか否かを判定し、
前記制御部は、前記複数枚の基板の少なくとも一部において、前記第2の処理の結果が、前記第1の条件と前記第2の条件との関係から予測される結果の傾向とは逆傾向である場合、前記第1の処理の結果又は前記第2の処理の結果が異常であると判定し、
前記第2の処理の結果が、前記複数枚の基板のすべてにおいて、前記第1の条件と前記第2の条件との関係から予測される結果の傾向とは逆傾向ではない場合、前記第1の処理の結果及び前記第2の処理の結果が異常ではないと判定し、
前記制御部は、前記第1の処理の結果又は前記第2の処理の結果が異常であると判定した場合、前記複数枚の基板のすべてにおいて、前記第2の処理の結果が、前記第1の条件と前記第2の条件との関係から予測される結果の傾向とは逆傾向である場合と、前記複数枚の基板の一部において前記第2の処理の結果が、前記第1の条件と前記第2の条件との関係から予測される結果の傾向とは逆傾向である場合とで、異なる推定原因を報知する、
制御装置。 - 前記制御部は、前記第1の処理の結果又は前記第2の処理の結果が異常であると判定した場合、異常であることを報知する、
請求項1に記載の制御装置。 - 前記所定の処理の条件が前記所定の処理の結果に与える影響を表すプロセスモデルを記憶するモデル記憶部を更に有し、
前記制御部は、
前記第1の処理の結果又は前記第2の処理の結果が異常であると判定した場合、前記第1の処理の結果及び前記第2の処理の結果を使用することなく、前記モデル記憶部に記憶された前記プロセスモデルに基づいて、前記所定の処理の条件を算出し、
前記第1の処理の結果又は前記第2の処理の結果が異常ではないと判定した場合、前記第1の処理の結果と、前記第2の処理の結果と、前記モデル記憶部に記憶された前記プロセスモデルと、に基づいて、前記所定の処理の条件を算出する、
請求項1又は2に記載の制御装置。 - 前記所定の処理は成膜処理であり、
前記所定の処理の結果は前記基板に成膜される膜の膜厚である、
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の制御装置。 - 前記所定の処理はエッチング処理であり、
前記所定の処理の結果は前記基板上の成膜物質のエッチング量である、
請求項1乃至3のいずれか一項に記載に制御装置。 - 基板に所定の処理を行う基板処理装置と、
前記基板処理装置の動作を制御する制御装置と、
を有し、
前記制御装置は、
第1の条件と、前記第1の条件とは異なる第2の条件と、を含む前記所定の処理の条件を記憶するレシピ記憶部と、
前記第1の条件で前記基板に対して行われる第1の処理と、前記第1の処理の後に前記第2の条件で前記基板に対して行われる第2の処理と、において、前記第2の処理の結果と、前記第1の条件と前記第2の条件との関係から予測される結果と、に基づいて、前記第1の処理の結果又は前記第2の処理の結果が異常であるか否かを判定する制御部と、
を有し、
前記制御部は、同時に処理される複数枚の基板を用いて、前記第1の処理の結果又は前記第2の処理の結果が異常であるか否かを判定し、
前記制御部は、前記複数枚の基板の少なくとも一部において、前記第2の処理の結果が、前記第1の条件と前記第2の条件との関係から予測される結果の傾向とは逆傾向である場合、前記第1の処理の結果又は前記第2の処理の結果が異常であると判定し、
前記第2の処理の結果が、前記複数枚の基板のすべてにおいて、前記第1の条件と前記第2の条件との関係から予測される結果の傾向とは逆傾向ではない場合、前記第1の処理の結果及び前記第2の処理の結果が異常ではないと判定し、
前記制御部は、前記第1の処理の結果又は前記第2の処理の結果が異常であると判定した場合、前記複数枚の基板のすべてにおいて、前記第2の処理の結果が、前記第1の条件と前記第2の条件との関係から予測される結果の傾向とは逆傾向である場合と、前記複数枚の基板の一部において前記第2の処理の結果が、前記第1の条件と前記第2の条件との関係から予測される結果の傾向とは逆傾向である場合とで、異なる推定原因を報知する、
基板処理システム。 - 第1の条件で基板に第1の処理を行うステップと、
前記第1の処理を行うステップの後、前記第1の条件とは異なる第2の条件で基板に第2の処理を行うステップと、
前記第2の処理の結果と、前記第1の条件と前記第2の条件との関係から予測される結果と、に基づいて、前記第1の処理の結果又は前記第2の処理の結果が異常であるか否かを判定するステップと、
を有し、
前記判定するステップは、同時に処理される複数枚の基板を用いて、前記第1の処理の結果又は前記第2の処理の結果が異常であるか否かを判定し、
前記判定するステップは、前記複数枚の基板の少なくとも一部において、前記第2の処理の結果が、前記第1の条件と前記第2の条件との関係から予測される結果の傾向とは逆傾向である場合、前記第1の処理の結果又は前記第2の処理の結果が異常であると判定し、
前記第2の処理の結果が、前記複数枚の基板のすべてにおいて、前記第1の条件と前記第2の条件との関係から予測される結果の傾向とは逆傾向ではない場合、前記第1の処理の結果及び前記第2の処理の結果が異常ではないと判定し、
前記判定するステップは、前記第1の処理の結果又は前記第2の処理の結果が異常であると判定した場合、前記複数枚の基板のすべてにおいて、前記第2の処理の結果が、前記第1の条件と前記第2の条件との関係から予測される結果の傾向とは逆傾向である場合と、前記複数枚の基板の一部において前記第2の処理の結果が、前記第1の条件と前記第2の条件との関係から予測される結果の傾向とは逆傾向である場合とで、異なる推定原因を報知する、
基板処理方法。 - 請求項7に記載の基板処理方法をコンピュータに実行させる、プログラム。
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