JP2002316035A - 真空処理装置及び方法、半導体、液晶基板の製造方法 - Google Patents
真空処理装置及び方法、半導体、液晶基板の製造方法Info
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- JP2002316035A JP2002316035A JP2001119265A JP2001119265A JP2002316035A JP 2002316035 A JP2002316035 A JP 2002316035A JP 2001119265 A JP2001119265 A JP 2001119265A JP 2001119265 A JP2001119265 A JP 2001119265A JP 2002316035 A JP2002316035 A JP 2002316035A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 同一の反応用チャンバーを、一つのポンプ、
コンダクタンスバルブ、真空計で真空度を制御するシス
テムにおいて、ガス導入を行いながら、コンダクタンス
バルブで真空度の調整を行うシステムでは、ガス流量の
安定時間にバルブ動作が左右され、調圧制御に時間がか
かる。 【解決手段】 真空処理室１の所定の真空度と前回プロ
セス処理した時の真空度の値とを比較し、所定の真空度
より圧力が高い時は前記真空処理室１を真空に排気する
ポンプ３とこの真空処理室１との間に設けられたバルブ
２を開く方向に、所定の真空度より圧力が低い時は前記
バルブ２を閉じる方向にバルブ開度データを補正し、プ
ロセス処理を行い、前記真空処理室１に導入するガス流
量に応じてバルブ開度データを補正する量を決定する。
コンダクタンスバルブ、真空計で真空度を制御するシス
テムにおいて、ガス導入を行いながら、コンダクタンス
バルブで真空度の調整を行うシステムでは、ガス流量の
安定時間にバルブ動作が左右され、調圧制御に時間がか
かる。 【解決手段】 真空処理室１の所定の真空度と前回プロ
セス処理した時の真空度の値とを比較し、所定の真空度
より圧力が高い時は前記真空処理室１を真空に排気する
ポンプ３とこの真空処理室１との間に設けられたバルブ
２を開く方向に、所定の真空度より圧力が低い時は前記
バルブ２を閉じる方向にバルブ開度データを補正し、プ
ロセス処理を行い、前記真空処理室１に導入するガス流
量に応じてバルブ開度データを補正する量を決定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空度を制御して
連続してプロセス処理を行う真空処理方法及び装置に関
するもので、主に半導体や液晶の製造に使用する真空処
理方法及び装置、半導体、液晶基板の製造方法に関する
ものである。
連続してプロセス処理を行う真空処理方法及び装置に関
するもので、主に半導体や液晶の製造に使用する真空処
理方法及び装置、半導体、液晶基板の製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に反応用チャンバーの真空制御にお
いては、図３に示すようなフローで、処理が行われてい
る。Ｓ１１でガス導入を行うとともに、その時の真空計
の値を読み、一定のチャンバ圧力となるようコンダクタ
ンスバルブの開度を制御し、Ｓ１２で調圧を行い、所定
の圧力であるかどうかをＳ１３で、判断している。圧力
が、所定の範囲内に入っていれば、その後、Ｓ１４でプ
ロセス処理を行っている。
いては、図３に示すようなフローで、処理が行われてい
る。Ｓ１１でガス導入を行うとともに、その時の真空計
の値を読み、一定のチャンバ圧力となるようコンダクタ
ンスバルブの開度を制御し、Ｓ１２で調圧を行い、所定
の圧力であるかどうかをＳ１３で、判断している。圧力
が、所定の範囲内に入っていれば、その後、Ｓ１４でプ
ロセス処理を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】同一の反応用チャンバ
ーを、ガス導入を行いながら、一つのポンプ、コンダク
タンスバルブ、真空計で真空度の調整を行うシステムで
は、ガス流量の安定時間にバルブ動作が左右され、調圧
制御に時間がかかる。
ーを、ガス導入を行いながら、一つのポンプ、コンダク
タンスバルブ、真空計で真空度の調整を行うシステムで
は、ガス流量の安定時間にバルブ動作が左右され、調圧
制御に時間がかかる。
【０００４】またバルブの開度をあらかじめ設定してお
くことで、調圧時間を短縮させる方式もあるが、プロセ
ス開始前に真空計の値を元に、再度調圧をおこなってお
り、調圧制御が効率的におこなわれていない。
くことで、調圧時間を短縮させる方式もあるが、プロセ
ス開始前に真空計の値を元に、再度調圧をおこなってお
り、調圧制御が効率的におこなわれていない。
【０００５】本発明は、コンダクタンスバルブの開度補
正を効率的に行い、ガス流量、外的要因等の影響を受け
にくいコンダクタンスバルブ制御を、短時間で行うこと
を目的とする。
正を効率的に行い、ガス流量、外的要因等の影響を受け
にくいコンダクタンスバルブ制御を、短時間で行うこと
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、真空処理室の所定の真空度と前回プロセス
処理した時の真空度の値とを比較し、所定の真空度より
圧力が高い時は前記真空処理室を真空に排気するポンプ
とこの真空処理室との間に設けられたバルブを開く方向
に、所定の真空度より圧力が低い時は前記バルブを閉じ
る方向にバルブ開度データを補正し、プロセス処理を行
い、前記真空処理室に導入するガス流量に応じてバルブ
開度データを補正する量を決定するものである。
に本発明は、真空処理室の所定の真空度と前回プロセス
処理した時の真空度の値とを比較し、所定の真空度より
圧力が高い時は前記真空処理室を真空に排気するポンプ
とこの真空処理室との間に設けられたバルブを開く方向
に、所定の真空度より圧力が低い時は前記バルブを閉じ
る方向にバルブ開度データを補正し、プロセス処理を行
い、前記真空処理室に導入するガス流量に応じてバルブ
開度データを補正する量を決定するものである。
【０００７】これにより、次回のプロセスにおける調圧
を正確に短時間で一定範囲内に制御することが可能とな
る。
を正確に短時間で一定範囲内に制御することが可能とな
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図１、図２を用いて説明する。
て図１、図２を用いて説明する。
【０００９】図１は、本発明の実施の形態に係る真空処
理装置の概略図を示しており、図１において反応チャン
バー１は、コンダクタンスバルブ２を介して、真空に排
気するためのポンプ３に接続されている。この反応チャ
ンバー１には、ガス供給器４を通してガス導入がされ、
真空計５でチャンバーの圧力を監視している。
理装置の概略図を示しており、図１において反応チャン
バー１は、コンダクタンスバルブ２を介して、真空に排
気するためのポンプ３に接続されている。この反応チャ
ンバー１には、ガス供給器４を通してガス導入がされ、
真空計５でチャンバーの圧力を監視している。
【００１０】ガス供給器４とバルブコントローラ６およ
び真空計５が装置コントローラと接続されており、これ
によりチャンバ内部をプロセスに必要な真空度に制御し
ている。
び真空計５が装置コントローラと接続されており、これ
によりチャンバ内部をプロセスに必要な真空度に制御し
ている。
【００１１】図２は、本発明の実施の形態に係る真空処
理装置の調圧制御のフローを示している。半導体や液晶
基板を真空処理室に搬送した後、Ｓ１でガス導入を行
い、Ｓ２でバルブの開度データをセットしている。この
時の開度データは、後述するＳ６で測定した前回の真空
度とガス流量で決定している。具体的には、所定の真空
度より測定した真空度が高い（圧力が低い）場合、コン
ダクタンスバルブ２を閉じる方向に制御する。そしてこ
の閉じる量は、ガス流量によって異なり、ガス流量が大
であれば少し閉じるように、小であれば多く閉じるよう
にしている。逆に、所定の真空度より測定した真空度が
低い（圧力が高い）場合、コンダクタンスバルブ２を開
く方向に制御する。そしてこの開く量は、ガス流量によ
って異なり、ガス流量が大であれば多く閉じるように、
小であれば少し閉じるようにしている。そしてＳ３でバ
ルブ動作を行うとともに、その時の真空計の値を読み、
一定のチャンバ圧力となるようコンダクタンスバルブの
開度を制御し、所定の圧力であるかどうかをＳ４で、判
断している。圧力が、所定の範囲内に入っていれば、そ
の後、Ｓ５でプロセス処理を行い、Ｓ６で真空度を測定
している。
理装置の調圧制御のフローを示している。半導体や液晶
基板を真空処理室に搬送した後、Ｓ１でガス導入を行
い、Ｓ２でバルブの開度データをセットしている。この
時の開度データは、後述するＳ６で測定した前回の真空
度とガス流量で決定している。具体的には、所定の真空
度より測定した真空度が高い（圧力が低い）場合、コン
ダクタンスバルブ２を閉じる方向に制御する。そしてこ
の閉じる量は、ガス流量によって異なり、ガス流量が大
であれば少し閉じるように、小であれば多く閉じるよう
にしている。逆に、所定の真空度より測定した真空度が
低い（圧力が高い）場合、コンダクタンスバルブ２を開
く方向に制御する。そしてこの開く量は、ガス流量によ
って異なり、ガス流量が大であれば多く閉じるように、
小であれば少し閉じるようにしている。そしてＳ３でバ
ルブ動作を行うとともに、その時の真空計の値を読み、
一定のチャンバ圧力となるようコンダクタンスバルブの
開度を制御し、所定の圧力であるかどうかをＳ４で、判
断している。圧力が、所定の範囲内に入っていれば、そ
の後、Ｓ５でプロセス処理を行い、Ｓ６で真空度を測定
している。
【００１２】これにより、次回のプロセスにおける調圧
を正確に短時間で一定範囲内に制御することが可能とな
る。
を正確に短時間で一定範囲内に制御することが可能とな
る。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、装置構成
を変更することなく調圧を短時間で一定範囲内にコント
ロールすることが可能であり、それによりプロセス時間
が短縮され設備の生産性を高めることができる。
を変更することなく調圧を短時間で一定範囲内にコント
ロールすることが可能であり、それによりプロセス時間
が短縮され設備の生産性を高めることができる。
【図１】真空処理装置の構成を示す図
【図２】本発明の実施の形態に係る真空処理のフロー図
【図３】従来の真空処理のフロー図
１ 反応チャンバー ２ コンダクタンスバルブ ３ 真空ポンプ ４ ガス供給器 ５ 真空計 ６ バルブコントローラ ７ 装置コントローラ
Claims (4)
- 【請求項１】 真空処理室の所定の真空度と前回プロセ
ス処理した時の真空度の値とを比較し、所定の真空度よ
り圧力が高い時は前記真空処理室を真空に排気するポン
プとこの真空処理室との間に設けられたバルブを開く方
向に、所定の真空度より圧力が低い時は前記バルブを閉
じる方向にバルブ開度データを補正する工程と、プロセ
ス処理を行う工程とを有し、前記真空処理室に導入する
ガス流量に応じてバルブ開度データを補正する量を決定
することを特徴とする真空処理方法。 - 【請求項２】 バルブ開度データを補正する量は、所定
の真空度より圧力が高くかつガス流量が大であれば補正
量を小に、所定の真空度より圧力が高くかつガス流量が
小であれば補正量を大に、所定の真空度より圧力が低く
かつガス流量が大であれば補正量を大に、所定の真空度
より圧力が低くかつガス流量が小であれば補正量を小に
したことを特徴とする請求項１に記載の真空処理方法。 - 【請求項３】 真空処理室と、この真空処理室を真空に
排気するポンプと、このポンプと前記真空処理室との間
に設けられたバルブと、前記真空室の真空度を測定する
真空計と、前記バルブ開度を制御する手段と、前記真空
度を記憶する手段と、この記憶した真空度とガス流量か
ら前記バルブ開度のデータを補正する手段とを有したこ
とを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項４】 請求項１、２のいずれかに記載の真空処
理方法を用いてプロセス処理を行うことを特徴とする半
導体または液晶基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001119265A JP2002316035A (ja) | 2001-04-18 | 2001-04-18 | 真空処理装置及び方法、半導体、液晶基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001119265A JP2002316035A (ja) | 2001-04-18 | 2001-04-18 | 真空処理装置及び方法、半導体、液晶基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002316035A true JP2002316035A (ja) | 2002-10-29 |
Family
ID=18969517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001119265A Pending JP2002316035A (ja) | 2001-04-18 | 2001-04-18 | 真空処理装置及び方法、半導体、液晶基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002316035A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100989220B1 (ko) | 2007-06-29 | 2010-10-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 진공 처리 장치, 진공 처리 방법 및 기억 매체 |
-
2001
- 2001-04-18 JP JP2001119265A patent/JP2002316035A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100989220B1 (ko) | 2007-06-29 | 2010-10-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 진공 처리 장치, 진공 처리 방법 및 기억 매체 |
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