KR20040077746A - 열처리 장치 및 열처리 방법 - Google Patents

열처리 장치 및 열처리 방법 Download PDF

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신에츠 한도타이 가부시키가이샤
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Abstract

열처리 용기(1)내에 회전 가능하게 구비되는 웨이퍼(W)를 배치하기 위한 서셉터(2)와, 열처리 용기(1)내에 설치되는 베이스(4)에 지지되고, 서셉터(2)의 주위를 근접 또한 비접촉으로 둘러싸는 예열 링(3)과, 서셉터(2)에 배치되는 웨이퍼(W)를 가열하는 가열장치(8)가 구비되는 열처리 장치(100)에 있어서, 예열 링(3)을 내주 중심(31a)이 외주(32)에 대하여 편심하도록 형성한다. 예열 링(3)을 서셉터(2)의 주위로 이동시켜, 예열 링(3)의 내주 중심(31a)과 서셉터(2)의 중심(2b)의 거리가 최소로 되도록 예열 링(3)을 위치 결정한 후, 웨이퍼(W)에 대하여 열처리를 실시한다.

Description

열처리 장치 및 열처리 방법{Heat treatment device and heat treatment method}
종래, 예를 들면 실리콘 단결정 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 기재한다) 등의 반도체 기판의 주표면 상에, 실리콘 에피택셜층이나 질화규소막 등의 박막을 형성하는 처리나 에칭을 실시하는 처리 등은 열처리 장치를 사용하여 행해지고 있다.
열처리 장치에는, 예를 들면, 석영 등에 의해서 형성된 투광성의 열처리 용기가 구비되어 있고, 그 내부에는 웨이퍼를 배치하여 회전시키기 위한 서셉터가 설치되어 있다. 또한 열처리 용기의 주위에는 할로겐 램프 등으로 구성된 가열장치가 설치되고, 열처리 용기 외부로부터 서셉터에 배치된 웨이퍼를 가열할 수 있도록 되어 있다. 또한 열처리 용기의 측부에는 열처리 용기 내에 반응 가스 등을 공급하기 위한 가스 공급구와, 가스 배출구가 형성되고, 열처리 장치에는 가스 공급 장치 등이 구비되고, 가스 공급구로부터 여러 가지 반응 가스 등을 소정의 조성 및유량으로 열처리 용기 내에 공급할 수 있도록 되어 있다.
또한, 열처리 용기 내에는 웨이퍼(W)의 면내 온도 분포를 보다 균일하게 하여 열처리를 적합하게 실시하기 위해서, 서셉터의 측방 주위를 둘러싸는 예열 링이 설치되어 있다(예를 들면, 일본 특개평 7-78863호 공보). 예열 링은 예를 들면 도 5에 도시하는 예열 링(53)처럼, 서셉터(52)의 외주를 둘러싸는 소정 폭의 링형으로 형성되고, 열처리 용기 내의 서셉터(52) 측방에 구비되는 베이스(54)에 지지되어 설치된다. 또한, 도 5a는 상면도이고, 도 5b는 도 5a의 B-B′단면도이고, 예열 링(53)은 베이스(54)의 포켓(54a)에 배치되어 있다.
상기 예열 링(53)은 열처리 시에, 가열장치에 의해서 서셉터(52)에 배치되는 웨이퍼(W)와 함께 가열된다. 그것에 의해서, 예를 들면 콜드월식(cold wall type)의 열처리 장치에서는 열처리 중에 열처리 용기의 내측에 폴리실리콘 등이 퇴적하는 것을 방지하기 위해서, 열처리 용기가 냉각수단에서 냉각되지만, 예열 링(53)이 서셉터(susceptor;52)의 주위를 둘러쌈으로써, 냉각되어 있는 열처리 용기의 영향으로 서셉터에 배치되는 웨이퍼(W) 주변부의 온도가 저하되는 것이 방지된다. 또한, 열처리 용기 내에 공급되는 가스가 가스 공급구로부터 웨이퍼(W)에 도달하기까지의 동안에, 예열 링(53) 상을 통과함으로써, 가스가 적절하게 따뜻해지고, 적합하게 열처리가 행해지고 있다.
그런데 예열 링(53)은 그 목적 상, 서셉터(52)에 가능한 한 근접하도록 구비되는 것이 바람직한 한편, 열처리 중에 내측에서 서셉터(52)가 회전하기 때문에, 서셉터(52)는 비접촉으로 될 필요가 있다. 그래서, 서셉터(52)와 예열 링(53)의사이에는 약간의 틈 A가 설치되도록 되어 있다.
또한, 예열 링(53)이 열 팽창에 의해서 베이스(54) 상으로 이동하여, 서셉터(52)와 접촉하는 것을 방지하기 위해서, 포켓(54a)의 내주(54aa)와 예열 링(53)의 사이에는 약간의 틈 C가 설치되고, 열 팽창에 의한 이동이 소정 범위 내가 되도록 틈 C의 폭이 설정되어 있다.
그러나, 열처리 장치에 있어서는 도 5a 및 도 5b와 같이 서셉터(52)와 예열 링(53)이 동심원이 되도록 설계되지만, 열처리 장치를 구성하는 각 부재의 정밀도나, 조립 정밀도의 오차에 의해서, 도 6에 도시하는 바와 같이, 서셉터(52)의 중심(52b)과 예열 링(53)의 중심(53a)이 약간 어긋나는 경우가 있다. 특히 직경이 큰 웨이퍼를 처리하는 열처리 장치의 경우, 1 내지 2mm 정도나 어긋나는 경우가 있어, 서셉터(2)와 예열 링(53)이 접촉되는 경우가 있다.
이러한 접촉이 발생하면, 열처리 중에 서셉터(52)와 예열 링(53)이 스쳐 대량의 미립자가 발생하고, 웨이퍼에 부착하여 결정 결함을 발생하는 등, 수율을 저하시켜 버린다.
이러한 접촉을 방지하기 위해서, 예열 링(53)을 서셉터(52)의 어긋남에 따라서 베이스(54)의 포켓(54a) 내에서 이동시키려고 하여도, 포켓(54a)의 내주(54aa)와 예열 링(53)의 틈 C는 상기한 바와 같이 제한되기 때문에 한계가 있다. 또한, 예열 링(53)의 내경을 크게 하면, 예열 링(53)과 서셉터(52)의 거리가 커져, 그 기능을 충분하게 발휘할 수 없기 때문에 부적합하다.
따라서, 서셉터(52)와 예열 링(53)의 접촉을 피하기 위해서는 서셉터의 지지수단 등을 조정하는 등의 작업이 필요해져, 대단히 번잡하고 시간을 요하는 것으로 되어 있다. 특히 열처리 용기의 세정 등의 정비 후에, 서셉터(52)와 예열 링(53)의 조정에 시간이 걸리기 때문에, 조업 정지 시간이 길어지는 원인으로도 되고 있다.
본 발명의 과제는 서셉터와 예열 링의 접촉을 용이하게 방지할 수 있고, 미립자의 발생을 저감하여 적합하게 열처리를 실시할 수 있는 열처리 장치 및 열처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 기판에 대하여 열처리를 하는 열처리 장치 및 열처리 방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명을 적용한 열처리 장치를 일부 단면으로 도시하는 개략 구성도.
도 2는 서셉터 중심과, 베이스의 포켓의 중심이 어긋나 있는 열처리 장치에있어서, 예열 링을 서셉터 주위에 구비한 모양을 도시하는 상면도.
도 3은 본 발명의 열처리 장치에 구비된 예열 장치에 구비되는 예열 링의 상면도.
도 4a는 서셉터와 예열 링이 비접촉의 열처리 장치를 사용하여 웨이퍼에 박막의 기상 성장을 실시한 경우의 웨이퍼 둘레 표면에서 검출된 미립자를 도시하는 상면도.
도 4b는 서셉터와 예열 링이 접촉한 상태의 열처리 장치를 사용하여 웨이퍼에 박막의 기상 성장을 실시한 경우의 웨이퍼 둘레 표면에서 검출된 미립자를 도시하는 상면도.
도 5a는 종래의 열처리 장치에 있어서, 서셉터 중심과, 예열 링 및 베이스의 포켓 중심이 일치하고 있는 모양을 도시하는 상면도.
도 5b는 도 5a의 B-B 단면도.
도 6은 종래의 열처리 장치에 있어서, 서셉터 중심과, 예열 링의 베이스의 포켓 중심이 어긋나고, 서셉터와 예열 링이 접촉하고 있는 모양을 도시하는 상면도.
이상의 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 제 1 측면에 따르면, 본 발명의 열처리 장치는 열처리 용기(1)내에 회전 가능하게 구비되고, 기판이 배치되는 서셉터(2)와, 상기 열처리 용기 내에 설치되는 지지수단[예를 들면 베이스(4)]에 지지되고, 상기 서셉터에 근접하고 또한 비접촉이 되도록, 상기 서셉터의 주위를 둘러싸는 예열 링(3)과, 상기 서셉터에 배치되는 기판[웨이퍼(W)]을 가열하는 가열장치(8)가 구비되어 있는 열처리 장치(100)에 있어서, 상기 예열 링은 내주 중심(31a)이 상기 예열 링의 외주(32)에 대하여 편심하도록 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 열처리 장치에 의하면, 예열 링의 내주 중심이 예열 링의 외주에 대하여 편심하도록 형성되어 있기 때문에, 서셉터가 예열 링의 지지수단에 대하여 어긋나 있는 경우라도, 서셉터의 중심과 예열 링의 내주 중심의 거리가 가장 작아지도록 예열 링을 위치 결정하여 지지수단에 의해서 지지시킴으로써, 서셉터 주위와 예열 링 사이에 적절한 틈을 형성할 수 있고, 서셉터와 예열 링의 접촉을 방지할 수 있다.
따라서, 열처리 중에 서셉터와 예열 링의 접촉에 의해서 미립자가 발생하는 것을 방지할 수 있기 때문에, 미립자의 기판에 대한 부착을 저감시킬 수 있고, 수율의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 예열 링을 서셉터와 비접촉으로 구비하기 위한 조정이 용이하고, 열처리 장치의 정비 후의 조정 등에서 요하고 있던 조업 정지 시간을 단축시킬 수 있기 때문에 바람직하다.
또한, 본 발명의 열처리 장치에 있어서, 상기 지지수단은 상기 예열 링을 배치하기 위한 포켓(4a)이 형성된 베이스(4)인 것이 바람직하다.
이 열처리 장치에 의하면, 상기 효과를 나타내는 것은 물론, 예열 링을 포켓이 형성된 베이스에 지지시킴으로써, 예열 링은 베이스의 포켓에 의해서 외주의 위치 결정을 용이하게 할 수 있고, 또한 서셉터의 중심이 어긋나 있더라도, 서셉터의 중심과 예열 링의 내주의 중심의 거리가 최소가 되도록 예열 링을 둘레 방향으로 회전 이동하거나 베이스 내에서 위치 이동함으로써, 예열 링과 서셉터가 비접촉이 되도록 용이하게 조정할 수 있다.
또한, 상기 예열 링의 내주 중심과, 상기 서셉터의 중심은 일치하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 상기 베이스의 포켓 내주와, 상기 예열 링의 외주 사이에 소정의 틈이 생길 수 있도록, 상기 예열 링의 외경의 크기 및 상기 베이스의 포켓의 크기가 설정되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 제 2 측면에 따르면, 본 발명의 열처리 방법은 제 1 측면의 열처리 장치에 있어서의 상기 지지수단에 의해서 지지되는 상기 예열 링을, 상기 서셉터의 주위로 이동시키고, 상기 예열 링의 내주의 중심과 상기 서셉터의 중심의 거리가 최소가 되도록 상기 예열 링을 위치 결정하고, 그 후, 상기 서셉터에 기판을 배치하여, 상기 기판에 열처리를 실시하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 열처리 방법에 의하면, 지지수단에 의해서 지지된 상기 예열 링을 서셉터의 주위로 이동시켜 예열 링을 위치 결정한 후, 기판에 열처리를 실시함으로써, 예열 링과 서셉터를 비접촉 미립자의 발생을 억제하고, 기판에 적합하게 열처리를 실시할 수 있다.
이 열처리 방법에 있어서의 예열 링의 지지수단은 제 1 측면의 열처리 장치의 지지수단과 같이, 포켓이 형성된 베이스라도 좋다. 이 경우, 베이스에 배치된 예열 링을 포켓 내에서 둘레 방향으로 회전 이동하거나, 위치 이동함으로써, 예열 링의 내주의 중심과 서셉터의 중심의 거리가 최소가 되도록 예열 링을 위치 결정할 수 있고, 그 후, 서셉터에 기판을 배치하여 열처리를 실시하면, 예열 링과 서셉터를 비접촉 미립자의 발생을 억제하고, 기판에 적합하게 열처리를 실시할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태를 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 예로서의 매엽식(single wafer type)의 열처리 장치(100)를 도시하는 개략 구성도이고, 도 2는 열처리 장치(100)에 구비되는 서셉터(2)와, 예열 링(3)과, 베이스(4)를 도시하는 상면도이다. 열처리 장치(100)는 예를 들면 실리콘 단결정 웨이퍼(웨이퍼(W)) 등의 기판의 주표면에, 기상 에피택셜 성장이나, 질화규소막의 형성 등의 가열을 따르는 처리를 1장씩 행하는 장치로 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 열처리 장치(100)에는 웨이퍼(W)에 열처리를 실시하기 위한 열처리 용기(1)가 구비되어 있다. 열처리 용기(1)의 정상벽(1a) 및 바닥벽(1b)은 투광성의 석영에 의해서 형성되어 있다. 열처리 용기(1)의 한쪽에는 열처리 용기(1)내에 반응 가스를 공급하기 위한 가스 공급구(5)가 형성되고, 또 다른쪽에는 열처리 용기(1)로부터 가스를 배출시키는 가스 배출구(6)가 형성되어 있다.
열처리 용기(1)의 내부에는 흑연에 탄화규소(SiC) 코팅이 실시되어 형성된 서셉터(2)가 구비되어 있다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 서셉터(2)의 주표면에는 웨이퍼(W)를 대략 수평 방향으로 배치하기 위한 대략 원형의 포켓(2a)이 형성되어 있다. 서셉터(2)의 외주의 중심[포켓(2a)의 중심과 동일하다]을 2b로 나타낸다.
서셉터(2)는 도 1에 도시하는 바와 같이, 하방으로부터 서포트 수단(7)에 의해서 지지되어 있다. 서포트 수단(7)은 서셉터(2)의 하방에 있어서 상하 방향으로 연장하는 회전축(7a)과, 회전축(7a)의 상단부로부터 방사형으로 분기하고, 그 선단부가 서셉터(2) 하면을 지탱할 수 있는 스포크(spoke; 7b)에 의해 주로 구성되어 있다. 회전축(7a)에는 도시하지 않는 회전 구동 수단이 연결되어 있고, 서셉터(2)는 서포트 수단(7)에 지지됨으로써, 열처리 용기(1)내에서 2b를 중심으로 회전 가능해지도록 구비되어 있다.
열처리 용기(1)의 상방 및 하방에는 할로겐 램프 등으로 구성되는 가열장치(8)가 설치되고, 서셉터(2)에 배치되는 웨이퍼(W)를 가열할 수 있도록 되어 있다. 또한 열처리 장치(100)에는 여러 가지 반응 가스 등을 소정의 조성 및 유량으로 열처리 용기(1)내에 공급하기 위한 가스 공급 장치(도시 생략) 등이 구비되어 있고, 가스공급관(9) 등을 통해 열처리 용기(1)에 가스가 공급되도록 되어 있다.
베이스(4: 지지수단)는 열처리 용기(1)내의 서셉터(2) 측방에 있어서, 서셉터(2)의 주위를 둘러싸도록 설치되어 있고, 상부에는 예열 링(3)을 배치하기 위한 포켓(4a)이 형성되어 있다.
예열 링(3)은 흑연에 탄화규소(SiC)가 코팅된 링형의 부재이고, 열처리 용기(1)내에 있어서 베이스(4)의 포켓(4a) 상에 배치(지지)되고, 서셉터(2)의 측방 주위를 둘러싸도록 설치되어 있다. 예열 링(3)의 내주를 31, 외주를 32로 한다.
예열 링(3)은 열처리 중에 열 팽창하기 때문에, 예열 링(3)이 배치된 상태에 있어서, 베이스(4)의 포켓 내주(4aa)와, 예열 링(3)의 외주(32)의 사이에는 소정의 틈 C가 생기도록, 예열 링(3)의 외경의 크기(및 베이스(4)의 포켓(4a)의 크기)가 설정된다. 여기서, 예열 링(3)은 서셉터(2)의 중심에 맞추어서 포켓(4a) 내에 설치되기 때문에, 예열 링(3)의 주위에서 틈 C의 폭에 치우침이 생기는 경우가 있다. 틈 C의 폭이 작게 설정되어 있으면, 상기와 같이 예열 링(3)의 주위에서 틈 C의 폭에 치우침이 생긴 경우, 열 팽창한 예열 링(3)이 틈 C의 폭이 좁은 부분에서 포켓 내주(4aa)와 접촉하여, 예열 링(3)이 어긋나 결국 서셉트(2)와 접촉하여 버린다.한편으로, 포켓 내주(4aa)와, 예열 링(3)의 틈 C의 폭이 지나치게 크면, 예열 링(3)을 베이스(4)상에서 위치 결정하기 어려워진다. 그래서, 예열 링(3)이 열처리 중에 1.5 내지 2.5mm 정도 열 팽창하는 것을 고려하여, 예열 링(3)과 포켓 내주(4aa)의 틈 C의 크기로서는 약 2.0mm으로 하면 바람직하여, 예열 링(3)의 외경은 이 틈 C의 범위를 감안하여 설정한다.
또한 예열 링(3)은 베이스(4)에 지지된 상태에서, 서셉터(2)의 주위와의 사이에 소정의 틈 A를 설치하여 비접촉이 되도록 하고, 서셉터(2)에 근접하여, 구비되도록 한다. 서셉터(2)와 예열 링(3)의 틈 A가 지나치게 크면, 서셉터(2)와의 거리가 커져, 웨이퍼(W) 주위의 온도 저하를 방지하는 등의 예열 링(3)의 기능을 충분하게 발휘할 수 없기 때문이다. 따라서, 틈 A의 폭으로서는 약 1.0 내지 2.5mm 정도가 되도록 하는 것이 바람직하고, 예열 링(3)의 내경은 이 틈 A를 감안하여 설정한다.
그런데, 열처리 장치(100)에 있어서는 서셉터(2)의 중심(2b)과, 베이스(4)의 포켓(4a)의 내주 중심(4b)이 일치하여, 서셉터(2)의 외주와, 베이스(4)의 포켓 내주(4aa)가 동심원이 되도록 설계된다. 그러나, 열처리 장치(100)를 구성하는 각 부재의 점도나, 조립 정밀도의 오차 등에 의해서, 도 2에 도시하는 바와 같이, 서셉터(2)의 중심(2b)과, 베이스(4)의 포켓(4a)의 내주 중심(4b)과 약간의 어긋남이 생기는 경우가 있다.
그래서 예열 링(3)을 도 3에 도시하는 바와 같이, 내주 중심(31a)과 외주 중심(32a)이 어긋나도록, 즉, 외주(32)에 대하여 내주 중심(31a)이 편심한 형상이되도록 형성한다.
예열 링(3)의 내주 중심(31a)을 외주(32)에 대하여 편심시키는 정도에 관해서는 개개의 열처리 장치에 의해서 서셉터(2)와 베이스(4)의 어긋남의 정도가 다르기 때문에, 적절하게 설정한다.
일 예로서, 직경이 300mm인 웨이퍼(W)를 처리하는 매엽식의 열처리 장치 중, 서셉터(2)의 외주의 직경이 약 373mm이고, 베이스(4)의 포켓 내주(4aa)의 직경이 약 447mm이고, 예열 링의 내경이 약 377mm이고, 외경이 약 443mm인 열처리 장치의 경우, 서셉터(2)의 중심(2b)이 베이스(4)의 포켓(4a)의 내주 중심(4b)에 대하여, 1 내지 2mm 어긋나는 것이 많다. 따라서, 이 타입의 열처리 장치에 있어서는 내주 중심과 외주 중심이 1 내지 2mm 어긋나도록 형성하는 일이 많다. 따라서, 예열 링을 사용하면 좋다.
또한, 다른 크기의 웨이퍼(W)를 처리하는 열처리 장치에 있어서도, 서셉터가 베이스에 대하여 어긋나는 크기의 정도를 적절하게 감안하여, 예열 링을 형성하면 좋다.
예열 링(3)을 베이스(4)상에 설치할 때는 예열 링(3)을 베이스(4)에 배치한 후, 예열 링(3)의 전체 주위에 걸쳐서 포켓 내주(4aa)와의 사이에 상기와 같은 틈 C가 생기도록, 예열 링(3)의 외주 부분을 베이스(4)에 대하여, 위치 결정한다. 예열 링(3)의 일부가 포켓 내주(4aa)에 접촉하여 구비된 경우, 열처리 중에 예열 링(3)이 열 팽창하여 서셉터(2)의 방향으로 어긋나는 일이 없기 때문이다.
또한, 예열 링(3)의 내주 중심(31a)과, 서셉터(2)의 중심(2b)의 거리가 최소가 되도록, 예열 링(3)의 둘레 방향의 방향을 위치 결정한다. 이와 같이 둘레 방향의 위치 결정을 함으로써, 서셉터(2)의 외주와, 예열 링(3)의 내주(31)를, 보다 동심원에 가까운 상태로 할 수 있기 때문에, 서셉터(2)와 예열 링(3)의 틈 A를 서셉터(2)의 전체 주위에 걸쳐서 보다 균일하게 형성할 수 있고, 예열 링(3)과 서셉터(2)를 보다 바람직하게 비접촉으로 할 수 있기 때문이다. 또한, 예열 링(3)의 내주 중심(31a)과, 서셉터(2)의 중심(2b)이 일치하면, 가장 바람직하다.
이 열처리 장치(100)에 의한 열처리 방법을 설명한다.
우선, 열처리 용기(1)내에서, 예열 링(3)을 베이스(4)에 배치하고, 상기한 바와 같이, 베이스(4)의 포켓 내주(4aa)와, 서셉터(2)에 대하여, 예열 링(3)을 위치 결정한다.
그리고, 열처리 용기(1)내의 서셉터(2)상에 웨이퍼(W)를 배치하여, 열처리를 실시한다. 열처리는 웨이퍼(W)를 배치한 서셉터(2)를 둘레 방향으로 회전시키고, 가열장치(8)에 의해서, 웨이퍼(W)와 예열 링(3)을 소정의 온도로 가열한다. 그리고, 웨이퍼(W) 표면 상에 가스가 흐르도록, 가스 공급구(5)측에서 가스 배출구 방향으로 반응 가스를 소정의 유량 및 조성으로 유통시킨다.
예를 들면, 실리콘 에피택셜층 형성의 경우에는 실리콘 원료 가스(예를 들면 디클로로실란, 트리클로로실란 등)나 도펀트 가스 등을, 또한 질화규소막 형성의 경우에는 모노실란과 암모니아 등을, 또한 에칭으로서는 삼불화질소(NF3)나 삼불화염소(ClF3) 등의 에칭 가스를 수소 가스 등의 캐리어 가스와 동시에 가열한 웨이퍼(W) 상에 공급한다. 이 반응 가스와 캐리어 가스의 혼합가스에 의해서, 웨이퍼(W) 주표면에 실리콘 에피택셜층이나 질화규소막 등의 박막 형성, 에칭이 행해진다. 또한, 가열 온도, 유통시키는 가스의 조성 및 유량, 유통 시간 등은 소망으로 하는 박막의 특성이나 두께, 혹은 에칭이면 에칭 두께 등, 처리마다 적절하게 설정한다.
이와 같이 예열 링(3)을 위치 결정하여, 서셉터(2) 및 베이스(4)의 포켓(4a)에 대하여, 소정의 틈 A 및 틈 C를 설치하여, 웨이퍼(W)에 열처리를 함으로써, 열처리 중에 예열 링(3)이 열 팽창하거나, 서셉터(2)가 회전하여, 라도, 예열 링(3)과 서셉터(2)가 접촉하지 않고서, 또한 예열 링(3)이 서셉터(2)주위를 근접하여 둘러싸고, 적합하게 열처리를 실시할 수 있다.
이상의 열처리 장치(100)에 의하면, 예열 링(3)은 내주 중심(31a)이 외주(32)에 대하여 편심한 형상이 되도록 형성되어 있기 때문에, 서셉터(2)의 중심이 베이스(4)의 포켓 내주(4aa)에 대하여, 어긋나 있는 경우라도, 예열 링(3)을 베이스(4)에 배치하여, 서셉터(2)의 중심과 예열 링(3)의 내주(31)의 중심의 거리가 최소가 되도록, 예열 링(3)을 위치 결정함으로써, 서셉터(2)의 전체 주위에 걸쳐서 예열 링(3)과의 사이에 소정의 틈 A를 형성할 수 있다. 따라서, 서셉터(2)와 예열 링(3)이 근접하고 또한 비접촉이 되도록 용이하게 조정할 수 있다. 또한 그것에 의해서, 열처리 장치의 정비 후의 조정 등에 요하는 시간이나 단축할 수 있기 때문에, 생산성을 향상시키는 것도 가능해지고 바람직하다.
또한, 서셉터(2)와 예열 링(3)이 근접 또한 비접촉 열처리를 할 수 있기 때문에, 열처리 서셉터(2)와 예열 링(3)의 접촉에 의한 미립자의 발생을 저감시킬 수있고, 웨이퍼(W)에 부착하는 미립자를 감소시킬 수 있다. 그 결과 수율 저하를 억제할 수 있게 되어 바람직하다.
또, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것이 아니다.
예를 들면, 예열 링을 지지하는 지지수단은 베이스 외에, 아암 등으로 예열 링 하면의 복수 개소를 하방으로부터 지지하는 것이라도 좋다. 이러한 열처리 장치에 있어서도, 서셉터가 예열 링의 지지수단에 대하여 어긋나 있는 경우에, 예열 링을 지지 수단상으로 이동시키면, 서셉터 전체 주위에 걸쳐서 예열 링을 비접촉 또한 근접하도록 구비할 수 있다.
또한, 한번에 복수매의 웨이퍼(W)를 처리하는 서셉터를 구비하는 열처리 장치에 본 발명을 적용하여도 좋다.
또한 열처리 장치에 있어서, 외주 중심에 대하여 내주 중심을 편심시키는 정도를 바꾼 예열 링을 복수 준비하여, 서셉터 중심이 예열 링의 지지수단에 대하여 어긋나 있는 정도를 감안하면서, 예열 링을 적절하게 선택하여 사용하도록 하여도 좋다.
〔실시예〕
본 실시예에 있어서는 도 1에 있어서의 열처리 장치(100)를 사용하여, 직경 300mm의 웨이퍼에 기상 에피택셜 성장을 실시하였다.
사용한 열처리 장치(100)는 서셉터 외주의 직경이 약 373mm이고, 베이스의 포켓 내주의 직경이 약 447mm이고, 베이스의 내주 중심에 대하여, 서셉터의 중심이약 1mm 어긋나 있었다. 또한 예열 링은 내경이 약 377mm이고, 외경이 약 443mm이고, 내주 중심과 외주 중심이 1mm 어긋나도록, 내주 중심을 외주에 대하여 편심시켜 형성하였다.
상기 실시 형태에 따라서, 예열 링을 베이스의 포켓에 배치한 후, 예열 링을 베이스의 포켓 내주와, 서셉터에 대하여, 위치 결정하였다. 이 상태에 있어서, 예열 링과, 서셉터는 서셉터 전체 주위에 걸쳐서 약 1.5 내지 2.5mm 범위의 틈이 형성되어 있었다.
그 후, 서셉터에 웨이퍼를 배치하여, 실리콘 단결정 박막의 기상 성장을 실시하였다. 기상 성장은 가열장치에 의해 웨이퍼를 약 1110℃ 내지 1190℃에서 가열하고, 소정의 시간 열처리 용기 내에 실리콘 원료 가스 등을 공급함으로써, 웨이퍼 주표면 상에 약 3㎛의 실리콘 에픽택셜층을 형성시켰다.
이 실리콘 에피택셜층이 형성된 웨이퍼에 대하여, 레이저광을 사용하는 미립자 카운터에 의해, 웨이퍼 주표면에 부착된 미립자를 검출하였다.
그 결과, 웨이퍼의 주표면 상에서 검출된 미립자수는 0.12 내지 10.0㎛의 미립자가 6개이고, 10㎛보다 큰 미립자는 검출되지 않았다. 이 웨이퍼상에서 검출된 미립자를 도 4a에 도시하였다.
〔비교예〕
본 비교예에서는 내주 중심이 외주 중심과 일치하고 있는 예열 링을 구비한 종래의 열처리 장치를 사용하여, 예열 링과 서셉터가 접촉한 상태에서, 상기 실시예와 동일 조건으로 실리콘 단결정 박막의 기상 성장을 실시하였다.
실리콘 에피택셜층이 형성된 웨이퍼에 대하여, 상기 실시예와 동일하게 웨이퍼 주표면의 미립자를 검출한 바, 미립자수는 0.12 내지 10.0㎛의 미립자가 183개이고, 10㎛보다 큰 미립자는 33개였다. 이 웨이퍼 상에서 검출된 미립자를 도 4b에 도시한다.
또한, 도 4b에서, 웨이퍼 주위의 화살표로 나타내는 개소는 서셉터와 예열 링이 접촉한 위치에 대응한다.
실시예와 비교예의 비교로부터, 서셉터와, 예열 링이 접촉하면, 비접촉의 상태와 비교하여 미립자수가 극단적으로 증가하고 있다. 또한, 서셉터와 예열 링의 접촉 개소에 가까운 개소에서 많은 미립자가 검출되어 있기 때문에, 서셉터와 예열 링의 접촉이 미립자 발생에 크게 관여하고 있다고 생각된다.
따라서, 외주에 대하여, 내주 중심이 편심한 예열 링을 형성하고, 서셉터와 비접촉 또한 근접하도록 위치 결정하여 열처리를 실시함으로써, 미립자의 발생을 대폭 저감시킬 수 있기 때문에, 웨이퍼에 대한 미립자의 부착을 방지하여, 수율의 저하를 억제할 수 있기 때문에 바람직하다.
본 발명에 따르면, 서셉터의 중심이 예열 링의 지지수단에 대하여 어긋나 있는 경우라도, 서셉터의 중심과 예열 링의 내주 중심의 거리가 가장 작아지도록 예열 링을 이동하여 지지수단에 의해서 지지시킴으로써, 서셉터와 예열 링 사이에 적절한 틈을 형성할 수 있어, 서셉터와 예열 링이 접촉하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 예열 링을 베이스의 포켓 내에서 외주를 위치 결정할 수 있는 동시에, 서셉터가 베이스에 대하여 어긋나 있는 경우라도, 예열 링을 베이스 내에서 이동시킴으로써, 예열 링과 서셉터가 비접촉이 되도록 용이하게 조정할 수 있다.
또한, 예열 링과 서셉터를 비접촉 미립자의 발생을 억제하는 상태에서, 기판에 적합하게 열처리를 실시할 수 있다.
따라서, 서셉터와 예열 링의 접촉을 용이하게 방지할 수 있고, 미립자가 발생하여 기판에 부착되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 열처리에 있어서의 수율 저하를 억재하는 것이 가능해진다. 또한, 예열 링과 서셉터의 조정이 용이하게 되어 열처리 장치의 정비 등에 있어서의 조업 정지 시간을 단축시킬 수 있어 바람직하다. 따라서, 본 발명의 열처리 장치 및 열처리 방법은 실리콘 단결정 웨이퍼 등의 반도체 기판의 주표면 상에 실리콘 에피택셜층이나 질화규소막 등의 박막을 형성시키는 데 특히 적합하다.

Claims (7)

  1. 열처리 용기 내에 회전 가능하게 구비되고, 기판이 배치되는 서셉터와;
    상기 열처리 용기 내에 설치되는 지지수단에 의해서 지지되고, 상기 서셉터에 근접하고 또한 비접촉이 되도록, 상기 서셉터의 주위를 둘러싸는 예열 링과;
    상기 서셉터에 배치되는 기판을 가열하는 가열장치가 구비되어 있는 열처리 장치에 있어서,
    상기 예열 링은 내주 중심이 상기 예열 링의 외주에 대하여, 편심하도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 지지수단은 상기 예열 링을 배치하기 위한 포켓이 형성된 베이스인 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 예열 링의 내주 중심과 상기 서셉터의 중심이 일치하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 베이스의 포켓 내주와, 상기 예열 링의 외주 사이에 소정의 틈이 생기도록, 상기 예열 링의 외경의 크기 및 상기 베이스의 포켓의 크기가 설정되는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  5. 제 1 항에 기재된 열처리 장치에 있어서의 상기 지지수단에 의해서 지지되기 상기 예열 링을 상기 서셉터의 주위로 이동시켜, 상기 예열 링의 내주의 중심과 상기 서셉터의 중심의 거리가 최소가 되도록 상기 예열 링을 위치 결정하고, 그 후, 상기 서셉터에 기판을 배치하여, 상기 기판에 열처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.
  6. 제 2 항에 기재된 열처리 장치에 있어서의 베이스에 배치된 상기 예열 링을 상기 포켓 내로 이동시켜, 상기 예열 링의 내주의 중심과 상기 서셉터의 중심의 거리가 최소가 되도록 상기 예열 링을 위치 결정하고, 그 후, 상기 서셉터에 기판을 배치하여, 상기 기판에 열처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 예열 링을 위치 결정한 후, 상기 서셉터에 기판을 배치하고, 상기 기판에 박막의 기상 성장을 실시하는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101525210B1 (ko) * 2013-12-20 2015-06-05 주식회사 유진테크 기판 처리장치
KR20190100365A (ko) * 2017-03-07 2019-08-28 가부시키가이샤 사무코 에피택셜 성장 장치 및 프리히트 링 그리고 그들을 이용한 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4348542B2 (ja) * 2004-08-24 2009-10-21 信越半導体株式会社 石英治具及び半導体製造装置
JP5521561B2 (ja) * 2010-01-12 2014-06-18 信越半導体株式会社 貼り合わせウェーハの製造方法
US9171702B2 (en) * 2010-06-30 2015-10-27 Lam Research Corporation Consumable isolation ring for movable substrate support assembly of a plasma processing chamber
US9890455B2 (en) * 2010-10-29 2018-02-13 Applied Materials, Inc. Pre-heat ring designs to increase deposition uniformity and substrate throughput
DE102011007632B3 (de) 2011-04-18 2012-02-16 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer von Prozessgas stammenden Materialschicht auf einer Substratscheibe
US9481838B2 (en) 2012-06-18 2016-11-01 General Electric Company Capture and storage of emissions from a gasifier
JP5343162B1 (ja) * 2012-10-26 2013-11-13 エピクルー株式会社 エピタキシャル成長装置
TWI648427B (zh) * 2013-07-17 2019-01-21 應用材料股份有限公司 用於交叉流動類型的熱ｃｖｄ腔室之改良的氣體活化的結構
US10047457B2 (en) 2013-09-16 2018-08-14 Applied Materials, Inc. EPI pre-heat ring
KR101539298B1 (ko) * 2013-11-25 2015-07-29 주식회사 엘지실트론 에피택셜 웨이퍼 성장 장치
JP6444641B2 (ja) * 2014-07-24 2018-12-26 株式会社ニューフレアテクノロジー 成膜装置、サセプタ、及び成膜方法
KR20170054447A (ko) * 2014-09-05 2017-05-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판들의 열적 프로세싱을 위한 서셉터 및 예열 링
CN108603290B (zh) 2015-10-01 2021-09-10 环球晶圆股份有限公司 Cvd设备
JP6789100B2 (ja) * 2016-12-27 2020-11-25 昭和電工株式会社 サセプタ、気相成長装置及び気相成長方法
JP6521140B2 (ja) * 2018-04-24 2019-05-29 株式会社Sumco エピタキシャル成長装置およびプリヒートリングならびにそれらを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法
JP2020191346A (ja) * 2019-05-21 2020-11-26 クアーズテック株式会社 サセプタおよびエピタキシャル成長装置
CN111477565B (zh) * 2020-03-26 2023-06-16 北京北方华创微电子装备有限公司 一种外延设备

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6052575B2 (ja) * 1979-06-26 1985-11-20 株式会社日立国際電気 半導体気相成長装置
US5421957A (en) * 1993-07-30 1995-06-06 Applied Materials, Inc. Low temperature etching in cold-wall CVD systems
JP3122364B2 (ja) 1996-02-06 2001-01-09 東京エレクトロン株式会社 ウエハボート
US6153260A (en) * 1997-04-11 2000-11-28 Applied Materials, Inc. Method for heating exhaust gas in a substrate reactor
US6022587A (en) * 1997-05-13 2000-02-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improving film deposition uniformity on a substrate
US6176929B1 (en) * 1997-07-22 2001-01-23 Ebara Corporation Thin-film deposition apparatus
JPH1167670A (ja) * 1997-08-14 1999-03-09 Furukawa Electric Co Ltd:The 気相成長装置
US6489241B1 (en) * 1999-09-17 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for surface finishing a silicon film

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101525210B1 (ko) * 2013-12-20 2015-06-05 주식회사 유진테크 기판 처리장치
KR20190100365A (ko) * 2017-03-07 2019-08-28 가부시키가이샤 사무코 에피택셜 성장 장치 및 프리히트 링 그리고 그들을 이용한 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법
US10975495B2 (en) 2017-03-07 2021-04-13 Sumco Corporation Epitaxial growth apparatus, preheat ring, and method of manufacturing epitaxial wafer using these

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