JP7257920B2 - 気相成長装置の基板搬送機構及び基板搬送方法 - Google Patents

気相成長装置の基板搬送機構及び基板搬送方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7257920B2
JP7257920B2 JP2019159283A JP2019159283A JP7257920B2 JP 7257920 B2 JP7257920 B2 JP 7257920B2 JP 2019159283 A JP2019159283 A JP 2019159283A JP 2019159283 A JP2019159283 A JP 2019159283A JP 7257920 B2 JP7257920 B2 JP 7257920B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
chuck
substrate transfer
mounting table
upper cover
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019159283A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021039994A (ja
Inventor
優志 富田
優哉 山岡
瑛一 井口
康右 内山
冠錫 朴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Nippon Sanso Corp
Original Assignee
Taiyo Nippon Sanso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Nippon Sanso Corp filed Critical Taiyo Nippon Sanso Corp
Priority to JP2019159283A priority Critical patent/JP7257920B2/ja
Publication of JP2021039994A publication Critical patent/JP2021039994A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7257920B2 publication Critical patent/JP7257920B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は、気相成長装置の基板搬送機構及び基板搬送方法に関し、詳しくは、気相成長装置において基板を自動搬送によりサセプタに設置する基板搬送機構及び基板搬送方法に関する。
気相成長法により半導体を製造する気相成長装置では、シリコンやサファイヤなどのウェハーからなる基板をサセプタに設置し、チャンバー内で高温に加熱するとともに、その表面に半導体の原料となる有機金属を含んだ材料とキャリアガスとを流して分解・化学反応させ、基板表面に半導体結晶の薄膜をエピタキシャル成長させている。
従来の気相成長装置では、サセプタに対して基板を設置したり取り出したりすることは手動で行われており、生産性が高くなかった。また、基板の設置や取り出しを手動で行うことで、ピンセット等が基板表面に接触したり、基板とサセプタとがこすれて生じたパーティクルが基板表面に付着したりすることがあり、半導体の歩留まりの低下を招いていた。
そこで、気相成長装置において基板を自動搬送によりサセプタに設置する基板搬送機構が提案されている(例えば、特許文献1乃至3参照。)。特許文献1及び2に記載された気相成長装置の基板搬送機構では、サセプタ底面に基板を支持する複数のピンを昇降可能に設けて、これらのピンによって基板をサセプタから浮かせた状態で受け取れるようにすることで、基板を載せて運ぶアームに対して基板の受け取りや受け渡しを行えるように構成されている。
特開平2-112255号公報 特開2000-208419号公報 特開2003-017544号公報
しかしながら、このような構成では、昇降可能なピンをサセプタ底面に設けるためにサセプタ底面にピンを通す孔部を複数箇所設ける必要があり、この孔部によって、基板を加熱する際に温度分布に偏りが生じ、半導体結晶の成膜について均一性が損なわれるという問題があった。
また、特許文献3に記載されている気相成長装置の基板搬送機構では、基板を運ぶアームの先端に真空チャックが設けられており、基板を上面から把持できるように構成されているが、基板又は基板に成膜した半導体結晶の表面に真空チャックが接触して傷をつけやすく、半導体結晶の均一な成膜が損なわれ、半導体の歩留まり低下の要因となっていた。
そこで本発明は、半導体結晶の均一な成膜を促すことができ、半導体の歩留まりがよい気相成長装置の基板搬送機構及び基板搬送方法を提供することを目的としている。
上記目的を達成するため、本発明の気相成長装置の基板搬送機構は、サセプタに基板受け渡し位置で基板の設置及び取り出しを行う気相成長装置の基板搬送機構であって、前記サセプタの、前記基板受け渡し位置に対応する位置には、円形の貫通孔である円孔部と、該円孔部を塞ぐ円盤状の基板載置台が設けられており、前記基板受け渡し位置の上方には、基板ケースと基板受け渡し位置とを往復して基板を搬送する搬送アームによって基板受け渡し位置の直上に運ばれた基板の外周を支持可能な複数の爪部を有する上部チャックと、該上部チャックの上方に位置し、該上部チャックの前記爪部を通す切欠き部を有し、内径が基板の径に対応した円筒形状の上部カバーと、前記上部チャックの前記爪部を開閉可能な爪部開閉手段と、前記上部チャックを昇降可能な上部チャック昇降手段と、前記上部カバーを昇降可能な上部カバー昇降手段とを備え、前記基板受け渡し位置の下方には、前記サセプタの下方に位置し、前記基板載置台を下方から把持する下部チャックと、該下部チャックを動作させる下部チャック動作部と、該下部チャックを昇降可能な下部昇降手段とを備えていることを特徴としている。
また、前記基板載置台は、前記円孔部よりも径が大きい基礎部と、該基礎部の上方に突出した、基板よりも径が小さい載置部と、該基礎部の下方に突出した、円孔部よりも外径が小さい円筒部とを備え、前記下部チャックは、前記下部チャック動作部によって動作する、水平方向へと放射状に伸縮して前記基板載置台の前記円筒部を内側から固定可能な複数の固定具を備えていることを特徴としている。
さらに、本発明の気相成長装置の基板搬送機構を用いた基板搬送方法は、前記下部チャックが前記下部昇降手段により上昇して基板載置台を押し上げる第一工程と、前記下部チャックが押し上げた基板載置台を前記下部チャック動作部により把持する第二工程と、前記搬送アームが前記基板ケースから前記基板受け渡し位置の直上に基板を搬送する第三工程と、前記上部チャックが前記上部チャック昇降手段により基板の高さまで下降する第四工程と、下降した前記上部チャックが前記爪部開閉手段により前記爪部を閉じて基板の外周を支持することで基板を把持する第五工程と、基板を把持した上部チャックが上部昇降シリンダによりわずかに上昇した後、前記搬送アームが前記基板受け渡し位置の直上から後退する第六工程と、基板を把持した前記上部チャックが前記上部チャック昇降手段により押し上げられた前記基板載置台の高さまで下降する第七工程と、前記上部カバーが前記上部カバー昇降手段により下降して該上部カバーの下端が基板の水平方向への移動を規制する第八工程と、前記上部チャックの前記爪部開閉手段が前記爪部を開いて基板を前記基板載置台に載置する第九工程と、前記上部カバー昇降手段により前記上部カバーが上昇する第十工程と、前記上部チャック昇降手段により前記上部チャックが上昇する第十一工程と、前記下部チャックが前記下部チャック動作部により基板載置台を把持した状態を解除する第十二工程と、前記下部チャックが前記下部昇降手段により下降する第十三工程とを含むことを特徴としている。
本発明の気相成長装置の基板搬送機構及び基板搬送機構方法によれば、搬送アームによって基板受け渡し位置の上方に運ばれた基板を、上部チャックが基板の外周を支持して上部チャック昇降手段で降ろし、下部チャックが把持した基板載置台を下部昇降手段によってサセプタから押し上げて、上部チャックが放した基板を受け止めた後、基板載置台をサセプタに戻すことで、搬送アームから送られた基板を、基板上面との接触がないように搬送してサセプタに設置することができるので、搬送の過程で基板表面を傷つけることがなく、半導体結晶の均一な成膜を促すことができる。
また、基板は、搬送の際に、基板載置台に真上から載置されるので、基板の底面がこすられることがなく、パーティクルの発生を抑えられるので、半導体結晶の均一な成膜をより促すことができる。
そして、基板載置台にはピン孔がないので、サセプタに設置した基板を加熱する際に、望ましくない温度分布を生じさせて半導体結晶の均一な成膜を損なうことがない。
本発明にかかる気相成長装置の基板搬送機構における一形態例を模式的に示す側面図である。 気相成長装置のサセプタに設けられた基板載置台と上部チャック及び上部カバーとを示す側面図である。 本発明の基板搬送機構を用いて基板を搬送する方法の第一工程を示す説明図である。 同じく第二工程を示す説明図である。 同じく第三工程を示す説明図である。 同じく第四工程を示す説明図である。 同じく第五工程を示す説明図である。 同じく第六工程を示す説明図である。 同じく第七工程を示す説明図である。 同じく第八工程を示す説明図である。 同じく第九工程を示す説明図である。 同じく第十工程を示す説明図である。 同じく第十一工程を示す説明図である。 同じく第十二工程を示す説明図である。 同じく第十三工程を示す説明図である。
図1及び図2は、本発明にかかる気相成長装置の基板搬送機構12を示しており、図3乃至図15は、基板搬送機構12により基板を搬送する工程を示している。
図1及び図2に示されるように、基板搬送機構12は、鉛直方向に延びた回転軸Aを中心に回転する回転テーブル13に取り付けられた、平面視で円形のサセプタ14に対して基板15の設置及び取り出しを行うものである。
回転軸Aから長さD離れた位置には、基板15の受け渡しを行う基板受け渡し位置16と、基板受け渡し位置16を通って鉛直方向に延びた受け渡し中心軸Cとが設定されている。また、サセプタ14には、回転軸Aを中心として半径が長さDの円周上の回転対称となる位置に、円形の貫通孔である円孔部14aが複数配設されている。したがって、サセプタ14は、回転テーブル13の回転によって、各円孔部14aを円の中心が受け渡し中心軸Cを通る位置に移動させることができる。
各円孔部14aには、それぞれ、上から被さって円孔部14aを塞ぐ円盤状の基板載置台17が設置されている。基板載置台17は、円孔部14aよりも径が大きい基礎部17aと、基礎部17aの上方に突出して基板15よりも径が小さい円形状の載置部17bと、基礎部17aの下方に突出した、外径が円孔部14aよりも小さい円筒部17cとを備えている。
サセプタ14の上方には、基板ケース(図示せず)と基板受け渡し位置16とを往復して基板15を搬送する搬送アーム18が設けられており、さらにその上方には、受け渡し中心軸Cを中心とする上部チャック19及び上部カバー20と、上部チャック19及び上部カバー20を個別に昇降可能な上部昇降シリンダ21とが設けられている。
上部チャック19は、受け渡し中心軸Cを中心にして90度回転対称となる4カ所に設けられた、端部にL字状の返しを有する爪部19aと、各爪部19aを開閉可能な爪部開閉駆動部19bとによって基板15の外周を支持可能に形成されている。上部カバー20は、基板15の径に対応した内径を有する円筒形状の部材であり、受け渡し中心軸Cを中心として上部チャック19の爪部19aの上側に配設され、上部昇降シリンダ21による昇降の際に上部チャック19の爪部19aと衝突しないように、爪部19aを通す切欠き部20aを有している。
基板受け渡し位置16の下方には、受け渡し中心軸Cを中心とする下部チャック22と、下部チャック22を動作させる下部チャック動作部23と、下部チャック22を昇降可能な下部昇降シリンダ24とが設けられている。下部チャック22は、受け渡し中心軸Cを中心にして90度回転対称となる4カ所に設けられた、下部チャック動作部23により水平方向へと放射状に同期して伸縮する固定具22aを備え、基板載置台17の円筒部17cを内側から固定することで、直上に位置した基板載置台17を下方から把持できるように形成されている。
ここで、図示していないが、搬送アーム18の基板15を載せる板状の先端部分は、基板15の径よりも幅が狭く、かつ、二股に形成されており、基板15を載せても図1における基板15の手前側、奥側、右側及び左側にあたる外周付近の底面が覆われないので、上部チャック19の各爪部19aが基板15の外周を支持する際に、爪部19aと衝突することがない。
以下、本発明の基板搬送方法における、基板搬送機構12により基板15を搬送アーム18からサセプタ14に搬送する一連の工程を説明する。図3に示されるように、第一工程では、下部昇降シリンダ24によって下部チャックが22上昇して基板載置台17を所定の高さまで押し上げる。
図4に示されるように、第二工程では、下部チャック22が、下部チャック動作部23により各固定具22aを伸ばして基板載置台17の円筒部17cの内壁に押し付けることで、押し上げた基板載置台17を把持するとともに、基板載置台17の中心を下部チャック22の中心、すなわち、受け渡し中心軸Cに合わせる。
図5に示されるように、第三工程では、搬送アーム18が、基板15が収納されている基板ケース(図示せず)から基板受け渡し位置16の直上に基板15を搬送する。
図6に示されるように、第四工程では、上部チャック19と上部カバー20とが上部昇降シリンダ21により基板15の高さまで下降する。
図7に示されるように、第五工程では、下降した上部チャック19が爪部開閉駆動部19bにより爪部19aを閉じて基板15の外周を支持することで基板15を把持する。
図8に示されるように、第六工程では、基板15を把持した上部チャック19が上部昇降シリンダ21によりわずかに上昇した後、基板15を渡した搬送アーム18が基板受け渡し位置16の直上から後退する。
図9に示されるように、第七工程では、基板15を把持した上部チャックが上部カバー20とともに、上部昇降シリンダ21により、押し上げられた基板載置台17の高さまで下降する。
図10に示されるように、第八工程では、上部カバー20が上部昇降シリンダ21により下降して上部カバー20の下端が基板載置台17の基礎部17aまで下がり、基板15の外周を覆って水平方向への移動を規制する。
図11に示されるように、第九工程では、上部チャック19の爪部開閉駆動部19bが爪部19aを開いて基板15を基板載置台17に載置する。
図12に示されるように、第十工程では、上部昇降シリンダ21により上部カバー20が上部チャック19の爪部19aの上側に上昇する。
図13に示されるように、第十一工程では、上部昇降シリンダ21により上部チャック19と上部カバー20とが元の高さまで上昇する。
図14に示されるように、第十二工程では、下部チャックが、伸ばしていた各固定具22aを下部チャック動作部23により縮めて、基板載置台17を把持した状態を解除する。
図15に示されるように、第十三工程では、下部チャック22が下部昇降シリンダ24により下降して、基板15が載置された基板載置台17がサセプタ14に戻される。
このように、本発明にかかる気相成長装置の基板搬送機構12及び基板搬送機構12を用いた基板搬送機構方法によれば、搬送アーム18によって基板受け渡し位置16の上方に運ばれた基板15を、上部チャック19が基板15の外周を支持して上部昇降シリンダ21で降ろし、下部チャック22が把持した基板載置台17を下部昇降シリンダ24によってサセプタ14から押し上げて、上部チャック19が放した基板15を受け止めた後、基板載置台17をサセプタ14に戻すことで、搬送アーム18から送られた基板15を、基板15上面との接触がないように搬送してサセプタ14に設置することができるので、搬送の過程で基板15表面を傷つけることがなく、半導体結晶の均一な成膜を促すことができる。
また、基板15は、搬送の際に、基板載置台17に真上から載置されるため、底面をこすられることがなく、パーティクルの発生を抑えられるので、半導体結晶の均一な成膜をより促すことができる。
また、基板載置台17にはピン孔がないので、サセプタ14に設置した基板15を加熱する際に、望ましくない温度分布を生じさせて半導体結晶の均一な成膜を損なうことがない。
さらに、基板載置台17の載置部17bの径が基板の径よりも小さいことで、基板15外周の下面に入り込んだ上部チャック19の爪部19aの先端が基板載置台17と接触して載置位置がずれることがなく、また、上部チャック19が基板載置台17に基板15を載置する際に、上部カバー20が下降して、上部カバー20の下端が基板15の外周を囲って水平方向の移動を規制することで、上部チャック19が把持した基板15を放す際に、基板15が基板載置台17に対してずれて載置されることがない。
しかも、下部チャック22が水平方向へと放射状に同期して伸縮する複数の固定具22aを備えていることで、下部チャック22が基板載置台17を把持すると、固定具22aの中心軸、すなわち、受け渡し中心軸Cと、固定具22aによって把持される基板載置台17の円筒部17cの中心軸とが一致するので、基板15が確実に基板載置台17の中心に載置される。したがって、サセプタ14に設置した基板15を加熱する際に、温度分布に偏りが生じにくく、半導体結晶の均一な成膜を損なうことがない。
なお、本発明は、以上の形態例に限定されることなく、発明の範囲内において種々の変更が可能である。例えば、本形態例では、基板載置台の載置部は基板よりも径の小さい円形状としているが、基板載置台に基板を載置した際に、基板の底面に上部チャックの爪部の先端が入り込む隙間ができるのであれば必ずしも円形状である必要はなく、爪部の対応する位置で円の弧を直線上に切り落とした形状や、爪部の対応する位置に辺を位置させた多角形状にしてもよい。
また、本形態例では、搬送アームは、基板を載せて運ぶように構成されているが、基板の上面と接触しなければ必ずしも基板を載せる構成にする必要はなく、基板の底面は支持せず、側面を挟持して運ぶ構成にしてもよい。
12…基板搬送機構、13…回転テーブル、14…サセプタ、14a…円孔部、15…基板、16…基板受け渡し位置、17…基板載置台、17a…基礎部、17b…載置部、17c…円筒部、18…搬送アーム、19…上部チャック、19a…爪部、19b…爪部開閉駆動部、20…上部カバー、20a…切欠き部、21…上部昇降シリンダ、22…下部チャック、22a…固定具、23…下部チャック動作部、24…下部昇降シリンダ

Claims (3)

  1. サセプタに基板受け渡し位置で基板の設置及び取り出しを行う気相成長装置の基板搬送機構であって、
    前記サセプタの、前記基板受け渡し位置に対応する位置には、円形の貫通孔である円孔部と、該円孔部を塞ぐ円盤状の基板載置台が設けられており、
    前記基板受け渡し位置の上方には、基板ケースと基板受け渡し位置とを往復して基板を搬送する搬送アームによって基板受け渡し位置の直上に運ばれた基板の外周を支持可能な複数の爪部を有する上部チャックと、該上部チャックの上方に位置し、該上部チャックの前記爪部を通す切欠き部を有し、内径が基板の径に対応した円筒形状の上部カバーと、前記上部チャックの前記爪部を開閉可能な爪部開閉手段と、前記上部チャックを昇降可能な上部チャック昇降手段と、前記上部カバーを昇降可能な上部カバー昇降手段とを備え、
    前記基板受け渡し位置の下方には、前記サセプタの下方に位置し、前記基板載置台を下方から把持する下部チャックと、該下部チャックを動作させる下部チャック動作部と、該下部チャックを昇降可能な下部昇降手段とを備えていることを特徴とする気相成長装置の基板搬送機構。
  2. 前記基板載置台は、前記円孔部よりも径が大きい基礎部と、該基礎部の上方に突出した、基板よりも径が小さい載置部と、該基礎部の下方に突出した、円孔部よりも外径が小さい円筒部とを備え、前記下部チャックは、前記下部チャック動作部によって動作する、水平方向へと放射状に伸縮して前記基板載置台の前記円筒部を内側から固定可能な複数の固定具を備えていることを特徴とする請求項1記載の気相成長装置の基板搬送機構。
  3. 請求項1又は2に記載の気相成長装置の基板搬送機構を用いた基板搬送方法であって、
    前記下部チャックが前記下部昇降手段により上昇して基板載置台を押し上げる第一工程と、
    前記下部チャックが押し上げた基板載置台を前記下部チャック動作部により把持する第二工程と、
    前記搬送アームが前記基板ケースから前記基板受け渡し位置の直上に基板を搬送する第三工程と、
    前記上部チャックが前記上部チャック昇降手段により基板の高さまで下降する第四工程と、
    下降した前記上部チャックが前記爪部開閉手段により前記爪部を閉じて基板の外周を支持することで基板を把持する第五工程と、
    基板を把持した上部チャックが上部昇降シリンダによりわずかに上昇した後、前記搬送アームが前記基板受け渡し位置の直上から後退する第六工程と、
    基板を把持した前記上部チャックが前記上部チャック昇降手段により押し上げられた前記基板載置台の高さまで下降する第七工程と、
    前記上部カバーが前記上部カバー昇降手段により下降して該上部カバーの下端が基板の水平方向への移動を規制する第八工程と、
    前記上部チャックの前記爪部開閉手段が前記爪部を開いて基板を前記基板載置台に載置する第九工程と、
    前記上部カバー昇降手段により前記上部カバーが上昇する第十工程と、
    前記上部チャック昇降手段により前記上部チャックが上昇する第十一工程と、
    前記下部チャックが前記下部チャック動作部により基板載置台を把持した状態を解除する第十二工程と、
    前記下部チャックが前記下部昇降手段により下降する第十三工程とを含むことを特徴とする気相成長装置の基板搬送方法。
JP2019159283A 2019-09-02 2019-09-02 気相成長装置の基板搬送機構及び基板搬送方法 Active JP7257920B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019159283A JP7257920B2 (ja) 2019-09-02 2019-09-02 気相成長装置の基板搬送機構及び基板搬送方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019159283A JP7257920B2 (ja) 2019-09-02 2019-09-02 気相成長装置の基板搬送機構及び基板搬送方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021039994A JP2021039994A (ja) 2021-03-11
JP7257920B2 true JP7257920B2 (ja) 2023-04-14

Family

ID=74848780

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019159283A Active JP7257920B2 (ja) 2019-09-02 2019-09-02 気相成長装置の基板搬送機構及び基板搬送方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7257920B2 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005223142A (ja) 2004-02-05 2005-08-18 Tokyo Electron Ltd 基板保持具、成膜処理装置及び処理装置
JP2010126797A (ja) 2008-11-28 2010-06-10 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、半導体製造装置、これらに用いられるサセプタ、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体
JP2015002292A (ja) 2013-06-17 2015-01-05 東京エレクトロン株式会社 化合物半導体膜成膜用基板の移載装置および移載方法、ならびに化合物半導体膜の成膜システムおよび成膜方法
JP2016076610A (ja) 2014-10-07 2016-05-12 大陽日酸株式会社 気相成長装置における基板搬送方法及び装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005223142A (ja) 2004-02-05 2005-08-18 Tokyo Electron Ltd 基板保持具、成膜処理装置及び処理装置
JP2010126797A (ja) 2008-11-28 2010-06-10 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、半導体製造装置、これらに用いられるサセプタ、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体
JP2015002292A (ja) 2013-06-17 2015-01-05 東京エレクトロン株式会社 化合物半導体膜成膜用基板の移載装置および移載方法、ならびに化合物半導体膜の成膜システムおよび成膜方法
JP2016076610A (ja) 2014-10-07 2016-05-12 大陽日酸株式会社 気相成長装置における基板搬送方法及び装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021039994A (ja) 2021-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102000676B1 (ko) 서셉터 및 에피택셜 성장 장치
JP4358108B2 (ja) コーティング装置における搭載、支持及び取り出しのための一組の器具
KR101685150B1 (ko) 박막 증착 장치 및 이를 포함한 기판 처리 시스템
KR101839904B1 (ko) 다중 기판 프로세싱을 위한 세그먼트화된 기판 로딩
WO2016174859A1 (ja) サセプタ及びエピタキシャル成長装置
CN107958864B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
KR20060060735A (ko) 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조방법 및 실리콘 에피택셜웨이퍼
JP2012182464A (ja) 基板支持組立体のためのシリコンカーバイドスリーブ
JP6602145B2 (ja) 基板載置台及び気相成長装置
JP2004119859A (ja) サセプタ、半導体ウェーハの製造装置及び製造方法
CN110970343A (zh) 气相生长装置及外延晶片的制造方法
JP7257920B2 (ja) 気相成長装置の基板搬送機構及び基板搬送方法
JP2001068541A (ja) 処理基板トレイ
JP7257916B2 (ja) 気相成長装置の基板搬送機構
WO2001031700A1 (fr) Porte-plaquette et dispositif de croissance epitaxiale
KR101704305B1 (ko) 기상 성장 방법
JP2000260851A (ja) 半導体製造装置におけるウェハ支持装置
WO2014054501A1 (ja) 気相成長装置
JP6013122B2 (ja) 気相成長装置
CN114686858B (zh) 一种薄膜生长系统以及基片托盘和载环组件
JP6233712B2 (ja) 気相成長装置及び被処理基板の支持構造
JP2001024047A (ja) 基板支持装置
JP6013121B2 (ja) 気相成長装置
JPH1074814A (ja) ウェーハ移載方法及び半導体製造装置
JP2022083011A (ja) サセプタ、cvd装置

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20201106

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220513

TRDD Decision of grant or rejection written
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230316

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230328

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230404

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7257920

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350