TWI683382B - 具有光學測量的旋轉氣體分配組件 - Google Patents

具有光學測量的旋轉氣體分配組件 Download PDF

Info

Publication number
TWI683382B
TWI683382B TW103107933A TW103107933A TWI683382B TW I683382 B TWI683382 B TW I683382B TW 103107933 A TW103107933 A TW 103107933A TW 103107933 A TW103107933 A TW 103107933A TW I683382 B TWI683382 B TW I683382B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
optical sensor
substrate
assembly
gas distribution
Prior art date
Application number
TW103107933A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201440163A (zh
Inventor
葛瑞芬凱文
尤都史凱約瑟夫
Original Assignee
應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 應用材料股份有限公司 filed Critical 應用材料股份有限公司
Publication of TW201440163A publication Critical patent/TW201440163A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI683382B publication Critical patent/TWI683382B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

所述係為用於處理一半導體晶圓的設備與方法，其中於該氣體分配組件中定位之一光學感測器於沈積期間測量溫度及/或一薄膜參數。

Description

具有光學測量的旋轉氣體分配組件
本發明之多數具體實施例概與處理一基材的設備與方法有關。實際上，本發明之多數具體實施例係導向在處理期間測量多數基材之溫度與多數其他參數的設備與方法。
形成半導體裝置的處理，一般而言係於包含多數腔室的基材處理平臺中實施。在某些情況中，一多腔室處理平臺或叢集工具的目的，係用於在受控制的環境中對一基材連續執行二或更多種處理。然而，在其他情況中，多腔室處理平臺可以只對多數基材執行一單一處理步驟；而使用該等額外腔室使該平臺處理基材的速率最大化。在後者情況中，於多數基材上執行的處理一般而言是一種批次處理，其中在一給定腔室中同時處理相對大量的基材，例如20或50片基材。以經濟上可行的方法來說，對於在多數個別基材上執行過於耗時的處理而言，批次處理係特別有利的，像是對於原子層沈積(ALD)處理或某些化學氣相沈積(CVD)處理。
基材處理平臺或系統的效能，時常利用擁有成本 (COO)加以定量。擁有成本，雖然也受到許多因子影響，但主要受系統的佔地面積(也就是在一製造廠中需要用以操作該系統的總地板空間)以及該系統產量(也就是每小時所能處理的基材數量)影響。佔地面積一般而言包含維護該系統所需要而相鄰於該系統的接取面積。因此，雖然一基材處理平臺可能相對的小，但如果需要從所有側邊進行操作與維護的接取時，該系統的實效佔地面積可能仍舊大的嚇人。
隨著該半導體裝置尺寸的縮減，半導體產業對於處理變異的容忍度也繼續降低。為了滿足這些更嚴格的處理要求，此產業已經發展滿足該嚴格處理窗要求的許多新處理方式，但這些處理常常需要較長的時間才能完成。例如，對於在一高深寬比、65奈米或更小互連特徵的表面上，形成外型相符的銅擴散阻障層，可能需要使用原子層沈積(ALD)處理。原子層沈積為化學氣相沈積(CVD)的變化，與化學氣相沈積相比之下，顯示了優越的階梯覆蓋性。原子層沈積係以原子層磊晶成長(ALE)為基礎，此方法最早用於製造電致發光顯示器。原子層沈積運用化學吸附方式，將單層飽和反應前驅物分子沈積於一基材表面上。這可以利用循環交替將適當的反應前驅物，脈衝至一沈積腔室內的方法達成。每次的反應前驅物注入一般而言都利用一惰性氣體淨化的方式所分離，以在先前已沈積層上提供新的原子層，以在一基材表面上形成一均勻的材料層。重複多次反應前驅物與惰性淨化氣體的循環，以形成所需厚度的材料層。原子層沈積技術的最大缺點為其沈積率相較於典型的化學氣相沈積技術而言， 慢上至少一個數量級。例如，某些原子層沈積處理可能需要大約10至大約200分鐘的腔室處理時間，以在該基材表面上沈積一高品質層。在為了較佳的裝置效能而選擇所述原子層沈積與磊晶成長處理時，由於非常低的基材處理產量，將提高在一傳統單一基材處理腔室中製造多數裝置的成本。因此，當時作所述處理時，需要連續的基材處理方法，以在經濟上具有可實行性。
評價一沈積處理動態提供一種決定該等沈積薄膜的品質與處理完成度的快速與精確方法。然而，在旋轉形式處理腔室中無法在處理同時進行一晶圓的光學測量(例如，溫度、薄膜特性)。在沈積期間將該等所需要的光學裝置(例如，高溫計)定位於該處理腔室中係有問題的，因為該等光學設備因為該沈積反應變的髒污，使其不適合使用。
因此，該領域中需要能夠在一空間原子層沈積期間測量晶圓與處理參數的方法與設備。
本發明多數具體實施例涉及處理腔室，其包括一承受器組件與一氣體分配組件。該承受器組件包含一頂表面以支撐並繞著一中央軸轉動複數個基材。該頂表面具有一內部周圍邊緣與一外部周圍邊緣。該氣體分配組件位於該承受器組件上，並包括複數個延長氣體埠口與至少一光學感測器，該等延長氣體埠口用以引導多數氣流朝向該承受器組件，該至少一光學感測器則指向朝向該承受器組件。
在某些具體實施例中，該至少一光學感測器係定位 於該等氣體埠口之一之中。
在一或多個具體實施例中，該複數個延長氣體埠口包含一第一反應氣體埠口、一第二反應氣體埠口、一淨化氣體埠口與至少一真空埠口。在某些具體實施例中，該至少一光學感測器係定位於一淨化氣體埠口之中。
在某些具體實施例中，該氣體分配組件進一步包括至少一孔洞，該至少一孔洞位於該氣體分配組件不暴露於一反應氣體的區域中，而該至少一光學感測器則定位於該孔洞之中。
在一或多個具體實施例中，該至少一光學感測器係從高溫計、干涉計與其組合所構成的群集中所選擇。
在某些具體實施例中，該至少一光學感測器包括一高溫計，並經定位以在處理期間測量該承受器組件的溫度。在一或多個具體實施例中，存在至少兩光學感測器以測量溫度，至少一光學感測器係經定位以測量靠近該承受器組件內部周圍邊緣的溫度，而至少一光學感測器係經定位以測量靠近該承受器組件外部周圍邊緣的溫度。
在某些具體實施例中，該至少一光學感測器包括一干涉計，並經定位以記錄來自一基材一表面的干涉圖。
在一或多個具體實施例中，該承受器組件之頂表面包括至少一凹槽以支撐一晶圓之一邊緣。在某些具體實施例中，該承受器組件頂表面中該至少一凹槽的尺寸係經設計，因此支撐於該凹槽中之一晶圓具有實質上與該承受器組件頂表面共平面之一頂表面。
某些具體實施例進一步包括一控制器，該控制器與該至少一光學感測器通訊，以分析來自該光學感測器的資料。
本發明之多數額外具體實施例係指向在一處理腔室中處理至少一基材的方法。將至少一基材定位於一承受器組件一頂表面中的一凹槽中，該基材具有一頂表面。該基材與承受器組件通過一氣體分配組件下方，該氣體分配組件包括複數個實質平行的氣體通道，該等氣體通道引導多數氣流朝向該基材之該等頂表面，以該基材該頂表面上沈積一薄膜。從定位在該氣體分配組件之一惰性區域處的一光學感測器，進行一光學測量。
在某些具體實施例中，該光學感測器包括一高溫計，而該光學測量為一溫度測量。在一或多個具體實施例中，該溫度測量係於該承受器組件一外部周圍邊緣或該承受器組件一內部周圍邊緣之一或多處進行。
在某些具體實施例中，該光學感測器包括一干涉計，而該光學測量測量該薄膜之一性質。一或多個具體實施例進一步包括在處理期間評價該光學測量，以決定該薄膜的品質。
17‧‧‧方向
18‧‧‧中央軸
30‧‧‧氣體分配組件
32‧‧‧弧形路徑
33‧‧‧內部周圍邊緣
34‧‧‧外部周圍邊緣
60‧‧‧基材
61‧‧‧基材頂表面
65‧‧‧梭動機構
66‧‧‧承受器
67‧‧‧承受器頂表面
68‧‧‧凹槽
70‧‧‧軌道
80‧‧‧電漿源
82‧‧‧載入鎖定件
90‧‧‧輻射加熱燈具
91‧‧‧外部周圍邊緣
92‧‧‧內部周圍邊緣
95‧‧‧光學感測器
96‧‧‧孔洞
100‧‧‧系統
100‧‧‧處理腔室
120‧‧‧前驅物注入
125‧‧‧氣體埠口
130‧‧‧前驅物注入
135‧‧‧氣體埠口
140‧‧‧淨化氣體注入器
145‧‧‧淨化埠口
150‧‧‧幫浦系統
155‧‧‧真空埠口
160‧‧‧分區
198‧‧‧箭頭
因此，以上簡短總結與以下所詳細討論之本發明上述多數特徵，可藉由參考在該等伴隨圖式中描繪之本發明該等例證具體實施例的方式獲得詳細瞭解。然而要注意該等伴隨圖式只描繪此發明之典型具體實施例，因此並非用於限制本發明觀點，因為本發明也接納其他等價有效之具體實施例。
第1圖為根據本發明一或多個具體實施例，一空間原子層沈積腔室之一部分橫斷面側視圖；第2圖顯示根據本發明一或多個具體實施例，一承受器之立體圖；第3圖顯示根據本發明一或多個具體實施例，一派形氣體分配組件之示意圖；第4圖為根據本發明一或多個具體實施例，一基材處理系統之一示意平面圖，該基材處理系統配置有四個氣體分配組件與具備一載入站之四個電感式耦合派形電漿源；及第5圖為根據本發明一或多個具體實施例，具備多數光學感應器之一氣體分配板的前視圖。
為了促進瞭解，已經盡可能在該等圖式中以相同的參考數字指示對該等圖式而言為共同的相同元件。在不特別說明下，也考量一具體實施例之該等元件與特徵可以有利地整合於多數其他具體實施例之中。
本發明之多數具體實施例指向在處理期間進行一晶圓多種光學測量的設備與方法。當在此申請書與該等附加申請專利範圍中使用時，該等用語「基材」與「晶圓」係可互換使用，都意指一表面或一表面的部分，於其上可進行處理。該領域技術人員將也能夠瞭解，除非於上下文中特別明顯指示，否則對於一基材的參照也可以只指該基材之一部分。例如，如針對第1圖所敘述，在空間分離的原子層沈積中，可將每一前驅物輸送至該基材，但在任何已知時間都可以只輸 送任意個別的前驅物流至該基材的一部分。此外，提到沈積在一基材上可以意指一裸基材以及於其上具有一或多數已沈積或已形成薄膜或特徵的基材。
當在此申請書與該等附加申請專利範圍中使用時，該等用語「反應氣體」、「前驅物」、「反應物」等類似用語係可互換使用，意指包含一物種的氣體，於一原子層沈積處理中進行反應。例如，一第一「反應氣體」可以只在一基材表面上吸收，並且可用於與一第二反應氣體進行的進一步化學反應。
本發明之多數具體實施例提供在旋轉處理期間進行多種光學測量的設備與方法。該空間原子層沈積噴淋頭於該注入器設計中具有多數分離部分，其實質上不與反應氣流進行反應。因此，不於定位在這些位置之一光學裝置上沈積薄膜。由於在該注入器設計之中的該等分離部分，可以設置多數高溫計、干涉計與相關裝置，以獲得該實際處理環境的有效溫度與薄膜特徵資料。可以在該處理之前、期間及/或之後取得該資料。該等光學裝置的位置允許在從該晶圓頂側的內部直徑、中間或外部直徑處，進行該承受器或晶圓的監測。
第1圖為根據本發明一或多個具體實施例，一處理腔室20之一部分的示意橫斷面圖式。該處理腔室20一般而言為一可密封包體，其在真空或至少低壓情況下操作。該系統100包含一氣體分配組件30，該氣體分配組件30能夠分配一或多種氣體跨過一基材60之頂表面61。該氣體分配組件30可為該領域技術人員所知悉的任何適宜組件，而在此敘述 之該等特定氣體分配組件則不應該被視為限制本發明的範圍。該氣體分配組件30的輸出面，則面向該基材60之第一表面61。
與本發明該等具體實施例一起使用之基材，可為任何適宜的基材。在某些具體實施例中，該基材係為剛性、不連續、概為平面的基材。當在此申請書與該等附加申請專利範圍中使用時，當參考一基材時，該用語「不連續」意指該基材具有一固定尺寸。一或多個具體實施例之基材係為一半導體基材，像是200毫米或300毫米直徑的矽基材。在某些具體實施例中，該基材為矽、矽鍺、砷化鎵、氮化鎵、鍺、磷化鎵、磷化銦、藍寶石和碳化矽之一或多種。
該氣體分配組件30包括複數個氣體埠口，以傳輸一或多數氣流至該基材60，並於每一氣體埠口之間佈置複數個真空埠口，以將該等氣流傳輸離開該處理腔室20。在第1圖之具體實施例中，該氣體分配組件30包括一第一前驅物注入器120、一第二前驅物注入器130與一淨化氣體注入器140。該等注入器120、130、140可由一(未圖示)系統電腦控制，像是一主機電腦，或由一腔室特用控制器所控制，像是一可編程邏輯控制器。該前驅物注入器120透過複數個氣體埠口125將化合物A的反應前驅物連續(或脈衝)流注入至該處理腔室20之中。該前驅物注入器130透過複數個氣體埠口135將化合物B的反應前驅物連續(或脈衝)流注入至該處理腔室20之中。該淨化氣體注入器140透過複數個氣體埠口145將一不反應或淨化氣體的連續(或脈衝)流注入至該處理腔 室20之中。該淨化氣體從該處理腔室20移除反應材料與反應副產物。該淨化氣體一般而言為惰性氣體，像是氮氣、氬氣和氦氣。該等氣體埠口145配置於該等氣體埠口125與該等氣體埠口135之間，以將該化合物A的前驅物與化合物B的前驅物分離，藉此避免該等前驅物之間的交叉污染。
在另一態樣中，可在該等前驅物注入至該處理腔室20中之前，將一(未圖示)遠端電漿源連接至該前驅物注入器120與該前驅物注入器130。可利用在該遠端電漿源之中對一化合物施加一電場的方式，產生該等反應物種的電漿。可以使用任何能夠活化該等預期化合物的電力來源。例如，可以使用以直流電、無線射頻(RF)與微波為基礎之放電技術的電力來源。如果使用無線射頻電力來源，其可為電容或電感耦合。也可利用以熱基礎的技術、氣體分解技術、高能量光源(例如，紫外光能量)或是暴露於X射線源，產生該活化反應。示例的遠端電漿源可從像是MKS Instruments,Inc.與Advanced Energy Industries,Inc.的店家購得。
該系統100進一步包含一幫浦系統150，該幫浦系統150與該處理腔室20連接。該幫浦系統150一般而言經配置以通過一或多個真空埠口155將該等氣流抽離該處理腔室20。該等真空埠口155則佈置於每一氣體埠口之間，以在該等氣流與該基材表面反應之後將該等氣流抽離該處理腔室20，並進一步限制該等前驅物之間的交叉污染。
該系統100包含複數個分區160，該等分區160佈置於該處理腔室20上每一埠口之間。每一分區之一下方部分 延伸靠近該基材60之該第一表面61，例如，相距該第一表面61大約或大於0.5毫米。在此方法中，該等分區160之該等下方部分與該基材表面相離一足夠的距離，以在該等氣流與該基材表面反應之後，允許該等氣流繞著該等下方分區流動朝向該等真空埠口155。箭頭198指示該等氣流的方向。因為該等分區160對該等氣流而言係操作為一實體阻障，因此該等分區160也限制了該等前驅物之間的交叉污染。所示佈置僅為示例，而不應該被視為限制本發明的範圍。該領域技術人員將可瞭解所示之氣體分配系統僅為一種可能的分配系統，而也可以運用其他形式的噴淋頭與氣體分配組件。
此分類的原子層沈積系統(也就是，其中有多數氣體於同時間朝向該基材分離流動)被稱為空間原子層沈積。操作時，(例如，利用機器手臂)將一基材60運送至該處理腔室20，必可在進入該處理腔室之前或之後放置在一梭動機構65上。該梭動機構65沿著該軌道70或某些其他適宜的移動機制移動、通過該處理腔室20、通過該氣體分配組件30下方(或上方)。在第1圖所示之具體實施例中，該梭動機構65係於一線性路徑移動通過該腔室。如以下進一步說明，第3圖顯示一具體實施例，其中多數晶圓於一圓形路徑中移動通過一旋轉處理系統。
回頭參考第1圖，當該基材60移動通過該處理腔室20時，該基材60第一表面61重複暴露於來自該等氣體埠口125之反應氣體A與來自該等氣體埠口135之反應氣體B，而來自該等氣體埠口145的淨化氣體在反應氣體A與反應氣體 B之間。該淨化氣體的注入係經設計，以在將該基材表面110暴露至該次一前驅物之前，從該先前的前驅物移除未反應的物質。在每次對該等各種氣流暴露(例如，該等反應氣體或該淨化氣體)之後，由該幫浦系統150透過該等真空埠口155抽離該等氣流。因為一真空埠口可以佈置於每一氣體埠口之兩側上，該等氣流便可以於雙側上透過該等真空埠口155抽離。因此，該等氣流便從該等個別氣體埠口垂直朝下流動，朝向該基材60之該第一表面61，跨過該基材表面110，並繞著該等分區160之該等下方部分，最後向上朝向該等真空埠口155。在此方法中，每一氣體都可跨及該基材表面110均勻分配。箭頭198指示該氣流的方向。在將該基材60暴露於該等各種氣流時，可以旋轉該基材60。該基材的旋轉能有效避免在該等形成層中形成條狀物。該基材的旋轉可為連續或不連續步驟中進行，並可以在當該基材通過該氣體分配組件30下方時，或當該基材處於在該氣體分配組件30之前及/或之後的區域中時進行。
一般而言在該氣體分配組件30之後提供足夠的空間，以確保對該最後氣體埠口完全暴露。一旦該基材60已經完全通過該氣體分配組件30下方，該第一表面61便已經完全對該處理腔室20中每一氣體埠口暴露。接著該基材可以於相反方向運送回來，或朝前運送。如果該基材60於該相反方向中移動，該基材表面便可以對該第一次暴露而言的反向順序，再次對該反應氣體A、該淨化氣體與該反應氣體B暴露。
該基材表面110對每一氣體暴露的範圍，可例如由 來自該每一氣體埠口流出之每一氣體流率與該基材60的移動速率所決定。在一具體實施例中，每一氣體的流率是經控制，因此不會將已吸收的前驅物移離該基材表面61。每一分區之間的寬度、佈置於該處理腔室20上氣體埠口的數量以及該基材20通過跨過該氣體分配組件的次數，也可以決定該基材表面61對該等各種氣體暴露的範圍。因此，一已沈積薄膜的量與質可藉由改變以上所指各種因子的方式而最佳化。
雖然已經對於該氣體分配組件30的處理進行敘述，其將氣體流動引導向下朝向位於該氣體分配組件下方之一基材，但應該理解其定向可為不同。在某些具體實施例中，該氣體分配組件30向上朝向一基材表面引導氣體流動。當在此申請書與該等附加申請專利範圍中使用時，該用語「通過跨過」意指該基材已經從該氣體分配組件之一側移動至該另一側，因此該基材之完整表面係對來自該氣體分配板的每一氣流暴露。在未進行額外敘述下，該用語「通過跨過」並不隱含氣體分配組件、氣體流動或基材位置的任何特定定向。
在某些具體實施例中，該梭動機構65為一承受器66，用以攜帶該基材60。一般而言，該承受器66為一載體，協助跨及該基材形成一均勻溫度。該承受器66可於雙向(對於第1圖的配置，左至右或右至左移動)或於一圓形方向(對於第3圖)中移動。該承受器66具有一頂表面67，用以攜帶該基材60。該承受器66可為一受熱承受器，因此該基材60可經加熱以進行處理。做為一實例，該承受器66可由佈置於該承受器66下方之多數輻射加熱燈具90、加熱板、電阻線圈 或其他加熱裝置所加熱。
在另一具體實施例中，該承受器66頂表面67包含一凹槽68，以接收該基材60，如第2圖所示。該承受器66一般而言較該基材厚度為厚，因此在該基材下方存在承受器材料。在某些具體實施例中，該凹槽68的尺寸係經設計，因此當該基材60佈置於該凹槽68內側時，該基材60第一表面61與該承受器66頂表面67保持水平或實質上為共平面。換句話說，某些具體實施例的凹槽68尺寸係經設計，因此當一基材60佈置於其中時，該基材60第一表面61並不突出至承受器66頂表面67以上。當在此申請書與該等附加申請專利範圍中使用時，該用語「實質上為共平面」意指該晶圓的頂表面與該承受器組件的頂表面係於±0.2毫米內共平面。在某些具體實施例中，該等頂表面係於±0.15毫米、±0.10毫米或±0.05毫米內共平面。
第1圖顯示一處理腔室橫斷面圖式，其中顯示該等個別氣體埠口。此具體實施例可為一線性處理系統或是一派形片段，於該線性處理系統中，跨越該氣體分配板之整個寬度，該等個別氣體埠口的寬度為實質相同，而於該派形片段中，該等個別氣體埠口改變寬度以與該派形一致。第3圖顯示一派形氣體分配組件30的一部分。一基材可於一弧形路徑32中通過跨過此氣體分配組件30。該等個別氣體埠口125、135、145與真空埠口155的每一個，於靠近氣體分配組件30該內部周圍邊緣33處都具有一較窄的寬度，而靠近氣體分配組件30該外部周圍邊緣34處則具有一較大的寬度。該等個 別埠口的形狀或深寬比可以與該氣體分配組件30片段的形狀或深寬比成比例，或與其不同。在某些具體實施例中，該等個別埠口的形狀可經設計，因此沿該路徑32通過跨過該氣體分配組件30的一晶圓之每一點在每一氣體埠口下方具有大約相同的停留時間。該等基材的路徑可以與該等氣體埠口垂直。在某些具體實施例中，該等氣體分配組件的每一個都包括複數個延長氣體埠口，該等延長氣體埠口於實質垂直於由一基材所橫越之路徑的方向中延伸。當在此申請書與該等附加申請專利範圍中使用時，該用語「實質垂直於」意指該移動的一般方向近似垂直於該等氣體埠口的軸。對於一派形氣體埠口而言，該氣體埠口的軸可認為是由該埠口寬度中心點沿著該埠口長度延伸所定義的線段。
可以使用具有多數氣體注入器的多數處理腔室，以同時處理多數晶圓，因此該等晶圓便經歷相同的處理流程。例如，如第4圖所示，該處理腔室100具有四個氣體分配組件30(也稱為注入器組件)與四個晶圓60。在該處理的最初，該等晶圓60可定位於該等分配組件30之間。以45°旋轉該旋轉木馬式的承受器66將使得每一晶圓60移動至一分配組件30以進行薄膜沈積。額外的45°旋轉將使該等晶圓60移離該等分配組件30。利用多數空間原子層沈積注入器，便在該晶圓相對於該注入器組件移動期間於該晶圓上沈積一薄膜。在某些具體實施例中，該承受器66係經旋轉，因此該等晶圓60並不在該等分配組件30的下方停止。該等晶圓60與氣體分配組件30的數量可為相同或不同。在某些具體實施例中，正 在進行處理的晶圓數量，與存在的氣體分配組件的數量相同。在一或多個具體實施例中，正在進行處理的晶圓數量，則為氣體分配組件數量的整數倍數。例如，如果有四個氣體分配組件，便存在4X個正在進行處理的晶圓，其中X為大於或等於1的整數數值。
第4圖中圖示之該處理腔室100只代表一種可能配置，而不應該被視為限制本發明的範圍。在此，該處理腔室100包含複數個氣體分配組件30。在所示具體實施例中，有繞該處理腔室100而平均地間隔的四個氣體分配組件30。所示之該處理腔室100為八邊形，然而該領域技術人員將可理解這只是一種可能的形狀，而不應該被視為限制本發明的範圍。所示之該等氣體分配組件30為梯形，但該領域技術人員將可理解該等氣體分配組件可為多數派形片段，如第3圖所示。當在此申請書與該等附加申請專利範圍中使用時，該等用詞「派形」與「楔形」係可互換使用，以敘述概為一循環扇形部分的主體。例如，一楔形片段可為一圓形或碟形物件的片段或部分。在某些具體實施例中，該片段或部分定義為小於180度的弧，更特別的是小於135度，而最特別的是小於90度。在特定具體實施例中，該派形或楔形扇形部分定義90、85、80、75、70、65、60、55、50、45、40、35、30、25、20或15度的弧。該派形片段的內部邊緣可以結束於一點，或可以裁修一平坦邊緣或圓角。同樣的，該派形片段的外部邊緣可為直線或曲線。
該處理腔室100包含一基材支撐裝置，顯示為一圓 形承受器66或承受器組件。該基材支撐裝置或承受器66能夠在該等氣體分配組件30下方移動複數個基材60。一載入鎖定件82可與該處理腔室100之一側連接，以允許該等基材60載入該腔室100/從該腔室100卸載。
在某些具體實施例中，該處理腔室包括複數個(未圖示)氣體帷幕，其定位於該等氣體分配板30與該等電漿站80之間。每一氣體帷幕都可以形成一阻障層，以避免或最小化來自該等氣體分配組件30之該等處理氣體的移動係從該等氣體分配組件區域轉移，並避免或最小化來自該等電漿源80的氣體係從該等電漿區域轉移。該氣體帷幕可以包含氣體與真空氣流的任何適宜組合，其可以將該等個別處理片段與該等鄰近片段隔離。在某些具體實施例中，該氣體帷幕為一淨化(或惰性)氣流。在一或多個具體實施例中，該氣體帷幕為一真空氣流，將氣體從該處理腔室移除。在某些具體實施例中，該氣體帷幕為淨化氣體與多數真空氣流的組合，因此其順序為一淨化氣流、一真空氣流、與一淨化氣流。在一或多個具體實施例中，該氣體帷幕為多數真空氣流與淨化氣流的組合，因此其順序為一真空氣流、一淨化氣流與一真空氣流。
在處理期間，可能想要監測該承受器組件及/或多數晶圓的溫度，或監測正進行沈積之薄膜的特定性質。例如，在形成期間測量該薄膜的放射率。本發明多數具體實施例於該氣體分配組件上或該氣體分配組件中具有一光學感測器，其能在處理期間直接測量這些或多數其他的參數。
據此，本發明之一或多個具體實施例指向一處理腔室，該處理腔室包括一承受器組件66與一氣體分配組件30。該承受器組件66包含一頂表面67以支撐並繞著一中央軸18於方向17中旋轉複數個基材60。該承受器組件66頂表面67具有一內部周圍邊緣92與一外部周圍邊緣91。該氣體分配組件30定位於該承受器組件66上方。如第5圖所示，該氣體分配組件30包括複數個延長氣體埠口125、135、145以引導多數氣體流動朝向該承受器組件66，並包含多數真空埠口155以引導多數氣體流動離開該處理腔室。該氣體分配組件30也包含至少一光學感測器95，其指向朝向該承受器組件66。
第5圖中所示該光學感測器95係位於一真空埠口155與一淨化埠口145之間。在此範圍中，理論上只有多數淨化空氣與該光學感測器95接觸。在某些具體實施例中，該光學感測器95係位於一淨化氣體埠口145之中。在此位置中，理論上只有多數淨化可以流動通過該光學感測器95，並可以繞著該感測器95保持一穩定的惰性氣體流動。根據何時進行測量，該光學感測器95係經定位以測量靠近該承受器組件該內部周圍邊緣與該外部周圍邊緣，以及一中間區域的多數點位，該中間區域可能是該承受器組件或晶圓。
該光學感測器95可經直接定位於該氣體分配板30之該表面上，或是在該氣體分配板中的一凹槽或孔洞96之中。根據該光學感測器95的尺寸，該孔洞96可為任何適宜的形狀。在某些具體實施例中，該孔洞96的直徑最大為大約10毫米。
該光學感測器可為任何適宜的感測器，用以測量該基材、薄膜或承受器組件之一光學性質。非限制性的光學感測器實例包含高溫計與干涉計。該系統可以使用多於一種光學感測器形式的組合，以允許同時測多數參數。
雖然本發明已經於此參考特定具體實施例敘述，但要瞭解這些具體實施例只作為本發明該等原則與應用的示例。對於該領域技術人員而言，在不背離本發明精神與範圍下，可對與發明之方法與設備進行各種修改與變化。因此，預期本發明包含涵蓋所有落於該等申請專利範圍與其等價物之範圍之中的所有修改與變化。
30‧‧‧氣體分配組件
95‧‧‧光學感測器
96‧‧‧孔洞
125‧‧‧氣體埠口
135‧‧‧氣體埠口
145‧‧‧淨化埠口
155‧‧‧真空埠口

Claims (14)

  1. 一處理腔室，該處理腔室包括：一承受器組件，該承受器組件包含一頂表面以支撐並繞著一中央軸轉動複數個基材，該頂表面具有一內部周圍邊緣與一外部周圍邊緣；以及一氣體分配組件，該氣體分配組件位於該承受器組件上，氣體分配組件包括複數個延長氣體埠口與至少一光學感測器，該等複數個延長氣體埠口用以引導多數氣流朝向該承受器組件，該至少一光學感測器指向朝向該承受器組件且定位於該等氣體埠口之一者之中，其中該氣體分配組件進一步包括至少一孔洞，該至少一孔洞位於該氣體分配組件不暴露於一反應氣體的一區域中，且該至少一光學感測器則定位於該孔洞之中。
  2. 如請求項1所述之處理腔室，其中該至少一光學感測器係從高溫計、干涉計與其組合所構成的群集中所選擇。
  3. 如請求項1所述之處理腔室，其中該至少一光學感測器包括一高溫計，並經定位以在處理期間測量該承受器組件的溫度。
  4. 如請求項3所述之處理腔室，其中存在至少兩光學感測器以測量溫度，至少一光學感測器係經定位以測量靠近該承 受器組件之該內部周圍邊緣的溫度，且至少一光學感測器係經定位以測量靠近該承受器組件之該外部周圍邊緣的溫度。
  5. 如請求項1所述之處理腔室，其中該至少一光學感測器包括一干涉計，並經定位以記錄來自一基材之一表面的一干涉圖。
  6. 如請求項1所述之處理腔室，其中該承受器組件之該頂表面包括至少一凹槽以支撐一晶圓之一邊緣。
  7. 如請求項6所述之處理腔室，其中在該承受器組件之該頂表面中的該至少一凹槽的尺寸係經設計，使得支撐於該凹槽中之一晶圓具有實質上與該承受器組件之該頂表面共平面之一頂表面。
  8. 如請求項1所述之處理腔室，進一步包括一控制器，該控制器與該至少一光學感測器通訊，以分析來自該光學感測器的資料。
  9. 一處理腔室，該處理腔室包括：一承受器組件，該承受器組件包含一頂表面以支撐並繞著一中央軸轉動複數個基材，該頂表面具有一內部周圍邊緣與一外部周圍邊緣；以及一氣體分配組件，該氣體分配組件位於該承受器組件 上，氣體分配組件包括複數個延長氣體埠口與至少一光學感測器，該等複數個延長氣體埠口用以引導多數氣流朝向該承受器組件，該至少一光學感測器指向朝向該承受器組件，該等複數個延長氣體埠口包含一第一反應氣體埠口、一第二反應氣體埠口、一淨化氣體埠口與至少一真空埠口，且該至少一光學感測器係定位於一淨化氣體埠口之中。
  10. 一種在一處理腔室中處理至少一基材的方法，該方法包括以下步驟：將該至少一基材定位於一承受器組件之一頂表面中的一凹槽中，該基材具有一頂表面；將該基材與承受器組件通過一氣體分配組件下方，該氣體分配組件包括複數個實質平行的氣體通道，該等氣體通道引導多數氣流朝向該基材之該頂表面，以該在該基材之該頂表面上沈積一薄膜；以及從定位在該氣體分配組件之一惰性區域處的一光學感測器，進行一光學測量。
  11. 如請求項10所述之方法，其中該光學感測器包括一高溫計，且該光學測量為一溫度測量。
  12. 如請求項11所述之方法，其中該溫度測量係於該承受器組件之一外部周圍邊緣或該承受器組件之一內部周圍邊緣之一或多者處進行。
  13. 如請求項10所述之方法，其中該光學感測器包括一干涉計，且該光學測量測量該薄膜之一性質。
  14. 如請求項13所述之方法，進一步包括以下步驟：在處理期間評價該光學測量，以決定該薄膜的品質。
TW103107933A 2013-03-15 2014-03-07 具有光學測量的旋轉氣體分配組件 TWI683382B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361787075P 2013-03-15 2013-03-15
US61/787,075 2013-03-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201440163A TW201440163A (zh) 2014-10-16
TWI683382B true TWI683382B (zh) 2020-01-21

Family

ID=51581178

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103107933A TWI683382B (zh) 2013-03-15 2014-03-07 具有光學測量的旋轉氣體分配組件

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20160027674A1 (zh)
KR (1) KR20150132344A (zh)
CN (1) CN105051879A (zh)
TW (1) TWI683382B (zh)
WO (1) WO2014152304A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10273578B2 (en) * 2014-10-03 2019-04-30 Applied Materials, Inc. Top lamp module for carousel deposition chamber
WO2016178991A1 (en) * 2015-05-02 2016-11-10 Applied Materials, Inc. Methods for depositing low k and low wet etch rate dielectric thin films
JP6640781B2 (ja) * 2017-03-23 2020-02-05 キオクシア株式会社 半導体製造装置
CN110408910B (zh) * 2019-08-16 2020-08-28 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 高通量气相沉积设备及气相沉积方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6902622B2 (en) * 2001-04-12 2005-06-07 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for epitaxially depositing films on a semiconductor substrate
US20100055312A1 (en) * 2008-09-04 2010-03-04 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus, substrate processing apparatus, film deposition method, and computer-readable storage medium

Family Cites Families (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6280790B1 (en) * 1997-06-30 2001-08-28 Applied Materials, Inc. Reducing the deposition rate of volatile contaminants onto an optical component of a substrate processing system
US6309465B1 (en) * 1999-02-18 2001-10-30 Aixtron Ag. CVD reactor
US6349270B1 (en) * 1999-05-27 2002-02-19 Emcore Corporation Method and apparatus for measuring the temperature of objects on a fast moving holder
US6342691B1 (en) * 1999-11-12 2002-01-29 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for thermal processing of semiconductor substrates
US6303501B1 (en) * 2000-04-17 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Gas mixing apparatus and method
US6782337B2 (en) * 2000-09-20 2004-08-24 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension an a presence of defects on a specimen
US6806951B2 (en) * 2000-09-20 2004-10-19 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining at least one characteristic of defects on at least two sides of a specimen
US6506252B2 (en) * 2001-02-07 2003-01-14 Emcore Corporation Susceptorless reactor for growing epitaxial layers on wafers by chemical vapor deposition
US7080940B2 (en) * 2001-04-20 2006-07-25 Luxtron Corporation In situ optical surface temperature measuring techniques and devices
US6828234B2 (en) * 2002-03-26 2004-12-07 Applied Materials, Inc. RTP process chamber pressure control
US6827789B2 (en) * 2002-07-01 2004-12-07 Semigear, Inc. Isolation chamber arrangement for serial processing of semiconductor wafers for the electronic industry
US6869641B2 (en) * 2002-07-03 2005-03-22 Unaxis Balzers Ltd. Method and apparatus for ALD on a rotary susceptor
US20040058560A1 (en) * 2002-09-20 2004-03-25 Applied Materials, Inc. Fast gas exchange for thermal conductivity modulation
US20040065255A1 (en) * 2002-10-02 2004-04-08 Applied Materials, Inc. Cyclical layer deposition system
US6821563B2 (en) * 2002-10-02 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for cyclical layer deposition
DE102004056170A1 (de) * 2004-08-06 2006-03-16 Aixtron Ag Vorrichtung und Verfahren zur chemischen Gasphasenabscheidung mit hohem Durchsatz
US20060073276A1 (en) * 2004-10-04 2006-04-06 Eric Antonissen Multi-zone atomic layer deposition apparatus and method
US7275861B2 (en) * 2005-01-31 2007-10-02 Veeco Instruments Inc. Calibration wafer and method of calibrating in situ temperatures
JP4551256B2 (ja) * 2005-03-31 2010-09-22 東京エレクトロン株式会社 載置台の温度制御装置及び載置台の温度制御方法及び処理装置及び載置台温度制御プログラム
US20070218702A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Asm Japan K.K. Semiconductor-processing apparatus with rotating susceptor
US20070215036A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Hyung-Sang Park Method and apparatus of time and space co-divided atomic layer deposition
US20080226842A1 (en) * 2006-09-29 2008-09-18 Tokyo Electron Limited Lazy Susan Tool Layout for Light-Activated ALD
DE102007026348A1 (de) * 2007-06-06 2008-12-11 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zur Temperatursteuerung der Oberflächentemperaturen von Substraten in einem CVD-Reaktor
US8398770B2 (en) * 2007-09-26 2013-03-19 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
US7976631B2 (en) * 2007-10-16 2011-07-12 Applied Materials, Inc. Multi-gas straight channel showerhead
US20090095221A1 (en) * 2007-10-16 2009-04-16 Alexander Tam Multi-gas concentric injection showerhead
US20090095222A1 (en) * 2007-10-16 2009-04-16 Alexander Tam Multi-gas spiral channel showerhead
US8007275B2 (en) * 2008-01-25 2011-08-30 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for heating semiconductor wafers
JP2009283904A (ja) * 2008-04-25 2009-12-03 Nuflare Technology Inc 成膜装置および成膜方法
US8111978B2 (en) * 2008-07-11 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Rapid thermal processing chamber with shower head
US8808456B2 (en) * 2008-08-29 2014-08-19 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus and substrate process apparatus
JP5062143B2 (ja) * 2008-11-10 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US8147137B2 (en) * 2008-11-19 2012-04-03 Applied Materials, Inc. Pyrometry for substrate processing
JP5056735B2 (ja) * 2008-12-02 2012-10-24 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
KR101639230B1 (ko) * 2008-12-04 2016-07-13 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 화학 기상 증착 유동물 유입구 부재 및 방법
US20100310769A1 (en) * 2009-06-07 2010-12-09 Veeco Compound Semiconductor, Inc. Continuous Feed Chemical Vapor Deposition System
US20110290175A1 (en) * 2009-06-07 2011-12-01 Veeco Instruments, Inc. Multi-Chamber CVD Processing System
US20110030615A1 (en) * 2009-08-04 2011-02-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dry cleaning a cooled showerhead
US20110121503A1 (en) * 2009-08-05 2011-05-26 Applied Materials, Inc. Cvd apparatus
JP5287592B2 (ja) * 2009-08-11 2013-09-11 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP2013503414A (ja) * 2009-08-26 2013-01-31 ビーコ・インスツルメンツ・インコーポレーテッド 磁気記録媒体上にパターンを製造するためのシステム
US20110061810A1 (en) * 2009-09-11 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching
US20110061812A1 (en) * 2009-09-11 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching
US20110065276A1 (en) * 2009-09-11 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching
KR101431782B1 (ko) * 2009-10-28 2014-08-20 엘아이지에이디피 주식회사 금속 유기물 화학 기상 증착장치 및 이를 위한 온도제어방법
CN102640260B (zh) * 2009-11-02 2014-12-03 丽佳达普株式会社 化学气相沉积设备以及化学气相沉积设备的温度控制方法
KR101062460B1 (ko) * 2009-12-16 2011-09-05 엘아이지에이디피 주식회사 화학기상증착장치의 온도제어방법
JP5327147B2 (ja) * 2009-12-25 2013-10-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5497423B2 (ja) * 2009-12-25 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5392069B2 (ja) * 2009-12-25 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
EP2360293A1 (en) * 2010-02-11 2011-08-24 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate
KR20110095633A (ko) * 2010-02-19 2011-08-25 주성엔지니어링(주) 기판처리장치 및 방법
WO2011106064A1 (en) * 2010-02-24 2011-09-01 Veeco Instruments Inc. Processing methods and apparatus with temperature distribution control
US20110256692A1 (en) * 2010-04-14 2011-10-20 Applied Materials, Inc. Multiple precursor concentric delivery showerhead
WO2011159690A2 (en) * 2010-06-15 2011-12-22 Applied Materials, Inc. Multiple precursor showerhead with by-pass ports
US20120000490A1 (en) * 2010-07-01 2012-01-05 Applied Materials, Inc. Methods for enhanced processing chamber cleaning
JP5625624B2 (ja) * 2010-08-27 2014-11-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
USD655261S1 (en) * 2010-10-21 2012-03-06 Tokyo Electron Limited Gas-separating plate for reactor for manufacturing semiconductor
USD655257S1 (en) * 2010-10-21 2012-03-06 Tokyo Electron Limited Top plate for reactor for manufacturing semiconductor
USD654883S1 (en) * 2010-10-21 2012-02-28 Tokyo Electron Limited Top plate for reactor for manufacturing semiconductor
USD655260S1 (en) * 2010-10-21 2012-03-06 Tokyo Electron Limited Gas-separating plate for reactor for manufacturing semiconductor
USD654882S1 (en) * 2010-10-21 2012-02-28 Tokyo Electron Limited Gas-separating plate for reactor for manufacturing semiconductor
USD655259S1 (en) * 2010-10-21 2012-03-06 Tokyo Electron Limited Top plate for reactor for manufacturing semiconductor
USD654884S1 (en) * 2010-10-21 2012-02-28 Tokyo Electron Limited Top plate for reactor for manufacturing semiconductor
US20120225204A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
US20120225206A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
US20120225191A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
US20120225203A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
US20120227665A1 (en) * 2011-03-11 2012-09-13 Applied Materials, Inc. Apparatus for monitoring and controlling substrate temperature
TW201246297A (en) * 2011-04-07 2012-11-16 Veeco Instr Inc Metal-organic vapor phase epitaxy system and process
US20120269967A1 (en) * 2011-04-22 2012-10-25 Applied Materials, Inc. Hot Wire Atomic Layer Deposition Apparatus And Methods Of Use
US20130068320A1 (en) * 2011-06-17 2013-03-21 Son Nguyen Protective material for gas delivery in a processing system
US8633115B2 (en) * 2011-11-30 2014-01-21 Applied Materials, Inc. Methods for atomic layer etching
US20130136862A1 (en) * 2011-11-30 2013-05-30 Intermolecular, Inc. Multi-cell mocvd apparatus
WO2013112313A1 (en) * 2012-01-26 2013-08-01 Applied Materials, Inc. Thermal processing chamber with top substrate support assembly
US20130192761A1 (en) * 2012-01-31 2013-08-01 Joseph Yudovsky Rotary Substrate Processing System
US20130344688A1 (en) * 2012-06-20 2013-12-26 Zhiyuan Ye Atomic Layer Deposition with Rapid Thermal Treatment
TW201610215A (zh) * 2014-03-27 2016-03-16 應用材料股份有限公司 用於低熱預算處理的循環尖峰退火化學曝露
KR102371535B1 (ko) * 2014-04-18 2022-03-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 서셉터 온도 확인을 위한 장치 및 사용 방법들

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6902622B2 (en) * 2001-04-12 2005-06-07 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for epitaxially depositing films on a semiconductor substrate
US20100055312A1 (en) * 2008-09-04 2010-03-04 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus, substrate processing apparatus, film deposition method, and computer-readable storage medium

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014152304A1 (en) 2014-09-25
CN105051879A (zh) 2015-11-11
TW201440163A (zh) 2014-10-16
US20160027674A1 (en) 2016-01-28
KR20150132344A (ko) 2015-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10900125B2 (en) Apparatus for susceptor temperature verification and methods of use
US11230763B2 (en) Gas separation control in spatial atomic layer deposition
US9631277B2 (en) Atomic layer deposition carousel with continuous rotation and methods of use
JP2016510946A (ja) 噴射器から基板までの間隙の制御のための装置および方法
US20120225204A1 (en) Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
US20150147889A1 (en) Tilted Plate For Batch Processing And Methods Of Use
US20120225207A1 (en) Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
US20160024653A1 (en) Plasma Source For Rotating Platen ALD Chambers
US10959294B2 (en) High temperature heater for processing chamber
JP2016511797A (ja) 空間分離原子層堆積のための装置およびプロセス閉じ込め
TWI683382B (zh) 具有光學測量的旋轉氣體分配組件
JP6991962B2 (ja) 空間的原子層堆積用の加熱源
US20160068958A1 (en) Lamp Heater For Atomic Layer Deposition
KR102604028B1 (ko) 웨이퍼 포켓 이탈 검출
KR101760666B1 (ko) 원자층 증착장치