JP2004260174A

JP2004260174A - 半導体素子製造装置

Info

Publication number: JP2004260174A
Application number: JP2004043506A
Authority: JP
Inventors: Moon-Sook Lee; 文淑李; 丙才 ▲ハイ▼; Byoung-Jae Bae
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2003-02-25
Filing date: 2004-02-19
Publication date: 2004-09-16
Also published as: US20040163597A1

Abstract

【課題】ウェハ上にソースガスを円滑に蒸着でき、かつ工程チャンバおよび噴射部の劣化を防止できる半導体素子製造装置を提供する。
【解決手段】工程チャンバ、サセプタ、噴射部、前記工程チャンバに第１ソースガスを供給する第１供給管、前記第１供給管と連結され、高温の前記サセプタの周りを囲む加熱管、及び前記工程チャンバに第２ソースガスを供給する第２供給管を有し、前記加熱管は前記サセプタの周りを囲むようにコイル形状で形成された第１加熱部を有する。本発明によると、第１ソースガスが追加的な加熱装置なしに、サセプタから発散する高温の熱により一定の温度に加熱される。また、この熱交換により、工程チャンバが過度に加熱されることを防止することができる。
【選択図】図２

Description

本発明は半導体素子を製造するための装置であり、さらに詳細には、半導体ウェハ上に所定の物質を蒸着する装置に関するものである。

一般的に、半導体素子を製造するためには、イオン注入工程、蒸着工程、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程などのような多数の工程が求められる。このような工程のうち蒸着工程は、ウェハ上に一定の膜を形成する工程であり、化学気相蒸着法と物理気相蒸着法がある。最近はウェハ上に高誘電体薄膜、強誘電体薄膜、超伝導薄膜、電極などに使用される金属酸化物薄膜の蒸着のため揮発性有機金属化合物を前駆体として使用する有機金属化学気相蒸着装置（ＭＯＣＶＤ装置）が主に使用される。

このようなＭＯＣＶＤ装置は、特許文献１に開示されており、図１は一般的なＭＯＣＶＤ装置を概略的に示す図である。図１を参照すると、ＭＯＣＶＤ装置は工程チャンバ１２０と、この工程チャンバ１２０内に互いに向き合うように位置されるサセプタ１６０及びシャワーヘッド１４０を有する。ウェハのような半導体基板Ｗは内部にヒータ（図示しない）が設けられたサセプタ１６０上に置かれる。シャワーヘッド１４０には有機金属前駆体（ＭＥＴＡＬＯＲＧＡＮＩＣＰＲＥＣＵＲＳＯＲ）である第１ソースガスが供給される管１８２と、酸素、窒素、アンモニアなどのような第２ソースガスが供給される管１８４が連結される。一般的に、第１ソースガスは再液化、または熱分解されない温度で加熱した状態でシャワーヘッド１４０に供給され、第２ソースガスは室温状態でシャワーヘッド１４０に供給される。

ウェハＷはこれらソースガスの分解温度より高い大略５００℃程度の工程温度で加熱され、第１ソースガスと第２ソースガスがシャワーヘッド１４０の噴射ホール１４２を通じて下に噴射されることによって、ウェハＷ上に蒸着がなされる。原子層積法による蒸着である場合は、第１ソースガス、パージガス、及び第２ソースガスが順次に供給され、ウェハＷ上に所定の膜の蒸着がなされる。

しかし、このような一般的なＭＯＣＶＤ装置は、次のような問題がある。ウェハＷが５００℃以上の温度で加熱される時にソースガスの蒸着がなされるので、サセプタ１６０のヒータの温度は大略６００℃以上に上昇する。したがって、工程チャンバ１２０の内壁とシャワーヘッド１４０の温度がソースガスの分解温度より高い温度に加熱されて、ソースガスが予め分解されて工程チャンバ１２０の内壁及びシャワーヘッド１４０に蒸着する。さらに、工程チャンバ１２０の壁部が高温に加熱されることによって、装置が損傷され、作業者の安全を害する。また、第１ソースガスは所定の温度に加熱された状態でシャワーヘッド１４０に供給されるが、第２ソースガスは室温状態でシャワーヘッド１４０に供給されるので、ソースガス間の温度差により熱的撹乱が発生し、反応が弱くなる。
韓国公開特許２００１−００３９７５１号

本発明は、上述の問題を解決し、ウェハ上にソースガスを円滑に蒸着することができる半導体素子製造装置を提供することを目的とする。

上述の目的を達成するために、本発明の半導体素子製造装置は、工程チャンバと、前記工程チャンバ内に位置し、半導体基板が置かれ、工程進行時高温に加熱されるサセプタと、前記工程チャンバ内に前記サセプタと向き合うように位置する噴射部と、前記工程チャンバに第１ソースガスを供給する第１供給管と、前記第１ソースガスを加熱する加熱器とを有する。

前記加熱器は、前記第１供給管と連結され、高温の前記サセプタの周りを囲むように位置する加熱管を有し、加熱管は前記サセプタの周りを囲むようにコイル形状で形成された第１加熱部を有する。
一例によると、前記第１加熱部は前記工程チャンバの側壁の下から前記工程チャンバの側壁の上部にまで形成され、前記工程チャンバの壁部の中に挿入される。また、前記加熱管は前記工程チャンバの下部壁の中に位置し、第１供給管と連結される第２加熱部と、前記工程チャンバ内の上部に位置し、前記噴射部と連結される第３加熱部とを有する。前記第２加熱部は前記工程チャンバの下部壁の中央から同一平面上で半径が漸進的に大きくなる螺旋形状で形成され、第３加熱部は半径が漸進的に小さくなる螺旋形状で形成される。

他の例によると、前記第１加熱部は前記サセプタの周りをコイル形状で囲むようにして前記工程チャンバの内壁と前記サセプタとの間に位置し、工程副産物が前記加熱管に付着することを防止するため、前記加熱管の第１加熱部と前記サセプタとの間にはライナが挿入される。前記加熱管は前記第１加熱部から延長され、前記噴射部の周りをコイル形状で囲む第３加熱部を有する。

また、前記半導体素子製造装置は有機金属化学気相蒸着装置として、前記噴射部に第２ソースガスを供給する第２供給管をさらに具備する。前記第１ソースガスは室温状態で前記工程チャンバに流入されるガスであり、前記第２ソースガスは一定の温度で加熱された状態で前記工程チャンバに流入される有機金属（ＭＥＴＡＬＯＲＧＡＮＩＣ）ガスである。

また、他の形態によると、前記加熱器は前記第１供給管上に設けられて前記第１供給管内を流れる第１ソースガスを加熱するヒータを含む。

本発明によると、酸素や窒素のようなソースガスが加熱されて工程チャンバに供給されるので、工程チャンバ内での熱渦流の形成が防止される効果がある。

また、本発明によると、酸素や窒素のようなソースガスの加熱はサセプタから発散する高温の熱によりなされるので、これらソースガスの加熱のためのエネルギを節減することができる効果がある。

また、サセプタから発散する高温の熱の一部をソースガスの加熱に使用するので、追加的な冷却装置を使用せずに、工程チャンバ及び噴射部が劣化することを防止することができる効果がある。

以下、本発明の実施の形態を添付の図２乃至図８を参照して詳細に説明する。前記の図において同一の機能を実行する構成要素に対しては同一の参照番号が付されている。本発明の実施の形態は様々な形態に変形することができ、本発明の範囲が下記する実施の形態に限定されると解釈されてはならない。本実施の形態は当業界で平均的な知識を持つ者に本発明をより完全に説明するための提供されるものである。したがって、図での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されている。

次の実施の形態では、有機金属化学気相蒸着（ＭＥＴＡＬＯＲＧＡＮＩＣＣＨＥＭＩＣＡＬＶＡＰＯＲＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ：ＭＯＣＶＤ）装置を例として説明するが、本発明の装置はウェハを高温のサセプタ上に位置させ、加熱された工程ガスを提供する必要があるすべての半導体素子製造装置として使用することができる。

また、本発明の装置は、ソースガスを同時に工程チャンバ内に流入させる化学気相蒸着法やソースガスを順次に工程チャンバ内に流入させる原子層蒸着法の全てに使用することができる。

図２は本発明の第１実施の形態によるＭＯＣＶＤ装置の概略的な断面を示す図である。図２を参照すると、ＭＯＣＶＤ装置は工程チャンバ（ｐｒｏｃｅｓｓｃｈａｍｂｅｒ）２１０、サセプタ（ｓｕｓｃｅｐｔｏｒ）２２０、噴射部（ｓｈｏｗｅｒｈｅａｄ）２３０、第１供給管（ｆｉｒｓｔｓｕｐｐｌｙｐｉｐｅ）２４２、第２供給管（ｓｅｃｏｎｄｓｕｐｐｌｙｐｉｐｅ）２４４、及び加熱器（ｈｅａｔｉｎｇｄｅｖｉｃｅ）を有する。

サセプタ２２０は上にウェハＷが置かれ、工程チャンバ２１０内の底部に配置される。工程チャンバ２１０の内部をソースガスの分解温度以上に維持し、ウェハＷ上にソースガスの蒸着が円滑になされるように、ウェハＷを高温で加熱するため、サセプタ２２０内にはヒータ（図示しない）が設けられる。普通ウェハＷは５００℃以上に加熱されるので、サセプタ２２０はヒータにより６００℃以上に上昇する。

工程チャンバ２１０内の上部にはサセプタ２２０と向き合うように設けられるシャワーヘッドのような噴射部２３０が位置する。噴射部２３０は工程チャンバ２１０内に流入されたソースガスを下に噴射する部分であり、工程チャンバ２１０の上部面に結合する。

工程チャンバ２１０の一側面または底面（図２では一側面）には工程チャンバ２１０の内部を一定の工程圧力に維持し、蒸着の後に、残った残留物を外部に排気する排気ライン２４６が形成される。排気ライン２４６にはポンプ２４７が連結される。

噴射部２３０は上部に位置する第１流入部２３１と下部に位置する第２流入部２３２とを有する。第１流入部２３１と第２流入部２３２との間には第１噴射板２３７が位置して第１流入部２３１と第２流入部２３２とを分離し、第２流入部２３２の下には第２噴射板２３８が形成される。第１噴射板２３７には複数の第１ホール２３３が形成される。第２噴射板２３８には第１ホール２３３と各々対応する位置に第２ホール２３４が形成され、さらに第２ホール２３４の間に第３ホール２３５が形成される。第１ホール２３３と第２ホール２３４間は噴射管２３６で接続される。

第１流入部２３１は第１ソースガスが流入される部分であり、第１ソースガスは常温で気体状態に存在するガスである。第１ソースガスはウェハＷ上に蒸着しようとする膜が酸化物である場合には酸素Ｏ_２のような気体であり、窒化膜である場合には窒素Ｎ_２やアンモニアＮＨ_３のような気体である。第２流入部２３２は第２ソースガスが流入される部分であり、第２ソースガスは低い蒸気圧を有し、常温で液体／固体状態に存在する物質であり、適切な温度に加熱された状態で噴射部２３０に供給される有機金属前駆体ガスである。

第１ソースガスは第１ソースガス供給源（図示しない）から常温状態で第１供給管２４２を通じて工程チャンバ２１０に供給され、以後、加熱管２５０を通じて一定の温度で加熱されて第１流入部２３１に供給される。第２ソースガスは第２ソースガス供給源（図示しない）から再液化、または熱分解されない温度で加熱された状態で第２供給管２４４を通じて第２流入部２３２に供給される。第２ソースガス供給源は液体ソース物質供給部及び液体ソース物質を気化させる気化部２４５を含む。第１供給管２４２は工程チャンバ２５０の底面２１２内に位置した加熱管２５０の一端と連結され、第２供給管２４４は工程チャンバ２５０の上部壁２１６を通じて噴射部２３０の第２流入部２３２と直接連結される。しかし、これと異なり、加熱管２５０が第２流入部２３２と連結され、第２供給管２４４が第１流入部２３１と連結されるようにすることができる。

図２の一部変形例である図３に示すように噴射部３３０は一つの流入部３３１と一つの噴射板３３２のみを有することができる。この場合に、第１ソースガスと第２ソースガスは同一の流入部３３１に供給され、流入部３３１の下部の噴射板３３２に形成されたホール３３４を通じて下に噴射される。

加熱器は第１ソースガスを所定の温度に加熱するためのものであり、本実施の形態によると、加熱管２５０が使用される。加熱管２５０は第１供給管２４２を通じて流入される第１ソースガスを第１流入部２３１に案内し、その内部を流れる第１ソースガスが一定の温度に加熱されるように、高温のサセプタ２２０の周辺を通過するように設けられる。加熱管２５０は第１加熱部２５２、第２加熱部２５４、及び第３加熱部２５６を有する。第１加熱部２５２と第２加熱部２５４はその内部を流れる第１ソースガスがサセプタ２２０から発散する熱により一定の温度に加熱されるようにする部分である。第１加熱部２５２は工程チャンバ２１０の側壁２１４内に挿入される部分であり、側壁２１４の下部からコイル形状で側壁２１４の上部まで形成される。第２加熱部２５４は第１加熱部２５２の一端から延長され、第１供給管２４２と連結される部分である。第２加熱部２５４は工程チャンバ２１０の下部壁２１２内に挿入され、下部壁２１２のエッジから下部壁２１２の中心部に向いて半径が漸進的に小さくなる形状で形成される。第３加熱部２５６は噴射部２３０の熱を利用して加熱管２５０の内部を流れる第１ソースガスを加熱、または噴射部２３０を一定の温度に冷却する部分である。第３加熱部２５６は第１加熱部２５２の他の端から延長され、噴射部２３０の外郭で半径が漸進的に小さくなる形状を有し、噴射部２３０の第１流入部２３１と連結される。

上述の構造を有する本装置で、サセプタ２２０は６００℃以上の高温に維持される。、第１ソースガスは常温状態で第１供給管２４２を通じて工程チャンバ２１０に供給される。工程チャンバ２１０内に流入された第１ソースガスは加熱管２５０を通じて流れ、サセプタ２２０から発散する熱により一定の温度に加熱された状態で、噴射部２３０の第１流入部２３１に供給される。また、前駆体ガスである第２ソースガスは液化、または分解されない程度の適切な温度に加熱されて、第２供給管２４４を通じて噴射部２３０の第２流入部２３２に流入される。第１流入部２３１に供給された第１ソースガスは噴射管２３６を通じて噴射部２３０の下に噴射され、第２流入部２３２に供給された第２ソースガスは第２噴射板２３８の第３ホール２３５を通じて下に噴射される。これらソースガスは高温のヒータにより分解及び再結合した後に、ウェハＷ上に蒸着され、蒸着の後に、残った残留物は排気管２４６を通じて外部に排気される。サセプタ２２０上にはウェハＷの温度を測定するセンサ（図示しない）を装着することができる。したがって、加熱管２５０との熱交換によりウェハＷが蒸着のための工程温度より低い温度を有すれば、ヒータによってさらに高い温度を維持させることができる。

一般的なＭＯＣＶＤ装置では、ヒータから発散する熱により工程チャンバ２１０と噴射部２３０はソースガスの分解温度以上の高温となる。したがって、ソースガスが工程チャンバ２１０の内壁の周辺で分解した後、工程チャンバ２１０の内壁に蒸着される。しかし、本発明によると、サセプタ２２０から工程チャンバ２１０の側壁２１４に発散する熱は第１加熱部２５２及び第２加熱部２５４を流れる第１ソースガスを加熱するのに使用されるので、工程チャンバ２１０の内壁は一般的な場合に比べて低い温度となり、上述の問題を最小化することができる。さらに、高温に加熱された噴射部２３０と第１ソースガスが流れる第３加熱部２５６間で熱交換がなされるので、ソースガスが噴射部２３０の周辺で分解した後、噴射部２３０に蒸着されることも最小化することができる。

また、一般的なＭＯＣＶＤ装置では、第２ソースガスが一定の温度に加熱された状態で噴射部２３０に流入される一方、第１ソースガスが常温状態で噴射部２３０に流入されるので、ソースガス間の大きい温度差により熱的撹乱が発生して反応が弱くなる。これに対して、本発明では、第１ソースガスがサセプタ２２０から発散する熱により一定の温度に加熱された状態で噴射部２３０に供給されるので、第２ソースガスとの温度差が小さくなり、薄膜形成のための反応が活性化される。

本発明によると、第１ソースガスを加熱するための別途の加熱装置や工程チャンバ２１０の内壁及び噴射部２３０を冷却するための別途の冷却装置を具備する必要がない。しかし、必要であれば、別途の加熱装置及び冷却装置を設けることができるであろう。

図４は本発明の第２実施の形態によるＭＯＣＶＤ装置を示す断面図であり、図５は図４の加熱管及びライナの斜視図である。

図４を参照すると、ＭＯＣＶＤ装置は、工程チャンバ２１０、噴射部２３０、サセプタ２２０、第１供給管２４２、第２供給管２４４、及び加熱管３５０を具備する。これらのうち第１実施の形態と同一の構成要素に対しては詳細な説明を省略し、第１実施の形態と異なる構造を有する加熱管３５０に対して説明する。

図５を参照すると、加熱管３５０は第１加熱部３５２、移送部３５４、及び第３加熱部３５６を有する。第１加熱部３５２は第１供給管２４２と連結され、工程チャンバ２１０の側壁２１４とサセプタ２２０との間に配置される。第１加熱部３５２は工程チャンバ２１０の底面からサセプタ２２０の上部面の位置までコイル形状でサセプタ２２０を囲むように設けられる。移送部３５４は第１加熱部３５２から延長され、工程チャンバ２１０内の上部まで直線で形成される。第３加熱部３５６は移送部３５４から延長されて噴射部２３０と熱交換し、第１流入部２３１と連結される部分である。第３加熱部３５６は図５に示すように、同一平面上で内側に半径が漸進的に小さくなる螺旋形の構造を有する。

図６は図４のＭＯＣＶＤ装置の一部変形例を示す断面図であり、図７は図６の加熱管及びライナの斜視図である。図６および図７の一部変形例では、加熱管３５０の第３加熱部３５６が図５と異なり、噴射部２３０の第２噴射板２３８から第１流入部２３１までコイル形状で噴射部２３０を囲む構造を有する。

図４ないし図７の第２実施の形態で、移送部３５４の長さは第１ソースガスの温度に影響を及ぼすので、長く、または短く形成することができ、工程条件によっては移送部３５４を具備せず、第１加熱部３５２が噴射部２３０までコイル形状で延長されるようにすることができる。

図４ないし図７の第２実施の形態で、加熱管３５０は工程チャンバ２１０の内側壁の内側に位置するので、ソースガスが加熱管３５０に蒸着される。この場合に、加熱管３５０の洗浄周期が短くなるので、加熱管３５０の第１加熱部３５２の内側には円筒形のライナ２６０が設けられる。第１加熱部３５２は工程チャンバ２１０の内側壁に近接した位置に形成され、ライナ２６０は第１加熱部３５２の内側に隣接して位置することが望ましい。しかし、これと異なり、第１加熱部３５２が工程チャンバ２１０の内側壁から一定の距離離隔して位置し、ライナ２６０は第１加熱部３５２の内側及び外側に各々設置されるようにすることができる。

図８は第３実施の形態によるＭＯＣＶＤ装置を示す断面図である。図８を参照すると、ＭＯＣＶＤ装置は、工程チャンバ２１０、噴射部２３０、サセプタ２２０、第１供給管２４２、第２供給管２４４、及びヒータ４００を含む。第３実施の形態で、装置の構成は第１実施の形態及び第２実施の形態と類似である。但し、第３実施の形態では、第１供給管２４２が第２流入部２３２と直接連結される。また、第１供給管２４２上に加熱器としてヒータ４００が設けられ、第１供給管２４２を流れる第１ソースガスはヒータ４００により加熱されて第２流入部２３２に供給される。したがって、第３実施の形態の装置によると、第１ソースガスの加熱は工程チャンバ２１０の外部に設けられたヒータ４００によりなされるので、サセプタ２２０の周囲を囲む加熱管（図２の２５０）を別途に設ける必要がない。したがって、第１実施の形態および第２実施の形態に比べて装置の構成が簡単である。

本発明の装置を使用して蒸着される膜は強誘電体膜とすることができる。強誘電体であるＰｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ_３膜を蒸着する場合、第２ソースガスは有機金属前駆体ガスとキャリアガスであり、有機金属前駆体ガスは鉛Ｐｂまたはその化合物と、ジルコニウムＺｒまたはその化合物と、チタンＴｉまたはその化合物を含むことができる。液状の有機金属ソースが気化部２４５を過ぎて気化し、また再液化、または熱分解されない温度に加熱される。キャリアガスは有機金属前駆体ガスが工程チャンバ２１０内に流入されるようにする運搬者の役割を果たすもので、窒素、ヘリウムまたはアルゴンのような非反応ガスが使用される。第１ソースガスは酸化剤ガスで酸素が使用される。酸素は噴射部２３０に流入される前に所定の温度に加熱される。上述のように、酸素の加熱のために第１供給管２４２上に別途のヒータ４００を設けるか、第１供給管２４２と噴射部２３０との間にサセプタ２２０を囲むように配置された加熱管２５０を設ける。酸素は工程チャンバ２１０内に流入される有機金属前駆体ガスの温度に加熱させることができる。酸化剤ガスとしては、上記の酸素以外にＯ_３、Ｎ_２ＯまたはＮＯ_２などを使用することができる。

一般的なＭＯＣＶＤ装置の断面図である。本発明の第１実施の形態によるＭＯＣＶＤ装置の断面図である。図２のＭＯＣＶＤ装置の一部変形例を示す断面図である。本発明の第２実施の形態によるＭＯＣＶＤ装置の断面図である。図４の加熱管及びライナの斜視図である。図４のＭＯＣＶＤ装置の一部変形例を示す断面図である。図６の加熱管及びライナの斜視図である。本発明の第３実施の形態によるＭＯＣＶＤ装置の断面図である。

符号の説明

２１０工程チャンバ
２２０サセプタ
２３０噴射部
２４２第１供給管
２４４第２供給管
２５０，３５０加熱管
４００ヒータ

Claims

半導体素子を製造するための装置において、
工程チャンバと、
前記工程チャンバ内に位置し、半導体基板が置かれ、工程進行時高温に加熱されるサセプタと、
前記工程チャンバ内に前記サセプタと向き合うように位置する噴射部と、
前記工程チャンバに第１ソースガスを供給する第１供給管と、
前記第１ソースガスを加熱する加熱器とを具備することを特徴とする半導体素子製造装置。
前記加熱器は、前記第１供給管と連結され、高温の前記サセプタの周りを囲むように位置する加熱管を具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子製造装置。
前記加熱管は、前記サセプタの周りを囲むようにコイル形状で形成された第１加熱部を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体素子製造装置。
前記第１加熱部は、前記工程チャンバの壁部の中に挿入されることを特徴とする請求項３に記載の半導体素子製造装置。
前記第１加熱部は、前記工程チャンバの側壁の下から前記工程チャンバの側壁の上部にまで形成されることを特徴とする請求項４に記載の半導体素子製造装置。
前記加熱管は、前記工程チャンバの下部壁の中に位置し、第１供給管と連結され、前記工程チャンバの下部壁の中央から同一平面上で半径が漸進的に大きくなる螺旋形状の第２加熱部をさらに有することを特徴とする請求項５に記載の半導体素子製造装置。
前記加熱管は、前記工程チャンバ内の上部に位置し、前記噴射部と連結され、半径が漸進的に小さくなる螺旋形状の第３加熱部をさらに有することを特徴とする請求項３に記載の半導体素子製造装置。
前記第１加熱部は、前記工程チャンバの内壁と前記サセプタとの間に位置することを特徴とする請求項３に記載の半導体素子製造装置。
前記第１加熱部は、前記サセプタの周りをコイル形状で囲むことを特徴とする請求項８に記載の半導体素子製造装置。
前記加熱管は、前記第１加熱部から延長され、前記噴射部の周りをコイル形状で囲む第３加熱部をさらに有することを特徴とする請求項９に記載の半導体素子製造装置。
前記半導体素子製造装置は、工程副産物が前記加熱管に付着することを防止するため前記加熱管の第１加熱部と前記サセプタとの間に位置するライナをさらに具備することを特徴とする請求項９に記載の半導体素子製造装置。
前記半導体素子製造装置は、前記噴射部に第２ソースガスを供給する第２供給管をさらに具備することを特徴とする請求項２に記載の半導体素子製造装置。
前記半導体素子製造装置は、有機金属化学気相蒸着装置であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体素子製造装置。
前記第１ソースガスは室温状態で前記工程チャンバに流入されるガスであり、前記第２ソースガスは一定の温度に加熱した状態で前記工程チャンバに流入される有機金属ガスであることを特徴とする請求項１３に記載の半導体素子製造装置。
前記加熱器は、前記第１供給管上に設けられて前記第１供給管内を流れる第１ソースガスを加熱するヒータを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子製造装置。
前記噴射部は、
前記第１ソースガスが流入される第１流入部と、
前記第１流入部と隔離され、前記第１流入部と積層されるように配置され、前記第２ソースガスが流入される第２流入部とを具備することを特徴とする請求項１２に記載の半導体素子製造装置。
前記装置により蒸着される膜は強誘電体膜であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体素子製造装置。
前記第２ソースガスは鉛またはその化合物と、ジルコニウムまたはその化合物と、チタンまたはその化合物とを含み、
前記第１ソースガスは酸素であることを特徴とする請求項１７に記載の半導体素子製造装置。