CN101322226B - 基板处理装置以及处理气体喷出机构 - Google Patents

基板处理装置以及处理气体喷出机构 Download PDF

Info

Publication number
CN101322226B
CN101322226B CN2007800004759A CN200780000475A CN101322226B CN 101322226 B CN101322226 B CN 101322226B CN 2007800004759 A CN2007800004759 A CN 2007800004759A CN 200780000475 A CN200780000475 A CN 200780000475A CN 101322226 B CN101322226 B CN 101322226B
Authority
CN
China
Prior art keywords
plate
gas
heat transfer
processing gas
mode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2007800004759A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101322226A (zh
Inventor
饭塚八城
迫田智幸
小田尚史
辻德彦
诸井政幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN101322226A publication Critical patent/CN101322226A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101322226B publication Critical patent/CN101322226B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/4557—Heated nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/409—Oxides of the type ABO3 with A representing alkali, alkaline earth metal or lead and B representing a refractory metal, nickel, scandium or a lanthanide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02197—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides the material having a perovskite structure, e.g. BaTiO3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31691—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass with perovskite structure

Abstract

本发明提供一种成膜装置，其包括：收容半导体晶片W的处理容器(2)；配置在处理容器(2)内、用于载置半导体晶片W的载置台(5)；设置在与该载置台(5)相对的位置处，用于向处理容器(2)内喷出处理气体的作为处理气体喷出机构的喷淋头(40)；和对处理容器(2)内进行排气的排气装置(101)，喷淋头(40)具有用于导入处理气体的气体流路，并且具有围绕气体流路的环状调温室(400)。

Description

基板处理装置以及处理气体喷出机构
技术领域
本发明涉及一种在半导体晶片等被处理基板上进行例如成膜等处理的基板处理装置以及在该基板处理装置中朝着被处理基板喷出处理气体的处理气体喷出机构。
背景技术
在各种半导体装置的制造工序中，在作为被处理体的半导体晶片(以下有时简称“晶片”)上形成由各种物质构成的薄膜，与该薄膜所要求的物性的多样化等相呼应，薄膜形成中所使用的物质和组合也呈现出多样化、复杂化。例如，在半导体存储元件中，为了克服DRAM(Dynamic Random Access Memory)元件的更新操作导致的性能极限，一直进行在强介电体电容器中使用强介电体薄膜来制造大容量存储元件的开发。使用这种强介电体薄膜的强介电体存储器元件(Ferroelectric Random Access Memory：FeRAM)是非易失存储器元件的一种，在原理上无需更新操作，除具有在断电状态下也能保持所记录信息的优点之外，由于其操作速度也能够与DRAM相当，所以，作为新一代的存储器元件而受到关注。
在这种FeRAM的强介电体薄膜中，主要使用SrBi2Ta2O9(SBT)、Pb(Zr、Ti)O3(PZT)这样的绝缘物质。作为采用细微厚度以高精度形成由多个元素组成的复杂组成成分的这些薄膜的方法，利用气化之后的有机金属化合物的热分解然后形成薄膜的MOCVD技术已经开始应用。
此外，并不局限于MOCVD技术，一般情况下，CVD技术是在配备于成膜装置内的载置台上载置晶片并对该晶片进行加热，从相对的喷淋头供给原料气体，通过原料气体的热分解和还原反应等在晶片上形成薄膜。此时，为了均匀地供给气体，采用一种在喷淋头的内部设置与晶片直径相同程度大小的扁平的气体扩散空间，在喷淋头的相对表面分散配置与该气体扩散空间连通的多个气体吹出孔的构造(例如，WO 2005/024928号)。
但是，在上述成膜装置中，喷淋头采用直径比晶片的直径或者载置该晶片的载置台的直径大的构造，例如相对于200mm直径的晶片，喷淋头的外径有时为460～470mm。如上所述，多数情况在喷淋头内设置有扁平的气体扩散空间，因该空间妨碍向背面一侧的传达(散热)，使得被来自加热晶片的载置台的辐射热所加热，从而导致在重复成膜过程中，喷淋头的中央部的温度上升。与其相反，直径比与其相对的载置台的直径更大的喷淋头的周边部，受来自载置台的辐射热的影响较少，并且与气体扩散空间所存在的中央部不同，来自喷淋头上部的散热量也大，因此，与中央部相比，温度有大幅降低的倾向。
此外，一般情况下，在与被载置在载置台上的晶片的中央部的温度相比周边部的温度低的情况下，对成膜特性有不良影响，例如，被成膜的膜的组成在晶片表面内变得不均匀，因此可确认它是导致成膜不良的原因。因此，对与载置台中的晶片的载置区域相比位于外侧的外周区域进行加热，从外侧向晶片周边部供给热，以提高晶片周边部的温度。但是，如果使载置台的外周区域的温度上升，则通过来自载置台的辐射热，在喷淋头中，与载置台的外周区域相对的部分(即，喷淋头的周边部的内侧)的温度容易升高。
从以上理由可知，在重复成膜处理过程中，形成为与喷淋头的中央部相比，周边部的温度变得极低这样的温度分布，喷淋头内的温度变得不均匀，无法获得均质的膜组成等对成膜特性有不良影响，或者堆积物变得容易附着在温度低的喷淋头周边部这样的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够降低因喷淋头等处理气体喷出机构的温度不均而引起处理不良或不均的基板处理装置。
本发明的另一目的在于提供一种难以发生温度不均匀的处理气体喷出机构。
本发明的第一观点提供一种基板处理装置，其包括：收容被处理基板的处理容器；配置在所述处理容器内，用于载置处理基板的载置台；设置在与所述载置台上的被处理基板相对的位置，用于向所述处理容器内喷出处理气体的处理气体喷出机构；以及对所述处理容器内进行排气的排气机构，其中，所述处理气体喷出机构具有由形成有用于导入所述处理气体的气体流路的多个板所构成的层叠体，所述层叠体在其内部具有以围绕所述气体流路的方式设置的环状调温室。
在上述第一观点中，所述层叠体可以采用包括用于导入所述处理气体的第一板、与所述第一板的主面邻接的第二板、以及与所述第二板邻接并且与载置在所述载置台上的被处理基板对应且形成有多个气体喷出孔的第三板的构造。在这种情况下，所述调温室可以由在所述第一板、所述第二板或者所述第三板中的任一个中形成的凹部和邻接的板面形成。
所述调温室由在所述第二板的下表面形成的环状凹部和所述第三板的上表面形成，或者所述调温室可以由所述第二板的下表面和在所述第三板的上表面形成的环状凹部形成。
也可以在所述凹部中形成有与邻接的板相接的多个传热用柱体。在这种情况下，所述传热用柱也可以排列成同心圆形状，并且按照越向所述板的外周方向其排列间隔变得越大的方式形成。或者，所述传热用柱体也可以排列成同心圆形状，并且按照越向所述板的外周方向其截面积变得越小的方式形成。
也可以在所述凹部中形成有与邻接的板相接的多个传热用壁体。在这种情况下，所述传热用壁体也可以排列成同心圆形状，并且按照越向所述板的外周方向其排列间隔变得越大的方式形成。或者，所述传热用壁体也可以排列成同心圆形状，并且按照越向所述板的外周方向其截面积变得越小的方式形成。
另外，还可以采用包括向所述调温室内导入调温用介质的导入通道和排出调温用介质的排出通道的构造。也可以采用包括向所述调温室内导入调温用介质的导入通道，同时，使所述调温室与所述处理容器内的处理空间连通的构造。
所述第三板也可以包括喷出第一处理气体的多个第一气体喷出孔以及喷出第二处理气体的多个第二气体喷出孔。在这种情况下，在所述气体流路中设置有在所述第一板和所述第二板之间设置的第一气体扩散部、以及在所述第二板和所述第三板之间设置的第二气体扩散部，所述第一气体扩散部包括与所述第一板和所述第二板连接的多个第一柱体、以及与所述第一气体喷出孔连通并且构成所述多个第一柱体以外部分的第一气体扩散空间，所述第二气体扩散部包括与所述第二板和所述第三板连接的多个第二柱体、以及与所述第二气体喷出孔连通并且构成所述多个第二柱体以外部分的第二气体扩散空间，被导入的所述第一处理气体通过所述第一气体扩散空间从所述第一气体喷出孔喷出，被导入的所述第二处理气体通过所述第二气体扩散空间从所述第二气体喷出孔喷出。
也可以在多个所述第二柱体上沿轴方向形成有使所述第一气体扩散空间与所述第一气体喷出孔连通的气体流路。
本发明的第二观点提供一种处理气体喷出机构，其用于在处理气体被导入后对被处理基板进行气体处理的处理容器内喷出处理气体，其具有由形成有用于导入所述处理气体的气体流路的多个板构成的层叠体，所述层叠体在其内部具有以围绕所述气体流路的方式设置的环状调温室。
根据本发明，由于在构成喷淋头等处理气体喷出机构中以围绕气体流路的方式设置环状的调温室，因此，能够对处理气体喷出机构的周边部实施调温。这样，能够修正处理气体喷出机构中的温度不均匀，特别是能够大幅提高处理气体喷出机构表面的温度不均匀，改善成膜的均匀性。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式所涉及的成膜装置的截面图。
图2是表示成膜装置的框体的底部构造一例的透视平面图。
图3是成膜装置的框体的平面图。
图4是构成成膜装置的喷淋头的喷淋基极的平面图。
图5是构成成膜装置的喷淋头的喷淋基极的仰视图。
图6是构成成膜装置的喷淋头的气体扩散板的平面图。
图7是构成成膜装置的喷淋头的气体扩散板的仰视图。
图8是构成成膜装置的喷淋头的喷淋板的平面图。
图9是沿着IX-IX线切断图4的喷淋基极的截面图。
图10是沿着X-X线切断图6的扩散板的截面图。
图11是沿着XI-XI线切断图8的喷淋板的截面图。
图12是传热柱的配置方式的放大图。
图13是传热柱的其它例子的示意图。
图14是传热柱的另外的其它例子的示意图。
图15是传热柱的另外的其它例子的示意图。
图16是其它实施方式中的气体扩散板的仰视图。
图17是另外的其它实施方式中的气体扩散板的仰视图。
图18是其它实施方式所涉及的成膜装置的截面图。
图19是另外的其它实施方式所涉及的成膜装置的截面图。
图20是图19的成膜装置中的气体扩散板的仰视图。
图21是其它的实施方式所涉及的成膜装置的截面图。
图22是图21的成膜装置中的气体扩散板的主要部分平面图。
图23是图21的成膜装置中的气体扩散板的截面图。
图24是本发明的第一实施方式所涉及的成膜装置中的气体供给源构造的概念图。
图25是控制部的结构概图。
具体实施方式
以下，一边参照附图，一边对本发明的最佳方式进行说明。
图1是表示本发明的基板处理装置的一个实施方式所涉及的成膜装置的截面图，图2是表示成膜装置的框体的内部构造的平面图，图3是其上部平面图。图4～图11是构成该成膜装置的喷淋头的构件的示意图。其中，在图1中，喷淋头的截面表示后述的图6的线X-X部分的截面，以中央部为界左右不对称。
如图1所示，该成膜装置具有例如采用铝等构成的平截面大致呈矩形的框体1，该框体1的内部作为形成为有底圆筒状的处理容器2。在处理容器2的底部设置有连接灯单元100的开口2a，从该开口2a的外侧，由石英制成的透过窗2d通过由O形环构成的密封部件2c而被固定，于是，使处理容器2被气密地密封。在处理容器2的上部设置有能够开关的盖3，以被该盖3所支承的方式设置有作为气体喷出机构的喷淋头40。该喷淋头40的详细情况将在后面进行阐述。另外，在图1中并未表示，在框体1的背后设置有通过喷淋头40向处理容器内供给各种气体的后述的气体供给源60(参照图24)。此外，气体供给源60与供给原料气体的原料气体配管51以及供给氧化剂气体的氧化剂气体配管52连接。氧化剂配管52分支成氧化剂气体分支配管52a和52b，原料气体配管51以及氧化剂气体分支配管52a和52b与喷淋头40相连接。
在处理容器2的内部，从处理容器2的底部竖立设置有圆筒状的屏蔽基座8。在屏蔽基座8上部的开口处配置有环状的基座环7，环状的配件(附件：attachment)6被基座环7的内周侧所支承，并且设置有被配件6的内周侧的台阶部所支承的用于载置晶片W的载置台5。在屏蔽基座8的外侧设置有后述的缓冲板9。
在缓冲板9上形成有多个排气口9a。在处理容器2的外周底部，在围绕屏蔽基座8的位置设置有底部排气通道71，处理容器2的内部通过缓冲板9的排气口9a与底部排气通道71连通，于是，形成均匀地对处理容器2进行排气的构造。在框体1的下方配置有用于对处理容器2进行排气的排气装置101。对于使用排气装置101进行排气的详细情况将在后面进行叙述。
所述盖3被设置在处理容器2上部的开口部分，在该盖3的与被载置在载置台5上的晶片W相对的位置处设置有喷淋头40。
在被载置台5、配件6、基座环7以及屏蔽基座8围绕形成的空间内，从处理容器2的底部竖立设置有圆筒状的反射部件(reflector)4，该反射部件4用于反射从图未示出的灯单元发出的热线，然后将其导向至载置台5的下面，于是，使载置台5被有效地加热。另外，作为加热源并不局限于上述的灯(lamp)，也可以在载置台5上嵌入设置(埋设)有电阻加热体来加热该载置台5。
在该反射部件4上，例如在3个地方设置有缝隙部，在与该缝隙部对应的位置处分别配置有能够升降的用于从载置台5升起晶片W的升降销12。升降销12其销部分与指示部分采用一体方式构成，并且由设置在反射部件4的外侧的圆环状的保持部件13所支承，通过使用图未示出的致动器(actuator)来使保持部件13升降以上下移动。该升降销12采用从灯单元所照射的热线能够透过的材料，例如石英或者陶瓷(Al2O3、AlN、SiC)所构成。
对于升降销12而言，在其进行交接晶片W时，升降销12从载置台5上升至突出规定长度的位置，当支承在升降销12上的晶片W被载置在载置台5上时，升降销12被拉入(返回)载置台5中。
在载置台5的正下方的处理容器2的底部，以包围开口2a的方式设置有反射部件4，在该反射部件4的内周，由石英等热线能够透过材料构成的气体屏蔽17通过支承其整个周围而被安装。在气体屏蔽17中形成有多个孔17a。
此外，从吹扫气体供给机构所供给的吹扫气体(例如氮气、氩气等不活性气体)通过在处理容器2的底部所形成的吹扫气体流路19以及与该吹扫气体流路19连通并且在反射部件4的内侧下部的8个地方等距离配置的气体喷出口18而被供给至在与被反射部件4内周所支承的气体屏蔽17下侧的透过窗2d之间的空间内。
于是，使被供给的吹扫气体通过气体屏蔽17的多个孔17a而流入到载置台5的背面侧，以此来防止从后述的喷淋头40喷出的处理气体侵入至载置台5的背面一侧的空间而导致因薄膜的堆积或蚀刻引起的损伤等损坏透过窗2d。
在框体1的侧面设置有与处理容器2连通的晶片出入口15，该晶片出入口15通过闸阀16与图未示出的负载锁定(load lock)室连接。
如图2所示，环状的底部排气通道71，在框体1的底部的对角位置，与夹着处理容器2而对称配置的排气合流部72连通，该排气合流部72通过设置在框体1的角部内的上升排气通道73、设置在框体1的上部的横向排气管74(参照图3)，与贯通框体1的角部而配置的下降排气通道75连接，并且与被配置在框体1的下方的排气装置101(参照图1)连接。于是，利用框体1的角部的空闲空间来配置上升排气通道73、下降排气通道75，这样，由于排气通道的形成能够在框体1的封装(占地面积、覆盖区：footprint)内完成，因此，装置的设置面积不会增大，能够节省薄膜形成装置的设置空间。
其中，在载置台5上，多个热电偶80中的例如其中一个被插入中心附近，另一个被插入边缘附近，利用这些热电偶80来测定载置台5的温度，根据该热电偶80的测定结果，使得载置台5的温度被控制。
下面，对喷淋头40进行详细的说明。
喷淋头40具有按照其外边缘与盖3上部嵌合的方式而形成的筒状的喷淋基极(第一板)41、与该喷淋基极41的下表面紧贴在一起的圆盘状的气体扩散板(第二板)42、以及被安装在该气体扩散板42的下面的喷淋板(第三板)43。构成喷淋头40的最上部的喷淋基极41形成为整个喷淋头40的热被扩散到外部的构造。喷淋头40的整体形状形成为圆柱状，也可以是四角柱状。
喷淋基极41通过座固定螺丝41j而被固定在盖(lid)3上。在该喷淋基极41与盖3的接合部设置有盖O形槽3a以及盖O形槽3b，两者以气体密封(气密)的方式接合在一起。
图4是喷淋基极(shower base)41的上部平面图，图5是其下部平面图，图9是图4中线IX-IX部分的截面图。喷淋基极41包括：被设置在中央、并且与原料气体配管51连接的第一气体导入通道41a；以及与氧化剂气体配管52的氧化剂气体分支配管52a以及52b连接的多个第二气体导入通道41b。第一气体导入通道41a以贯通喷淋基极41的方式沿着垂直方向延伸。此外，第二气体导入通道41b具有从导入部至喷淋基极41的中途部分沿着垂直方向延伸、并且从那里水平延伸然后再次垂直延伸的钩形。在附图中氧化剂气体分支配管52a以及52b被配置在夹着第一气体导入通道41a而对称的位置，但是，只要是能够均匀地供给气体也可以是其它的任何位置。
在喷淋基极41的下表面(相对气体扩散板42的接合面)设置有外周O形槽41c以及内周O形槽41d，通过分别安装外周O形槽41f以及内周O形槽41g来保持接合面的气密性。此外，在第二气体导入通道41b的开口部也设有气体流路O形槽41e以及气体流路O形槽41h。这样，就能够确保防止原料气体和氧化剂气体混合。
在该喷淋基极41的下表面配置有具有气体流路的气体扩散板42。图6是该气体扩散板42的上侧平面图，图7是其下侧平面图，图10是图6中线X-X的截面图。在气体扩散板42的上面一侧以及下面一侧分别设置有第一气体扩散板42a以及第二气体扩散板42b。另外，在气体扩散板42上设置有用于形成包围第二气体扩散板42b的调温用空间的环状调温室400。该调温室400是由在气体扩散板42的下面形成的凹部(环状槽)401和喷淋板43的上面所形成的空间。调温室400用作喷淋头40内的隔热空间，在喷淋头40的周边部，通过气体扩散板42、喷淋基极41来抑制热向上方逃逸。其结果，与中央部相比温度易于下降的喷淋头40的周边部的温度降低得以抑制，喷淋头40中的温度的均匀性，特别是使与载置台5相对的喷淋板43的温度均匀。
其中，在喷淋板43的上面设置有环状的凹部，在与气体扩散板42的下面之间也能够形成调温室400。
此外，调温室400也可由喷淋基极41和气体扩散板42形成。在这种情况下，也可以在喷淋基极41的下面形成环状的凹部，在与气体扩散板42的上面之间形成调温室400，或者由喷淋基极41的下面与在气体扩散板42的上面所形成的环状凹部来形成调温室400。但是，为了使成膜组成成分均质，使其位于喷淋头40的最下面，并且与被载置在载置台5上的晶片W相对的喷淋板43中的温度均匀性非常重要，因此，优选在能够有效地控制喷淋板43的周边部的温度下降的位置处设置调温室400。因此，为了采用气体扩散板42与喷淋板43而形成调温室400，优选在其中任意一个之中形成凹部。
上侧的第一气体扩散部42a避开第一气体流路42f的开口位置，具有多个圆柱状突起的传热柱42e，传热柱42e以外的空间部分是第一气体扩散空间42c。该传热柱42e的高度与第一气体扩散部42a的深度大体相等，通过紧贴位于上侧的喷淋基极41，则具有将来自下侧的喷淋板43的热传递至喷淋基极41的功能。
下侧的第二气体扩散部42b具有多个圆柱状突起42h，圆柱状突起42h以外的空间部是第二气体扩散空间42d。第二气体扩散空间42d经由垂直贯通该气体扩散板42而形成的第二气体流路42g，与喷淋基极41的第二气体导入通道41b连通。在圆柱状突起42h的一部分上，至与被处理体的区域相同区域以上优选是10％以上的区域，在中心部贯通形成第一气体流路42f。该圆柱状突起42h的高度与第二气体扩散部42b的深度大致相等，并且与紧贴气体扩散板42的下侧的喷淋板43的上面紧贴。此外，圆柱状突起42h之中的形成第一气体流路42f的突起按照紧贴下侧的喷淋板43的后述的第一气体喷出口43a和第一气体流路42f1连通的方式而配置。也可以在所有的圆柱状突起42h上形成第一气体流路42f。
如图12的放大图所示，所述传热柱42e的直径d0例如是2～20mm，优选5～12mm。此外，邻接的传热柱42e的间隔d1例如是2mm～20mm，优选2～10mm。另外，优选按照多个传热柱42e的截面积的总和S1与第一气体扩散部42a的截面积S2的比(面积比R＝(S1/S2))为0.05～0.50的方式来配置传热柱42e。如果该面积比R小于0.05，则提高对喷淋基极41的传热效率的效果变小，散热性变差，相反，如果大于0.50，则第一气体扩散空间42c中气体的通道阻力增大，发生气流的不均匀，在基板上成膜时，表面内的膜厚的误差(不均匀性)有可能增大。而且，在本实施方式中，如图12所示，邻接的第一气体流路42f与传热柱42e之间的距离变为一定。但是，并不局限于这种方式，只要传热柱42e位于第一气体流路42f之间，可以是任何气体的配置。
此外，传热柱42e的截面形状除图12所示的圆形之外，如果是椭圆形等曲面形状，则通道阻力少，因此，比较理想，也可以是图13所示的三角形，图14所示的四角形，图15所示的八角形等多角形柱。
而且，传热柱42e的排列优选是格子状或者锯齿状，第一气体流路42f优选在传热柱42e的排列的格子状或者锯齿状的中心而形成。例如，传热柱42e为圆柱时，采用直径d0为8mm、间隔d1为2mm的尺寸以格子状来配置传热柱42e，这样，面积比R为0.44。采用这种传热柱42e的尺寸及配置，均能够将热效率以及气流的均匀性保持为较高的水平。另外，面积比R可以根据各种气体而适当设定。
此外，在第一气体扩散板42a的周边部附近(内周O形槽41d的外侧附近)的多个地方，设置有用来使该第一气体扩散部42a内的传热柱42e的上端部紧贴上侧的喷淋基极41的下面的多个扩散板固定螺丝41k。利用该扩散板固定螺丝41k的紧固力，第一气体扩散部42a内的多个传热柱42e可靠地紧贴喷淋基极41的下面，传热阻力减少，从而能够可靠地获得传热柱42e的传热效果。固定螺丝41k也可以被安装在第一气体扩散部42a的传热柱42e上。
由于设置在第一气体扩散部42a内的多个传热柱42e不像分割壁那样分割空间，因此，第一气体扩散空间42c未被分割而形成为一个连续的整体，被导入第一气体扩散空间42c的气体能够在其整个范围进行扩散的状态下朝着下方喷出。
如上所述，由于第一气体扩散空间42c形成为一个连续的整体，因此，不仅能够借助一个第一气体导入通道41a以及原料气体配管51向第一气体扩散空间42c中导入原料气体，并且能够减少原料气体配管51的与喷淋头40连接处以及简化(缩短)线路。其结果是，通过缩短原料气体配管51的管路，从气体供给源60借助配管面板61而被供给的原料气体的供给/供给停止的控制精度得以提高，同时，能够实现整个装置的设置空间的削减。
如图1所示，原料气体配管51作为整体而构成于圆顶之上，具有原料气体垂直上升的垂直上升部分51a、与之连续的向斜上方上升的斜上升部分51b、与之连续的下降部分51c，垂直上升部分51a与斜上升部分51b的连接部分、斜上升部分51b与下降部分51c的连接部分形成平缓的(曲率半径大的)弯曲形状。这样，就能在原料气体配管51的途中防止压力变动。
在上述气体扩散板42的下面，通过从气体扩散板42的上表面被插入、沿其圆周方向排列的多个固定螺丝42j、42m以及42n而安装有喷淋板43。这样从气体扩散板42的上表面插入这些固定螺丝的原因在于，如果在喷淋板40的表面形成螺纹或者螺纹槽，则在喷淋头40的表面形成的膜就很容易剥离。下面，对喷淋板43进行说明。图8是喷淋板43的上侧的平面图，图11是图8中线XI-XI所示部分的截面图。
在该喷淋板43上，多个第一气体喷出口43a以及多个第二气体喷出口43b按照相互邻接的方式而配置形成。即，多个第一气体喷出口43a分别按照与上侧的气体扩散板42的多个第一气体流路42f连通的方式而配置，多个第二气体喷出口43b按照与上侧的气体扩散板42的第二气体扩散部42b中的第二气体扩散空间42d连通的方式，即被配置在多个圆柱状突起42h的间隙。
在该喷淋板43中，与氧化剂气体配管52连接的多个第二气体喷出口43b被配置在最外围，在其内侧，第一气体喷出口43a以及第二气体喷出口43b交互均等地被排列。该交互式排列的多个第一气体喷出口43a以及第二气体喷出口43b的排列间距dp的一个例子是7mm，第一气体喷出口43a例如是460个，第二气体喷出口43b例如是509个。这些排列间距dp以及个数根据被处理体的尺寸、成膜特性而适当进行设定。
构成该喷淋头40的喷淋板43、气体扩散板42以及喷淋基极41通过被排列在周边部的层叠固定螺丝43d而被紧固。
在被层叠的喷淋基极41、气体扩散板42、喷淋板43上，用来安装热电偶10的热电偶插入孔41i、热电偶插入孔42i、热电偶插入孔43c被设置在沿着厚度方向重合的位置，这样就能测定喷淋板43的下面和喷淋头40内部的温度。将热电偶10设置在中心和外周部，也能够更加均匀并且精确地控制喷淋板43的下面的温度。这样，由于能够均匀地加热基板，因此，能够形成面内均匀的膜。
在喷淋头40的上表面配置有由被分割成外侧与内侧的环状的多个加热器91以及被设置在加热器91之间并且用来使冷却水等制冷剂流通的制冷剂通道92组成的温度控制机构90。热电偶10的检测信号被输入控制部300的工序过程控制器301(参照图25)，工序过程控制器301根据该检测信号，向加热器电源输出单元93以及制冷剂源输出单元94输出控制信号，并反馈给温度控制机构90，这样就能控制喷淋头40的温度。
图16以及图17是用来说明其它的实施方式所涉及的成膜装置的喷淋头40中所使用的气体扩散板42的示意图。另外，由于气体扩散板42以外的构造与图1中记载的成膜装置相同，因此，省略其说明及图示。
图16是在气体扩散板42上所形成的凹部401中设置具有与喷淋板43接触的高度的多个传热柱402的构造例子。于是，在调温室400内竖立设置的传热柱402具有促进从喷淋板43向气体扩散板42的传热的作用。通过设置传热柱402，在调温室400内构成传热柱402以外的部分的隔热空间的容积缩小，于是利用传热柱402就能够调整调温室400的隔热性。
如图16所示，圆柱形状的传热柱402以同心圆形状被附设在凹部401内。在这种情况下，考虑越是靠近喷淋头40的周边部温度越容易下降这种情况，优选朝着气体扩散板42的周边部方向减少传热柱402的数量，或者缩小传热柱402的设置间隔或者截面积。作为其中一例，在图16中，随着靠近气体扩散板42的周边部而扩大传热柱402的设置间隔(间隔d2＞d3＞d4)。这样，调温室400的内部空间的隔热效果沿着直径外方向变化，并且按照越是靠近气体扩散板42的周边部越大的方式被调整。于是，通过考虑传热柱402的个数、配置、截面积等，而能够细微调节调温室400中的隔热程度。
此外，传热柱402的形状并非局限于图16所示的圆柱状，与设在所述第一气体扩散部42a内的传热柱42e同样，也可以是三角形、四角形、八角形等多角形柱。另外，传热柱402的配置也并不局限于同心圆形状，例如也可以是反射状。
下面，图17是在气体扩散板42上所形成的凹部401中设置具有与喷淋板43接触的高度的多个传热壁403的构造例子。弧形的传热壁403以同心圆形状被附设在凹部401内。在此情况下，考虑越是靠近喷淋头40的周边部温度越容易下降，优选缩小沿着气体扩散板42的直径外方向(即，朝向气体扩散板42的周边部)传热壁403的间隔、壁厚(截面积)、沿着圆周方向排列的传热壁403的数量等，调温室400的内部空间的隔热效果越是靠近气体扩散板42的周边部越大。作为一个例子，在图17中，传热壁403的设置间隔越是朝着气体扩散板42的直径外方向而略微增大(间隔d5＞d6＞d7＞d8＞d9)。再者，传热壁403的配置并不局限于同心圆形状，例如也可以是放射状。
此外，由于图16以及图17所示的气体扩散板42能够在图1的成膜装置中原封不动地加以使用，因此，省略有关具备图16以及图17的气体扩散板42的成膜装置的整体构造的图示及说明。
图18表示另外的其它的实施方式所涉及的成膜装置。在该例中，由在气体扩散板42上所形成的凹部401和喷淋板43所形成的调温室400与用来导入调温用介质例如载热介质气体的气体导入通道404、和用来排出载热介质气体的气体排出通道(图示省略)连接。气体导入通道404及气体排出通道均与载热介质气体输出单元405连接。载热介质输出单元405具备图中未示的加热装置和泵，例如，将由氩气、氮气等惰性气体组成的载热介质气体加热至规定温度，然后从气体导入通道404导入调温室400中，并借助图中未示的气体排出通道使之排出然后循环。
使被调节至规定温度的载热介质气体流通调温室400，这样就能控制喷淋头40中的周边部的温度下降，从而能够提高喷淋头40整体的温度均匀性。于是，在本实施方式中，向调温室400中导入被调整至期望温度的载热介质气体，这样就能更加改善喷淋头40的温度控制性。另外，在图18中，由于上述以外的构造与图1中记载的成膜装置相同，因此，对于相同的构造标注相同的符号并省略说明。
图19表示图18所示的实施方式的变形例。在图18所示的实施方式中，使载热介质气体在调温室400中循环从而进行喷淋头400的温度控制。与此相反，在图19所示的实施方式中，设置使调温室400与处理容器2内的空间(处理空间)连通的多个连通路406。在气体扩散板42的下面，如图20所示，以放射状形成从凹部401向直径外方向延伸的细槽407。多个细槽407通过使气体扩散板42与喷淋板43表面接触从而形成水平方向的连通路406。
在本实施方式中，从载热介质气体输出单元405通过气体导入通道404被导入调温室400内的载热介质气体从连通路406被排出至处理空间内。这样就能够实施利用载热介质气体对喷淋头40的温度控制。由于调温室400内经常被连续导入一定量的载热介质气体，因此，处理空间的工序气体不会逆流至调温室400内。
再者，在本实施方式中，将导入调温室400内的载热介质气体通过连通路406而排出至处理容器2内的处理空间，这样，就能按照与工序气体的除害处理相同的排气通道进行载热介质气体的除害处理。因此，无需单独进行载热介质气体的除害处理，能够合并排气处理从而也具有能够简化排气通道的优点。
在图18以及图19中，由于上述以外的构造与图1中记载的成膜装置相同，因此，在相同的构件上标注相同的符号并省略说明。
图21表示另外的其它的实施方式所涉及的成膜装置。图22是表示该实施方式中所使用的气体扩散板42的上面的构造的主要部分平面图，图23是气体扩散板42的截面图。在此前说明的上述各个实施方式中，在气体扩散板42的下面设置凹部401，并且使用气体扩散板42和喷淋板43形成调温室400，但是，在本实施方式中，在气体扩散板42的上面形成作为环状槽的凹部410，并且使用气体扩散板42和喷淋基极41形成调温室400。
如图22所示，在气体扩散板42的上面所形成的环状的凹部410与形成第一气体扩散部42a的凹部(第一气体扩散空间42c)之间被作为环状壁(凸部)的传热部411所隔开。该传热部411具有借助喷淋基极41促进向喷淋头40上方的传热，并且抑制喷淋头40的中央部与周边部之间(中间区域)的温度过度上升的作用。
此外，在传热部411例如形成有多个孔412，各个孔412在层叠气体扩散板42和喷射基座41的状态下形成小的隔热室413。因此，通过适当选择这些孔412的数量、大小(面积)、配置等，则能够调节从传热部411向喷射基座41的传热量。再者，在本实施方式中，例如，以环状按照规定间隔排列成两列孔412。孔412的配置例如也可以是同心圆形状、锯齿形状等，只要是能够调整传热部411中的传热量，可以是任何配置。此外，孔412的平面形状例如可以按照四角形、三角形、椭圆形等形状形成。而且，也可以取代孔412在传热部411中形成槽。
于是，在层叠气体扩散板42和喷淋基极41的状态下，通过由凹部410形成的调温室400、传热部411以及由该传热部411内的孔412所形成的多个隔热室413，则能够细致地控制喷淋头40中的温度。即，根据调温室400的内部空间的隔热效果，与中央部相比，能够控制喷淋头40的周边部的温度极端下降，而且，该周边部与中央部之间(中间区域)的温度也能通过传热部411和隔热室413进行调节，所以，中间区域的过度升温得以缓和。如图22及图23所示，在本实施方式中，凹部410的宽L1和传热部411的宽L2的比率大致设定为1∶1，实现了喷淋头40的中央部与周边部以及两者的中间区域的温度的均匀化。凹部410的宽L1和传热部411的宽L2的比率(L1∶L2)可以任意设定，在实现喷淋头40的温度的均匀化方面，例如优选设定为3∶1～1∶1左右。
此外，在图21～图23中，由于上述以外的构造与图1中记载的成膜装置同样，所以，在相同的构件上标注相同的符号并省略说明。
另外，与所述各个实施方式相同，在本实施方式中，也能在凹部410中形成具有到达喷淋基极41的高度的传热柱和传热壁(参照图16、图17)。
此外，也可以采用向由凹部410和喷淋基极41所形成的调温室400内导入载热介质气体的构造(参照图18)。在此情况下，也可以采用形成多个从凹部410到达气体扩散板42周边的细槽，并且使调温室400和处理空间连通的构造(参照图19、图20)。
下面，参照图24，对用来通过喷淋头40向处理容器2内供给各种气体的气体供给源60进行说明。
气体供给源60包括：用来生成原料气体的气化器60h、向该气化器60h供给液体原料(有机金属化合物)的多个原料罐60a、原料罐60b、原料罐60c、以及溶剂罐60d。在形成PZT的薄膜的情况下，例如被有机溶剂调整至规定温度的液体原料，在原料罐60a中储存着Pb(thd)2，在原料罐60b中储存有Zr(dmhd)4，在原料罐60c中储存有Ti(OiPr)2(thd)2。作为其它的原料例如也可以使用Pb(thd)2和Zr(OiPr)2(thd)2和Ti(OiPr)2(thd)2的组合。
另外，在溶剂罐60d中例如储存有CH3COO(CH2)3CH3(乙酸丁酯)。作为其它的溶剂例如也可以使用CH3(CH2)6CH3(正辛烷)等。
多个原料罐60a～原料罐60c通过流量计60f、原料供给控制阀60g与气化器60h连接。该气化器60h通过吹扫气体供给控制阀60j、流量控制部60n以及混合控制阀60p与载体(吹扫)气体源60i连接，这样，各个液体原料气体被导入气化器60h中。
溶剂罐60d通过流体流量计60f、原料供给控制阀60g与气化器60h连接。接着，将压送用气体源的氦气(He)导入多个原料罐60a～60c以及溶剂罐60d中，利用氦气的压力从各个罐中被供给的各个液体原料以及溶剂以规定的混合比被供给气化器60h，作为被气化的原料气体而被送出至原料气体配管51中，通过设置在阀块61中的阀62a而被导入喷淋头40。
此外，在气体供给源60中，在吹扫气体流路53、19等中通过吹扫气体供给控制阀60j、阀60s、60x、流量控制部60k、60y、阀60t、60z，在例如供给Ar、He、N2等惰性(不活性)气体的载体(吹扫)气体源60i以及氧化剂气体配管52中，例如通过氧化剂气体供给控制阀60r、阀60v、流量控制部60u、设在阀块61中的阀62b，而设有例如供给NO2、N2O、O2、O3、NO等氧化剂(气体)的氧化剂气体源60q。
此外，在原料供给控制阀60g关闭的状态下，载体(吹扫)气体源60i通过阀60w、流量控制部60n以及混合控制阀60p向气化器60h内供给载体气体，这样，就能根据需要，利用Ar等组成的载体气体，吹扫包括原料气体配管51的配管内以及吹扫气化器60h内的不必要的原料气体。同样，载体(吹扫)气体源60i通过混合控制阀60m与氧化剂气体配管52连接，根据需要，能够使用氩气等吹扫气体来吹扫配管内的氧化剂气体和载体气体。而且，载体(吹扫)气体源60i通过阀60s、流量控制部60k、阀60t、设在阀块61中的阀62c，而与原料气体配管51的阀62a的下流一侧连接，能够使用氩气等吹扫气体来吹扫关闭阀62a的状态下的原料气体配管51的下流一侧。
图1、图18、图19以及图21所示的成膜装置的各个构成部件与控制部300连接并受其控制。另外，在图1以及图21中，仅有代表性地表示控制部300与热电偶10、加热器电源输出单元93以及制冷剂源输出单元94的连接。同样，在图18以及图19中，仅有代表性地表示控制部300与热电偶10、加热器电源输出单元93、制冷剂源单元94以及载热介质气体输出单元405的连接。
控制部300如图25所示，其包括配备有CPU的工序过程控制器301。工序过程控制器301与由工序过程管理者为管理成膜装置而进行命令输入操作等的键盘以及显示成膜装置的运转情况的显示器等构成的用户界面302连接。
此外，工序过程控制器301还与记录有用来在工序过程控制器301的控制下而实现在成膜装置中所实施的各种处理的控制程序(软件)和处理条件数据等的方案被存储在其中的存储部303连接。
根据需要，按照从用户界面302发出的指示等从存储部303中读取任意的方案并使其在工序过程控制器301中运行，这样，就能在工序过程控制器301的控制下，在成膜装置中实施预期的处理。此外，所述控制程序和处理条件数据等的方案可以被存储在例如CD-ROM、硬盘、软盘、闪存等计算机能够读取的存储介质中，或者从其它的装置例如通过专线随时进行传送而能够在线使用。
下面，对采用这种方式构成的成膜装置的操作进行说明。
首先，在经由底部排气通道71、排气合流部72、上升排气通道73、横向排气管74以及下降排气通道75的排气路线中，处理容器2内被图中未示的真空泵排气，并被设定为例如100～550Pa左右的真空度。
此时，从载体(吹扫)气体源60i并经由吹扫气体流路19，将氩气等吹扫气体从多个气体喷出口18供给至气体屏蔽17的背面(下面)一侧，该吹扫气体通过气体屏蔽17的孔17a流入载置台5的背面一侧，并经由屏蔽基极8的缝隙流入底部排气通道71中，形成用来防止薄膜堆积在位于气体屏蔽17下方的透过窗2d或者蚀刻等的损伤的稳定的吹扫气体流。
在该状态的处理容器2中，使升降销12上升从而在载置台5上突出，利用图中未示的机器手机构等，经由闸阀16、晶片出入口15搬入晶片W，并载置在升降销12上然后关闭闸阀16。
接着，使升降销12下降并使晶片W载置在载置台5上，同时，点亮下方的图中未示的灯单元，并通过透过窗2d向载置台5的下面(背面)一侧照射热线，例如在400℃～700℃之间将被载置在载置台5上的晶片W加热至600～650℃。
此外，将处理容器2内的压力调整为133.3～666Pa(1～5Torr)。
接着，从喷淋头40下面的喷淋板43的多个第一气体喷出口43a以及第二气体喷出口43b，并且利用气体供给源60向上述被加热的晶片喷出供给例如Pb(thd)2、Zr(dmhd)4、Ti(OiPr)2(thd)2按照规定比率(例如构成PZT的Pb、Zr、Ti、O等元素变成规定的化学论量比的比率)而被混合的原料气体以及氧气等的氧化剂(气体)，通过这些原料气体和氧化剂的各个热分解反应和相互间的化学反应，在晶片W的表面形成由PZT构成的薄膜。
即，从气体供给源60的气化器60h到来的被气化的原料气体与载体气体一同从原料气体配管51经由气体扩散板42的第一气体扩散空间42c、第一气体流路42f、喷淋板43的第一气体喷出口43a而被喷出供给至晶片W的上部空间。同样，从氧化剂气体源60q供给的氧化剂气体经由氧化剂气体配管52、氧化剂气体分支配管52a、喷淋基极41的第二气体导入通道41b、气体扩散板42的第二气体流路42g到达第二气体扩散空间42d，并经由喷淋板43的第二气体喷出口43b而被喷出供给晶片W的上部空间。原料气体与氧化剂气体被分别供给处理容器2内而不在喷淋头40内混合。通过控制该原料气体及氧化剂气体的供给时间，在晶片W上形成的薄膜的膜厚得以控制。此时，在喷淋头40中设置调温室400，通过进行喷淋头40中的周边部的温度控制，喷淋头40的温度被均匀化，从而能够以均质的膜组成来成膜。
如以上说明，在本发明的实施方式所涉及的成膜装置中，由于在喷淋头40中配备调温室400，因此，能够有效地抑制喷淋头40的周边部的温度下降。
另外，由于在喷淋头40的中央部的第一气体扩散部42a中具有传热柱42e，在第二气体扩散部42b中具有多个圆柱状突起42h，因此，能够缓和气体扩散空间的隔热效果，防止喷淋头40的中央部过热。
于是，就能够使喷淋头40的温度更加均匀，并改善成膜特性。
再者，本发明并不局限于上述实施方式，可以在本发明的思想范畴内进行各种各样的变形。例如，在上述实施方式中，以PZT薄膜的成膜处理为例进行了说明，但是，并不局限于此，也能够应用于例如BST、STO、PZTN、PLZT、SBT、Ru、RuO2、BTO等膜的形成，而且在形成W膜或Ti膜等其它膜的情况下也能够适用。
本发明并不局限于成膜装置，能够应用在热处理装置、等离子处理装置等其它的气体处理装置中。
作为被处理基板以半导体晶片为例进行了说明，但是并不局限于此，对于以液晶显示装置(LCD)用玻璃基板为代表的平面平板显示器(FPD)等其它的基板的处理也能够适用。在被处理体由化合物半导体构成的情况下也能够应用本发明。
工业实用性
本发明能够在处理容器内，从与被载置在载置台上并被加热的基板相对而设的喷淋头供给原料气体，然后进行预期处理的基板处理装置的基板处理装置中广泛使用。

Claims (40)

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
收容被处理基板的处理容器；
配置在所述处理容器内，用于载置被处理基板的载置台；
设置在与所述载置台上的被处理基板相对的位置，用于向所述处理容器内喷出处理气体的处理气体喷出机构；以及
对所述处理容器内进行排气的排气机构，其中，
所述处理气体喷出机构具有由形成有用于导入所述处理气体的气体流路的多个板所构成的层叠体，
所述层叠体在其内部具有以围绕所述气体流路的方式设置的环状调温室，
所述层叠体包括：
用于导入所述处理气体的第一板；
与所述第一板的主面邻接的第二板；以及
与所述第二板邻接，并且与载置在所述载置台上的被处理基板对应且形成有多个气体喷出孔的第三板，
所述调温室由在所述第二板和所述第三板中的任一个中形成的凹部和邻接的板面形成。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述调温室由在所述第二板的下表面形成的环状凹部和所述第三板的上表面形成。
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：
在所述凹部中形成有与邻接的板相接的多个传热用柱体。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：
所述传热用柱体排列成同心圆形状，并且按照越向所述板的外周方向其排列间隔变得越大的方式形成。
5.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：
所述传热用柱体排列成同心圆形状，并且按照越向所述板的外周方向其截面积变得越小的方式形成。
6.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：
在所述凹部中形成有与邻接的板相接的多个传热用壁体。
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于：
所述传热用壁体排列成同心圆形状，并且按照越向所述板的外周方向其排列间隔变得越大的方式形成。
8.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于：
所述传热用壁体排列成同心圆形状，并且按照越向所述板的外周方向其截面积变得越小的方式形成。
9.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述调温室由所述第二板的下表面以及在所述第三板的上表面形成的环状凹部所形成。
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于：
在所述凹部中形成有与邻接的板相接的多个传热用柱体。
11.如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于：
所述传热用柱体排列成同心圆形状，并且按照越向所述板的外周方向其排列间隔变得越大的方式形成。
12.如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于：
所述传热用柱体排列成同心圆形状，并且按照越向所述板的外周方向其截面积变得越小的方式形成。
13.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于：
在所述凹部中形成有与邻接的板相接的多个传热用壁体。
14.如权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于：
所述传热用壁体排列成同心圆形状，并且按照越向所述板的外周方向其排列间隔变得越大的方式形成。
15.如权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于：
所述传热用壁体排列成同心圆形状，并且按照越向所述板的外周方向其截面积变得越小的方式形成。
16.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述处理气体喷出机构还具有向所述调温室内导入调温用介质的导入通道和排出调温用介质的排出通道。
17.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述处理气体喷出机构还具有向所述调温室内导入调温用介质的导入通道，使所述调温室与所述处理容器内的处理空间连通。
18.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
第三板具有喷出第一处理气体的多个第一气体喷出孔以及喷出第二处理气体的多个第二气体喷出孔。
19.如权利要求18所述的基板处理装置，其特征在于：
在所述气体流路中设置有：
在所述第一板和所述第二板之间设置的第一气体扩散部；和
在所述第二板和所述第三板之间设置的第二气体扩散部，
所述第一气体扩散部包括：
与所述第一板和所述第二板连接的多个第一柱体；和
与所述第一气体喷出孔连通，并且构成所述多个第一柱体以外部分的第一气体扩散空间，
所述第二气体扩散部包括：
与所述第二板和所述第三板连接的多个第二柱体；和
与所述第二气体喷出孔连通，并且构成所述多个第二柱体以外部分的第二气体扩散空间，
被导入的所述第一处理气体通过所述第一气体扩散空间从所述第一气体喷出孔喷出，被导入的所述第二处理气体通过所述第二气体扩散空间从所述第二气体喷出孔喷出。
20.如权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于：
在多个所述第二柱体上沿轴方向形成有使所述第一气体扩散空间与所述第一气体喷出孔连通的气体流路。
21.一种处理气体喷出机构，用于在处理气体被导入后对被处理基板进行气体处理的处理容器内喷出处理气体，其特征在于：
具有由形成有用于导入所述处理气体的气体流路的多个板构成的层叠体，
所述层叠体在其内部具有以围绕所述气体流路的方式设置的环状调温室，
所述层叠体包括：
用于导入所述处理气体的第一板；
与所述第一板的主面邻接的第二板；以及
与所述第二板邻接，并且与载置在所述载置台上的被处理基板对应且形成有多个气体喷出孔的第三板，
所述调温室由在所述第二板和所述第三板中的任一个中形成的凹部和邻接的板面形成。
22.如权利要求21所述的处理气体喷出机构，其特征在于：
所述调温室由在所述第二板的下表面所形成的环状凹部和所述第三板的上表面所形成。
23.如权利要求22所述的处理气体喷出机构，其特征在于：
在所述凹部中形成有与邻接的板相接的多个传热用柱体。
24.如权利要求23所述的处理气体喷出机构，其特征在于：
所述传热用柱体排列成同心圆形状，并且按照越向所述板的外周方向其排列间隔变得越大的方式形成。
25.如权利要求23所述的处理气体喷出机构，其特征在于：
所述传热用柱体排列成同心圆形状，并且按照越向所述板的外周方向其截面积变得越小的方式形成。
26.如权利要求21所述的处理气体喷出机构，其特征在于：
在所述凹部中形成有与邻接的板相接的多个传热用壁体。
27.如权利要求26所述的处理气体喷出机构，其特征在于：
所述传热用壁体排列成同心圆形状，并且按照越向所述板的外周方向其排列间隔变得越大的方式形成。
28.如权利要求26所述的处理气体喷出机构，其特征在于：
所述传热用壁体排列成同心圆形状，并且按照越向所述板的外周方向其截面积变得越小的方式形成。
29.如权利要求21所述的处理气体喷出机构，其特征在于：
所述调温室由所述第二板的下表面和在所述第三板的上表面形成的环状凹部形成。
30.如权利要求29所述的处理气体喷出机构，其特征在于：
在所述凹部中形成有与邻接的板相接的多个传热用柱体。
31.如权利要求30所述的处理气体喷出机构，其特征在于：
所述传热用柱体排列成同心圆形状，并且按照越向所述板的外周方向其排列间隔变得越大的方式形成。
32.如权利要求30所述的处理气体喷出机构，其特征在于：
所述传热用柱体排列成同心圆形状，并且按照越向所述板的外周方向其截面积变得越小的方式形成。
33.如权利要求29所述的处理气体喷出机构，其特征在于：
在所述凹部中形成有与邻接的板相接的多个传热用壁体。
34.如权利要求33所述的处理气体喷出机构，其特征在于：
所述传热用壁体排列成同心圆形状，并且按照越向所述板的外周方向其排列间隔变得越大的方式形成。
35.如权利要求33所述的处理气体喷出机构，其特征在于：
所述传热用壁体排列成同心圆形状，并且按照越向所述板的外周方向其截面积变得越小的方式形成。
36.如权利要求21所述的处理气体喷出机构，其特征在于：
还具有向所述调温室内导入调温用介质的导入通道和排出调温用介质的排出通道。
37.如权利要求21所述的处理气体喷出机构，其特征在于：
还具有向所述调温室内导入调温用介质的导入通道，使所述调温室与所述处理容器内的处理空间连通。
38.如权利要求21所述的处理气体喷出机构，其特征在于：
第三板具有喷出第一处理气体的多个第一气体喷出孔和喷出第二处理气体的多个第二气体喷出孔。
39.如权利要求38所述的处理气体喷出机构，其特征在于：
在所述气体流路中设置有：
在所述第一板和所述第二板之间设置的第一气体扩散部；和
在所述第二板和所述第三板之间设置的第二气体扩散部，
所述第一气体扩散部包括：
与所述第一板和所述第二板连接的多个第一柱体；和
与所述第一气体喷出孔连通，并且构成所述多个第一柱体以外部分的第一气体扩散空间，
所述第二气体扩散部包括：
与所述第二板和所述第三板连接的多个第二柱体；和
与所述第二气体喷出孔连通，并且构成所述多个第二柱体以外部分的第二气体扩散空间，
被导入的所述第一处理气体通过所述第一气体扩散空间从所述第一气体喷出孔喷出，被导入的所述第二处理气体通过所述第二气体扩散空间从所述第二气体喷出孔喷出。
40.如权利要求39所述的处理气体喷出机构，其特征在于：
在多个所述第二柱体中沿轴方向形成有使所述第一气体扩散空间和所述第一气体喷出孔连通的气体流路。
CN2007800004759A 2006-03-31 2007-03-30 基板处理装置以及处理气体喷出机构 Expired - Fee Related CN101322226B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP097946/2006 2006-03-31
JP2006097946A JP4877748B2 (ja) 2006-03-31 2006-03-31 基板処理装置および処理ガス吐出機構
PCT/JP2007/057096 WO2007119612A1 (ja) 2006-03-31 2007-03-30 基板処理装置および処理ガス吐出機構

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101322226A CN101322226A (zh) 2008-12-10
CN101322226B true CN101322226B (zh) 2010-06-09

Family

ID=38609380

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800004759A Expired - Fee Related CN101322226B (zh) 2006-03-31 2007-03-30 基板处理装置以及处理气体喷出机构

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20090038548A1 (zh)
JP (1) JP4877748B2 (zh)
KR (1) KR100964042B1 (zh)
CN (1) CN101322226B (zh)
WO (1) WO2007119612A1 (zh)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5179476B2 (ja) * 2007-04-17 2013-04-10 株式会社アルバック 成膜装置
KR101472836B1 (ko) * 2008-09-19 2014-12-12 주식회사 원익아이피에스 진공처리장치
CN102576667A (zh) * 2009-07-22 2012-07-11 应用材料公司 中空阴极喷头
JP4840832B2 (ja) 2010-04-28 2011-12-21 シャープ株式会社 気相成長装置、気相成長方法、および半導体素子の製造方法
JP5745812B2 (ja) * 2010-10-27 2015-07-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR101956074B1 (ko) * 2011-12-28 2019-03-13 엘지이노텍 주식회사 증착 장치
JP2015536043A (ja) * 2012-09-26 2015-12-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板処理システムにおける温度制御
WO2014083400A1 (en) * 2012-11-27 2014-06-05 Soitec Deposition systems having interchangeable gas injectors and related methods
JP2014150191A (ja) * 2013-02-01 2014-08-21 Ulvac Japan Ltd Ｐｚｔ膜の製造方法及び成膜装置
JP5971870B2 (ja) 2013-11-29 2016-08-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体
JP5726281B1 (ja) * 2013-12-27 2015-05-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
CN103952685B (zh) * 2014-04-14 2016-01-20 南昌大学 铟镓铝氮材料组分及掺杂能自由组合的mocvd生长气路及方法
CN104835765A (zh) * 2015-04-27 2015-08-12 沈阳拓荆科技有限公司 一种多边形分布的凸台表面结构的可控温加热盘
JP6054471B2 (ja) 2015-05-26 2016-12-27 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置および原子層成長装置排気部
JP5990626B1 (ja) * 2015-05-26 2016-09-14 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置
JP6054470B2 (ja) 2015-05-26 2016-12-27 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置
WO2016195984A1 (en) * 2015-06-05 2016-12-08 Applied Materials, Inc. Improved apparatus for decreasing substrate temperature non-uniformity
CN106676499B (zh) 2015-11-06 2020-07-03 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种mocvd气体喷淋头预处理方法
DE102016100625A1 (de) * 2016-01-15 2017-07-20 Aixtron Se Vorrichtung zum Bereitstellen eines Prozessgases in einer Beschichtungseinrichtung
JP6748586B2 (ja) * 2016-07-11 2020-09-02 東京エレクトロン株式会社 ガス供給システム、基板処理システム及びガス供給方法
US10190216B1 (en) * 2017-07-25 2019-01-29 Lam Research Corporation Showerhead tilt mechanism
JP7336256B2 (ja) * 2019-05-10 2023-08-31 東京エレクトロン株式会社 載置台及び載置台の作製方法
KR102225657B1 (ko) * 2019-11-14 2021-03-10 피에스케이 주식회사 배플 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치
JPWO2022260042A1 (zh) * 2021-06-07 2022-12-15
CN115341197B (zh) * 2022-09-15 2023-08-11 东部超导科技（苏州）有限公司 喷淋冷却一体板及用于金属有机化学气相沉积的喷淋系统
CN116875961A (zh) * 2023-09-01 2023-10-13 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 原子层沉积设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1701422A (zh) * 2003-07-25 2005-11-23 东京毅力科创株式会社 气体反应装置和半导体处理装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6379466B1 (en) * 1992-01-17 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Temperature controlled gas distribution plate
JPH06338492A (ja) * 1993-05-31 1994-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 絶縁膜の形成方法、および薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜の製造方法
US6916399B1 (en) * 1999-06-03 2005-07-12 Applied Materials Inc Temperature controlled window with a fluid supply system
JP3411539B2 (ja) * 2000-03-06 2003-06-03 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US20020072164A1 (en) * 2000-09-13 2002-06-13 Applied Materials, Inc. Processing chamber with multi-layer brazed lid
JP2004250815A (ja) * 2003-02-19 2004-09-09 Railway Technical Res Inst 難燃性床材
CN100495655C (zh) * 2003-09-03 2009-06-03 东京毅力科创株式会社 气体处理装置和散热方法
US7886687B2 (en) * 2004-12-23 2011-02-15 Advanced Display Process Engineering Co. Ltd. Plasma processing apparatus

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1701422A (zh) * 2003-07-25 2005-11-23 东京毅力科创株式会社 气体反应装置和半导体处理装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开平6-338492A 1994.12.06

Also Published As

Publication number Publication date
JP4877748B2 (ja) 2012-02-15
KR20080010448A (ko) 2008-01-30
WO2007119612A1 (ja) 2007-10-25
JP2007273747A (ja) 2007-10-18
KR100964042B1 (ko) 2010-06-16
US20090038548A1 (en) 2009-02-12
CN101322226A (zh) 2008-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101322226B (zh) 基板处理装置以及处理气体喷出机构
CN101374973B (zh) 基板处理装置以及基板载置台
CN100495655C (zh) 气体处理装置和散热方法
US9396909B2 (en) Gas dispersion apparatus
JP5484650B2 (ja) 基板支持体の能動的冷却
CN100505175C (zh) 气体处理装置和成膜装置
US9435026B2 (en) Film deposition apparatus
TWI489546B (zh) 將氣體徑向傳送至腔室之裝置
US20090305512A1 (en) Substrate Processing Apparatus and Substrate Processing Method
US20030172872A1 (en) Apparatus for cyclical deposition of thin films
US20060174827A1 (en) Apparatus for manufacturing semiconductor device
CN101165856A (zh) 半导体处理用氧化装置和方法
US20090020068A1 (en) Method of manufacturing of substrate
US20070254112A1 (en) Apparatus and method for high utilization of process chambers of a cluster system through staggered plasma cleaning
JP4542860B2 (ja) 気相成長装置
JP4463583B2 (ja) 成膜方法および成膜装置
JP2005072424A (ja) シャワーヘッド及び成膜装置
WO2002037548A1 (fr) Procede et dispositif permettant la formation d'un film mince d'oxyde de metal a composants multiples
KR20070093187A (ko) 기판 척킹 라인과 콘택하는 원통형의 오링을 구비한 히터어셈블리
KR20060098742A (ko) 보트 어셈블리

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100609

Termination date: 20140330