CN101374973B - 基板处理装置以及基板载置台 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种成膜装置，其包括：收容半导体晶片W的处理容器(2)；配置在处理容器(2)内、用于载置半导体晶片W的载置台(5)；设置在与该载置台(5)相对的位置处，用于向处理容器(2)内喷出处理气体的作为处理气体喷出机构的喷淋头(40)；和对处理容器(2)内进行排气的排气装置(101)，基板载置台(5)具有载置台主体(5a)；和热遮蔽体(200)，该热遮蔽体(200)被设置在与载置台主体(5a)的载置半导体晶片W的区域相比位于更外侧的区域，用于降低从载置台主体向喷淋头(40)的热扩散。

Description

基板处理装置以及基板载置台
技术领域
本发明涉及一种在半导体晶片等被处理基板上进行例如成膜等的处理的基板处理装置以及在该基板处理装置中载置被处理基板的基板载置台。
背景技术
在半导体装置的制造工序中，在作为被处理体的半导体晶片(以下简称为“晶片”)上形成由各种物质构成的薄膜，与该薄膜所要求的物性的多样化等相呼应，薄膜形成中所使用的物质和组合也呈现出多样化、复杂化。
例如，在半导体存储元件中，为了克服DRAM(动态随机存储单元(Dynamic Random Access Memory))元件的更新(刷新(reflash))操作导致的性能极限，一直进行着在强介电体电容器中使用强介电体薄膜来制造大容量存储元件的开发。这种使用强介电体薄膜的强介电体存储器元件(Ferroelectric Random Access Memory：FeRAM)是非易失存储器元件的一种，在原理上无需更新操作，除具有在断电状态下也能够保持所记录的信息的优点之外，由于其操作速度也能够与DRAM相当，所以，作为新一代的存储器元件而受到关注。
在这种FeRAM的强介电体薄膜中，主要使用SrBi2Ta2O9(SBT)、Pb(Zr、Ti)O3(PZT)这样的绝缘物质。作为采用以细微厚度并且以高精度形成由多个元素组成的复杂组成成分的这些薄膜的方法，利用气化之后的有机金属化合物的热分解然后形成薄膜的MOCVD技术已经开始应用。
但是，并不局限于这种MOCVD技术，对于一般的CVD技术而言，为了向载置在配置于成膜装置内的载置台上被加热的半导体晶片，从与其相对的喷淋头供给原料气体，并通过原料气体的热分解和还原反应等在半导体晶片上进行薄膜的形成。通常，在载置台中，为了将半导体晶片加热至规定温度，而配备有采用例如电阻加热方式或者灯方式的加热器，一边对半导体晶片的温度进行控制，一边进行成膜(例如，日本特开2002-25912)。
然而，在上述成膜装置中，对于载置晶片的载置台而言，有时构成为直径比晶片的直径大，例如存在相对于直径为200mm的晶片，载置台的直径为330～340mm的情况。此时，在载置有晶片的状态下，其载置区域更外侧的外周区域的载置台的露出面积相对于晶片而言具有大约1.8倍的放热面。
一般而言，相对于载置在载置台上的晶片的中央部的温度，当其周缘部的温度低的情况下，会对成膜特性会产生影响，例如，确认形成的膜的组成在晶片面内不均匀，成为导致成膜不良的原因。因此，尝试通过控制载置台的外周区域的加热温度来改善成膜特性，但是这并不能得到充分的改善效果。
此外，为了改善成膜特性，若对载置台的外周区域进行加热使温度上升，则因为来自于载置台的辐射热而使与载置台相对配置的喷淋头成为高温，难以对喷淋头进行温度控制。更具体而言，与喷淋头的中央部相比，其外侧的温度变高，而且其外侧的周缘部的温度变得极端低，形成这样的温度分布，当然会对成膜特性产生影响。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基板处理装置，能够改善基板载置台的外周区域的温度的控制性，降低起因于被处理基板的周缘部的温度降低以及因来自于外周区域的辐射热引起的喷淋头的温度上升所造成的处理不良以及不均匀。
此外，本发明的其它目的在于提供一种外周区域的温度的控制性得到改善的基板载置台。
本发明的第一方面提供一种基板处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板的处理容器；配置在上述处理容器内，用于载置被处理基板的载置台；设置在与上述载置台相对的位置，用于向上述处理容器内喷出处理气体的处理气体喷出机构；以及对上述处理容器内进行排气的排气机构，其中，上述基板载置台具有：载置台主体；以及热遮蔽体，该热遮蔽体被设置在与上述载置台主体的载置被处理基板的区域相比位于更外侧的区域，用于降低从上述载置台主体向上述处理气体喷出机构的热扩散。
在上述第一观点的基板处理装置，上述热遮蔽体可以使热量沿着与上述载置台主体的表面平行的方向扩散。此外，上述热遮蔽体可以由氧化铝(Al2O3)、氧化铝-碳化钛(Al2O3-TiC)、氧化锆(ZrO2)、氮化硅(Si3N4)、云母、无定形碳(Amorphous Carbon)、石英(SiO2)或者多孔质材料构成。
此外，上述载置台主体的材质为碳化硅(SiC)或者氮化铝(AlN)，上述热遮蔽体由热传导率比上述载置台主体的材质的热传导率小的材质构成。
而且，上述热遮蔽体具有由材质不同的两层以上的膜构成的层叠结构。
此时，具有上述层叠结构的上述热遮蔽体中的、与上述载置台主体邻接的最下层，可以由热传导率比上述载置台主体的材质的热传导率大的材质构成，作为上述热遮蔽体的表面层的最外层，可以由热传导率比上述载置台主体的材质的热传导率小的材质构成。
上述热遮蔽体可以为通过热喷镀法或者溅射法形成的被膜。
而且，上述处理气体喷出机构可以具有由形成有用于导入上述处理气体的气体流路的多个板所构成的层叠体，上述层叠体在其内部可以具有以围绕上述气体流路的方式设置的环状温度调节室。此时，上述层叠体可以包括：用于导入上述处理气体的第一板；与上述第一板的主面邻接的第二板；以及与上述第二板邻接，并且与载置在上述载置台上的被处理基板对应且形成有多个气体喷出孔的第三板。而且，上述温度调节室可以由在上述第一板、上述第二板或者上述第三板中的任一个中形成的凹部和邻接的板面形成。
而且，可以在上述凹部中形成有与邻接的板相接的多个传热用柱体，或者在上述凹部中形成有与邻接的板相接的多个传热用壁体。
而且，还可以设置为具有向上述温度调节室内导入调温用介质的导入流路和排出调温用介质的排出流路。或者上述处理气体喷出机构还可以进一步具有向上述温度调节室内导入调温用介质的导入流路，使上述温度调节室与上述处理容器内的处理空间连通。
本发明第二方面提供一种基板载置台，其特征在于：该基板载置台用于在被导入处理气体以对被处理基板进行气体处理的处理容器内载置被处理基板，其包括：载置台主体；以及热遮蔽体，该热遮蔽体被设置在与上述载置台主体的载置被处理基板的区域相比位于更外侧的区域，用于降低从上述载置台主体向上述处理气体喷出机构的热扩散。
根据本发明，因为在构成基板载置台的载置台主体的表面中在比载置被处理基板的区域更外侧的区域设置有用于降低从载置台主体向处理气体喷出机构的热扩散的热遮蔽体，所以能够抑制热量从基板载置台向处理气体喷出机构的移动。由此，能够在载置台主体中大幅度提高与载置有被处理基板的载置区域相比位于更外侧的外周区域的温度控制性，从而改善成膜的均匀性。
此外，因为能够抑制因来自于基板载置台的热辐射使处理气体喷出机构的温度上升从而导致形成不均匀的温度分布，所以在该方面能够实现成膜特性的改善。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式所涉及的成膜装置的截面图。
图2是表示成膜装置的框体的底部结构的一个例子的立体平面图。
图3是表示成膜装置的框体的平面图。
图4是表示构成成膜装置的喷淋头的喷淋基体的平面图。
图5是表示构成成膜装置的喷淋头的喷淋基体的仰视图。
图6是表示构成成膜装置的喷淋头的气体扩散板的平面图。
图7是表示构成成膜装置的喷淋头的气体扩散板的仰视图。
图8是表示构成成膜装置的喷淋头的喷淋板的平面图。
图9是沿着IX-IX线切断图4的喷淋基体的截面图。
图10是沿着X-X线切断图6的扩散板的截面图。
图11是沿着XI-XI线切断图8的喷淋板的截面图。
图12是表示传热柱的配置方式的放大图。
图13是表示传热柱的其它例子的示意图。
图14是表示传热柱的另外的其它例子的示意图。
图15是表示传热柱的再一个其它例子的示意图。
图16是载置有晶片的状态的载置台的平面图。
图17是表示图16的XVII-XVII线截面的截面图。
图18是图17的主要部分放大图。
图19是以层叠构造方式形成的热遮蔽体的一个例子的截面图。
图20是表示本发明的第一实施方式所涉及的成膜装置中的气体供给源的构造的概念图。
图21是控制部的简要结构图。
图22是表示其它实施方式所涉及的成膜装置的截面图。
图23是表示构成图22的成膜装置的喷淋头的气体扩散板的仰视图。
图24是表示图23的气体扩散板的截面图。
图25是表示其它实施方式所涉及的气体扩散板的仰视图。
图26是表示另一个其它实施方式所涉及的气体扩散板的仰视图。
图27是其它的实施方式所涉及的成膜装置的截面图。
图28是表示再一个其它实施方式所涉及的成膜装置的截面图。
图29是表示图28的成膜装置中的气体扩散板的仰视图。
具体实施方式
以下，一边参照附图，一边对本发明的优选实施方式进行说明。
图1是表示本发明的基板处理装置的一个实施方式所涉及的成膜装置的截面图，图2是表示成膜装置的框体的内部构造的平面图，图3是其上部平面图。图4～图11是表示构成该成膜装置的喷淋头的构成部件的示意图。其中，在图1中，喷淋头的截面表示后述的图6的线X-X部分的截面，以中央部为界左右呈非对称。
如图1所示，该成膜装置具有例如采用铝等构成的平截面大致呈矩形的框体1，该框体1的内部作为形成为有底圆筒状的处理容器2。在处理容器2的底部设置有连接灯单元100的开口2a，从该开口2a的外侧，由石英制成的透过窗2d通过由O形环构成的密封部件2c而被固定，于是，使处理容器2被气密地(以气体密闭的方式)密封。在处理容器2的上部设置有能够开关的盖3，以被该盖3所支撑的方式设置有作为气体喷出机构的喷淋头40。该喷淋头40的详细情况将在后面进行阐述。另外，虽然在图1中并未表示，但是在框体1的背后设置有通过喷淋头40向处理容器内供给各种气体的后述的气体供给源60(参照图20)。此外，气体供给源60与用于供给原料气体的原料气体配管51以及用于供给氧化剂气体的氧化剂气体配管52连接。氧化剂气体配管52分支成氧化剂气体分支配管52a和52b，原料气体配管51以及氧化剂气体分支配管52a和52b与喷淋头40相连接。
在处理容器2的内部，从处理容器2的底部竖立设置有圆筒状的屏蔽基座8。在屏蔽基座8上部的开口处配置有环状的基座环7，环状的配件(附件：attachment)6被基座环7的内周侧所支撑，并且设置有被配件6的内周侧的台阶部所支撑的用于载置晶片W的晶片载置台(基板载置台)5。在屏蔽基座8的外侧设置有后述的缓冲板9。其中，晶片载置台5将在后面进行详细说明。
在缓冲板9上形成有多个排气口9a。在处理容器2的外周底部，在围绕屏蔽基座8的位置设置有底部排气流路71，处理容器2的内部通过缓冲板9的排气口9a与底部排气流路71连通，于是，形成为能够均匀地对处理容器2进行排气的构造。在框体1的下方配置有用于对处理容器2进行排气的排气装置101。对于使用排气装置101进行排气的详细情况将在后面进行叙述。
所述盖3被设置在处理容器2上部的开口部分，在该盖3的与被载置在载置台5上的晶片W相对的位置处设置有喷淋头40。
在被载置台5、配件6、基座环7以及屏蔽基座8所围绕形成的空间内，从处理容器2的底部竖立设置有圆筒状的反射部件(reflector)4，该反射部件4用于反射从图未示出的灯单元发出的热线，然后将其导向至载置台5的下面，于是，使载置台5有效地被加热。另外，作为加热源并不局限于上述的灯(lamp)，也可以在载置台5上嵌入设置(埋设)有电阻加热体来加热该载置台5。
在该反射部件4上，例如在3个地方设置有缝隙(slit)部，在与该缝隙部对应的位置处分别配置有能够升降的用于从载置台5升起晶片W的升降销12。升降销12其销部分与指示部分采用一体方式构成，并且由设置在反射部件4的外侧的圆环状的保持部件13所支撑，通过使用图未示出的致动器(actuator)来使保持部件13升降以进行上下移动。该升降销12采用从灯单元所照射的热线能够透过的材料，例如石英或者陶瓷(Al2O3、AlN、SiC)所构成。
对于升降销12而言，在其进行晶片W的交接时，升降销12从载置台5上升至突出规定长度的位置，当支撑在升降销12上的晶片W被载置在载置台5上时，使升降销12退入(返回)载置台5中。
在载置台5的正下方的处理容器2的底部，以包围开口2a的方式设置有反射部件4，在该反射部件4的内周，由石英等热线能够透过材料构成的气体屏蔽17通过支撑其整个周围而被安装。在气体屏蔽17中形成有多个孔17a。
此外，从吹扫气体供给机构所供给的吹扫气体(例如氮气、氩气等不活泼性气体)通过在处理容器2的底部所形成的吹扫气体流路19以及与该吹扫气体流路19连通并且在反射部件4的内侧下部的8个地方等距离配置的气体喷出口18而被供给至在与被反射部件4内周所支撑的气体屏蔽17下侧的透过窗2d之间的空间内。
于是，使被供给的吹扫气体通过气体屏蔽17的多个孔17a流入到载置台5的背面侧，以此来防止从后述的喷淋头40喷出的处理气体侵入至载置台5的背面一侧的空间而导致因薄膜的堆积或蚀刻引起的损伤等损坏透过窗2d。
在框体1的侧面设置有与处理容器2连通的晶片出入口15，该晶片出入口15通过门阀16与图未示出的负载锁定(load lock)室连接。
如图2所示，环状的底部排气流路71，在框体1的底部的对角位置，与夹着处理容器2而对称配置的排气合流部72连通，该排气合流部72通过设置在框体1的角部内的上升排气流路73、设置在框体1的上部的横向排气管74(参照图3)，与贯通框体1的角部而配置的下降排气流路75连接，并且与被配置在框体1的下方的排气装置101(参照图1)连接。于是，利用框体1的角部的空闲空间来配置上升排气流路73、下降排气流路75，这样，由于排气流路的形成能够在框体1的封装(占地面积、覆盖区：footprint)内完成，因此，装置的设置面积不会增大，能够节省薄膜形成装置的设置空间。
其中，在载置台5上，多个热电偶80中的例如其中一个被插入中心附近，另一个被插入边缘附近，利用这些热电偶80来测定载置台5的温度，根据该热电偶80的测定结果，使得载置台5的温度被控制。
下面，对喷淋头40进行详细的说明。
喷淋头40具有按照其外边缘与盖3上部嵌合的方式而形成的筒状的喷淋基体(第一板)41、与该喷淋基体41的下表面紧贴在一起(密接)的圆盘状的气体扩散板(第二板)42、以及被安装在该气体扩散板42的下面的喷淋板(第三板)43。构成喷淋头40的最上部的喷淋基体41形成为使整个喷淋头40的热被扩散到外部的构造。喷淋头40的整体形状形成为圆柱状，也可以是四角柱状。
喷淋基体41通过座固定螺丝41j而被固定在盖(lid)3上。在该喷淋基体41与盖3的接合部设置有盖O形槽3a以及盖O形槽3b，两者以气体密封(气密)的方式接合在一起。
图4是该喷淋基体(shower base)41的上部平面图，图5是其下部平面图，图9是图4中的线IX-IX部分的截面图。喷淋基体41包括：被设置在中央、并且与原料气体配管51连接的第一气体导入流路41a；以及与氧化剂气体配管52的氧化剂气体分支配管52a和52b连接的多个第二气体导入流路41b。第一气体导入流路41a以贯通喷淋基体41的方式沿着垂直方向延伸。此外，第二气体导入流路41b具有从导入部至喷淋基体41的中途部分沿着垂直方向延伸、并且从那里水平延伸然后再次垂直延伸的钩形。在附图中，氧化剂气体分支配管52a以及52b被配置在夹着第一气体导入流路41a而对称的位置，但是，只要是能够均匀地供给气体也可以是其它的任何位置。
在喷淋基体41的下表面(相对气体扩散板42的接合面)设置有外周O环槽(O形槽)41c以及内周O环槽(O形槽)41d，通过分别安装外周O环槽41f以及内周O环槽41g来保持接合面的气密性。此外，在第二气体导入流路41b的开口部也设置有气体流路O环槽(O形槽)41e以及气体流路O环槽(O形槽)41h。这样，就能够确保防止原料气体和氧化剂气体混合。
在该喷淋基体41的下表面配置有具有气体流路的气体扩散板42。图6是该气体扩散板42的上侧平面图，图7是其下侧平面图，图10是图6中的线X-X的截面图。在气体扩散板42的上面一侧以及下面一侧分别设置有第一气体扩散部42a以及第二气体扩散部42b。
上侧的第一气体扩散部42a避开第一气体流路42f的开口位置，具有多个圆柱状突起的传热柱42e，传热柱42e以外的空间部分形成为第一气体扩散空间42c。该传热柱42e的高度与第一气体扩散部42a的深度大体相等，具有通过紧贴位于上侧的喷淋基体41，则将来自下侧的喷淋板43的热传递至喷淋基体41的功能。
下侧的第二气体扩散部42b具有多个圆柱状突起42h，圆柱状突起42h以外的空间部形成为第二气体扩散空间42d。第二气体扩散空间42d经由垂直贯通该气体扩散板42而形成的第二气体流路42g，与喷淋基体41的第二气体导入流路41b连通。在圆柱状突起42h的一部分上，至与被处理体的区域相同区域以上优选是10％以上的区域，在中心部贯通形成第一气体流路42f。该圆柱状突起42h的高度与第二气体扩散部42b的深度大致相等，并且与紧贴气体扩散板42的下侧的喷淋板43的上面紧贴。此外，圆柱状突起42h之中的形成第一气体流路42f的突起按照紧贴下侧的喷淋板43的后述的第一气体喷出口43a和第一气体流路42f连通的方式而配置。也可以在所有的圆柱状突起42h上形成第一气体流路42f。
如图12的放大图所示，所述传热柱42e的直径d0例如是2～20mm，优选5～12mm。此外，邻接的传热柱42e的间隔d1例如是2mm～20mm，优选2～10mm。另外，优选按照多个传热柱42e的截面积的总和S1与第一气体扩散部42a的截面积S2的比(面积比R＝(S1/S2))为0.05～0.50的方式来配置传热柱42e。如果该面积比R小于0.05，则提高对喷淋基体41的传热效率的效果变小，散热性变差，相反，如果大于0.50，则第一气体扩散空间42c中气体的流路阻力增大，发生气流的不均匀，在基板上成膜时，表面内的膜厚的误差(不均匀性)有可能增大。而且，在本实施方式中，如图12所示，邻接的第一气体流路42f与传热柱42e之间的距离变为一定。但是，并不局限于这种方式，只要传热柱42e位于第一气体流路42f之间，则可以是任何气体的配置。
此外，传热柱42e的截面形状除图12所示的圆形之外，如果是椭圆形等曲面形状，则流路阻力少，因此，比较理想，但是，也可以是图13所示的三角形，图14所示的四角形，图15所示的八角形等多角形柱。
而且，传热柱42e的排列优选是格子状或者锯齿状，第一气体流路42f优选在传热柱42e的排列的格子状或者锯齿状的中心而形成。例如，传热柱42e为圆柱时，采用直径d0为8mm、间隔d1为2mm的尺寸以格子状来配置传热柱42e，这样，面积比R为0.44。采用这种传热柱42e的尺寸以及配置，均能够将传热效率以及气流的均匀性保持为较高的水平。另外，面积比R可以根据各种气体而适当设定。
此外，在第一气体扩散部42a的周边部附近(内周O环槽41d的外侧附近)的多个地方，设置有用来使该第一气体扩散部42a内的传热柱42e的上端部紧贴上侧的喷淋基体41的下面的多个扩散板固定螺丝41k。利用该扩散板固定螺丝41k的紧固力，第一气体扩散部42a内的多个传热柱42e可靠地紧贴喷淋基体41的下面，传热阻力减少，从而能够可靠地获得传热柱42e的传热效果。固定螺丝41k也可以被安装在第一气体扩散部42a的传热柱42e上。
由于设置在第一气体扩散部42a内的多个传热柱42e不像分割壁那样分割空间，因此，第一气体扩散空间42c未被分割而形成为一个连续的整体，被导入第一气体扩散空间42c的气体能够在其整个范围进行扩散的状态下朝着下方喷出。
此外，如上所述，由于第一气体扩散空间42c形成为一个连续的整体，因此，不仅能够借助一个第一气体导入流路41a以及原料气体配管51向第一气体扩散空间42c中导入原料气体，并且能够减少原料气体配管51的与喷淋头40的连接处以及简化(缩短)线路。其结果是，通过缩短原料气体配管51的管路，从气体供给源60通过配管面板61而被供给的原料气体的供给/供给停止的控制精度得以提高，同时，能够实现整个装置的设置空间的削减。
如图1所示，原料气体配管51作为整体而构成于圆顶(弓形结构：arch)之上，具有原料气体垂直上升的垂直上升部分51a、与之连续的向斜上方上升的斜上升部分51b、与之连续的下降部分51c，垂直上升部分51a与斜上升部分51b的连接部分、斜上升部分51b与下降部分51c的连接部分形成平缓的(曲率半径大的)弯曲形状。这样，能够在原料气体配管51的途中防止压力变动。
在上述气体扩散板42的下面，通过从气体扩散板42的上表面被插入、沿其圆周方向排列的多个固定螺丝42j、42m以及42n而安装有喷淋板43。这样从气体扩散板42的上表面插入这些固定螺丝的原因在于，如果在喷淋板40的表面形成螺纹或者螺纹槽，则在喷淋头40的表面形成的膜则很容易发生剥离。下面，对喷淋板43进行说明。图8是喷淋板43的上侧的平面图，图11是图8中的线XI-XI所示部分的截面图。
在该喷淋板43上，多个第一气体喷出口43a以及多个第二气体喷出口43b按照相互邻接的方式而配置形成。即，多个第一气体喷出口43a的各个分别按照与上侧的气体扩散板42的多个第一气体流路42f连通的方式而配置，多个第二气体喷出口43b按照与上侧的气体扩散板42的第二气体扩散部42b中的第二气体扩散空间42d连通的方式配置，即被配置在多个圆柱状突起42h的间隙。
在该喷淋板43中，与氧化剂气体配管52连接的多个第二气体喷出口43b被配置在最外围，在其内侧，第一气体喷出口43a以及第二气体喷出口43b交互均等地被排列。该交互式排列的多个第一气体喷出口43a以及第二气体喷出口43b的排列间距dp的一个例子是7mm，第一气体喷出口43a例如是460个，第二气体喷出口43b例如是509个。这些排列间距dp以及个数根据被处理体的尺寸、成膜特性而适当进行设定。
构成该喷淋头40的喷淋板43、气体扩散板42以及喷淋基体41通过被排列在周边部的层叠固定螺丝43d而被紧固。
此外，在层叠的喷淋基体41、气体扩散板42、喷淋板43上，用来安装热电偶10的热电偶插入孔41i、热电偶插入孔42i、热电偶插入孔43c被设置在沿着厚度方向重合的位置，这样就能够测定喷淋板43的下面和喷淋头40内部的温度。将热电偶10设置在中心和外周部，也能够更加均匀并且精确地控制喷淋板43的下面的温度。这样，由于能够均匀地加热基板，因此，能够形成面内均匀的膜。
在喷淋头40的上表面配置有由被分割成外侧与内侧的环状的多个加热器91以及被设置在加热器91之间并且用来使冷却水等冷却介质流通的冷却介质流路92组成的温度控制机构90。热电偶10的检测信号被输入控制部300的处理控制器301(参照图21)，处理控制器301根据该检测信号，向加热器电源输出单元93以及冷却介质源输出单元94输出控制信号，并反馈给温度控制机构90，这样就能够控制喷淋头40的温度。
接着，对晶片载置台5进行详细说明。
图16是载置有晶片W的状态的晶片载置台5的平面图，图17是表示图16的XVII-XVII线截面的截面图。此外，图18是图17的主要部分放大图。
如图所示，晶片载置台5包括：载置台本体5a；以及环状的热遮蔽体200，其中该遮蔽体200以包围晶片W的载置区域的方式设置在载置台本体5a的晶片载置区域的更外侧的外周区域。热屏蔽部件200，在晶片W被载置在载置台本体上的状态下，在与晶片W的周缘部之间形成有规定的宽度(例如1～2mm)的间隙。当没有该间隙的情况下，是晶片W的周缘部与热遮蔽体200接触而破损，因摩擦等而产生颗粒的主要原因。
因为晶片载置台5的加热温度达到600℃以上，所以热遮蔽体200优选使用耐热性优秀并且热应力小的较强的材质。从该观点出发，作为热遮蔽体200的材质，例如除了氧化铝(Al2O3)、氧化铝-碳化钛(Al2O3-TiC)、氧化锆(ZrO2)、氮化硅(Si3N4)等陶瓷材料之外，优选使用例如云母、无定形碳(Amorphous Carbon)、石英(SiO2)、多孔质材料(例如B-Qz石英玻璃(商品名：东芝陶瓷会社制))等。
热遮蔽体200具有能够抑制晶片载置台5的热量向与晶片载置台5相对配置的喷淋头40的方向(图18的y方向)散放，使晶片载置台5的热量沿着与载置台本体5a的表面平行的方向(图18中的x方向)扩散的功能。从该观点出发，作为热遮蔽部件200的材质，优选使用能够形成为原子沿x方向排列配置的结晶结构的材质，例如使用云母(mica)等。对于具有上述结晶结构的材质而言，因为向着原子的排列配置方向的热传导，和与其正交方向的相比变大，所以能够使从载置台本体5a向热遮蔽体200转移的热量的传导方向沿着x方向扩散。
此外，在使热量沿着x方向扩散的目的方面，例如也能够使用无定形碳等。
其中，当原子的排列配置方向为y方向时，在热遮蔽体200中会产生破裂(cracking)。
形成热遮蔽体200的方法没有特别限定，例如可以采用热喷镀法(Thermal spraying)、离子电镀法(ion plating)、CVD法、溅射法(sputtering)等的方法形成，优选选择能够在热遮蔽体200和载置台本体5a之间得到高密接性的方法，从上述观点出发，优选采用热喷镀法或者溅射法。
此外，热遮蔽体200优选选择热传导率比载置台本体5a的材质的热传导率低的材质。当载置台本体5a的材质为碳化硅(SiC：热传导率46W/m.K)时，作为热遮蔽体200的材质，例如优选选择为氧化铝(Al2O3：热传导率29W/m.K)、氧化铝-碳化钛(Al2O3-TiC：热传导率21W/m.K)。
此外，当载置台本体5a的材质为氮化铝(AlN：热传导率130W/m.K)时，作为热遮蔽体200的材质，例如优选使用氧化锆(ZrO2：热传导率3W/m.K)、氮化硅(Si3N4：热传导率25.4W/m.K)。
此外，热遮蔽体200不仅能够作为被膜而形成，而且还能够配置由上述材质构成的环状部件例如薄板。但是，当配置环状部件时，因为难以确保与载置台本体5a之间的密接性，有可能因位置偏移而与晶片W接触，从而与载置台本体5a之间产生磨耗并产生颗粒，因此优选作为不会产生上述疑虑的被膜而形成。
作为热遮蔽体200的厚度t，优选为载置于载置台本体5a上的晶片W的厚度以下，例如可以为1mm以下。若热遮蔽体200的厚度t比晶片W的厚度还厚，则在成膜中在晶片W的周缘部和热遮蔽体200之间有可能产生堆积物。
图19表示的热遮蔽体201形成为层叠构造的构成例。在图19所示的例子中，热遮蔽体201形成为从载置台本体5a一侧开始顺序地层叠有下层202、以及由与该下层202不同材质构成的上层203的双层构造。对于这种层叠构造的热遮蔽体201，例如能够通过利用热喷镀法在载置台5的表面依次形成下层202和上层203来制造。
在图19所示的层叠构造的热遮蔽体201中，因为具有载置台本体5a和下层202的边界面以及下层202和上层203的边界面，所以在这些边界面变得难以进行热传导。因此，优选例如作为与载置台本体5a接触的下层202的材质使用热传导率比载置台本体5a的材质的热传导率高的材质，作为上层203的材质使用热传导率比载置台本体5a的材质的热传导率小的材质。在这样构成的热遮蔽体201中，能够使从载置台本体5a向着由比载置台本体5a的热传导率高的材质构成的下层202的传热变大，另一方面，使从下层202向热传导率低的上层203的传热变小，能够在下层202中迅速进行沿水平方向的热扩散。由此，能够有效抑制向着喷淋头40的沿着y方向的热辐射，并且能够保持载置于载置台本体5a上的晶片W的周缘部的温度。由此，能够确保成膜的均匀性。
如上所述，根据本实施方式所涉及得晶片载置台5，在载置台本体5a的表面，在载置有晶片W的区域的更外侧区域，因为配置有能够抑制从晶片载置台5向喷淋头40的热辐射的热遮蔽体200，所以能够抑制热量从晶片载置台5向喷淋头40的移动。由此，在载置台本体5a中，能够大幅度提高载置有晶片W的载置区域的更外侧的外周部的温度控制性，从而改善成膜的均匀性。此外，还能够抑制因来自于晶片载置台5的辐射热而引起的喷淋头40的温度上升，抑制在喷淋头40内形成不均匀的温度分布，所以能够改善成膜特性。
此外，因为在喷淋头40的中央部的第一气体扩散部42a具有传热柱42e，在第二气体扩散部42b具有多个圆柱状突起42h，所以能够缓和气体扩散空间的隔热效果，防止喷淋头40的中央部的温度上升。由此，能够均匀控制喷淋头40整体的温度来进行成膜。
下面，参照图20，对用来通过喷淋头40向处理容器2内供给各种气体的气体供给源60进行说明。
气体供给源60包括：用来生成原料气体的气化器60h、向该气化器60h供给液体原料(有机金属化合物)的多个原料罐60a、原料罐60b、原料罐60c、以及溶剂罐60d。在形成PZT的薄膜的情况下，例如作为有机溶剂调整至规定温度的液体原料，在原料罐60a中储存着Pb(thd)2，在原料罐60b中储存有Zr(dmhd)4，在原料罐60c中储存有Ti(OiPr)2(thd)2。作为其它的原料例如也可以使用Pb(thd)2和Zr(OiPr)2(thd)2和Ti(OiPr)2(thd)2的组合。
另外，在溶剂罐60d中例如储存有CH3COO(CH2)3CH3(乙酸丁酯)等。作为其它的溶剂，例如也可以使用CH3(CH2)6CH3(正辛烷)等。
多个原料罐60a～原料罐60c通过流量计60f、原料供给控制阀60g与气化器60h连接。该气化器60h通过吹扫气体供给控制阀60j、流量控制部60n以及混合控制阀60p与载体(吹扫)气体源60i连接，这样，各个液体原料气体被导入到气化器60h中。
溶剂罐60d通过流体流量计60f、原料供给控制阀60g与气化器60h连接。接着，将压送用气体源的氦气(He)导入到多个原料罐60a～60c以及溶剂罐60d中，利用氦气(He)的压力从各个罐中被供给的各个液体原料以及溶剂以规定的混合比被供给至气化器60h，作为被气化的原料气体而被送出至原料气体配管51中，通过设置在阀块61中的阀62a而被导入喷淋头40。
此外，在气体供给源60中，在吹扫气体流路53、19等中通过吹扫气体供给控制阀60j、阀60s、60x、流量控制部60k、60y、阀60t、60z，在例如供给Ar、He、N2等不活泼性气体的载体(吹扫)气体源60i以及氧化剂气体配管52中，例如通过氧化剂气体供给控制阀60r、阀60v、流量控制部60u、设在阀块61中的阀62b，而设有例如供给NO2、N2O、O2、O3、NO等氧化剂(气体)的氧化剂气体源60q。
此外，在原料供给控制阀60g关闭的状态下，载体(吹扫)气体源60i通过阀60w、流量控制部60n以及混合控制阀60p向气化器60h内供给载体气体，这样，就能够根据需要，利用Ar等组成的载体气体，吹扫包括原料气体配管51的配管内以及吹扫气化器60h内的不必要的原料气体。同样，载体(吹扫)气体源60i通过混合控制阀60m与氧化剂气体配管52连接，根据需要，能够使用氩气(Ar)等吹扫气体来吹扫配管内的氧化剂气体和载体气体。而且，载体(吹扫)气体源60i通过阀60s、流量控制部60k、阀60t、设在阀块61中的阀62c，而与原料气体配管51的阀62a的下游一侧连接，能够使用氩气等吹扫气体来吹扫关闭阀62a的状态下的原料气体配管51的下游一侧。
图1所示的成膜装置的各个构成部件与控制部300连接并受其控制。例如，如图21所示，控制部300包括：配备有CPU的处理控制器301。处理控制器301与由工序过程管理者为管理成膜装置而进行命令输入操作等的键盘以及显示成膜装置的运转情况的显示器等构成的用户界面302连接。
此外，处理控制器301还与存储部303连接，该存储部303用于存储用来在处理控制器301的控制下实现在成膜装置中所实施的各种处理的控制程序(软件)和记录有处理条件数据等的方案。
根据需要，按照从用户界面302发出的指示等从存储部303中读取任意的方案并使其在处理控制器301中运行，这样，就能够在处理控制器301的控制下，在成膜装置中实施预期的处理。此外，所述控制程序和处理条件数据等的方案可以被存储在例如CD-ROM、硬盘、软盘、闪存等计算机能够读取的存储介质中，或者从其它的装置例如通过专线随时进行传送而能够在线使用。
其中，在图1中仅仅代表性地表示出控制部300和热电偶10、加热器电源输出单元93以及冷却介质源输出单元94的连接。
下面，对采用这种方式构成的成膜装置的操作进行说明。
首先，在经由底部排气流路71、排气合流部72、上升排气流路73、横向排气管74以及下降排气流路75的排气路线中，处理容器2内被图中未示的真空泵排气，并被设定为例如100～550Pa左右的真空度。
此时，从载体(吹扫)气体源60i并经由吹扫气体流路19，将氩气(Ar)等吹扫气体从多个气体喷出口18供给至气体屏蔽17的背面(下面)一侧，该吹扫气体通过气体屏蔽17的孔17a流入晶片载置台5的背面一侧，并经由屏蔽基体8的缝隙流入到底部排气流路71中，形成用来防止薄膜堆积在位于气体屏蔽17下方的透过窗2d或者蚀刻等的损伤的稳定的吹扫气体流。
在该状态的处理容器2中，使升降销12上升从而在载置台5a上突出，利用图中未示的机器手机构等，经由门阀16、晶片出入口15搬入晶片W，并载置在升降销12上然后关闭门阀16。
接着，使升降销12下降并使晶片W载置在载置台5上，同时，点亮下方的图中未示的灯单元，并通过透过窗2d向载置台5的下面(背面)一侧照射热线，例如在400℃～700℃之间将被载置在载置台5上的晶片W加热至600～650℃。此时，因为在载置台本体5a的晶片载置区的外侧的外周区域设置有热遮蔽体200，所以能够很容易进行外周区域的温度控制。此外，因为能够抑制从晶片载置台5向喷淋头40的热辐射，所以也能够很容易对喷淋头40的温度进行控制。
此外，将处理容器2内的压力调整为133.3～666Pa(1～5Torr)。
接着，从喷淋头40下面的喷淋板43的多个第一气体喷出口43a以及第二气体喷出口43b，并且利用气体供给源60向上述被加热的晶片喷出供给例如Pb(thd)2、Zr(dmhd)4、Ti(OiPr)2(thd)2按照规定比率(例如构成PZT的Pb、Zr、Ti、O等元素成为规定的化学计量学(stoichiometry)比的比率)而被混合的原料气体以及氧气(O2)等的氧化剂(气体)，通过这些原料气体和氧化剂的各个热分解反应和相互间的化学反应，在晶片W的表面形成由PZT构成的薄膜。
即，从气体供给源60的气化器60h到来的被气化的原料气体与载体气体一同从原料气体配管51经由气体扩散板42的第一气体扩散空间42c、第一气体流路42f、喷淋板43的第一气体喷出口43a而被喷出供给至晶片W的上部空间。同样，从氧化剂气体源60q供给的氧化剂气体经由氧化剂气体配管52、氧化剂气体分支配管52a、喷淋基体41的第二气体导入流路41b、气体扩散板42的第二气体流路42g到达第二气体扩散空间42d，并经由喷淋板43的第二气体喷出口43b而被喷出供给至晶片W的上部空间。原料气体与氧化剂气体被分别供给处理容器2内而不在喷淋头40内混合。通过控制该原料气体及氧化剂气体的供给时间，使得在晶片W上形成的薄膜的膜厚得以控制。
接着，对本发明的其它实施方式进行说明。
图22是本发明的其它实施方式所涉及的成膜装置的简要结构的截面图，图23是表示该成膜装置所具有的气体扩散板42的下侧平面图，图24是表示气体扩散板42总的与图10相同场所的截面图。在本实施方式的成膜装置中，在气体扩散板42中，以包围第二气体扩散部42b的方式设置有用于形成温度调节用空间的环状的温度调节室400。该温度调节室400是由在气体扩散板42的下面形成的凹部(环状槽)401和喷淋板43的上面所形成的空间。温度调节室400被用作喷淋头40内的隔热空间，在喷淋头40的周缘部通过气体扩散板42、喷淋基体41来抑制热量向上方的逃逸。其结果，能够抑制与中央部相比温度易于降低的喷淋头40的周缘部的温度的降低，能够使喷淋头40内的温度实现均匀性，特别是能够使相对于载置台5的喷淋板43的温度均匀化。
其中，在喷淋板43的上面设置有环状的凹部，能够在与气体扩散板42的下面之间形成温度调节室400。此外，温度调节室400还能够通过喷淋基体41和气体扩散板42形成。此时，在喷淋基体41的下面形成有环状的凹部，在与气体扩散板42的上面之间形成温度调节室400也可以，或者也可以通过喷淋基体41的下面和在气体扩散板42的上面形成的环状的凹部形成温度调节室400。其中，因为为了使成膜组成匀质化，位于喷淋头40的最下面，与载置于载置台5上的晶片W相对的喷淋基板43的温度的均匀性是重要的，所以优选在能够有效抑制喷淋板43的周缘部的温度降低的场所设置温度调节室400。因此，优选如通过气体扩散板42和喷淋基板43形成温度调节室400那样，在它们中的任意一个上设置凹部。
其中，在图22中，因为上述之外的结构均与图1所述的成膜装置相同，所以对于相同的结构标注同一符号并省略说明。
接着，对本发明的其它实施方式进行说明。
图25以及图26是说明再一个实施方式所涉及的成膜装置的喷淋头40所使用的气体扩散板42的图。图25表示的是在形成于气体扩散板42上的凹部401内设置有具有与喷淋基板43相抵接的高度的多个传热柱402的构成例。由此，立设于温度调节室400内的传热柱402起到促进从喷淋基板43向气体扩散板42的热传导的效果。通过设置气体扩散板42，能够使温度调节室400内构成传热柱402以外的部分的隔热空间的容积缩小，能够通过传热柱402调整温度调节室400的隔热性。
如图25所示，圆柱形状的传热柱402呈同心圆状配置在凹部401内。此时，考虑到越靠近喷淋头40的周缘部温度越容易降低，因此优选向着气体扩散板42的周部的方向使传热柱402的个数减少，或者使传热柱402的配设间隔或者截面积减小。作为其一个例子，在图25中，传热柱402的配设间隔随着向着径外方向而变大(间隔d2＞d3＞d4)。由此，以温度调节室400的内部空间的隔热效果越向着径外方向变得越大的方式进行调整。通过研究传热柱402的个数、配置、截面积等，能够仔细调节温度调节室400的隔热程度。
其中，传热柱402的形状并不局限于图25所示的圆柱状，与设置在第一气体扩散部42a内的传热柱42e相同，例如可以为三角形、四角形、八角形等多角形的柱体。此外，传热柱402的配置也并不局限于同心圆状，例如也可以呈放射状等。
图26表示的是在形成于气体扩散板42上的凹部401内设置有具有与喷淋基板43相抵接的高度的多个传热壁403的构成例。弧状的传热壁403呈同心圆状配置在凹部401内。此时，此时，考虑到越靠近喷淋头40的周缘部温度越容易降低，因此，优选使沿着气体扩散板42的径外方向(即、按照向着气体扩散板42的周缘部的方向)，使传热壁403的间隔、壁厚(截面积)、沿圆周方向配置的传热壁403的个数等变小，使温度调节室400的内部空间的隔热效果越向着径外方向变得越大。作为其一个例子，在图26中，使传热壁403的配置间隔向着径外方向变大(间隔d5＞d6＞d7＞d8＞d9)。其中，传热壁403的配置并不局限于同心圆状，例如也可以是放射状。
其中，图25以及图26中所示的气体扩散板42因为能够保持原样(无需改变)地应用于图22所示的成膜装置中，所以对于具有图25以及图26的气体扩散板42的成膜装置的整体结构的图示以及说明予以省略。
接着，对本发明的再一个其它实施方式进行说明。
图27是其它的实施方式所涉及的成膜装置的截面图。在该例子中，通过形成于气体扩散板42上凹部401以及喷淋基板43所形成的温度调节室400，与导入温度调解用介质例如热介质气体的气体导入流路404以及排出热介质气体的气体排出流路(图未示出)连接。气体导入流路404以及气体排出流路共同与热介质气体输出单元405连接。热介质气体输出单元405与控制部300连接而被控制，并且具有图未示出的加热单元和泵，将例如由Ar、N2等不活泼性气体等构成的热介质气体加热至规定温度并从气体导入流路404导入到温度调节室400，并从图未示出的气体排出流路排出，从而形成循环。
然后，通过使调节至规定温度的热介质气体在温度调节室400流通，而能够抑制喷淋头40的周缘部的温度的降低从而提高喷淋头40整体的温度的均匀性。在本实施方式中，通过向温度调节室400导入被调节至规定温度的热介质气体，而能够容易地进行喷淋头40的温度控制。其中，在图27中，上述之外的结构因为与图22所述的成膜装置相同，所以对于相同结构标注相同标号并省略说明。
图28表示的是图27所示实施方式的变形例。在图27所示的实施方式中，使热介质气体在温度调节室400内循环来进行喷淋头40的温度控制。与此相对，在图28所示的实施方式中，在温度调节室400内设置有多条与处理容器2内的空间(处理空间)连通的连通路406。在气体扩散板42的下面，例如如图29所示，呈放射状形成有从凹部401向径外方向延伸的细槽407。多个细槽407通过使气体扩散板42与喷淋基板43面抵接而形成水平方向的连通路406。
在本实施方式中，从热介质气体输出单元405经由导入流路404导入到温度调节室400内的热介质气体，从连通路406被排出至处理空间内。由此，能够利用热介质气体进行喷淋头40的温度控制。此外，因为温度调节室400内始终持续导入一定量的热介质气体，所以处理空间的处理气体不会逆流至温度调节室400内。
其中，在本实施方式中，导入到温度调节室400内的热介质气体经由连通路406被排出至处理容器2内的处理空间，由此，能够利用与处理气体的除害处理相同的排气路径进行热介质气体的除害处理。因此，没有必要独立分开进行热介质气体的除害处理，从而具有能够使排气处理一体化并简化排气路径的优点。
在图28以及图29中，上述之外的结构因为与图22所述的成膜装置相同，所以对于相同结构标注相同标号并省略说明。
以上说明的图22～图29所示的实施方式的具有气体扩散板42的成膜装置的结构为：在晶片载置台5上具有热遮蔽体200，并且在喷淋头40内具有温度调节室400。因此，能够抑制从与载置台主体5a的晶片载置区域相比位于更外侧的外周区域，向着喷淋头40的相对部位的热辐射所引起的该部位的过热，并且能够抑制与上述部位相比位于更外侧部位(即喷淋头40的周缘部)的温度降低。
另外，由于在喷淋头40的中央部的第一气体扩散部42a中具有传热柱42e，在第二气体扩散部42b中具有多个圆柱状突起42h，因此，能够缓和气体扩散空间的隔热效果，防止喷淋头40的中央部过热。
于是，就能够使喷淋头40的温度更加均匀，并改善成膜特性。
再者，本发明并不局限于上述实施方式，可以在本发明的思想范畴内进行各种各样的变形。例如，在上述实施方式中，以PZT薄膜的成膜处理为例进行了说明，但是，并不局限于此，也能够应用于例如BST、STO、PZTN、PLZT、SBT、Ru、RuO2、BTO等膜的形成，而且在形成W膜或Ti膜等其它膜的情况下也能够适用。
本发明并不局限于成膜装置，能够应用在热处理装置、等离子处理装置等其它的气体处理装置中。
作为被处理基板以半导体晶片为例进行了说明，但是并不局限于此，对于以液晶显示装置(LCD)用玻璃基板为代表的平面平板显示器(FPD)等其它的基板的处理也能够适用。在被处理体由化合物半导体构成的情况下也能够应用本发明。
工业实用性
本发明能够在处理容器内，从与被载置在载置台上并被加热的基板相对而设的喷淋头供给原料气体，然后进行预期处理的基板处理装置中广泛使用。

Claims (19)

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
收容被处理基板的处理容器；
配置在所述处理容器内，用于载置被处理基板的载置台；
设置在与所述载置台相对的位置，用于向所述处理容器内喷出处理气体的处理气体喷出机构；以及
对所述处理容器内进行排气的排气机构，其中，
所述基板载置台具有：载置台主体；以及热遮蔽体，该热遮蔽体被设置在与所述载置台主体的载置被处理基板的区域相比位于更外侧的区域，用于降低从所述载置台主体向所述处理气体喷出机构的热扩散，
所述热遮蔽体具有由材质不同的两层以上的膜构成的层叠结构。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述热遮蔽体使热量沿着与所述载置台主体的表面平行的方向扩散。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述热遮蔽体由氧化铝(Al2O3)、氧化铝-碳化钛(Al2O3-TiC)、氧化锆(ZrO2)、氮化硅(Si3N4)、云母、无定形碳(Amorphous Carbon)、石英(SiO2)或者多孔质材料构成。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：
所述载置台主体的材质为碳化硅(SiC)或者氮化铝(AlN)，所述热遮蔽体由热传导率比所述载置台主体的材质的热传导率小的材质构成。
5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
具有所述层叠结构的所述热遮蔽体中的、与所述载置台主体邻接的最下层，由热传导率比所述载置台主体的材质的热传导率大的材质构成，作为所述热遮蔽体的表面层的最外层，由热传导率比所述载置台主体的材质的热传导率小的材质构成。
6.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
收容被处理基板的处理容器；
配置在所述处理容器内，用于载置被处理基板的载置台；
设置在与所述载置台相对的位置，用于向所述处理容器内喷出处理气体的处理气体喷出机构；以及
对所述处理容器内进行排气的排气机构，其中，
所述基板载置台具有：载置台主体；以及热遮蔽体，该热遮蔽体被设置在与所述载置台主体的载置被处理基板的区域相比位于更外侧的区域，用于降低从所述载置台主体向所述处理气体喷出机构的热扩散，
所述热遮蔽体为通过热喷镀法或者溅射法形成的被膜。
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于：
所述处理气体喷出机构具有由形成有用于导入所述处理气体的气体流路的多个板所构成的层叠体，
所述层叠体在其内部具有以围绕所述气体流路的方式设置的环状温度调节室。
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于：
所述层叠体包括：
用于导入所述处理气体的第一板；
与所述第一板的主面邻接的第二板；以及
与所述第二板邻接，并且与载置在所述载置台上的被处理基板对应且形成有多个气体喷出孔的第三板。
9.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于：
所述温度调节室由在所述第一板、所述第二板或者所述第三板中的任一个中形成的凹部和邻接的板面形成。
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于：
在所述凹部中形成有与邻接的板相接的多个传热用柱体。
11.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于：
在所述凹部中形成有与邻接的板相接的多个传热用壁体。
12.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于：
还具有向所述温度调节室内导入调温用介质的导入流路和排出调温用介质的排出流路。
13.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于：
还具有向所述温度调节室内导入调温用介质的导入流路，使所述温度调节室与所述处理容器内的处理空间连通。
14.一种基板载置台，其特征在于：
该基板载置台用于在被导入处理气体以对被处理基板进行气体处理的处理容器内载置被处理基板，其包括：
载置台主体；以及
热遮蔽体，该热遮蔽体被设置在与所述载置台主体的载置被处理基板的区域相比位于更外侧的区域，用于降低从所述载置台主体向所述处理气体喷出机构的热扩散，
所述热遮蔽体具有由材质不同的两层以上的膜构成的层叠结构。
15.如权利要求14所述的基板载置台，其特征在于：
所述热遮蔽体使热量沿着与所述载置台主体的表面平行的方向扩散。
16.如权利要求14所述的基板载置台，其特征在于：
所述热遮蔽体由氧化铝(Al2O3)、氧化铝-碳化钛(Al2O3-TiC)、氧化锆(ZrO2)、氮化硅(Si3N4)、云母、无定形碳(Amorphous Carbon)、石英(SiO2)或者多孔质材料构成。
17.如权利要求16所述的基板载置台，其特征在于：
所述载置台主体的材质为碳化硅(SiC)或者氮化铝(AlN)，所述热遮蔽体由热传导率比所述载置台主体的材质的热传导率小的材质构成。
18.如权利要求14所述的基板载置台，其特征在于：
具有所述层叠结构的所述热遮蔽体中的、与所述载置台主体邻接的最下层，由热传导率比所述载置台主体的材质的热传导率大的材质构成，作为所述热遮蔽体的表面层的最外层，由热传导率比所述载置台主体的材质的热传导率小的材质构成。
19.一种基板载置台，其特征在于：
该基板载置台用于在被导入处理气体以对被处理基板进行气体处理的处理容器内载置被处理基板，其包括：
载置台主体；以及
热遮蔽体，该热遮蔽体被设置在与所述载置台主体的载置被处理基板的区域相比位于更外侧的区域，用于降低从所述载置台主体向所述处理气体喷出机构的热扩散，
所述热遮蔽体为通过热喷镀法或者溅射法形成的被膜。
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