CN104576445A - 批处理式基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种批处理式基板处理装置。本发明涉及的批处理式基板处理装置，能够处理多个基板(50)，其特征在于，包括：本体(100)，其具备腔室(110)，所述腔室(110)用于提供处理多个基板(50)的空间；以及多个加热器单元(200)，配置在腔室(110)的整个外侧面，该加热器单元(200)包括分别隔着规定间隔配置的多个单位加热器(201)。

Description

批处理式基板处理装置
技术领域
本发明涉及批处理式基板处理装置。更具体地，涉及通过增加收容于相同体积的腔室空间内的基板数量以提高基板处理工艺的生产率的批处理式基板处理装置。
背景技术
基板处理装置在制造平板显示器、半导体、太阳能电池等时使用，大致分为沉积(Vapor Deposition)装置和退火(Annealing)装置。
沉积装置作为形成平板显示器核心结构的透明导电层、绝缘层、金属层或硅层的装置，分为低压化学气相沉积(LPCVD：Low Pressure ChemicalVapor Deposition)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD：Plasma-EnhancedChemical Vapor Deposition)等方式的化学气相沉积装置和溅射(Sputtering)等方式的物理气相沉积装置。
退火装置是在基板上沉积膜以后提高沉积膜特性的装置，是对沉积的膜进行结晶化或相变化的热处理装置。
一般地，基板处理装置分为对一个基板进行处理的单片式(SingleSubstrate Type)基板处理装置和对多个基板进行处理的批处理式(Batch Type)基板处理装置。单片式基板处理装置虽然结构简单，但生产率较低，因此，在大批量的生产中多使用批处理式基板处理装置。
在批处理式基板处理装置中，形成有用于提供基板处理空间的腔室，在腔室可以设置分别支撑装载至腔室的多个基板的支撑部件、即基板托架，而为了处理多个基板，可以在各个基板之间设置加热器。如此，现有的批处理式基板处理装置存在基板托架以及分别设置于各个基板之间的加热器过多地占据腔室内部空间的问题。特别是，最近随着显示器以及太阳能电池用玻璃基板的尺寸大面积化，基板处理工艺所消耗的时间以及费用增加，因此，增加在一个工艺中所处理的基板数量直接关系到生产率的提高。
因此，需要开发一种批处理式基板处理装置，其通过增加可收容于相同体积的腔室空间内的基板数量，来提高基板处理工艺生产率的同时能够均匀地处理基板。
发明内容
因此，本发明是为了解决如上所述的现有技术的所有问题而提出，目的在于，提供一种增加收容于相同体积的腔室空间内的基板数量的批处理式基板处理装置。
此外，本发明的目的在于，提供一种能够均匀地处理多个基板的批处理式基板处理装置。
此外，本发明的目的在于，提供一种通过支撑大面积基板的中心部以能够防止基板变形的批处理式基板处理装置。
为了实现上述目的，本发明的一实施例涉及的批处理式基板处理装置，能够处理多个基板，其特征在于，包括：本体，其具备腔室，该腔室用于提供处理所述多个基板的空间；以及多个加热器单元，配置在所述腔室的整个外侧面，所述加热器单元包括分别隔着规定间隔配置的多个单位加热器。
根据如上构成的本发明，通过增加收容于相同体积的腔室空间内的基板数量，能够提高基板处理工艺的生产率。
此外，能够均匀地处理多个基板。
此外，通过支撑大面积基板的中心部，能够防止基板变形。
附图说明
图1是示出本发明的一实施例涉及的批处理式基板处理装置的结构的立体图。
图2是示出本发明的一实施例涉及的加热器单元的结构的立体图。
图3是示出本发明的一实施例涉及的支撑单元的结构的立体图。
图4是本发明的一实施例涉及的支撑单元的局部分解放大立体图。
图5是本发明的一实施例涉及的支架与支撑杆结合的剖视图。
图6是示出本发明的一实施例涉及的批处理式基板处理装置的内部结构的立体图。
图7a、图7b是示出本发明的一实施例涉及的供气管以及排气管的立体图。
图8是示出本发明的一实施例涉及的配置有第五加热器单元的加热器单元结构的立体图。
附图标记
50：基板
100：本体
110：腔室
130：出入口
150：门
180、190：供气管、排气管
200：加热器单元
201：单位加热器
210：第一加热器单元
220：第二加热器单元
230：第三加热器单元
240：第四加热器单元
250：第五加热器单元
300：支撑单元
310：第一支撑部件
320：第二支撑部件
330：第三支撑部件
337：辅助支撑杆
341：第一连接部件
344：第二连接部件
347：第三连接部件
350：主支撑杆
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的特定实施例进行详细说明。通过这些实施例，所属领域的技术人员能够充分实施本发明。应理解为，本发明的多种实施例虽然有所不同，但并不相互排斥。例如，记载于此的一实施例的特定形状、结构以及特性，在不超出本发明的精神以及范围的基础上，可以以其他实施例的形式实现。而且，应理解为，每个公开的实施例中的个别构成要素的位置或设置，可以在不超出本发明的精神以及范围的情况下进行变更。因此，后述的详细说明并非旨在限定，准确地讲，本发明的范围应以权利要求所主张的范围及其等同范围的所附的权利要求书为准。附图中相似的附图标记表示相同或类似的结构，为了便于说明，可能对长度、面积、厚度及形态进行夸大表示。
在本说明书中，可以理解为，基板包括使用于LED、LCD等显示装置上的基板、半导体基板、太阳能电池基板等。
此外，本说明书中，可以理解为，基板处理工艺包括沉积工艺、热处理工艺等。只是下面假设以热处理工艺进行说明。
下面，参照附图详细说明本发明的实施例涉及的批处理式基板处理装置。
图1是示出本发明的一实施例涉及的批处理式基板处理装置的结构的立体图，图2是示出本发明的一实施例涉及的加热器单元200的结构的立体图。
首先，批处理式基板处理装置上所装载的基板50的材质并不特别限定，可以装载玻璃、塑料、聚合物、硅晶片等多种材质的基板50。下面，假设以平板显示装置中最常用的长方形玻璃基板进行说明。
批处理式基板处理装置包括大致呈长方体形状而构成外观的本体100，在本体100的内部可以形成有用于处理基板50的空间、即腔室110。本体100不仅可以形成为长方体形状，可以根据基板50形状形成为各种形状，腔室110可以形成为密闭空间。
在本体100的前侧可以形成有能够装载及卸载基板50的出入口130。在本体100的前侧可以设置能够以下方向移动的方式开闭出入口130的门150。在打开门150以开放腔室110的状态下，可以利用基板搬运机械臂(未图示)等来支撑基板50以向腔室110装载基板50。然后，可以在关闭门150以封闭腔室110的状态下处理基板50。为了紧锁门150，可以在出入口130进一步设置密封部件(未图示)。本体100和门150的材质优选为不锈钢，但并非限定于此。
可以在本体100的后侧可开闭地设置盖板(未图示)，以便修理或替换设置在腔室110内部的、例如支撑单元300、供气管180以及排气管190等。
可以在腔室110的整个外侧面设置多个加热器单元200(210、220、230、240)。各个加热器单元200可以包括在与基板50被装载的方向平行(例如第一加热器单元210)的方向或在与基板50被装载的方向垂直(例如第二加热器单元220、第三加热器单元230以及第四加热器单元240)的方向上以规定间隔配置的多个单位加热器201。单位加热器201可以是通常的长度较长的棒状加热器，是在石英管内部插入有发热体并通过设置在两端的端子来接收外部电源而发热的、构成加热器单元200的单体。单位加热器201可以配置成从腔室110的一侧贯通至另一侧。以基板50向腔室110装载的方向为基准，加热器单元200可以包括：第一加热器单元210(210a、210b)，配置在腔室110的左侧以及右侧；第二加热器单元220(220a、220b)，配置在腔室110的上侧以及下侧；第三加热器单元230(230a、230b、230c)，配置在腔室110的前侧；以及第四加热器单元240，配置在腔室110的后侧。在本实施例中，第一加热器单元210具有十六个单位加热器201，第二加热器单元220具有二十四个单位加热器201，第三加热器单元230具有十二个(包含门加热器230c)单位加热器201，第四加热器单元240具有二十一个单位加热器201，但是单位加热器201的数量可以根据腔室110的尺寸以及基板50的尺寸而进行各种变更。
其中，由于腔室110的前侧形成有出入口130而不易配置单位加热器201，因此可以在门150内部设置棒状的门加热器230c。另外，也可以不在门150内部设置棒状的门加热器230c，而是在门150的一侧面(朝向腔室110的一侧面)设置板状的门加热器(未图示)。因此，第三加热器单元230除了包括配置在腔室110内部前侧的上部第三加热器单元230a以及下部第三加热器单元230b之外，进一步包括设置在门150内部的门加热器230c，从而对腔室110的前侧进行加热，同时防止热量从腔室110向外部泄漏。
为了防止因形成在腔室110后侧的盖板(未图示)而损失腔室110内部的热，第四加热器单元240可以配置成三层单位加热器201。
如上所述，本发明的批处理式基板处理装置通过配置多个加热器单元200以覆盖收容于腔室110内部的基板50的整个面积，从而使基板50整个面积从单位加热器201接收热，以进行均匀地热处理。而且，与在每个基板50之间配置加热器的现有的批处理式基板处理装置不同，通过在腔室110的整个外侧面配置多个加热器单元200，从而能够确保可在腔室110内部装载基板50的较大空间。
为了冷却腔室110，可以在每个单位加热器201之间配置冷却管(未图示)。冷却管的数量可以根据设置在腔室110内的单位加热器201的数量而进行各种变更。此外，冷却管未必必须配置在每个单位加热器201之间，只要能够适当地冷却腔室110内部，也可以只设置在部分单位加热器201之间。另外，也可以不单独设置冷却管，而是在棒状的单位加热器201内部形成冷媒流动的流道(未图示)，以将单位加热器201同时作为加热器以及冷却管使用。
由于设置了冷却管，腔室110内部的热通过冷却管传导至腔室110外部，从而在结束基板处理后能够迅速地冷却腔室110内部。在结束基板处理以后，只有在腔室110内部冷却至规定温度以下时才能进行卸载基板50的作业，因此若可以通过冷却管的工作来迅速冷却腔室110内部，就能够大幅提高基板处理工艺的生产率。
冷却管(未图示)的材质优选为热传导率高的铜、不锈钢，可以向冷却管的内部供给空气、氦、氮、氩等冷却用气体或水等冷却用液体。优选冷却用气体或冷却用液体的温度约为常温，但是也可以根据需要使用冷却至低于常温的气体或液体。
图3是示出本发明的一实施例涉及的支撑单元300的结构的立体图，图4是支撑单元300的局部分解放大立体图，图5是支架334与支撑杆337结合的剖视图。
参照图3至图5，本发明的批处理式基板处理装置可以包括用于支撑装载至腔室110内的基板50的支撑单元300。
支撑单元300由石英或陶瓷形成，包括第一支撑部件310、第二支撑部件320、第三支撑部件330、第一连接部件341、第二连接部件344、第三连接部件347以及主支撑杆350，其可以形成为箱形。
第一支撑部件310由彼此对置的一对310a、310b构成一组，并且分别可以具备：第一支座311，其与形成腔室110的本体100的下表面接触；第一支架314，从第一支座311的一端部向上方延伸，并与第一支座311垂直；第一支撑销317，在第一支架314的一侧上下隔着间隔形成多个，并分别与第一支座311平行。
在一对第一支撑部件310a、310b中，第一支撑部件310a可以位于本体100前侧的左侧角部，另一个第一支撑部件310b可以位于本体100前侧的右侧角部。此时，第一支撑部件310a的第一支撑销317与另一个第一支撑部件310b的第一支撑销317可以彼此对置。
第一连接部件341的一侧结合于第一支撑部件310a的第一支架314的上端面，另一侧结合于另一个第一支撑部件310b的第一支架314的上端面，从而能够将成对的第一支撑部件310a、310b彼此连接成一体。
第二支撑部件320由彼此对置的一对320a、320b构成一组，并且可以具备：第二支座321，其与形成腔室110的本体100的下表面接触；第二支架324，从第二支座321的一端部向上方延伸，并与第二支座321垂直；第二支撑销327，在第二支架324的一侧上下隔着间隔形成多个，并分别与第二支座321平行。
在一对第二支撑部件320a、320b中，第二支撑部件320a可以位于本体100后侧的左侧角部，另一个第二支撑部件320b可以位于本体100后侧的右侧角部。此时，第二支撑部件320a的第二支撑销327与另一个第二支撑部件320b的第二支撑销327彼此对置。
第二连接部件342的一侧结合于第二支撑部件320a的第二支架324的上端面，另一侧结合于另一个第二支撑部件320b的第二支架324的上端面，从而能够将成对的第二支撑部件320a、320b彼此连接成一体。
第一支撑部件310与第二支撑部件320可以相同地形成，以便能够共用。
第三连接部件347的一侧与第一连接部件341结合，另一侧与第二连接部件344结合，从而能够将成对的第一支撑部件310与成对第二支撑部件320彼此连接成一体。
主支撑杆350成对构成，被搭载支撑在第一支撑销317以及第二支撑销327上，可用于搭载支撑基板50的一侧边缘部下表面以及另一侧边缘部下表面。
详细地说，在一对主支撑杆350a、350b中，主支撑杆350a的一侧可以被搭载支撑在第一支撑部件310a的第一支撑销317上，另一侧可以被搭载支撑在第二支撑部件320a的第二支撑销327上。而且，另一个主支撑杆350b的一侧可以被搭载支撑在另一个第一支撑部件310b的第一支撑销317上，另一侧可以被搭载支撑在另一个第二支撑部件320b的第二支撑销327上。
为了使主支撑杆350牢固地搭载支撑在第一支撑销317以及第二支撑销327上，可以在第一支撑销317以及第二支撑销327上形成有用于插入支撑主支撑杆350的一侧以及另一侧的支撑槽(未图示)。此外，在主支撑杆350的一端部以及另一端部可以形成有卡止片(未图示)，该卡止片卡止于第一支撑销317以及第二支撑销327以防止主支撑杆350朝长度方向移动。此外，在位于主支撑杆350内侧的第一支撑销317以及第二支撑销327的部位可以分别形成有用于接触支撑基板50的支撑突起317a、327a。
如果只对基板50的两侧边缘部进行支撑，则基板50的中心部有可能因自重而下垂。特别是，当基板50面积越大，下垂的现象有可能更严重，因此，为了防止这种现象，可以在成对的第二支撑部件320a、320b之间设置第三支撑部件330，以支撑基板50的中心部。第三支撑部件330可以与第二连接部件344结合。
参照图4详细说明，第三支撑部件330可以具备：第三支座331，其与形成腔室110的本体100的下表面接触；第三支架334，从第三支座331向上方延伸，并与第三支座331垂直，其上端面与第二连接部件344结合；以及多个辅助支撑杆337，其一侧与第三支架334上下隔着间隔结合，并分别与第三支座331平行。基板50的中心部可以搭载支撑于辅助支撑杆337上。
优选，辅助支撑杆337设置成略高于被第一支撑销317以及第二支撑销327支撑的彼此对应的各个主支撑杆350。这样，基板50的中心部被支撑为略高于边缘部的位置，从而能够防止基板50因自重下垂的现象。当然，如果基板50不是大面积而是小面积，因自重下垂的可能性较小时，也可以省略设置辅助支撑杆337。
如果辅助支撑杆337的一端部未牢固地结合于第三支架334，则辅助支撑杆337的另一侧有可能下垂。为了防止这种现象，可以在第三支架334以及第三支撑杆337上设置通过支撑结合于第三支架334上的辅助支撑杆337的一侧来防止辅助支撑杆337的另一侧下垂的单元。
参照图5，所述单元可以包括结合孔334a、倾斜部337a以及螺母339。
结合孔334a贯通形成在第三支架334上，可以形成为从第三支架334的外侧向里侧直径逐渐变小的倾斜形状。倾斜部337a对应于结合孔334a，在辅助支撑杆337的一端部倾斜形成，从而可以插入结合于结合孔334a。
此外，螺母339与接触于倾斜部337a的辅助支撑杆337的外表面上形成的齿337b啮合，以与支架334的内侧接触，从而能够以第三支架334为基准向内侧拽拉辅助支撑杆337以进行支撑。为了防止螺母339从辅助支撑杆337松脱，可以在辅助支撑杆337上结合多个螺母339。
使辅助支撑杆337的另一端位于第三支架334外侧的状态下将辅助支撑杆337的另一端插入于结合孔334a时，形成在辅助支撑杆337的一端部的倾斜部337a就能够插入结合于结合孔334a。然后，在辅助支撑杆337的另一端部插入螺母339以使螺母339啮合于齿337b之后，紧固螺母339以使螺母339与第三支架334的内侧接触，则辅助支撑杆337就能够向第三支架334的内侧拉紧的方式进行支撑。
由此，辅助支撑杆337的一侧牢固地结合于第三支架334上，从而防止辅助支撑杆337的另一端下垂。
图6是示出本发明的一实施例涉及的批处理式基板处理装置的内部结构的立体图。
支撑单元300的第一支撑部件310以及第二支撑部件320可以位于腔室110的四个拐角处。此时，优选，第一支撑部件310以及第二支撑部件320位于单位加热器201之间，以便支撑单元300不与加热器单元200重叠。
基板50可以搭载支撑于基板搬运机械臂(arm)(未图示)上，并通过本体100的出入口130被装载及卸载，当基板搬运机械臂位于主支撑杆350以及辅助支撑杆337之间的状态下下降臂时，搭载于臂上的基板50能够搭载支撑于主支撑杆350以及辅助支撑杆337上。
本发明的批处理式基板处理装置，通过在腔室110的整个外侧面上配置多个加热器单元200来不仅确保了可在腔室110内部装载更多基板50的空间，而且配置了无需基板托架也能够支撑基板50整个面积的支撑单元300，从而能够在腔室110内部收容更多基板50。其结果，当以同一腔室110的空间为基准时，相对于在各个基板配置基板托架且在各个基板之间设置加热器的现有的批处理式基板处理装置，本发明的批处理式基板装置能够收容接近两倍基板50，从而大幅提高基板处理工艺的生产率。
图7a、图7b是示出本发明的一实施例涉及的供气管180以及排气管190的立体图。
作为一例，参照图7a，本发明的批处理式基板处理装置，可以在腔室110的一侧(左侧)设置形成有多个供气孔181的棒状的供气管180，该供气孔181用于向腔室110内部供给以形成基板处理气氛的基板处理气体。此外，虽然省略了图示，可以在腔室110的另一侧(右侧)设置排气管(未图示)，该排气管与供气管180对置且具有与供气管180相同形状的棒状。基板处理气体可以使用氮、氩等。
作为另一例，参照图7b，排气管190也可以不设置在本体100内部，而是设置在本体100外部的一侧(右侧)。此外，虽然省略了图示，可以在本体100外部的另一侧(左侧)设置供气管(未图示)，该供气管与排气管190对置且具有与排气管190相同形状。
本实施例示出的供气管180与排气管190的数量可以根据基板50以及腔室110的尺寸而进行多种变更。
图8是示出本发明的一实施例涉及的配置有第五加热器单元250的加热器单元200结构的立体图。
除了第五加热器单元250结构之外，图8与图2中示出的加热器单元200结构相同，下面省略对相同的结构的说明，只对不同点进行说明。
参照图8，本发明的批处理式基板处理装置可以包括第五加热器单元250，该第五加热器单元250设置在配置于腔室110上侧的第二加热器单元220a与配置于腔室110的下侧的所述第二加热器单元220b之间。在图8中示出配置了一个第五加热器单元250的结构，但是并不限定于此，可以根据腔室110的尺寸、高度等进一步配置第五加热器单元250。
优选，第五加热器单元250配置成不与设置在腔室110的支撑单元300重叠。具体地，第五加热器单元250可以配置在支撑单元300中搭载支撑基板50的主支撑杆350以及辅助支撑杆337与与其相邻且隔开规定间隔的主支撑杆350以及辅助支撑杆337之间。此外，第五加热器单元250也可以配置在支撑单元300中构成搭载基板50的一层的部分、即去除第一支撑销317、第二支撑销327、主支撑杆350以及辅助支撑杆337而形成该层的部位。
如此，本发明进一步具备腔室110的第五加热器单元250，从而能够更加均匀地处理搭载支撑在支撑单元300中间层部位的基板50。
如上所述，本发明示出优选实施例进行了说明，但是本发明并非限定于上述实施例，在不超出本发明的精神的范围内，所属领域的技术人员能够进行各种变形和变更。应理解为，这种变形例以及变更例属于本发明以及权利要求的范围内。

Claims (14)

1.一种批处理式基板处理装置，能够处理多个基板，其特征在于，包括：
本体，其具备腔室，所述腔室提供处理所述多个基板所需的空间；以及
多个加热器单元，配置在所述腔室的整个外侧面，所述加热器单元包括分别隔着规定间隔配置的多个单位加热器。
2.根据权利要求1所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，
以所述基板向所述腔室装载的方向为基准时，所述多个加热器单元包括：
第一加热器单元，配置在所述腔室的左侧以及右侧；
第二加热器单元，配置在所述腔室的上侧以及下侧；
第三加热器单元，配置在所述腔室的前侧；以及
第四加热器单元，配置在所述腔室的后侧。
3.根据权利要求1所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，
所述单位加热器配置成贯通所述腔室。
4.根据权利要求3所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，
所述单位加热器为棒状的加热器。
5.根据权利要求2所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，
在所述本体形成有用于装载及卸载所述基板的出入口，所述出入口通过门来开闭，
所述第三加热器单元进一步包括设置在所述门内部的门加热器。
6.根据权利要求2所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，
在所述本体形成有用于装载及卸载所述基板的出入口，所述出入口通过门来开闭，
所述第三加热器单元进一步包括配置在所述门一侧面上的板状的门加热器。
7.根据权利要求1所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，
在配置于所述腔室上侧的所述加热器单元与配置于所述腔室下侧的所述加热器单元之间进一步配置至少一个加热器单元。
8.根据权利要求1所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，
进一步包括用于支撑装载至所述腔室内的所述基板的支撑单元，
所述支撑单元包括：
第一支撑部件，其构成为彼此对置的一对，并分别具备：第一支座；第一支架，从所述第一支座向上方延伸；以及第一支撑销，在所述第一支架的一侧上下隔着间隔形成多个；
第一连接部件，其一侧结合于一个所述第一支撑部件的所述第一支架，另一侧结合于另一个所述第一支撑部件的所述第一支架，从而彼此连接成对的所述第一支撑部件；
第二支撑部件，其构成为彼此对置的一对，并分别具备：第二支座；第二支架，从所述第二支座向上方延伸；以及第二支撑销，在所述第二支架的一侧上下隔着间隔形成多个；
第二连接部件，其一侧结合于一个所述第二支撑部件的所述第二支架，另一侧结合于另一个所述第二支撑部件的所述第二支架，从而彼此连接成对的所述第二支撑部件；
第三连接部件，其一侧结合于所述第一连接部件，另一侧结合于所述第二连接部件，从而连接成对的所述第一支撑部件与成对的所述第二支撑部件；
主支撑杆，构成为一对，其一侧分别被成对的所述第一支撑部件中的一个所述第一支撑部件的所述第一支撑销以及另一个所述第一支撑部件的所述第一支撑销支撑，另一侧分别被成对的所述第二支撑部件中的一个所述第二支撑部件的所述第二支撑销以及另一个所述第二支撑部件的所述第二支撑销支撑，以用于搭载支撑所述基板的一侧端面以及另一侧端面。
9.根据权利要求8所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，
以所述第一支撑部件以及所述第二支撑部件为基准时，在位于所述主支撑杆内侧的所述第一支撑销以及所述第二支撑销的部位分别形成有用于接触支撑所述基板的支撑突起。
10.根据权利要求8所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，
进一步具备第三支撑部件，所述第三支撑部件位于成对的所述第二支撑部件之间并结合于所述第二连接部件，用于支撑所述基板的中心部。
11.根据权利要求10所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，所述第三支撑部件具备：
第三支座；
第三支架，从所述第三支座向上方延伸，并结合于所述第二连接部件；
辅助支撑杆，其在所述第三支架的一侧上下隔着间隔形成多个，用于搭载支撑所述基板的中心部。
12.根据权利要求11所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，
所述第三支撑部件的各个所述辅助支撑杆的位置高于被所述第一支撑销以及所述第二支撑销支撑的彼此对应的各个所述主支撑杆的位置。
13.根据权利要求1所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，
在所述多个单位加热器之间配置有冷却管。
14.根据权利要求1所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，
在所述单位加热器的内部形成有供冷媒流动的流道。
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