TW201525396A - 批量式基板處理裝置 - Google Patents

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Kyoung-Wan Park
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Tera Semicon Corp
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Abstract

本發明之批量式基板處理裝置，其為可以進行複數個基板的基板處理之批量式基板處理裝置，其特徵為包含：包含對於前述複數個基板提供基板處理空間的處理室之本體；及配置在前述處理室的整個外側面上之複數個加熱器單元(前述加熱器單元包含各自隔著一定間隔配置之複數個單位加熱器)。

Description

批量式基板處理裝置 發明領域
本發明為有關一種批量式基板處理裝置，更詳細而言，其為有關一種使收納在同一體積的處理室空間之基板數量增大而提升基板處理步驟的生產性之批量式基板處理裝置。
發明背景
基板處理裝置被用於平板顯示器、半導體、太陽能電池等的製造時，概分為蒸鍍(Vapor Deposition)裝置及退火(Annealing)裝置。
蒸鍍裝置為形成成為平板顯示器的核心構造之透明傳導層、絕緣層、金屬層、或是矽層的裝置，有LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition；低壓化學氣相沈積)或PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition；電漿 輔助化學氣相沈積)等化學氣相蒸鍍裝置及濺鍍(Sputtering)等物理氣相蒸鍍裝置。
接著，退火裝置為在基板蒸鍍膜後，提升已蒸鍍的膜特性之裝置，其為將已蒸鍍的膜結晶化或是相變化之熱處理裝置。
一般而言，基板處理裝置有處理1塊基板之個片式(Single Substrate Type)及處理複數塊基板之批量式(Batch Type)。個片式基板處理裝置雖然有構造簡單的優點，但是因為有生產性慢的缺點，在量產方面大多是使用批量式基板處理裝置。
在批量式基板處理裝置中形成提供基板處理空間的處理室，在處理室中可以設置各自支撐裝載在處理室之複數個基板的支撐構件，也就是基板支架，為了進行複數個基板的基板處理，在每個基板間可以設置加熱器。如此一來，會有習知之批量式基板處理裝置會有基板支架及存在於每個基板間之加熱器過多佔用處理室內部空間的問題點。尤其是隨著最近的顯示器及太陽能電池用玻璃基板的尺寸大面積化，由於增加了在基板處理步驟所消耗的時間及費用，因此增加以一步驟所處理的基板數量可以直接連想到生產性提升。
因此，使可以收納在同一體積的處理室空間之基板數量增加而提升基板處理步驟的生產性，同時可以均勻進行基板處理之批量式基板處理裝置的開發為必要的現況。
發明概要
因此，本發明是為了解決上述的習知技術的各種問題而開發出來者，以提供一種使收納在同一體積的處理室空間的基板數量增大之批量式基板處理裝置為其目的。
又，本發明以提供一種可以均勻處理複數個基板之批量式基板處理裝置為其目的。
又，本發明以提供一種可以支撐大面積基板的中央部側而防止基板變形之批量式基板處理裝置為其目的。
為了達成上述目的，關於本發明之一實施形態之批量式基板處理裝置，其為可以進行複數個基板的基板處理之批量式基板處理裝置，其特徵為包含：包含對於上述複數個基板提供基板處理空間的處理室之本體；及配置在上述處理室的整個外側面上之複數個加熱器單元(上述加熱器單元包含各自隔著一定間隔配置之複數個單位加熱器)。
根據如上述所示構成的本發明，可以使收納在同一體積的處理室空間之基板數量增大，提升基板處理步驟的生產性。
又，可以均勻處理複數個基板。
又，可以支撐大面積基板的中央部側而防止基板變形。
50‧‧‧基板
100‧‧‧本體
110‧‧‧處理室
130‧‧‧出入口
150‧‧‧門扉
180、190‧‧‧氣體供給管、氣體排出管
200‧‧‧加熱器單元
201‧‧‧單位加熱器
210‧‧‧第1加熱器單元
220‧‧‧第2加熱器單元
230‧‧‧第3加熱器單元
240‧‧‧第4加熱器單元
250‧‧‧第5加熱器單元
300‧‧‧支撐單元
310‧‧‧第1支撐構件
320‧‧‧第2支撐構件
330‧‧‧第3支撐構件
337‧‧‧輔助支撐桿
341‧‧‧第1連結構件
344‧‧‧第2連結構件
347‧‧‧第3連結構件
350‧‧‧主支撐桿
圖1為顯示關於本發明之一實施形態之批量式基板處理裝置的構造之立體圖。
圖2為顯示關於本發明之一實施形態之加熱器單元的構造之立體圖。
圖3為顯示關於本發明之一實施形態之支撐單元的構造之立體圖。
圖4為關於本發明之一實施形態之支撐單元的一部分分解放大立體圖。
圖5為關於本發明之一實施形態之支撐台與支撐桿的結合剖面圖。
圖6為顯示關於本發明之一實施形態之批量式基板處理裝置的內部構造之立體圖。
圖7為顯示關於本發明之一實施形態之氣體供給管與氣體排出管之立體圖。
圖8為顯示關於本發明之一實施形態之配置有第5加熱器單元之加熱器單元的構造之立體圖。
用以實施發明之形態
後述之對於本發明的詳細說明是以能夠實施本發明的特定實施形態為例示，參照圖示的添附圖面。此等實施形態是以足夠讓同業者實施本發明的方式詳細說明。雖然本發明之多樣性的實施形態為相異的，但是可以理解為並沒有必須相互排他性。例如，在此所記載的特定形狀、構造、及特性為與一實施形態相關連，在不脫離本發明的精神及範圍的情況下，能夠以其他實施形態予以具體實現。又，各個揭示的實施形態內之個別構成要素的位置或配置必須理解為在不脫離本發明的精神及範圍的情況下能夠變更者。因此，後述之詳細說明並不是用來作為限定的意義，本發明的範圍只要是適當的說明，連同與其請求項所主張者相等的全部範圍，只要根據添附的請求項予以限定。在圖面中類似的參照符號為涵蓋各式各樣的側面稱呼相同或類似的機能，長度及面積、厚度等與該形態都為了方便說明的情況下而誇大表現亦可。
在本說明書中，基板為使用於LED、LCD等顯示裝置之 基板，可以理解為包含有半導體基板、太陽能電池基板等意味。
又，在本說明書中，所謂基板處理步驟可以理解為包含有蒸鍍步驟、熱處理步驟等意味。但是，在以下是以假設為熱處理步驟進行說明。
以下，參照添附的圖面，詳細說明關於本發明之實施形態之批量式基板處理裝置。
圖1為顯示關於本發明之一實施形態之批量式基板處理裝置的構造之立體圖，圖2為顯示關於本發明之一實施形態之加熱器單元200的構造之立體圖。
首先，對於裝載到批量式基板處理裝置之基板50的材質沒有特別的限定，可以裝載玻璃、塑膠、聚合物、矽晶圓等多種材質的基板50。在以下中以假設平板顯示裝置最一般使用之矩形狀的玻璃基板進行說明。
批量式基板處理裝置包含被形成約略正方六面體形狀而構成外觀之本體100，在本體100的內部可以形成處理基板50的空間，也就是處理室110。本體100不只是正方六面體形狀，可以根據基板50的形狀而形成為多種形狀，可以將處理室110設置在密閉的空間。
在本體100的前面中可以形成能夠裝載/卸載基板50之出入口130。在本體100的前面中可以設置能夠一邊上下方向移動一邊開關出入口130之門扉150。在打開門扉150使處理室110呈開放的狀態下，可以利用基板移送機器人的手臂(未圖示)等支撐基板50，將基板50裝載到處理室110。接著，在關閉門扉150使處理室110呈關閉的狀態下，可以進行基板50的基板處理。為了與門扉150緊密相扣，在出入口130中可以進一步設置密封構件(未圖示)。本體100及門扉150的材質雖然是以不鏽鋼者為佳，但是不一定限定於此。
在本體100的後面中，為了設置在處理室110內部之例如支撐單元300、氣體供給管180、及氣體排出管190等的修理及更換，可以設置可自由開關之蓋部(未圖示)。
在處理室110的整體外側面上可以配置複數個加熱器單元200(210、220、230、240)。各加熱器單元200可以包含在與裝載基板50的方向平行[第1加熱器單元210的情況]、或是與裝載基板50的方向垂直[第2、第3、及第4加熱器單元220、230、240的情況]的方向，隔著一定間隔配置的複數個單位加熱器201。單位加熱器201為具有一般長度之長棒形狀的加熱器，可以說是在石英管的內部插入發熱體，並且透過設置在兩端的端子接受外部的電源施加而發熱之構成加熱器單元200的單位體。單位加熱器201可以配置為從 處理室110的一側面貫穿到另一側面。加熱器單元200以基板50之朝處理室110的裝載方向為基準，可以包含：配置在處理室110的左側面及右側面上之第1加熱器單元210(210a、210b)、配置在處理室110的上部面及下部面上之第2加熱器單元220(220a、220b)、配置在處理室110的前面上之第3加熱器單元230(230a、230b、230c)、及配置在處理室110的後面上之第4加熱器單元240。在本實施形態中，雖然第1加熱器單元210是包含16個單位加熱器201、第2加熱器單元220是包含24個單位加熱器201、第3加熱器單元230是包含12個[包括門加熱器230c]單位加熱器201、第4加熱器單元240是包含21個單位加熱器201之構成，但是單位加熱器201的個數可以根據處理室110的尺寸及基板50的尺寸而多樣變化。
其中，由於在處理室110的前面中形成出入口130，使得單位加熱器201的配置為不容易的，因此可以在門扉150的內部設置棒形狀的門加熱器230c。另一方面，不是在門扉150的內部設置棒形狀的門加熱器230c，而是在門扉150的一側面[面向處理室110的側面]設置板形狀的門加熱器(未圖示)亦可。因此，第3加熱器單元230除了配置在處理室110內部的前面上之上部第3加熱器單元230a及下部第3加熱器單元230b之外，藉由進一步包含設置在門扉150內部之門加熱器230c，加熱處理室110的前面，同時可以防止從處理室110朝外部之熱外洩。
為了防止根據形成在處理室110後面的蓋部(未圖示)之處理室110內部的熱損失，第4加熱器單元240可以呈三層狀配置單位加熱器201。
如此一來，本發明之批量式基板處理裝置藉由以能夠覆蓋收納在處理室110之基板50的整個面積之方式，配置複數個加熱器單元200，而有可以從單位加熱器201涵蓋基板50的整個面積接受熱施加，使熱處理達到均一的優點。接著，與在每個基板50間配置加熱器之習知批量式基板處理裝置不同，藉由在處理室110的整個外側面上配置複數個加熱器單元200，而有可以確保在處理室110內部能夠裝載基板50的空間更大的優點。
為了處理室110的冷卻，可以在每個單位加熱器201之間配置冷卻管(未圖示)。冷卻管的個數可以根據設置在處理室110之單位加熱器201的個數而多樣變化。又，冷卻管不一定要配置在每個單位加熱器201之間，只要是能夠使處理室110的內容適當冷卻的話，只設置在一部分的單位加熱器201之間亦可。另一方面，不是另外具備冷卻管，而是在棒形狀的單位加熱器201內部形成冷媒能夠移動的流路(未圖示)，而使單位加熱器201同時用作為加熱器及冷卻管亦可。
藉由設置冷卻管，透過冷卻管使處理室110內部的熱傳導到處理室110外部，在結束基板處理後，可以使處理室110內部迅速冷卻。在基板處理的結束後，因為沒有將處理室110內部冷卻到特定溫度以下的話，是無法進行基板50的卸載作業，因此若是可以藉由冷卻管的動作而使處理室110內部迅速冷卻的話，可以大幅提升基板處理步驟的生產性。
冷卻管(未圖示)的材質以熱傳導率高之銅、不鏽鋼者為佳，可以在冷卻管的內部供給空氣、氦氣、氮氣氬氣等冷卻用氣體；或是水等冷卻用液體。冷卻用氣體或冷卻用液體的溫度雖然是以大約常溫者為佳，但是因應必要也可以使用冷卻到未達常溫溫度之氣體或液體。
圖3為顯示關於本發明之一實施形態之支撐單元300的構造之立體圖，圖4為支撐單元300的一部分分解放大立體圖，圖5為支撐台334與支撐桿337的結合剖面圖。
當參照圖3到圖5時，本發明之批量式基板處理裝置可以包含支撐已裝載在處理室110內的基板50之支撐單元300。
支撐單元300是利用石英或陶瓷予以形成，包含：第1支撐構件310、第2支撐構件320、第3支撐構件330、第1連結構件341、第2連結構件344、第3連結構件347、及主支撐 桿350，並且可以形成為盒體形狀。
第1支撐構件310是利用相互對向的一對310a、310b予以設置並且為成組構造，可以各自具有：與形成處理室110的本體100下面接觸之第1支承台311；從第1支承台311的一端部側向上側延長形成，與第1支承台311呈垂直狀態之第1支撐台314、及在第1支撐台314的一側面於上下方向隔著間隔形成複數個，各自與第1支承台311呈水平狀態之第1支撐銷317。
在一對第1支撐構件310a、310b之中，可以將任一個第1支撐構件310a位於本體100的前面側左側角部，另一個第1支撐構件310b位於本體100的前面側右側角部。此時，可以將任一個第1支撐構件310a的第1支撐銷317與另一個第1支撐構件310b的第1支撐銷317相互對向。
第1連結構件341的一側與任一個第1支撐構件310a之第1支撐台314的上端面結合，另一側與另一個第1支撐構件310b之第1支撐台314的上端面結合，可以與成對之第1支撐構件310a、310b連結成相互一體。
第2支撐構件320是利用相互對向的一對(320a、320b)予以設置並且為成組構造，可以各自具有：與形成處理室110的本體100下面接觸之第2支承台321；從第2支承台321 的一端部側向上側延長形成，與第2支承台321呈垂直狀態之第2支撐台324、及在第2支撐台324的一側面於上下方向隔著間隔形成複數個，各自與第2支承台321呈水平狀態之第2支撐銷327。
在一對第2支撐構件320a、320b之中，可以將任一個第2支撐構件320a位於本體100的後面側左側角部，另一個第2支撐構件320b位於本體100的後面側右側角部。此時，可以將任一個第2支撐構件320a的第2支撐銷327與另一個第2支撐構件320b的第2支撐銷327相互對向。
第2連結構件344的一側與任一個第2支撐構件320a之第2支撐台324的上端面結合，另一側與另一個第2支撐構件320b之第2支撐台324的上端面結合，可以與成對之第2支撐構件320a、320b連結成相互一體。
第1支撐構件310與第2支撐構件320以可以共通使用的方式形成為同一形狀。
第3連結構件347的一側與第1連結構件341結合，另一側與第2連結構件344結合，可以與成對的第1支撐構件310及成對的第2支撐構件320連結成相互一體。
主支撐桿350呈一對設置，並且搭載支撐在第1及第2支 撐銷317、327，可以搭載支撐基板50之一側框部側的下面及另一側框部側的下面。
更詳細而言，在一對主支撐桿350a、350b之中，可以將任一個主支撐桿350a的一側搭載支撐在任一個第1支撐構件310a的第1支撐銷317，另一側搭載支撐在任一個第2支撐構件320a的第2支撐銷327。接著，可以將另一個主支撐桿350b的一側搭載支撐在另一個第1支撐構件310b的第1支撐銷317，另一側搭載支撐在另一個第2支撐構件320b的第2支撐銷327。
以主支撐桿350可以堅固地搭載支撐在第1及第2支撐銷317、327之方式，在第1及第2支撐銷317、327中可以形成有插入支撐主支撐桿350的一側及另一側之支撐溝(未圖示)。接著，在主支撐桿350的一端部側及另一端部側中可以形成有鉤住第1及第2支撐銷317、327而防止朝主支撐桿350長度方向的移動之卡止片(未圖示)。接著，在位於主支撐桿350的內側之第1及第2支撐銷317、327的部位中可以各自形成有接觸支撐基板50之支撐突起317a、327a。
若只是支撐基板50兩側面側的框部側，會有根據基板50中央部側的自重而向下側垂下的情況。尤其是因為當基板50越大面積垂下現象越發嚴重，為了防止該情況，在成對的第2支撐構件320a、320b之間設置第3支撐構件330，可 以支撐基板50的中央部側。第3支撐構件330可以與第2連結構件344結合。
當參照圖4詳細說明時，第3支撐構件330可以具有：與形成處理室110之本體100的下面接觸之第3支承台331；從第3支承台331向上側延長形成而與第3支承台331呈垂直狀態，並且使上端面與第2連結構件344結合之第3支撐台334；及在第3支撐台334於上下方向隔著間隔使一側與其結合，並且各自與第3支承台331呈水平狀態之複數個輔助支撐桿337。可以將基板50的中央部側搭載支撐在輔助支撐桿337。
輔助支撐桿337以設置為比支撐在第1及第2支撐銷317、327之相互對應的各主支撐桿350稍高為佳。如此一來，因為將基板50之中央部側被支撐為比框部側稍高的位置，可以防止基板50因自身重量而垂下的情況。當然，若是非大面積基板50之因自身重量而垂下的可能性為少之小面積基板50的話，亦可省略輔助支撐桿337之設置。
若輔助支撐桿337的一端部側沒有與第3支撐台334堅固結合，會有朝向輔助支撐桿337之另一側的下側垂下的情形。為了防止該情形，在第3支撐台334及第3支撐桿337中可以設置支撐與第3支撐台334結合之輔助支撐桿337的一側而防止輔助支撐桿337的另一側垂下之手段。
當參照圖5時，上述手段可以包含：結合孔334a、傾斜部337a、及螺帽339。
結合孔334a貫穿形成在第3支撐台334，並且可以傾斜形成為從第3支撐台334的外面越往內面使直徑慢慢變小的形態。傾斜部337a以與結合孔334a對應的方式，傾斜形成在輔助支撐桿337的一端部側而可以與結合孔334a插入結合。
接著，螺帽339可以與形成在連接傾斜部337a之輔助支撐桿337外面的齒紋337b咬合而與支撐台334內面接觸，以第3支撐台334為基準可以將輔助支撐桿337往內側支撐。為了防止因為輔助支撐桿337而使螺帽339鬆動，可以在輔助支撐桿337結合複數個螺帽339。
在將輔助支撐桿337的另一端部側位於第3支撐台334的外側之狀態下，將輔助支撐桿337的另一端部側插入到結合孔334a，就可以使形成在輔助支撐桿337的一端部側之傾斜部337a與結合孔334a插入結合。接著，從輔助支撐桿337的另一端部側插入螺帽339，在螺帽339與齒紋337b結合後，使螺帽339與第3支撐台334的內面接觸之方式扭緊，可以將輔助支撐桿337朝第3支撐台334的內側拉進，同時予以支撐。
藉此，因為輔助支撐桿337的一側與第3支撐台334堅固結合，因此有防止輔助支撐桿337的另一側朝下側垂下情況的優點。
圖6為顯示關於本發明之一實施形態之批量式基板處理裝置的內部構造之立體圖。
支撐單元300之第1支撐構件310與第2支撐構件320可以位於處理室110的四個角部。此時，以支撐單元300不會與加熱器單元200重疊的方式，將第1支撐構件310與第2支撐構件320位於單位加熱器201之間。
將基板50搭載支撐在基板移送機器人(未圖示)的手臂(arm)，通過本體100的出入口130而可以進行裝載/卸載，在基板移送機器人的手臂位於主支撐桿350與輔助支撐桿337之間的狀態下，下降手臂的話就可以將搭載支撐在手臂的基板50搭載支撐在主支撐桿350與輔助支撐桿337上。
本發明之批量式基板處理裝置為在處理室110的整個外側面上配置複數個加熱器單元200，不只是在處理室110內部可以確保能夠裝載更多基板50的空間，因為配置有不必具備基板支架就可以支撐基板50的全面積之支撐單元300，因此有可以將更多數量的基板50收納在處理室110內 部的優點。其結果為，若是以相同的處理室110空間為基準，在與對於每個基板設有基板支架，並且在每個基板間設置加熱器之習知批量式基板處理裝置相比，因為本發明之批量式基板處理裝置可以收納將近2倍的基板50，因此有大幅提升基板處理步驟的生產性之優點。
圖7為顯示關於本發明之一實施形態之氣體供給管180與氣體排出管190之立體圖。
作為一例，當參照圖7(a)時，本發明之批量式基板處理裝置可以在處理室110的一側面(左側面)設置：形成有複數個為了將用以形成基板處理環境之基板處理氣體供給到處理室110內部之氣體供給孔181的棒形態氣體供給管180。又，雖然未圖示，可以與氣體供給管180對向在處理室110的另一側面(右側面)上設置具有相同形狀之棒形態氣體排出管(未圖示)。基板處理氣體可以使用氮氣、氬氣等。
作為另一例，當參照圖7(b)時，氣體排出管190不是設置在本體100的內部，而是設置在本體100外部的一側面(右側面)上亦可。又，雖然未圖示，但是可以與氣體排出管190對向在本體100外部的另一側面(左側面)上設置具有相同形狀之氣體供給管(未圖示)。
在本實施形態中，圖示的氣體供給管180與氣體排出管 190的個數可以考量基板50與處理室110的尺寸後多樣變化。
圖8為顯示關於本發明之一實施形態之配置有第5加熱器單元250之加熱器單元200的構造之立體圖。
由於圖8除了第5加熱器單元250的構造之外，都與圖2所示之加熱器單元200相同，因此在以下省略對於相同構造的說明，僅針對差異點進行說明。
當參照圖8時，本發明之批量式基板處理裝置可以包含第5加熱器單元250，該第5加熱器單元250配置在：配置在處理室110上部面之第2加熱器單元220a與配置在處理室110下部面之上述第2加熱器單元220b之間。在圖8中，雖然是圖示進一步配置1個第5加熱器單元250，但是不限於此，根據處理室110的尺寸、高度等，可以進一步配置複數個第5加熱器單元250。
第5加熱器單元250以配置為不與配置在處理室110之支撐單元300重疊者為佳。具體而言，第5加熱器單元250可以配置在將基板50搭載支撐在支撐單元300之主支撐桿350及輔助支撐桿327、及與其相鄰隔著特定間隔之主支撐桿350及輔助支撐桿327之間。又，除去支撐單元300之構成搭載基板50的一層之第1支撐銷317、第2支撐銷327、主支撐 桿350、及輔助支撐桿327，在該其餘的部分配置第5加熱器單元250亦可。
如此一來，本發明藉由進一步具備處理室110的第5加熱器單元250，有可以更均勻順利進行基板處理直到搭載在支撐單元300中間層部分之基板50的優點。
本發明如前述所示，雖然舉出了合適的實施形態進行圖示與說明，但是並不限定在上述實施形態，在不脫離本發明精神的範圍內，根據具有通常知識者在歸屬於該發明的技術範疇下可以進行多樣的變形及變更。該變形例及變更例必須被視為歸屬在與本發明所添附的請求項之範圍內。
100‧‧‧本體
110‧‧‧處理室
130‧‧‧出入口
150‧‧‧門扉
200‧‧‧加熱器單元
201‧‧‧單位加熱器
210(210a、210b)‧‧‧第1加熱器單元
220(220a、220b)‧‧‧第2加熱器單元
230(230a、230b)‧‧‧第3加熱器單元
230c‧‧‧門加熱器
240‧‧‧第4加熱器單元

Claims (14)

  1. 一種批量式基板處理裝置，其為可以進行複數個基板的基板處理之批量式基板處理裝置，其特徵為包含：本體，其包含對於前述複數個基板提供基板處理空間的處理室；及複數個加熱器單元，其配置在前述處理室的整個外側面上(前述加熱器單元包含各自隔著一定間隔配置之複數個單位加熱器)。
  2. 如請求項1之批量式基板處理裝置，其中，前述複數個加熱器單元以前述基板之朝前述處理室的裝載方向為基準，包含：配置在前述處理室的左側面及右側面上之第1加熱器單元；配置在前述處理室的上部面及下部面上之第2加熱器單元；配置在前述處理室的前面上之第3加熱器單元；及配置在前述處理室的後面上之第4加熱器單元。
  3. 如請求項1之批量式基板處理裝置，其中，前述單位加熱器為配置成貫穿前述處理室。
  4. 如請求項3之批量式基板處理裝置，其中，前述單位加熱器為棒形狀的加熱器。
  5. 如請求項2之批量式基板處理裝置，其中，在前述本體中形成裝載/卸載前述基板之出入口，利用門扉開關前 述出入口，前述第3加熱器單元進一步包含：設置在前述門扉內部的門加熱器。
  6. 如請求項2之批量式基板處理裝置，其中，在前述本體中形成裝載/卸載前述基板之出入口，利用門扉開關前述出入口，前述第3加熱器單元進一步包含：配置在前述門扉的一側面之板形狀的門加熱器。
  7. 如請求項1之批量式基板處理裝置，其中，在配置於前述處理室上部面之前述加熱器單元與配置於前述處理室下部面之前述加熱器單元之間，進一步配置至少1個加熱器單元。
  8. 如請求項1之批量式基板處理裝置，其中，進一步包含：用以支撐裝載到前述處理室內的前述基板之支撐單元，前述支撐單元包含：各自具有：第1支承台、從前述第1支承台朝上側延長形成之第1支撐台、在前述第1支撐台的一面於上下方向隔著間隔形成複數個之第1支撐銷，並且設置為相互對向的一對之第1支撐構件，其一側為與任一個前述第1支撐構件的前述第1支撐台結合，另一側為與另一個前述第1支撐構件的前述第1支撐台結合，相互連結一對前述第1支撐構件之第1連結構件， 各自具有：第2支承台、從前述第2支承台朝上側延長形成之第2支撐台、在前述第2支撐台的一面於上下方向隔著間隔形成複數個之第2支撐銷，並且設置為相互對向的一對之第2支撐構件，其一側為與任一個前述第2支撐構件的前述第2支撐台結合，另一側為與另一個前述第2支撐構件的前述第2支撐台結合，相互連結一對前述第2支撐構件之第2連結構件，其一側為與前述第1連結構件結合，另一側為與前述第2連結構件結合，連結一對前述第1支撐構件與一對前述第2支撐構件之第3連結構件，設置為一對，其一側為各自支撐在一對前述第1支撐構件之中任一個前述第1支撐構件的前述第1支撐銷、及另一個前述第1支撐構件的前述第1支撐銷，另一側為各自支撐在一對前述第2支撐構件之中任一個前述第2支撐構件的前述第2支撐銷、及另一個前述第2支撐構件的前述第2支撐銷，且搭載支撐前述基板的一側面側及另一側面側之主支撐桿。
  9. 如請求項8之批量式基板處理裝置，其中，以前述第1支撐構件及前述第2支撐構件為基準，在位於前述主支撐桿內側之前述第1支撐銷及前述第2支撐銷的部位，各自形成接觸支撐前述基板之接觸突起。
  10. 如請求項8之批量式基板處理裝置，其中，進一步設置：位於一對前述第2支撐構件之間而與前述第2連結構件 結合，且支撐前述基板的中央部側之第3支撐構件。
  11. 如請求項10之批量式基板處理裝置，其中，前述第3支撐構件具有：第3支承台；從前述第3支承台朝上側延長形成而與前述第2連結構件結合之第3支撐台；及在前述第3支撐台的一面於上下方向隔著間隔形成複數個，搭載支撐前述基板的中央部側之輔助支撐桿。
  12. 如請求項11之批量式基板處理裝置，其中，前述第3支撐構件之各前述輔助桿位於比支撐在前述第1及第2支撐銷之相互對應的各前述主支撐桿更高的位置。
  13. 如請求項1之批量式基板處理裝置，其中，在前述複數個單位加熱器之間配置冷卻管。
  14. 如請求項1之批量式基板處理裝置，其中，在前述單位加熱器的內部形成冷媒移動的流路。
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