TWI508178B - 批量式熱處理裝置 - Google Patents

批量式熱處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI508178B
TWI508178B TW098122760A TW98122760A TWI508178B TW I508178 B TWI508178 B TW I508178B TW 098122760 A TW098122760 A TW 098122760A TW 98122760 A TW98122760 A TW 98122760A TW I508178 B TWI508178 B TW I508178B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
tube
heat treatment
heater
unit
substrate
Prior art date
Application number
TW098122760A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201007847A (en
Inventor
Kwan Sun Hur
Ho Young Kang
Original Assignee
Tera Semicon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020080069331A external-priority patent/KR101016061B1/ko
Priority claimed from KR1020080069329A external-priority patent/KR101016048B1/ko
Priority claimed from KR1020080069330A external-priority patent/KR101016058B1/ko
Priority claimed from KR1020080110814A external-priority patent/KR101009990B1/ko
Priority claimed from KR1020080110813A external-priority patent/KR101016064B1/ko
Application filed by Tera Semicon Corp filed Critical Tera Semicon Corp
Publication of TW201007847A publication Critical patent/TW201007847A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI508178B publication Critical patent/TWI508178B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6734Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders specially adapted for supporting large square shaped substrates

Description

批量式熱處理裝置 發明領域
本發明係關於批量式熱處理裝置及批量式熱處理裝置用加熱器。更詳細言之,本發明係關於可跨基板之全面積同時均一地熱處理複數基板,於熱處理步驟結束後使冷卻用氣體流動,俾能快速地冷卻熱處理裝置之腔室內部之批量式熱處理裝置及可適用於該裝置之加熱器。
發明背景
用於半導體、平板顯示器及太陽電池之製造的退火(annealing)裝置,係負責用以使蒸鍍於矽晶圓或玻璃等基板上之特定薄膜確定化、相變化等步驟所必須之熱處理階段的裝置。
作為代表性的退火裝置之例,可列舉製造液晶顯示器或薄膜型結晶質矽太陽電池之情形,使蒸鍍於玻璃基板上之非晶質矽以多晶矽確定化之矽確定化裝置。
為實行該確定化步驟(熱處理步驟),必須具備可對形成有特定薄膜之基板加熱之熱處理裝置。例如,為使非晶質矽確定化,最小限550至600℃之溫度為必要。
通常,熱處理裝置係有對一個基板實行熱處理之單片式、與對複數之基板實行熱處理之批量式。單片式雖有裝置構造簡單之優點,但有生產性降低之缺點,故批量式作為最近之大量生產用而受到注目。
特別是隨著最近平板顯示器及太陽電池用玻璃基板之尺寸的大面積化,前述之問題更加受到注目。因此,實際上是有必要開發可跨基板之全面積進行均一的熱處理之批量式熱處理裝置。
又,先前之熱處理裝置係於熱處理步驟結束後,在由熱處理裝置卸載基板之階段中,花費很多的時間,有使熱處理步驟之生產性降低之問題。如此之生產性降低之現象,其理由係為防止因熱衝擊而使基板損傷,於熱處理步驟結束後,必須使腔室內部冷卻至未達一定溫度後,才卸載基板,故於將腔室內部之溫度下降之過程中花費很多時間而發生上述生產性降低現象。
發明概要
為解決前述先前技術之問題而完成之本發明,其目的係提供一種批量式熱處理裝置及可適用於該裝置之加熱器,其係同時熱處理複數之基板時,藉由對應基板之複數加熱器加熱基板,藉此跨基板之全面積實行均一的熱處理。
又,為解決前述先前技術之問題而完成之本發明之其他目的係提供一種批量式熱處理裝置及可適用於該裝置之加熱器,其係於熱處理步驟之結束後使腔室內部快速地冷卻,使平板顯示器或太陽電池等之製造上所必要之熱處理步驟之生產性劃時代地提升。
為達成前述目的,本發明之熱處理裝置,其特徵在於:同時熱處理複數之基板,且於熱處理時各基板藉由對應於前述各基板之複數加熱器進行加熱。
又,為達成前述目的,本發明之一態樣之熱處理裝置,係同時熱處理複數之基板之批量式熱處理裝置,其特徵在於,包含:腔室,係對前述複數之基板提供熱處理空間;載舟,係裝載並支持前述複數之基板;及複數主加熱器單元,係沿前述基板之積層方向隔著一定間隔配置,且包含複數之單位主加熱器,前述基板係配置於前述複數主加熱器單元之間。
前述基板可以載置於基板支持件之狀態裝載於前述載舟。
前述複數單位主加熱器可與前述基板之短邊方向平行地隔著一定間隔配置。
任意之主加熱器單元之單位主加熱器,可與前述任意之主加熱器單元之最鄰接主加熱器單元之單位主加熱器成一直線排列配置。
任意之主加熱器單元之單位主加熱器,可與前述任意之主加熱器單元之最鄰接主加熱器單元之單位主加熱器錯開配置。
可進一步包含用以防止前述腔室內部之熱損失之複數輔助加熱器單元。
前述複數輔助加熱器單元可包含與前述基板之短邊方向平行配置的第1輔助加熱器單元、及與前述基板之長邊方 向平行配置的第2輔助加熱器單元。
前述第1輔助加熱器單元可包含在前述主加熱器單元之兩側與前述單位主加熱器平行配置的複數第1單位輔助加熱器,前述第2輔助加熱器單元可包含在前述主加熱器單元之兩側與前述單位主加熱器垂直配置的複數第2單位輔助加熱器。
可進一步包含用以使前述腔室內部冷卻之複數冷卻管。
前述冷卻管可沿前述基板之短邊方向配置於前述複數單位主加熱器之間。
在前述冷卻管之內部可流動冷卻氣體,且前述冷卻管可由熱傳導率高之材質構成。
可進一步包含對前述腔室內部供給程序氣體之氣體供給部、及由前述腔室內部排出廢氣之氣體排出部。
前述氣體供給部可包含形成有流出程序氣體之複數第1氣體孔的氣體供給管,且前述氣體排出部可包含形成有流入廢氣之複數第2氣體孔的氣體排出管。
又,為達成前述目的,本發明之其他態樣之加熱器,係可適用於同時熱處理複數之基板之批量式熱處理裝置的加熱器,其特徵在於,前述加熱器包含使冷卻用氣體流動於前述加熱器內部之空間。
又,為達成前述目的,本發明之其他態樣之加熱器,係可適用於同時熱處理複數之基板的批量式熱處理裝置的加熱器,其特徵在於:前述加熱器包含:第1管;與前述第 1管隔著一定間隔地包圍前述第1管之第2管;及插入前述第1管內部之發熱體,且使冷卻用氣體通過前述第1管與前述第2管之間之空間地流動。
前述發熱體之兩端部之截面積比中央部之截面積大。
前述發熱體係可由前述第1管或前述第2管分離。
一種可適用於同時熱處理複數之基板之批量式熱處理裝置的加熱器,前述加熱器包含:第1管;捲繞於前述第1管之外周面的線圈型熱線;及與前述第1管隔著一定間隔地包圍前述第1管之第2管,且可使冷卻用氣體通過前述第1管之中央空間地流動。
進而,為達成前述目的,本發明之其他態樣之加熱器,係可適用於同時熱處理複數之基板之批量式熱處理裝置的加熱器,其特徵在於,前述加熱器包含:第1管;捲繞於前述第1管之外周面之線圈型熱線;與前述第1管隔著一定間隔地包圍前述第1管之第2管;及與前述第2管隔著一定間隔地包圍前述第2管之第3管,且可使冷卻用氣體通過前述第1管之中央空間及前述第2管與前述第3管之間之空間中之至少一個空間地流動。
前述熱線之間距係與前述第1管上之位置無關,可相同或依照前述第1管上之位置而變更。
捲繞有前述線圈型熱線之第1管可由前述第2管或前述第3管分離。
於前述第3管之兩端可設有第1冷卻部,該第1冷卻部係讓使該第3管冷卻之冷卻水流動。
於前述第3管之兩端可進一步包含第2冷卻部,該第2冷卻部係設置成使冷卻用氣體通過前述第2管與前述第3管之間之空間地流動。
前述第1冷卻部可包含:內部形成有空間之第1本體;使冷卻水流入於前述第1本體之內部空間之冷卻水流入管;及使流入前述第1本體之內部空間之冷卻水流出之冷卻水流出管。
前述第2冷卻部可包含:內部形成有空間之第2本體;及與前述第2本體之內部空間連結之氣體管,前述第2本體之內部空間可與前述第2管及前述第3管之間之空間連結。
可進一步包含對前述熱線供給電源之端子部;及使前述端子部絕緣之絕緣部。
可進一步包含設置於前述第2管之端部、與前述熱線連結之固定蓋體。
前述端子部可包含:設於前述第1管上,與外部電源連結之導電管;及使前述導電管密接於前述加熱器之固定蓋體的固定螺帽。
前述絕緣部包含於內部形成有空間且包圍前述端子部之絕緣蓋體,且於前述絕緣蓋體之一側形成溝。
根據本發明,藉由對應於各基板之複數之加熱器加熱裝載於腔室之基板,具有跨基板之全面積均一地實行熱處理之效果。
又,根據本發明,因為可對複數之基板同時進行熱處理,故具有使平板顯示器及太陽電池之生產性提升之效果。
又,根據本發明,因為於加熱器內部設有使冷卻用氣體流動之空間,於熱處理步驟結束後,使熱處理裝置之腔室內部快速地冷卻,故具有縮短基板之卸載過程所必要之時間,使平板顯示器或太陽電池等之製造上所必要之熱處理步驟之生產性劃時代地提升之效果。
圖式簡單說明
第1圖係顯示本發明之一實施形態之批量式熱處理裝置之構成之立體圖。
第2圖係顯示第1圖所示之批量式熱處理裝置中打開被覆件之狀態之立體圖。
第3圖係顯示本發明之一實施形態之批量式熱處理裝置之基板、主加熱器單元及輔助加熱器單元之配置狀態之立體圖。
第4圖係顯示本發明之一實施形態之批量式熱處理裝置之載舟之構成之立體圖。
第5圖係顯示本發明之一實施形態之批量式熱處理裝置之氣體供給管與氣體排出管之構成之立體圖。
第6圖係顯示第5圖之氣體供給管之構成之立體圖。
第7圖係顯示本發明之一實施形態之批量式熱處理裝置中單位主加熱器之排列狀態之一例之圖。
第8圖係顯示本發明之一實施形態之批量式熱處理裝置中單位主加熱器之排列狀態之其他例之圖。
第9圖係顯示本發明之一實施形態之加熱器之構成之立體圖。
第10圖係顯示本發明之其他實施形態之加熱器之構成之截面立體圖。
第11圖係顯示本發明之其他實施形態之加熱器之構成之截面圖。
第12圖係顯示於本發明之一實施形態之加熱器之端部設有第1及第2冷卻部、端子部及絕緣部之狀態之截面圖。
第13圖係顯示設於本發明之一實施形態之加熱器之端部的第1及第2冷卻部之構成之分解立體圖。
第14圖係顯示設於本發明之一實施形態之加熱器之端部的端子部及絕緣部之構成之分解立體圖。
第15圖係顯示本發明之一實施形態之導電管之構成之立體圖。
第16圖係顯示本發明之一實施形態之導電管之構成之側視圖。
第17圖係顯示本發明之一實施形態之導電管之構成之平面圖。
第18圖係顯示本發明之一實施形態之第1保護螺帽之構成之立體圖。
第19圖係顯示本發明之一實施形態之第1保護螺帽之構成之側視圖。
第20圖係顯示本發明之一實施形態之第2保護螺帽之構成之立體圖。
第21圖係顯示本發明之一實施形態之第2保護螺帽之構成之平面圖。
第22圖係顯示本發明之一實施形態之第2保護螺帽之構成之側視圖。
第23圖係顯示本發明之一實施形態之絕緣蓋體之構成之立體圖。
第24圖係顯示本發明之一實施形態之絕緣蓋體之構成之平面圖。
第25圖係顯示本發明之一實施形態之絕緣蓋體之構成之側視圖。
第26圖係顯示本發明之另一實施形態之加熱器之構成之截面立體圖。
第27圖係顯示本發明之另一實施形態之加熱器之構成之截面圖。
用以實施發明之最佳形態
以下,參照附圖就本發明之構成進行詳細說明。
第1圖及第2圖係顯示本發明之一實施形態之批量式熱處理裝置1之構成之立體圖。作為參考,於第1圖及第2圖中,單位主加熱器200之外形係為求方便而概略顯示,顯示批量式熱處理裝置1中之單位主加熱器200之配置狀態。
第3圖係顯示本發明之一實施形態之批量式熱處理裝置1之基板10、主加熱器單元120及輔助加熱器單元140之配置狀態之立體圖。
首先,裝載於批量式熱處理裝置1之基板10並無特別限定,可使用玻璃、塑膠、聚合物、矽晶圓、不鏽鋼等材質。以下,假想LCD或OLED等之平板顯示器或薄膜型矽太陽電池領域中最一般使用的長方形狀之玻璃基板進行說明。
如第1圖所示,批量式熱處理裝置1之構成係包含提供熱處理空間之直六面體狀之腔室100、及支持腔室100之框架102。腔室100及框架102之材質宜為不鏽鋼,但並非限定於此。
於腔室100之一側設有於上下方向開閉之門104,用以將基板10(第4圖)裝載於腔室100。於打開門104之狀態下,可利用機械手等之基板裝載裝置(未圖示)將基板10裝載於腔室100。另一方面,於熱處理結束後,亦可經由門104由腔室100卸載基板10。門104之材質宜係不鏽鋼,但並非限定於此。
於腔室100之上側,可開閉地設有被覆件106,係被利用於腔室100之內部所設之零件,例如載舟108、氣體供給管160及氣體排出管170(第5圖)等之維護及更換時。被覆件106之材質宜係石英,但並非限定於此。
於腔室100之內部設置有:用以直接加熱基板10之主加熱器單元120、用以防止腔室100內部之熱損失之輔助加熱器單元140、及用以於熱處理結束後,使腔室100內部快速冷卻之冷卻管180。
如第2圖所示,主加熱器單元120包含與基板10之短邊方向平行地隔著一定間隔配置之單位主加熱器200。單位主加熱器200係通常的長棒狀之加熱器,於石英管內部插入有發熱體,係構成經由設於兩端之端子被施加外部電源而產生熱之主加熱器單元120的單位體。本實施形態中,主加熱器單元120係以14個之單位主加熱器200構成,但構成主加熱器單元120之單位主加熱器200之數量,可依照裝載於腔室100之基板10之尺寸而多樣變更。
主加熱器單元120係沿基板10之積層方向隔著一定間隔複數配置。基板10係配置於複數之主加熱器單元120之間。本實施形態中顯示3個基板10配置於4個主加熱器單元120之間之構成,但主加熱器單元120之數量可依照裝載於腔室100之基板10之數量而多樣變更。
基板10宜配置於主加熱器單元120之間之中央。又,基板10與主加熱器單元120之間,宜間隔將基板10裝載於腔室100時,不會干涉基板移送裝置之機械手之動作之程度。
如此,於批量式熱處理裝置10,於基板10之上部及下部設有主加熱器單元120,該主加熱器單元120係由可被覆基板10之全面積之14個單位主加熱器200構成。因此,基板10係可由28個單位主加熱器200跨全面積均一地施加熱,而均一地實行熱處理。
又,如第2圖所示,輔助加熱器單元140包含:沿基板10之短邊方向平行配置之第1輔助加熱器單元140a、及沿基板10之長邊方向配置之第2輔助加熱器單元140b。
第1輔助加熱器單元140a係包含於主加熱器單元120之兩側,與單位主加熱器200平行配置之複數之第1單位輔助加熱器150a。本實施形態中,第1輔助加熱器單元140a係可與主加熱器單元120成同一行地,由於4個主加熱器單元120之兩側各1個、總共8個之第1單位輔助加熱器150a構成,但構成第1輔助加熱器單元140a之第1單位輔助加熱器150a之數量,可依照設於腔室100之主加熱器單元120之數量而多樣變更。另一方面,本發明為更提高輔助加熱器單元之設置效果,第1輔助加熱器單元140a可由於4個主加熱器單元120之兩側配置各2個之總共16個第1單位輔助加熱器150a構成。
第2輔助加熱器單元140b係包含在主加熱器單元120之兩側,與單位主加熱器200垂直配置之複數之第2單位輔助加熱器150b。本實施形態中,係以主加熱器單元120配置於構成第2輔助加熱器單元140b之複數之第2單位輔助加熱器150b之間之方式,第2輔助加熱器單元140b係由於4個主加熱器單元120之兩側各配置1個之總共10個之第2單位輔助加熱器150b構成,但構成第2輔助加熱器單元140b之第2單位輔助加熱器150b之數量,可依照設於腔室100之主加熱器單元120之數量而多樣變更。主加熱器單元120宜配置於第2輔助加熱器單元140b之間之中央。
第1單位輔助加熱器150a與第2單位輔助加熱器150b係與前述之單位主加熱器200同樣,宜使用通常的長棒狀之加熱器。
如此,於批量式熱處理裝置1中,因為在主加熱器單元120之四個外周部設有由8個第1單位輔助加熱器150a構成之第1輔助加熱器單元140a及由10個第2單位輔助加熱器150b構成之第2輔助加熱器單元140b,故主加熱器單元120之四個外周部係由18個單位輔助加熱器150a,150b受熱,可防止因主加熱器單元120之四個外周部與外部環境接觸,而不可避免地發生之腔室100內部之熱損失。
第3圖係顯示於前述之批量式熱處理裝置1中,基板10、主加熱器單元120及輔助加熱器單元140之配置狀態。再者,於第3圖中顯示第1單位輔助加熱器150a於4個主加熱器單元120之兩側各配置2個之情形。
又,如第2圖所示,冷卻管180係配置於構成主加熱器單元120之各單位主加熱器200之間。本實施形態中,冷卻管180係例示於構成4個主加熱器單元120之56個單位主加熱器200之間設置總共52個之構成,但冷卻管180之數量係可依照設於腔室100之主加熱器單元120及單位主加熱器200之數量而多樣變更。又,冷卻管180並非一定要配置於單位主加熱器200之間,只要可過當冷卻腔室100之內部,亦可於一部分之單位主加熱器200之間省略冷卻管180。
如此,於批量式熱處理裝置1因為設有冷卻管180,故於熱處理結束後,腔室100內部之熱可經由冷卻管180傳導至腔室100之外部,使腔室100內部快速冷卻。於熱處理結束後,若不將腔室100內部冷卻至特定之溫度以下,則不能進行基板10之卸載作業,故若可藉由冷卻管180之作動使腔室100內部快速冷卻,則平板顯示器及太陽電池之生產性大幅提高。
冷卻管180宜由熱傳導率高之材質,例如銅、不鏽鋼等構成。於冷卻管180之內部被供給冷卻用氣體或冷卻用液體。作為冷卻用氣體,可使用空氣、氦氣、氮氣、氬氣。作為冷卻用液體可使用水。冷卻用氣體或冷卻用液體之溫度宜係大致常溫,但視必要亦可使用冷卻至未達常溫之溫度之氣體或液體。
第4圖係顯示本發明之一實施形態之批量式熱處理裝置1之載舟108之構成之立體圖。
如第4圖所示,於腔室100之內部設有用以支持裝載於腔室100之基板10之複數之載舟108。載舟108宜設置成可支持基板10之長邊側。本實施形態中,載舟108係於基板10之兩長邊側各設置3個、總共6個,但為穩定支持基板10,亦可設置6個以上之數量之載舟等,可依照基板10之尺寸而多樣變更。載舟108之材質宜係石英。
又,如第4圖所示,基板10宜以搭載於支持件12之狀態裝載於載舟108。於熱處理過程中熱處理溫度到達玻璃基板之軟化(softening)溫度時,因基板本身之重量會發生基板向下方彎曲之現象。特別是如此之彎曲現象會因基板之大面積化而成為更大的問題。為解決此問題,以將基板10搭載於支持件12之狀態進行熱處理。
第5圖係顯示本發明之一實施形態之批量式熱處理裝置1之氣體供給管160與氣體排出管170之構成之立體圖。第6圖係顯示第5圖所示之氣體供給管160之構成之圖。
如此等圖所示,於腔室100分別設置有:棒狀之氣體供給管160,係形成有用以將造成熱處理氛圍之氛圍氣體供給於腔室100內部,而排出氛圍氣體之複數之第1氣體孔162;及棒狀之氣體排出管170,係形成有供為造成熱處理氛圍而使用後之廢氣流入之複數之第2氣體孔(未圖示)。氣體供給管160與氣體排出管170宜於基板10之長邊側相對配置。作為熱處理氛圍造成用氣體可使用氮氣、氬氣等。
本實施形態中,氣體供給管160與氣體排出管170係例示分別設置各4個之構成,但氣體供給管160與氣體排出管170之數量可依照基板10之尺寸而多樣變更。
形成於氣體供給管160之第1氣體孔162之位置宜盡可能地接近基板10,以使噴射之氛圍氣體可立即接觸於基板10。因此,第1氣體孔162之數量宜與裝載於腔室100之基板10之數量相同。形成於氣體排出管170之第2氣體孔(未圖示)亦相同。
第7圖及第8圖係顯示本發明之一實施形態之批量式熱處理裝置1之單位主加熱器200之排列狀態之圖。本發明中,視必要可多樣變更主加熱器單元120之間之單位主加熱器200之排列。
第7圖係顯示參照第1圖及第2圖所說明之本實施形態選擇之主加熱器單元120之間之單位主加熱器200之排列狀態之圖。如圖所示,構成任一個之主加熱器單元120a之單位主加熱器200,可與構成與該主加熱器單元120a鄰接之主加熱器單元120b之單位主加熱器200成一直線排列配置。
另一方面,如第8圖所示,構成任一個之主加熱器單元120a之單位主加熱器200,可與構成與該主加熱器單元120a鄰接之主加熱器單元120b之單位主加熱器200錯開配置。例如,第8圖中,構成主加熱器單元120a之單位主加熱器200係排列於構成主加熱器單元120b之單位主加熱器200之間之中間位置。如第8圖所示,藉由變更主加熱器單元120之間之單位主加熱器200之排列狀態,可跨裝載於腔室100之基板10之全面積,更均一地實行熱處理。
以下,參照圖面就本發明之批量式熱處理裝置1之動作進行說明。
首先,如第1圖所示,作業者使設於腔室100之一側之門104移動至下部,開放之。
之後,將基板10以搭載於支持件12之狀態載置於基板移送裝置之機械手(未圖示)之上部面,使機械手移動,將基板裝載於腔室100內部。
裝載於腔室100內部之基板10,如第4圖所示,依序積層於腔室100內部所設置之載舟108。本實施形態中係3個基板10積層於載舟108。
之後,基板10積層於載舟108,使門104向上部移動,將腔室100內部與外部環境隔離後,對主加熱器單元120施加電源,進行對基板10之熱處理。
設於腔室100之4個主加熱器單元120係在基板10之上部與下部隔著特定距離離間之位置設置,各主加熱器單元120因為由隔著一定間隔配置之14個單位主加熱器200構成,故可跨基板10之全面積均一地施加熱,進行均一之熱處理。
另一方面,使設於主加熱器單元120之四個外周部之第1輔助加熱器單元140a與第2輔助加熱器單元140b作動,防止在熱處理步驟之進行中所發生之腔室100內部之熱損失。藉此,可跨基板10之全面積實行更均一之熱處理。
在實際進行熱處理之前,使腔室100內部形成為熱處理氛圍。因此,經由氣體供給管160向腔室100內部供給氮氣或氬氣等之氛圍氣體。為形成熱處理氛圍而使用後之廢氣,係經由與氣體供給管160相對配置之氣體排出管170排出至腔室100外部。
熱處理過程結束時,使腔室100內部快速冷卻。因此,經由冷卻管180使氦氣、氮氣、氬氣等之冷卻用氣體流入腔室100內部。冷卻用氣體一面貫通腔室100內部流動,一面吸收腔室100內部之熱,使腔室100內部之溫度急劇降低。藉此,熱處理步驟結束後,可在短時間內進行基板10之卸載作業,故熱處理步驟之生產性提升。
最後,當腔室100內部之溫度降低至適當程度時,打開門104後,利用機械手由腔室100將基板10卸載,最終完成熱處理步驟。
於前述構成之批量式熱處理裝置中,構成主加熱器單元120之單位主加熱器(以下稱為「加熱器」)200可如下所述構成。
第9圖係顯示本發明之一實施形態之加熱器200之構成之立體圖。如圖所示,加熱器200係成具有特定長度之棒狀。如第9圖所示,加熱器200係由發熱體202與被覆件204構成。發熱體202係接受來自外部之電源供給後,產生基板10之熱處理所必要之熱。發熱體202之材質宜係康達合金(kanthal)。被覆件204係保護發熱體202。被覆件204之材質宜係石英。
又,第1及第2單位輔助加熱器150a、150b,可具有與第9圖所示之加熱器200相同之形狀及構造。
第10圖及第11圖係顯示本發明之其他實施形態之加熱器200a之構成之截面立體圖及截面圖。作為參考,於第10圖及第11圖中,因為加熱器200a之兩端部側之形狀及構造係相同,故為求方便僅顯示加熱器200a之一端部側。
如此等圖所示,加熱器200a係整體具有長棒狀,但並非限定於此,可依照適用加熱器之批量式熱處理裝置之規格而多樣變更。
如第10圖及第11圖所示,加熱器200a之構成係包含具有特定長度之第1管220、具有特定長度且包圍第1管220之外部之第2管240、具有特定長度且包圍第2管240之外部之第3管260、及隔著一定間隔捲繞於第1管220之外周面之線圈型熱線270。
第1管220、第2管240及第3管260之材質,因為第1管220、第2管240及第3管260全部適用於熱處理裝置,故宜係熔點高之材質,例如石英。
第1管220、第2管240及第3管260之長度宜係全部實質上相同。再者,如圖所示,為與後述之端子部500之導電管510連結,第1管220之長度亦可比第2管240及第3管260之長度長導電管510之長度。又,第1管220、第2管240及第3管260宜全部具有同軸,但視必要亦可構成如下加熱器,即第1管220與第2管240相互具有同軸,但另一方面,第3管260係與第1管220及第2管240不具有同軸。
即,亦可構造成使構成加熱器200a之第1、第2及第3管220、240、260之中心軸一致,但因為亦有於加熱器200a之動作中第1及第2管220、240發生鬆弛之情形,依照鬆弛之程度亦有第1管220或第2管240破損之虞,故為防止此,宜藉由使第2管240位於第3管260之中心之下部,即使於動作中發生鬆弛,亦可接觸於第3管260被支持。
第1管220宜係外徑約10mm、內徑約6mm、厚度2mm程度。第1管220本身具有中央空心之空間224。
於第1管220之外周面係以線圈形態捲繞有相當發熱體之熱線270。熱線270之材質宜係鎳鉻合金或康達合金中之任一個。
康達合金係以鐵作為主原料之電阻大之合金,加工成線材後用於發熱體等者,屬於鐵一鉻一鋁系,標準成分係鉻23%、鋁6%,其他含有鈷2%。
熱線270宜具有0.6mm~0.8mm範圍之直徑。
將熱線270捲繞於第1管220上時,熱線270之間距係與發熱量有關。即,若將熱線270之間距較小之區域與間距較大之區域比較,發熱量較大。因此,為均一地加熱基板,必須跨加熱器200a之全面積將發熱量維持於一定。為此,與第1管220上之位置無關,熱線270之間距宜維持相同。再者,視必要可依照第1管220上之位置而變更熱線270之間距。例如,相較於第1管220之中心部側,將配置於端部側之熱線270之間距縮小(即,增加端部側之發熱量),可補充因加熱器200a之端部側接觸外部環境而發生之熱損失。
為防止熱線270之脫離,可設置固定蓋體280(第12圖)。關於固定蓋體280之構成如後述。
第2管240係與第1管220隔著一定間隔,以包圍第1管220之形態設置。第2管240宜具有外徑約18mm、內徑約14mm、厚度2mm程度。
第3管260係與第2管240隔著一定間隔,以包圍第2管240之形態設置。第3管260宜以外徑約30mm、內徑約22mm、厚度4mm程度構成。於第2管240與第3管260之間,形成有具有約2mm程度之間隔之空間264。
於第1管220之端部設有後述之導電管510,俾可對捲繞於第1管220外周面之熱線270施加電源。經由導電管510之熱線270與外部電源(未圖示)之間之連結方式,並無特別限定。此連結方式因為熟悉此技藝之業者相當熟悉,故關於此之詳細說明省略之。
另一方面,加熱器200a宜構造成可將捲繞有熱線270之第1管220由第2管240或第3管260輕易脫離。此係在加熱器200a之使用途中,產生熱線270短路等之問題之情形,可由安裝於熱處理裝置之加熱器200a僅將捲繞有熱線270之第1管220分離,且藉由將其維護或替換,可簡單地維護或替換發生不良之加熱器200a。
另一方面,加熱器200a之基本構成要素雖然包含第1管220、第2管240及第3管260,但並非限定於此。例如,為簡化整體的構成,亦可省略第3管260而構成。關於僅由第1管及第2管構成之加熱器容後述。
如前所述,加熱器200a係包含使冷卻用氣體流動於加熱器200a內部之空間224,264。因此,於熱處理裝置1結束熱處理步驟後,使冷卻用氣體通過加熱器200a之空間224、264而流動,可使加熱器200a本身之溫度快速下降,且使腔室內部之溫度快速下降。其結果,於熱處理步驟結束後,可縮短為卸載基板10而將腔室內部之溫度下降至未達特定溫度之過程所需的時間。因此,可大幅提升平板顯示器及太陽電池之製造上所必要之熱處理步驟之生產性。
另一方面,為冷卻加熱器200a可設置第1及第2冷卻部300、400。又,為了加熱器200a之動作,可設置端子部500及絕緣部600。
第12圖係顯示在本發明之一實施形態之加熱器200a之端部設有第1及第2冷卻部300、400、端子部500及絕緣部600之狀態之圖。
第13圖係顯示設於本發明之一實施形態之加熱器之端部的第1及第2冷卻部300、400之構成之分解立體圖。
首先,可將固定蓋體280設於第2管240之兩端部。固定蓋體280係防止捲繞於第1管220外周面之熱線270脫出。
固定蓋體280係形成具有特定長度之圓筒狀。固定蓋體280係一端形成為內側插入第2管240後可密接,另一端則形成為環狀,其具有可封閉第1管220與第2管240之間所形成之空間244之程度之尺寸。將固定蓋體280設於第2管240之端部時,因為捲繞於第1管220外周面之熱線270之一端與固定蓋體280接觸,而防止移動,故可防止由第1管220與第2管240之間朝外部脫離。
固定蓋體280宜以SUS材質形成,且使由外部供給之電源可施加於與固定蓋體280接觸之熱線270。
第1管220係通過固定蓋體280之中央朝外部延伸,於延伸之部分之外周形成螺紋,使與後述之端子部500之連結變得容易。
第1冷卻部300係冷卻加熱器200a之端部。第1冷卻部300係利用冷卻水使加熱器200a之端部,即構成加熱器200a之第3管260之端部冷卻,藉此可防止第3管260之熱損失。
第2冷卻部400係使冷卻氣體流入第2管240與第3管260之間所形成之空間。作為冷卻用氣體,可使用空氣、氦氣、氮氣、氬氣。冷卻用氣體之溫度宜係大致常溫,但視必要亦可使用冷卻至未達常溫之溫度的氣體。
第1及第2冷卻部300、400係可相同設置於構成加熱器200a之第3管260之兩端。
首先,就第1冷卻部300之構成進行說明。
第1冷卻部300係利用由外部供給之冷卻水冷卻第3管260之端部。第1冷卻部300係設於構成加熱器200a之第3管260之兩端部。
第1冷卻部300係可由第1本體310、及設於第1本體310之一側之冷卻水流入管320及冷卻水流出管330構成。
第1本體310係由外部被供給冷卻水。第1本體310於內部形成有特定之空間。第1本體310係形成環狀,為藉由後述之凸緣340可固定於腔室100,外徑係形成與凸緣340之內徑相對應之程度,第1本體310之內徑可形成為與第3管260之外徑相對應之程度。
第1本體310之一端因為密接於腔室100之外壁,故宜於密接於腔室100之面配置O型環312,俾能防止漏氣等。
冷卻水流入管320及冷卻水流出管330係可讓冷卻水於第1本體310內部之空間流入及流出,可冷卻第3管260之端部。冷卻水流入管320及冷卻水流出管330可分別相對第1本體310之中心軸隔著特定距離分離設置。
在設有第1冷卻部300之加熱器200a之兩端部,可設置用以使冷卻用氣體流動於加熱器200a之第2管240與第3管260之間之空間264之第2冷卻部400。
以下,就第2冷卻部400之構成進行說明。
第2冷卻部400係由內部形成有空間之環狀之第2本體410、設於第2本體410之一側,且與形成於第2本體410之內部之空間連結之氣體管420構成。
第2本體410之一端係開放成可與第2管240及第3管260之間所形成之空間264流通。因此,經由氣體管420流入之冷卻用氣體可經由第2本體410流入第2管240與第3管260之間所形成之空間264,於冷卻後可再經由第2本體410排出至外部。
第2冷卻部400因為分別設於第3管260之兩端,故經由設於第3管260之一端之第2冷卻部400之氣體管420被供給冷卻用氣體時,冷卻用氣體可通過第2管240與第3管260之間所形成之空間264後,經由設於第3管260之另一端之第2冷卻部400之氣體管420進行排氣。
接著,就第1及第2冷卻部300、400之設置過程進行說明。
第1冷卻部300係可藉由凸緣340密接固定於腔室100之外部面。此時,宜使第1冷卻部300可容易固定於腔室100之外壁。因此,為藉由凸緣340容易地固定第1冷卻部300,凸緣340之一端與第1本體310之一端宜可相互卡合地構成。
凸緣340係可以密接於腔室100之外壁之狀態,以螺栓固定於腔室100之外壁。只要可將第1冷卻部300牢固固定於腔室100之外部,凸緣340與腔室100之固定方式並無特別限定,除藉由螺栓之固定方式以外,亦可藉由多種方法進行固定。
於第1冷卻部300藉由凸緣340固定於腔室100之狀態,為使第1冷卻部300與第3管260之固定狀態牢固,在第1本體310與第3管260之間所形成之空間可設置軸環(collar)350,於軸環350之兩端可配置O型環352。又,於軸環350之一端可配置加熱器被覆件360。
軸環350及O型環352係藉由使位於第1本體310與第3管260之間之間隙密閉,而可防止氣體朝腔室100內部之流入,故可容易維持腔室100內部之真空。
加熱器被覆件360係可牢固固定第3管260與第1本體310。加熱器被覆件360係可藉由螺栓固定於第1本體310之一端。為牢固維持加熱器被覆件360之固定狀態,軸環350與加熱器被覆件360之外徑宜形成為可密接於第1本體310之內周面之程度。
第1冷卻部300之設置完成後,於經由固定蓋體280延伸之第1管220之端部設置第2本體410,於第1管220之端部螺合後述之端子部500,螺合之端子部500藉由密接於第2本體410之一端,使第2冷卻部400固定。為固定第2冷卻部400,加熱器被覆件360與第2本體410亦宜藉由螺栓結合。
以下,就端子部500與絕緣部600之設置過程進行說明。
第14圖係顯示設於本發明之一實施形態之加熱器200a之端部之端子部500及絕緣部600之構成之分解立體圖。
首先,就端子部500之構成進行說明。
端子部500可由導電管510與第1固定螺帽520構成。
第15圖、第16圖及第17圖係顯示本發明之一實施形態之導電管510之構成之圖。
如第15圖、第16圖及第17圖所示,導電管510係一端接觸於固定蓋體280之端部,連結外部之電源線。導電管510可螺合於第1管220之端部。導電管510為容易施加電源於固定蓋體280,可以固定蓋體280之SUS材質形成。連結於導電管510之電源線亦可藉由熔接連結於導電管510之一側,但亦可使電源線之端部位於後述之第1固定螺帽520與導電管510之間,進行連結。
第1固定螺帽520係壓著導電管510之一端,以可維持導電管510與固定蓋體280之連結狀態。第1固定螺帽520係於第1管220螺合於端部。第1固定螺帽520可以石英材質形成。第1固定螺帽520因為具有與一般的螺帽相同之構成,故省略關於此之詳細圖示及說明。
第18圖及第19圖係顯示本發明之一實施形態之第1保護螺帽530之構成之圖。又,第20圖、第21圖及第22圖係顯示本發明之一實施形態之第2保護螺帽540之構成之圖。
第1及第2保護螺帽530、540係防止於導電管510結合於第1管220之端部之狀態,因由外部傳來之衝擊而損傷導電管510或第1管220。第1及第2保護螺帽530、540可以包圍導電管510之外部之形態設置於固定蓋體280與絕緣蓋體610之間。
宜設置絕緣部600,俾能防止由為對熱線270施加電源而設之端子部500漏洩電源,或其他導電體接觸於端子部。
以下,就絕緣部600之構成進行說明。
絕緣部600係可包含絕緣蓋體610及第2固定螺帽630而構成。
第23圖、第24圖及第25圖係顯示本發明之一實施形態之絕緣蓋體610之構成之圖。
如第23圖、第24圖及第25圖所示,絕緣蓋體610係具有使施加於導電管510之電源與外部絕緣之效果。絕緣蓋體610係在第1管220之端部結合導電管510與第1固定螺帽520後,可螺合於第1管220之端部。此時,導電管510與第1固定螺帽520宜位於絕緣蓋體610之內部所形成之空間,且絕緣蓋體610之內周面宜與導電管510及第1固定螺帽520分離。
於絕緣蓋體610之一側因為形成有溝620,故用以對絕緣蓋體610內部之導電管510施加電源之電源線可通過該溝620而設置。絕緣蓋體610宜使用石英製作。
第2固定螺帽630係具有於第1管220設置絕緣蓋體610後,維持絕緣蓋體610之連結狀態之效果。第2固定螺帽630可設於第1管220之終端部。
前述構成之第1及第2冷卻部300、400、端子部500及絕緣部600可如下所述作動。
對裝載於腔室100之基板利用複數之加熱器200a施加熱,實行熱處理。為使加熱器200a發熱而供給之電源,因為經由端子部500對加熱器200a之熱線270供給,故可持續地維持加熱器200a之動作,於供給電源途中藉由絕緣部600可防止電源漏洩。
使加熱器200a動作進行熱處理之途中,可利用設於加熱器200a之兩端之第1冷卻部300使冷卻水流入加熱器200a之兩端,使加熱器200a之端部冷卻。
熱處理步驟結束後,利用設於加熱器200a之兩端之第2冷卻部400通過加熱器200a內之空間264流動冷卻用氣體時,可使加熱器200a本身之溫度快速降低,且使腔室100內部之溫度快速下降。因此,本發明之熱處理裝置1與加熱器200a可縮短於熱處理步驟結束後,為卸載基板10用以將腔室100內部之溫度下降至未達特定溫度所需之時間。因此,可大幅提升平板顯示器及太陽電池之製造上所必要之熱處理步驟之生產性。
另一方面,藉由加熱器200a之持續使用,有第1管220、第2管240或第3管260中之任一個管發生損傷之虞。為繼續進行熱處理,有必要更換損傷之管,經由以下之過程實行更換作業。
更換第1管220與第2管240之情形如下所述。
首先,將絕緣部600解體。然後,設於第1管220之端部之端子部500因為導電管510與第1管220螺合,故藉由除去第1管220之兩端之導電管510,解除對第1管220之固定,可更換第1管220。之後,藉由將固定蓋體280與第2冷卻部400解體,可分離第2管240。如此將第1管220或第2管240中之有必要更換之管更換為新管後,以前述解體程序之相反順序組裝。
更換第3管260之情形如下所述實行。
首先,為更換第1管220與第2管240,除去端子部500及第2冷卻部400因為與前述相同,故省略關於此之詳細說明。
於除去端子部500及第2冷卻部400之狀態,因為亦解除對第3管260之端部之固定,故於此狀態將軸環350、O型環352及加熱器被覆件360解體時,可將第3管260更換為新品。第3管260之更換作業時,亦可使用將第1本體310固定於腔室100之凸緣340進行解體之方法,但因為將凸緣340再設置於腔室100之兩端時,在使凸緣340於一直線上相互排列之作業上需要較多時間,故凸緣340宜不解體。
將第3管260更換為新品後,按前述解體順序之相反順序進行組裝,完成加熱器200a。
因此,本發明之加熱器200a,因為於構成該加熱器200a之管中之任一個損傷之情形,可僅更換損傷之一個管,故加熱器之維護及管理係容易。
第26圖與第27圖係顯示本發明之另一實施形態之加熱器200b之構成之截面立體圖及截面圖。作為參考,於第26圖及第27圖中,加熱器200b之兩端部側之形狀及構造因為係互為相同,故為求方便僅顯示加熱器200b之一端部側。
如此等圖所示,加熱器200b整體具有長棒狀,但並非限定於此,可依照適用加熱器之批量式熱處理裝置之規格而多樣變更。
如第26圖及第27圖所示,加熱器200b係包含具有特定長度之第1管220b、具有特定長度且包圍第1管220b之第2管240b、及插入於第1管220b內部之發熱體270b而構成。
第1管220b及第2管240b由於適用於熱處理裝置,故宜係熔點高之材質(例如石英)。
第1管220b及第2管240b之長度實質上相同,第1管220b及第2管240b宜全部具有同軸。第1管220b宜係外徑約10mm、內徑約6mm、厚度2mm程度。第2管240b係以與第1管220b隔著一定間隔且包圍第1管220b之形態設置。第2管240b宜係外徑約18mm、內徑約14mm、厚度2mm程度。於第1管220b與第2管240b之間形成有具有約2mm程度之間隔之空間246b。
於第1管220b之內部插入發熱體270b。發熱體270b宜具有棒狀,但並非限定於此。發熱體270b之材質宜係康達合金。
使發熱體270b插入第1管220b時,第1管220b之內周面與發熱體270b之外周面宜稍微分離。此係因為,萬一第1管220b之內周面與發熱體270b之外周面相接,則於熱處理步驟中因第1管220b與發熱體270b之熱膨脹係數之差,有第1管220b破損之虞。因此,第1管220b之內周面與發熱體270b之外周面之間之分離距離,宜考慮發熱體270b之熱膨脹係數而決定。
於發熱體270b之端部,以可對該發熱體270b施加電源之方式設置導電管510b。經由導電管510b之發熱體270b與外部電源(未圖示)間之連結方式並無特別限定,省略關於此之詳細說明。
另一方面,如前所述,發熱體270b之端部由於與外部電源連結,故有必要保護發熱體270b與外部電源之間之連結機構,例如導線(銅線)等,以避免由發熱體270b所產生之熱。因此,發熱體270b之直徑可於發熱體270b之中央部與端部具有相互不同值。
即,如第27圖所示,發熱體270b之截面積宜以兩端部較中央部更大之方式構成發熱體270b。由發熱體270b產生之發熱量,因為與發熱體270b之截面積成反比,故使發熱體270b之端部之截面積增加時,由發熱體270b之端部所產生之發熱量變小,可預防發熱體270b與外部電源之間之連結機構因熱而損傷。
本發明之加熱器200b其特徵構成在於:在第1管220b與第2管240b之間具有空間244b,以使冷卻用氣體通過該加熱器200b之內部而流動。即,冷卻用氣體通過加熱器200b內部之空間244b而流動。使冷卻用氣體通過空間244b而流動之方式並無特別限定,省略關於此之詳細說明。作為冷卻用氣體可使用空氣、氦氣、氮氣、氬氣。冷卻用氣體之溫度宜係大致常溫,但視必要可使用冷卻至未達常溫之溫度的氣體。
另一方面,加熱器200b宜構造成發熱體270b可由第1管220b或第2管240b容易地脫離。此係具有以下優點,即:於加熱器200b之使用途中發生發熱體270b短路等之問題之情形,藉由由安裝於熱處理裝置之加熱器200b僅分離發熱體270b,進行維護或更換,可簡單地維護或更換不良之加熱器200b。
第26圖與第27圖所示之加熱器200b,可以與前述加熱器200、200a以相同方式使用。又,可於加熱器200b之兩端設置第1及第2冷卻部300、400,然後設置端子部500與絕緣部600,因為此等之構成及作用亦與前述同樣,故關於此之詳細說明省略之。
根據本發明,將裝載於腔室之基板藉由對應於各基板之複數之加熱器進行加熱,可跨基板之全面積均一地實行熱處理。又,因為可對複數之基板同時進行熱處理,故可使平板顯示器及太陽電池之生產性提升。進而,因為於加熱器內部設有讓冷卻用氣體流動之空間,於熱處理步驟結束後可使熱處理裝置之腔室內部快速冷卻,故可縮短基板之卸載過程所必要之時間,使平板顯示器或太陽電池等之製造上所必要之熱處理步驟之生產性劃時代的提升。因此,本發明之產業利用性可謂極高。
以上,於本發明之詳細說明中就具體的實施形態進行說明,但於不脫離本發明之要旨之範圍內可進行多樣變形。因此,本發明之權利範圍不限定於上述之實施形態,應基於申請專利範圍之記載及與其均等者決定之。
1...熱處理裝置
10...基板
12...支持件
100...腔室
102...框架
104...門
106...被覆件
108...載舟
120...主加熱器單元
120a...主加熱器單元
120b...主加熱器單元
140a...第1輔助加熱器單元
140b‧‧‧第2輔助加熱器單元
150a‧‧‧第1單位輔助加熱器
150b‧‧‧第2單位輔助加熱器
160‧‧‧氣體供給管
162‧‧‧第1氣體孔
170‧‧‧氣體排出管
180‧‧‧冷卻管
200‧‧‧單位主加熱器
200a‧‧‧加熱器
200b‧‧‧加熱器
202‧‧‧發熱體
204‧‧‧被覆件
220‧‧‧第1管
220b‧‧‧第1管
224‧‧‧空間
240‧‧‧第2管
240b‧‧‧第2管
244‧‧‧空間
246b‧‧‧空間
260‧‧‧第3管
264‧‧‧空間
270‧‧‧熱線
270b‧‧‧發熱體
280‧‧‧固定蓋體
300‧‧‧第1冷卻部
310‧‧‧第1本體
312‧‧‧O型環
320‧‧‧冷卻水流入管
330‧‧‧冷卻水流出管
340‧‧‧凸緣
350‧‧‧軸環
352‧‧‧O型環
360‧‧‧加熱器被覆件
400‧‧‧冷卻部
410‧‧‧第2本體
420‧‧‧氣體管
500‧‧‧端子部
510‧‧‧導電管
510b‧‧‧導電管
520‧‧‧第1固定螺帽
530‧‧‧第1保護螺帽
540‧‧‧第2保護螺帽
600‧‧‧絕緣部
610‧‧‧絕緣蓋體
620‧‧‧溝
630‧‧‧第2固定螺帽
第1圖係顯示本發明之一實施形態之批量式熱處理裝置之構成之立體圖。
第2圖係顯示第1圖所示之批量式熱處理裝置中打開被覆件之狀態之立體圖。
第3圖係顯示本發明之一實施形態之批量式熱處理裝置之基板、主加熱器單元及輔助加熱器單元之配置狀態之立體圖。
第4圖係顯示本發明之一實施形態之批量式熱處理裝置之載舟之構成之立體圖。
第5圖係顯示本發明之一實施形態之批量式熱處理裝置之氣體供給管與氣體排出管之構成之立體圖。
第6圖係顯示第5圖之氣體供給管之構成之立體圖。
第7圖係顯示本發明之一實施形態之批量式熱處理裝置中單位主加熱器之排列狀態之一例之圖。
第8圖係顯示本發明之一實施形態之批量式熱處理裝置中單位主加熱器之排列狀態之其他例之圖。
第9圖係顯示本發明之一實施形態之加熱器之構成之立體圖。
第10圖係顯示本發明之其他實施形態之加熱器之構成之截面立體圖。
第11圖係顯示本發明之其他實施形態之加熱器之構成之截面圖。
第12圖係顯示於本發明之一實施形態之加熱器之端部設有第1及第2冷卻部、端子部及絕緣部之狀態之截面圖。
第13圖係顯示設於本發明之一實施形態之加熱器之端部的第1及第2冷卻部之構成之分解立體圖。
第14圖係顯示設於本發明之一實施形態之加熱器之端部的端子部及絕緣部之構成之分解立體圖。
第15圖係顯示本發明之一實施形態之導電管之構成之立體圖。
第16圖係顯示本發明之一實施形態之導電管之構成之側視圖。
第17圖係顯示本發明之一實施形態之導電管之構成之平面圖。
第18圖係顯示本發明之一實施形態之第1保護螺帽之構成之立體圖。
第19圖係顯示本發明之一實施形態之第1保護螺帽之構成之側視圖。
第20圖係顯示本發明之一實施形態之第2保護螺帽之構成之立體圖。
第21圖係顯示本發明之一實施形態之第2保護螺帽之構成之平面圖。
第22圖係顯示本發明之一實施形態之第2保護螺帽之構成之側視圖。
第23圖係顯示本發明之一實施形態之絕緣蓋體之構成之立體圖。
第24圖係顯示本發明之一實施形態之絕緣蓋體之構成之平面圖。
第25圖係顯示本發明之一實施形態之絕緣蓋體之構成之側視圖。
第26圖係顯示本發明之另一實施形態之加熱器之構成之截面立體圖。
第27圖係顯示本發明之另一實施形態之加熱器之構成之截面圖。
1‧‧‧熱處理裝置
100‧‧‧腔室
102‧‧‧框架
104‧‧‧門
106‧‧‧被覆件

Claims (14)

  1. 一種批量式熱處理裝置,係同時熱處理複數片之基板者,其特徵在於:包含有:腔室,係對前述複數片之基板提供熱處理空間;及複數個主加熱器單元,係沿前述基板之積層方向以一定間隔固定且配置於前述腔室內部,且各自由複數個棒狀之主加熱器構成;前述基板係配置於前述複數個主加熱器單元之間,前述複數個主加熱器包含有第1管、及與前述第1管隔著一定間隔而包圍該第1管之第2管,前述第1管可自前述第2管分離。
  2. 如申請專利範圍第1項之批量式熱處理裝置,其中更包含有載舟,該載舟係搭載支撐前述複數片之基板。
  3. 如申請專利範圍第1項之批量式熱處理裝置,其中前述基板係以載置於基板支持件之狀態搭載於前述載舟。
  4. 如申請專利範圍第1項之批量式熱處理裝置,其中前述複數個主加熱器係與前述基板之短邊平行地以一定間隔配置。
  5. 如申請專利範圍第1項之批量式熱處理裝置,其中任意之主加熱器單元之主加熱器,係與最鄰接於前述任意之主加熱器單元之主加熱器單元的主加熱器排列配置。
  6. 如申請專利範圍第1項之批量式熱處理裝置,其中任意之主加熱器單元之主加熱器,係與最鄰接於前述任意之主加熱器單元之加熱器單元的主加熱器錯開配置。
  7. 如申請專利範圍第1項之批量式熱處理裝置,其係進一步包含用以防止前述腔室內部之熱損失的複數個輔助加熱器單元。
  8. 如申請專利範圍第7項之批量式熱處理裝置,其中前述複數個輔助加熱器單元包含與前述基板之短邊平行配置的第1輔助加熱器單元、及與前述基板之長邊平行配置的第2輔助加熱器單元。
  9. 如申請專利範圍第8項之批量式熱處理裝置,其中前述第1輔助加熱器單元由在前述主加熱器單元之兩側與前述主加熱器平行配置的複數個第1單位輔助加熱器所構成;前述第2輔助加熱器單元由在前述主加熱器單元之兩側與前述主加熱器垂直配置的複數個第2單位輔助加熱器所構成。
  10. 如申請專利範圍第1項之批量式熱處理裝置,其係進一步包含用以使前述腔室內部冷卻之複數個冷卻管。
  11. 如申請專利範圍第10項之批量式熱處理裝置,其中前述冷卻管係沿前述基板之短邊方向配置於前述複數個主加熱器之間。
  12. 如申請專利範圍第10項之批量式熱處理裝置,其中在 前述冷卻管之內部係流動冷卻氣體,且前述冷卻管係由熱傳導率高之材質構成。
  13. 如申請專利範圍第1項之批量式熱處理裝置,其係進一步包含對前述腔室內部供給程序氣體之氣體供給部、及由前述腔室內部排出排氣之氣體排出部。
  14. 如申請專利範圍第13項之批量式熱處理裝置,其中前述氣體供給部包含形成有流出程序氣體之複數個第1氣體孔的氣體供給管,且前述氣體排出部包含形成有流入排氣之複數個第2氣體孔的氣體排出管。
TW098122760A 2008-07-16 2009-07-06 批量式熱處理裝置 TWI508178B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080069331A KR101016061B1 (ko) 2008-07-16 2008-07-16 열처리 장치용 히터
KR1020080069329A KR101016048B1 (ko) 2008-07-16 2008-07-16 배치식 열처리 장치
KR1020080069330A KR101016058B1 (ko) 2008-07-16 2008-07-16 열처리 장치용 히터
KR1020080110814A KR101009990B1 (ko) 2008-11-10 2008-11-10 히터
KR1020080110813A KR101016064B1 (ko) 2008-11-10 2008-11-10 히터

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201007847A TW201007847A (en) 2010-02-16
TWI508178B true TWI508178B (zh) 2015-11-11

Family

ID=41550851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098122760A TWI508178B (zh) 2008-07-16 2009-07-06 批量式熱處理裝置

Country Status (4)

Country Link
JP (2) JP5973728B2 (zh)
CN (3) CN102067294B (zh)
TW (1) TWI508178B (zh)
WO (1) WO2010008211A2 (zh)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011136604A2 (ko) * 2010-04-30 2011-11-03 주식회사 테라세미콘 기판 처리 장치
KR101157192B1 (ko) * 2010-08-31 2012-06-20 주식회사 테라세미콘 배치식 기판 처리 장치
KR101306751B1 (ko) * 2011-04-29 2013-09-10 주식회사 테라세미콘 기판 지지용 홀더 및 이를 사용한 기판 처리 장치
KR101155813B1 (ko) * 2011-08-24 2012-06-12 (주)써모니크 그라파이트 히터로
KR101435454B1 (ko) * 2012-04-27 2014-08-28 주식회사 테라세미콘 기판 처리 장치
KR101982725B1 (ko) * 2012-12-26 2019-05-27 주식회사 탑 엔지니어링 기판 열처리 장치용 발열 조립체
KR101982724B1 (ko) * 2012-12-26 2019-05-27 주식회사 탑 엔지니어링 기판 열처리 장치
KR101557037B1 (ko) * 2013-08-14 2015-10-02 (주) 예스티 대면적 유리기판 열처리장치
KR101527158B1 (ko) * 2013-10-24 2015-06-09 주식회사 테라세미콘 배치식 기판처리 장치
KR101479224B1 (ko) 2013-12-09 2015-01-05 포스코에너지 주식회사 박판형 운모 히터
TWI698944B (zh) * 2013-12-23 2020-07-11 南韓商圓益Ips股份有限公司 批量式基板處理裝置
KR102117421B1 (ko) * 2014-05-12 2020-06-02 주식회사 제우스 히터 체결장치 및 이를 이용한 기판 열처리장치
KR101753376B1 (ko) 2015-08-24 2017-07-04 주식회사 하이원시스 4방향 상부 슬라이딩 도어가 설치된 프리히터
JP2019027623A (ja) * 2017-07-26 2019-02-21 株式会社Screenホールディングス 加熱装置および加熱方法
JP2019029102A (ja) * 2017-07-26 2019-02-21 株式会社Screenホールディングス 加熱装置
TWI709203B (zh) * 2018-09-11 2020-11-01 大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司 腔室冷卻裝置及半導體加工設備
WO2020112608A1 (en) * 2018-11-30 2020-06-04 Lam Research Corporation Ceramic pedestal with multi-layer heater for enhanced thermal uniformity
WO2020241488A1 (ja) * 2019-05-31 2020-12-03 株式会社九州日昌 加熱装置および加熱方法
JP7079044B2 (ja) * 2019-05-31 2022-06-01 株式会社九州日昌 加熱装置および加熱方法
JP2021197448A (ja) * 2020-06-15 2021-12-27 光洋サーモシステム株式会社 熱処理装置
KR102559562B1 (ko) * 2021-03-11 2023-07-27 주식회사 한국제이텍트써모시스템 열처리 오븐의 배기 덕트 일체형 히터 유닛
US20220397354A1 (en) * 2021-06-09 2022-12-15 Watlow Electric Manufacturing Company Cold conduit insulation device
CN114485170B (zh) * 2021-12-27 2024-04-30 江苏邑文微电子科技有限公司 快速退火炉加热系统以及温度控制方法
KR102508123B1 (ko) * 2022-10-28 2023-03-10 (주)삼양세라텍 열처리 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000012471A (ja) * 1998-06-25 2000-01-14 Agency Of Ind Science & Technol プラズマcvd装置並びに太陽電池およびこれを作製するプラズマcvd方法
JP2002175868A (ja) * 2000-12-06 2002-06-21 Noritake Co Ltd 遠赤外線薄型ヒータおよび基板加熱炉
JP2006286222A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Noritake Co Ltd 真空加熱炉用プレート型遠赤外線ヒータ

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5548400Y2 (zh) * 1974-08-15 1980-11-12
JPS5996691A (ja) * 1982-11-24 1984-06-04 東レ株式会社 抵抗発熱炉
JPS6162395U (zh) * 1984-09-28 1986-04-26
JPS63137416A (ja) * 1986-11-29 1988-06-09 Furendotetsuku Kenkyusho:Kk 真空断熱加熱炉
JPH0641355Y2 (ja) * 1988-02-16 1994-10-26 富士電波工業株式会社 電気炉用水冷電極
JPH0379985A (ja) * 1989-08-22 1991-04-04 Deisuko Haitetsuku:Kk 電気炉の温度制御方法
JPH05290953A (ja) * 1992-04-10 1993-11-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電気加熱装置
KR100203782B1 (ko) * 1996-09-05 1999-06-15 윤종용 반도체 웨이퍼 열처리장치
JP3058282U (ja) * 1998-10-07 1999-06-18 株式会社八光電機製作所 冷却機能を有するカートリッジヒーター
JP2002221394A (ja) * 2001-01-24 2002-08-09 Showa Mfg Co Ltd 電子部品の加熱装置
JP2002289549A (ja) * 2001-03-28 2002-10-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
TWI232509B (en) * 2001-07-25 2005-05-11 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus and processing method
JP4262908B2 (ja) * 2001-08-10 2009-05-13 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
JP3667270B2 (ja) * 2001-10-12 2005-07-06 松下電器産業株式会社 基板の熱処理方法およびそのための炉設備
JP3575009B2 (ja) * 2001-12-03 2004-10-06 坂口電熱株式会社 加熱炉用ヒータ端子装置
JP2003194478A (ja) * 2001-12-26 2003-07-09 Koyo Thermo System Kk 熱処理装置
KR100498609B1 (ko) * 2002-05-18 2005-07-01 주식회사 하이닉스반도체 배치형 원자층 증착 장치
JP2005056725A (ja) * 2003-08-06 2005-03-03 Nikko Materials Co Ltd MoSi2製発熱体及び同発熱体の製造方法
JP2004179672A (ja) * 2003-12-12 2004-06-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板加熱装置及び半導体回路の形成方法
JP3917994B2 (ja) * 2004-08-24 2007-05-23 株式会社石井表記 塗布膜用乾燥炉
JP4734885B2 (ja) * 2004-10-08 2011-07-27 ウシオ電機株式会社 加熱ユニット
JP2006112762A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Tdk Corp 焼成炉
JP2007200798A (ja) * 2006-01-30 2007-08-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発熱構成体、発熱ユニット及び加熱装置
JP2008028305A (ja) * 2006-07-25 2008-02-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
KR100817400B1 (ko) * 2006-11-09 2008-03-27 권상환 열처리 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000012471A (ja) * 1998-06-25 2000-01-14 Agency Of Ind Science & Technol プラズマcvd装置並びに太陽電池およびこれを作製するプラズマcvd方法
JP2002175868A (ja) * 2000-12-06 2002-06-21 Noritake Co Ltd 遠赤外線薄型ヒータおよび基板加熱炉
JP2006286222A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Noritake Co Ltd 真空加熱炉用プレート型遠赤外線ヒータ

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010008211A2 (ko) 2010-01-21
CN105140157B (zh) 2018-05-29
CN105140157A (zh) 2015-12-09
JP2014146815A (ja) 2014-08-14
WO2010008211A3 (ko) 2010-03-25
JP2011528501A (ja) 2011-11-17
CN102067294B (zh) 2016-10-19
TW201007847A (en) 2010-02-16
CN102983091A (zh) 2013-03-20
JP5973728B2 (ja) 2016-08-23
CN102067294A (zh) 2011-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI508178B (zh) 批量式熱處理裝置
KR101016048B1 (ko) 배치식 열처리 장치
KR101428570B1 (ko) 기판 열처리용 가스 급배기 장치 및 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 챔버 및 장치
KR101016064B1 (ko) 히터
KR101016061B1 (ko) 열처리 장치용 히터
KR101009990B1 (ko) 히터
KR101508752B1 (ko) 유지보수가 용이한 기판 열처리 챔버, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 및 방법
KR101547458B1 (ko) 개선된 기판 열처리 챔버 및 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치
KR101464662B1 (ko) 개선된 보트, 및 이를 구비한 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치
KR101016058B1 (ko) 열처리 장치용 히터
JP2007309540A (ja) 熱板、複合熱板及びこれらを備えた加熱炉
KR101374752B1 (ko) 기판 온도 측정 및 제어 시스템을 구비한 기판 열처리 챔버, 장치 및 방법
KR101404069B1 (ko) 유지보수가 용이한 기판 열처리 챔버 및 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치
KR101420705B1 (ko) 챔버 하우징과 플레이트 하우징 간의 실링 장치 및 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치
KR101544005B1 (ko) 개선된 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치
KR200459210Y1 (ko) 배치식 기판처리 장치의 챔버
KR101381205B1 (ko) 기판 온도 측정 장치 및 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치
KR100905741B1 (ko) 반도체 웨이퍼용 퍼니스
KR102244240B1 (ko) 개선된 기판 열처리 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치
KR101599045B1 (ko) 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버 및 그 제조 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치
KR101539758B1 (ko) 다중 기판 열처리 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치
KR20220070994A (ko) 히터 및 이를 포함하는 기판처리장치
KR101431564B1 (ko) 개선된 기판 열처리용 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치
TW202245544A (zh) 熱處理爐的加熱器電源連接裝置
KR101370049B1 (ko) 기판 온도 측정 장치 및 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 챔버 및 장치