JP2002289549A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
- Publication number
- JP2002289549A JP2002289549A JP2001092446A JP2001092446A JP2002289549A JP 2002289549 A JP2002289549 A JP 2002289549A JP 2001092446 A JP2001092446 A JP 2001092446A JP 2001092446 A JP2001092446 A JP 2001092446A JP 2002289549 A JP2002289549 A JP 2002289549A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- wafer
- cooling medium
- substrate processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】基板処理室内において基板を加熱しつつ該基板
を処理する基板処理装置であって、冷却媒体として純水
を必要としない基板処理装置を提供すること。 【解決手段】基板処理室３１を有する基板処理装置３０
において、ウェーハ１を、サセプタ２を介して、間接的
に加熱するタングステンランプ３から電流端子５を通じ
て伝わる熱による電極４’の温度上昇を抑制するため
に、電極４’内部に形成され、その壁が絶縁物１４で覆
われた空洞と隔壁１２とによって形成された冷却媒体通
路１３に、図中の矢印の方向に、冷却水を通して、電極
４’を冷却することを特徴とする基板処理装置を構成す
る。冷却水は、電極４’の内壁に、絶縁物１４を介して
接近しているにとどまり、電極４’とは絶縁物１４によ
って電気的に絶縁されているので、冷却水として水道水
を用いても、水道水の電気伝導性によって電極４’から
の漏電が起こることはない。
を処理する基板処理装置であって、冷却媒体として純水
を必要としない基板処理装置を提供すること。 【解決手段】基板処理室３１を有する基板処理装置３０
において、ウェーハ１を、サセプタ２を介して、間接的
に加熱するタングステンランプ３から電流端子５を通じ
て伝わる熱による電極４’の温度上昇を抑制するため
に、電極４’内部に形成され、その壁が絶縁物１４で覆
われた空洞と隔壁１２とによって形成された冷却媒体通
路１３に、図中の矢印の方向に、冷却水を通して、電極
４’を冷却することを特徴とする基板処理装置を構成す
る。冷却水は、電極４’の内壁に、絶縁物１４を介して
接近しているにとどまり、電極４’とは絶縁物１４によ
って電気的に絶縁されているので、冷却水として水道水
を用いても、水道水の電気伝導性によって電極４’から
の漏電が起こることはない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理室内にお
いて、基板を加熱しつつ、該基板を処理する基板処理装
置に関するものである。
いて、基板を加熱しつつ、該基板を処理する基板処理装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置を製造する
工程等においては、基板のアニール処理、酸化処理、窒
化処理、不純物拡散処理、あるいは基板上への薄膜堆積
処理等の、基板を処理する基板処理装置が多く用いられ
ている。このような基板処理装置の多くは、基板処理室
内において基板を加熱しつつ該基板を処理する基板処理
装置である。
工程等においては、基板のアニール処理、酸化処理、窒
化処理、不純物拡散処理、あるいは基板上への薄膜堆積
処理等の、基板を処理する基板処理装置が多く用いられ
ている。このような基板処理装置の多くは、基板処理室
内において基板を加熱しつつ該基板を処理する基板処理
装置である。
【０００３】上記の、基板処理室内において基板を加熱
しつつ該基板を処理する基板処理装置において、該基板
を加熱する加熱手段に電力を供給する電極が、該加熱手
段の電流端子からの伝熱によって加熱されて、酸化等の
化学変化を起こしたり、変形を起こしたりする不都合が
生じる場合がある。
しつつ該基板を処理する基板処理装置において、該基板
を加熱する加熱手段に電力を供給する電極が、該加熱手
段の電流端子からの伝熱によって加熱されて、酸化等の
化学変化を起こしたり、変形を起こしたりする不都合が
生じる場合がある。
【０００４】このような不都合が生じないようにするた
めの方策の１つとして、上記の、基板を加熱する加熱手
段に電力を供給する電極の内部に冷却媒体が通る通路を
形成し、その通路に冷却媒体（通常は水）を流して、該
電極を冷却し、その温度が上がらないようにすることが
行われている。そのような方策を施した基板処理装置の
一例を図２に示す。
めの方策の１つとして、上記の、基板を加熱する加熱手
段に電力を供給する電極の内部に冷却媒体が通る通路を
形成し、その通路に冷却媒体（通常は水）を流して、該
電極を冷却し、その温度が上がらないようにすることが
行われている。そのような方策を施した基板処理装置の
一例を図２に示す。
【０００５】図２の（ａ）において、２０は基板処理室
２１を有する基板処理装置であり、基板処理室２１内に
は、処理対象となる基板であるウェーハ１を搭載し、加
熱するサセプタ２が設置され、ウェーハ１は、基板を加
熱する加熱手段であるタングステンランプ３によって、
サセプタ２を介して、間接的に加熱される。４は上記加
熱手段であるタングステンランプ３に電流端子５を通じ
て電力を供給する電極であり、６は電極４を冷却するた
めの冷却媒体入口であり、７は冷却媒体出口である。
２１を有する基板処理装置であり、基板処理室２１内に
は、処理対象となる基板であるウェーハ１を搭載し、加
熱するサセプタ２が設置され、ウェーハ１は、基板を加
熱する加熱手段であるタングステンランプ３によって、
サセプタ２を介して、間接的に加熱される。４は上記加
熱手段であるタングステンランプ３に電流端子５を通じ
て電力を供給する電極であり、６は電極４を冷却するた
めの冷却媒体入口であり、７は冷却媒体出口である。
【０００６】ウェーハ１の処理（例えば化学気相堆積
（ＣＶＤ）処理）に際して、ウェーハ１は、サセプタ２
を介して、タングステンランプ３によって間接的に加熱
され、加熱されたウェーハ１の表面は、ガス導入部８か
ら導入される反応性のガスによって処理（例えばＣＶＤ
処理）される。反応後のガスはガス排出部９から基板処
理室２１外に排出される。
（ＣＶＤ）処理）に際して、ウェーハ１は、サセプタ２
を介して、タングステンランプ３によって間接的に加熱
され、加熱されたウェーハ１の表面は、ガス導入部８か
ら導入される反応性のガスによって処理（例えばＣＶＤ
処理）される。反応後のガスはガス排出部９から基板処
理室２１外に排出される。
【０００７】図２の（ｂ）は、図２の（ａ）に示したＡ
部分の拡大断面図である。図に示したように、タングス
テンランプ３の電流端子５は電極４内に挿入され、電極
４上部に設けられたネジ１１によって、電極４の内壁に
押しつけられ、これによって、タングステンランプ３と
電極４との間に良好な電気的接続が保たれる。タングス
テンランプ３は電極４から電流端子５を通じて電力の供
給を受け、それによって、フィラメント１０が加熱さ
れ、フィラメント１０が放出する熱がサセプタ２を介し
てウェーハ１に伝わり、その結果としてウェーハ１の温
度が上昇する。
部分の拡大断面図である。図に示したように、タングス
テンランプ３の電流端子５は電極４内に挿入され、電極
４上部に設けられたネジ１１によって、電極４の内壁に
押しつけられ、これによって、タングステンランプ３と
電極４との間に良好な電気的接続が保たれる。タングス
テンランプ３は電極４から電流端子５を通じて電力の供
給を受け、それによって、フィラメント１０が加熱さ
れ、フィラメント１０が放出する熱がサセプタ２を介し
てウェーハ１に伝わり、その結果としてウェーハ１の温
度が上昇する。
【０００８】フィラメント１０が放出する熱は、電流端
子５を通じて、電極４にも伝わり、電極４の温度上昇の
原因となる。この温度上昇を抑制するために、電極４内
部の空洞と隔壁１２とによって形成された冷却媒体通路
１３に、図中の矢印の方向に、冷却媒体（この場合には
冷却水）を通して、電極４を冷却する。
子５を通じて、電極４にも伝わり、電極４の温度上昇の
原因となる。この温度上昇を抑制するために、電極４内
部の空洞と隔壁１２とによって形成された冷却媒体通路
１３に、図中の矢印の方向に、冷却媒体（この場合には
冷却水）を通して、電極４を冷却する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記の基板処理装置２
０においては、図２の（ｂ）に示したように、冷却媒体
である冷却水が電極４の内壁に接触している。したがっ
て、タングステンランプ３を点灯するために、電極４が
接地電位とは異なる電位となっている場合には、冷却水
として水道水を用いたとすると、水道水が若干の電気伝
導性を有しているために、電極４からの漏電が起こり、
極めて危険な状態となる。
０においては、図２の（ｂ）に示したように、冷却媒体
である冷却水が電極４の内壁に接触している。したがっ
て、タングステンランプ３を点灯するために、電極４が
接地電位とは異なる電位となっている場合には、冷却水
として水道水を用いたとすると、水道水が若干の電気伝
導性を有しているために、電極４からの漏電が起こり、
極めて危険な状態となる。
【００１０】この危険を回避するために、上記の基板処
理装置２０においては、図２の（ａ）に示したように、
水道水を純水製造装置に通して、電気伝導性が十分に低
い純水とし、それを冷却水として使用する必要があり、
このことが設備費用と装置運転費用との増大を招き、実
用上の問題となっていた。
理装置２０においては、図２の（ａ）に示したように、
水道水を純水製造装置に通して、電気伝導性が十分に低
い純水とし、それを冷却水として使用する必要があり、
このことが設備費用と装置運転費用との増大を招き、実
用上の問題となっていた。
【００１１】本発明の目的は、上記の問題を解決し、基
板処理室内において基板を加熱しつつ該基板を処理する
基板処理装置であって、冷却媒体として純水を必要とし
ない基板処理装置を提供することである。
板処理室内において基板を加熱しつつ該基板を処理する
基板処理装置であって、冷却媒体として純水を必要とし
ない基板処理装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、請求項１に記載のように、基板処理室内
において基板を加熱しつつ該基板を処理する基板処理装
置において、該基板を加熱する加熱手段に電力を供給す
る電極の内部に形成された冷却媒体通路を通る冷却媒体
と該電極との間が絶縁物によって電気的に絶縁されてい
ることを特徴とする基板処理装置を構成する。
に、本発明は、請求項１に記載のように、基板処理室内
において基板を加熱しつつ該基板を処理する基板処理装
置において、該基板を加熱する加熱手段に電力を供給す
る電極の内部に形成された冷却媒体通路を通る冷却媒体
と該電極との間が絶縁物によって電気的に絶縁されてい
ることを特徴とする基板処理装置を構成する。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態は、基板処理
室内において基板を加熱しつつ該基板を処理する基板処
理装置において、該基板を加熱する加熱手段に電力を供
給する電極を冷却するための冷却媒体と該電極との間に
絶縁物を介在させ、それによって、該冷却媒体と該電極
との間を電気的に絶縁していることを特徴とする。
室内において基板を加熱しつつ該基板を処理する基板処
理装置において、該基板を加熱する加熱手段に電力を供
給する電極を冷却するための冷却媒体と該電極との間に
絶縁物を介在させ、それによって、該冷却媒体と該電極
との間を電気的に絶縁していることを特徴とする。
【００１４】以下に、本発明の実施の形態を、上記加熱
手段としてタングステンランプを用いた場合を例として
説明するが、本発明はこれに限られることはない。
手段としてタングステンランプを用いた場合を例として
説明するが、本発明はこれに限られることはない。
【００１５】本発明に係る基板処理装置を図１に示す。
【００１６】図１の（ａ）において、３０は基板処理室
３１を有する基板処理装置であり、基板処理室３１内に
は、処理対象となる基板であるウェーハ１を搭載し、加
熱するサセプタ２が設置され、ウェーハ１は、基板を加
熱する加熱手段であるタングステンランプ３によって、
サセプタ２を介して、間接的に加熱される。４’は上記
加熱手段であるタングステンランプ３に電流端子５を通
じて電力を供給する電極であり、６は電極４’を冷却す
るための冷却媒体入口であり、７は冷却媒体出口であ
る。本発明は、後述するように、電極４’の構造に特徴
を有する。
３１を有する基板処理装置であり、基板処理室３１内に
は、処理対象となる基板であるウェーハ１を搭載し、加
熱するサセプタ２が設置され、ウェーハ１は、基板を加
熱する加熱手段であるタングステンランプ３によって、
サセプタ２を介して、間接的に加熱される。４’は上記
加熱手段であるタングステンランプ３に電流端子５を通
じて電力を供給する電極であり、６は電極４’を冷却す
るための冷却媒体入口であり、７は冷却媒体出口であ
る。本発明は、後述するように、電極４’の構造に特徴
を有する。
【００１７】ウェーハ１の処理（例えば化学気相堆積
（ＣＶＤ）処理）に際して、ウェーハ１は、サセプタ２
を介して、タングステンランプ３によって間接的に加熱
され、加熱されたウェーハ１の表面は、ガス導入部８か
ら導入される反応性のガスによって処理（例えばＣＶＤ
処理）される。反応後のガスはガス排出部９から基板処
理室２１外に排出される。
（ＣＶＤ）処理）に際して、ウェーハ１は、サセプタ２
を介して、タングステンランプ３によって間接的に加熱
され、加熱されたウェーハ１の表面は、ガス導入部８か
ら導入される反応性のガスによって処理（例えばＣＶＤ
処理）される。反応後のガスはガス排出部９から基板処
理室２１外に排出される。
【００１８】図１の（ｂ）は、図１の（ａ）に示したＡ
部分の拡大断面図である。図に示したように、タングス
テンランプ３の電流端子５は電極４’内に挿入され、電
極４’上部に設けられたネジ１１によって、電極４’の
内壁に押しつけられ、これによって、タングステンラン
プ３と電極４’との間に良好な電気的接続が保たれる。
タングステンランプ３は電極４’から電流端子５を通じ
て電力の供給を受け、それによって、フィラメント１０
が加熱され、フィラメント１０が放出する熱がサセプタ
２を介してウェーハ１に伝わり、その結果としてウェー
ハ１の温度が上昇する。
部分の拡大断面図である。図に示したように、タングス
テンランプ３の電流端子５は電極４’内に挿入され、電
極４’上部に設けられたネジ１１によって、電極４’の
内壁に押しつけられ、これによって、タングステンラン
プ３と電極４’との間に良好な電気的接続が保たれる。
タングステンランプ３は電極４’から電流端子５を通じ
て電力の供給を受け、それによって、フィラメント１０
が加熱され、フィラメント１０が放出する熱がサセプタ
２を介してウェーハ１に伝わり、その結果としてウェー
ハ１の温度が上昇する。
【００１９】フィラメント１０が放出する熱は、電流端
子５を通じて、電極４’にも伝わり、電極４’の温度上
昇の原因となる。この温度上昇を抑制するために、電極
４’内部に形成され、その壁が絶縁物１４で覆われた空
洞と隔壁１２とによって形成された冷却媒体通路１３
に、図中の矢印の方向に、冷却媒体（この場合には冷却
水）を通して、電極４’を冷却する。なお、電極４’以
外にも、電極４’と電気的に接続した部材が上記冷却媒
体と接触する部位（図示せず）があれば、その部位も絶
縁物１４で覆うものとする。
子５を通じて、電極４’にも伝わり、電極４’の温度上
昇の原因となる。この温度上昇を抑制するために、電極
４’内部に形成され、その壁が絶縁物１４で覆われた空
洞と隔壁１２とによって形成された冷却媒体通路１３
に、図中の矢印の方向に、冷却媒体（この場合には冷却
水）を通して、電極４’を冷却する。なお、電極４’以
外にも、電極４’と電気的に接続した部材が上記冷却媒
体と接触する部位（図示せず）があれば、その部位も絶
縁物１４で覆うものとする。
【００２０】本発明の特徴は、冷却のために、図１の
（ｂ）に示したように、電極４’内部に形成した空洞の
壁が絶縁物１４によって覆われ、電極４’以外にも、電
極４’と電気的に接続した部材が上記冷却媒体と接触す
る部位（図示せず）があれば、その部位も絶縁物１４で
覆われていることにある。この特徴によって、冷却媒体
である冷却水は、電極４’の内壁、及び（もしもあれ
ば）上記の部位を有する部材に、絶縁物１４を介して接
近しているにとどまり、冷却水と電極４’とは絶縁物１
４によって電気的に絶縁されている。したがって、タン
グステンランプ３を点灯するために、電極４’が接地電
位とは異なる電位となっている場合にも、たとえ、冷却
水として水道水を用いたとしても、水道水の電気伝導性
によって電極４’からの漏電が起こることはない。
（ｂ）に示したように、電極４’内部に形成した空洞の
壁が絶縁物１４によって覆われ、電極４’以外にも、電
極４’と電気的に接続した部材が上記冷却媒体と接触す
る部位（図示せず）があれば、その部位も絶縁物１４で
覆われていることにある。この特徴によって、冷却媒体
である冷却水は、電極４’の内壁、及び（もしもあれ
ば）上記の部位を有する部材に、絶縁物１４を介して接
近しているにとどまり、冷却水と電極４’とは絶縁物１
４によって電気的に絶縁されている。したがって、タン
グステンランプ３を点灯するために、電極４’が接地電
位とは異なる電位となっている場合にも、たとえ、冷却
水として水道水を用いたとしても、水道水の電気伝導性
によって電極４’からの漏電が起こることはない。
【００２１】このように、上記の、本発明に係る基板処
理装置３０においては、冷却媒体として水道水を使用し
ても、何らの問題がなく、これによって、前記、従来技
術における、純水を必要とするが故の設備費用と装置運
転費用との増大の問題が解決される。
理装置３０においては、冷却媒体として水道水を使用し
ても、何らの問題がなく、これによって、前記、従来技
術における、純水を必要とするが故の設備費用と装置運
転費用との増大の問題が解決される。
【００２２】上記絶縁物１４の素材としては、ガラス、
ほうろう等の無機材料、あるいは、ゴム、フェノール樹
脂、メラミン樹脂、アクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、フ
ッ素樹脂等の有機材料を用いることができる。
ほうろう等の無機材料、あるいは、ゴム、フェノール樹
脂、メラミン樹脂、アクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、フ
ッ素樹脂等の有機材料を用いることができる。
【００２３】以上の説明においては、基板を加熱する加
熱手段として、タングステンランプを使用する場合につ
いて説明したが、該加熱手段として、その他の加熱手
段、例えばニクロム線の通電発熱を用いる加熱手段等を
使用する場合においても、本発明は有効に利用される。
熱手段として、タングステンランプを使用する場合につ
いて説明したが、該加熱手段として、その他の加熱手
段、例えばニクロム線の通電発熱を用いる加熱手段等を
使用する場合においても、本発明は有効に利用される。
【００２４】また、本発明は、ＣＶＤ処理のみならず、
基板上のレジストのアッシング処理、基板のアニール処
理、酸化処理、窒化処理、各種気相堆積処理等の基板処
理を行う装置にも適用されることは言うまでもない。
基板上のレジストのアッシング処理、基板のアニール処
理、酸化処理、窒化処理、各種気相堆積処理等の基板処
理を行う装置にも適用されることは言うまでもない。
【００２５】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の実施に
より、基板処理室内において基板を加熱しつつ該基板を
処理する基板処理装置であって、冷却媒体として純水を
必要としない基板処理装置を提供することが可能とな
る。
より、基板処理室内において基板を加熱しつつ該基板を
処理する基板処理装置であって、冷却媒体として純水を
必要としない基板処理装置を提供することが可能とな
る。
【図１】本発明に係る基板処理装置の図である。
【図２】従来技術を説明する図である。
１…ウェーハ、２…サセプタ、３…タングステンラン
プ、４、４’…電極、５…電流端子、６…冷却媒体入
口、７…冷却媒体出口、８…ガス導入部、９…ガス排出
部、１０…フィラメント、１１…ネジ、１２…隔壁、１
３…冷却媒体通路、１４…絶縁物、２０…基板処理装
置、２１…基板処理室、３０…基板処理装置、３１…基
板処理室。
プ、４、４’…電極、５…電流端子、６…冷却媒体入
口、７…冷却媒体出口、８…ガス導入部、９…ガス排出
部、１０…フィラメント、１１…ネジ、１２…隔壁、１
３…冷却媒体通路、１４…絶縁物、２０…基板処理装
置、２１…基板処理室、３０…基板処理装置、３１…基
板処理室。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 3/02 Ｈ０１Ｌ 21/26 Ｊ
Claims (1)
- 【請求項１】基板処理室内において基板を加熱しつつ該
基板を処理する基板処理装置において、該基板を加熱す
る加熱手段に電力を供給する電極の内部に形成された冷
却媒体通路を通る冷却媒体と該電極との間が絶縁物によ
って電気的に絶縁されていることを特徴とする基板処理
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001092446A JP2002289549A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001092446A JP2002289549A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002289549A true JP2002289549A (ja) | 2002-10-04 |
Family
ID=18946906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001092446A Pending JP2002289549A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002289549A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006108526A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Ushio Inc | 加熱ユニット |
| JP2006190639A (ja) * | 2004-12-30 | 2006-07-20 | Tom Richards Inc | 自己調整型ヒータ・アセンブリおよびその製造方法 |
| JP2008091320A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-04-17 | Asm America Inc | 半導体加工リアクタ用のランプ締結具 |
| JP2014146815A (ja) * | 2008-07-16 | 2014-08-14 | Tera Semicon Corp | バッチ式熱処理装置及び該装置に適用されるヒータ |
-
2001
- 2001-03-28 JP JP2001092446A patent/JP2002289549A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006108526A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Ushio Inc | 加熱ユニット |
| JP4734885B2 (ja) * | 2004-10-08 | 2011-07-27 | ウシオ電機株式会社 | 加熱ユニット |
| JP2006190639A (ja) * | 2004-12-30 | 2006-07-20 | Tom Richards Inc | 自己調整型ヒータ・アセンブリおよびその製造方法 |
| JP2008091320A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-04-17 | Asm America Inc | 半導体加工リアクタ用のランプ締結具 |
| JP2014146815A (ja) * | 2008-07-16 | 2014-08-14 | Tera Semicon Corp | バッチ式熱処理装置及び該装置に適用されるヒータ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6522006B2 (ja) | 広範囲の動作温度を有するｐｅｃｖｄセラミックヒータ | |
| KR0184677B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
| TW201929612A (zh) | 電漿處理裝置及電漿處理方法 | |
| US20010015261A1 (en) | Processing method and apparatus for removing oxide film | |
| KR20080038323A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 가스 통과 플레이트 | |
| KR101149381B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR20050021475A (ko) | 산화막 형성 방법 및 전자 디바이스 재료 | |
| US11637003B2 (en) | Method for etching film and plasma processing apparatus | |
| TW202121578A (zh) | 低溫靜電吸盤 | |
| TWI737059B (zh) | 低溫靜電吸盤 | |
| EP0887845A2 (en) | Processing method and apparatus for removing oxide film | |
| KR101232198B1 (ko) | 플라스마 발생 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법 | |
| US20170125517A1 (en) | Method of corner rounding and trimming of nanowires by microwave plasma | |
| JP3323928B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2002289549A (ja) | 基板処理装置 | |
| US7517818B2 (en) | Method for forming a nitrided germanium-containing layer using plasma processing | |
| US7517812B2 (en) | Method and system for forming a nitrided germanium-containing layer using plasma processing | |
| TWI301039B (ja) | ||
| JP2967060B2 (ja) | マイクロ波プラズマ発生装置 | |
| JPWO2006025164A1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20050148167A1 (en) | Method and apparatus for forming insulating layer | |
| KR100390665B1 (ko) | 플라즈마 프로세스용 장치 | |
| JPH1167494A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2006295205A (ja) | プラズマプロセス用装置 | |
| JP2002353206A (ja) | プラズマ処理装置 |