JP2000012471A - プラズマｃｖｄ装置並びに太陽電池およびこれを作製するプラズマｃｖｄ方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置並びに太陽電池およびこれを作製するプラズマｃｖｄ方法Info
- Publication number
- JP2000012471A JP2000012471A JP10194966A JP19496698A JP2000012471A JP 2000012471 A JP2000012471 A JP 2000012471A JP 10194966 A JP10194966 A JP 10194966A JP 19496698 A JP19496698 A JP 19496698A JP 2000012471 A JP2000012471 A JP 2000012471A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- substrate
- plasma cvd
- plasma
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 135
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 39
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims description 16
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 197
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 102100033041 Carbonic anhydrase 13 Human genes 0.000 description 1
- 101000867860 Homo sapiens Carbonic anhydrase 13 Proteins 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Abstract
(57)【要約】
【課題】 成膜中に生じた高次シランガス等を速やかに
反応領域から取り除き、基板の成膜すべき面のいずれの
箇所でも同じ条件で成膜を行い、大面積の基板に高い膜
品質のアモルファスシリコン薄膜を形成する。 【解決手段】 真空状態に保持された反応容器内に基板
22を配置し、基板の成膜すべき面の前面空間に材料ガス
を供給し高周波電力で放電励振を行ってプラズマを生成
し化学気相成長により基板にアモルファスシリコン薄膜
を形成する。さらに基板の前面空間に、複数のガス吐出
口を通して材料ガスを供給する管状電極21a,21c と、複
数のガス吸入口を通してガスを吸入し外部へ排気する管
状電極21b,21d とからなる電極部21が設けられる。
反応領域から取り除き、基板の成膜すべき面のいずれの
箇所でも同じ条件で成膜を行い、大面積の基板に高い膜
品質のアモルファスシリコン薄膜を形成する。 【解決手段】 真空状態に保持された反応容器内に基板
22を配置し、基板の成膜すべき面の前面空間に材料ガス
を供給し高周波電力で放電励振を行ってプラズマを生成
し化学気相成長により基板にアモルファスシリコン薄膜
を形成する。さらに基板の前面空間に、複数のガス吐出
口を通して材料ガスを供給する管状電極21a,21c と、複
数のガス吸入口を通してガスを吸入し外部へ排気する管
状電極21b,21d とからなる電極部21が設けられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマＣＶＤ装置
並びに太陽電池およびこれを作製するプラズマＣＶＤ方
法に関し、特に、太陽電池や薄膜トランジスタなどに利
用されるアモルファスシリコン薄膜を形成するプラズマ
ＣＶＤ装置、並びに太陽電池およびこれを作製するプラ
ズマＣＶＤ方法に関するものである。
並びに太陽電池およびこれを作製するプラズマＣＶＤ方
法に関し、特に、太陽電池や薄膜トランジスタなどに利
用されるアモルファスシリコン薄膜を形成するプラズマ
ＣＶＤ装置、並びに太陽電池およびこれを作製するプラ
ズマＣＶＤ方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】大型基板にアモルファスシリコン薄膜を
形成して太陽電池等を作る従来のプラズマＣＶＤ装置と
しては例えば特開平５−３４３３３８号公報に開示され
た装置がある。このプラズマＣＶＤ装置は、材料ガスを
供給するカソード電極機構部と基板を搭載するアノード
電極を有し、複数のカソード電極を平面的に設け、複数
のカソード電極の裏面側のプラズマ非発生領域に、材料
ガスを基板に対し供給する複数のガス供給管の噴出口を
設け、さらに複数の排気口を噴出口の間に交互に設けて
いる。複数の噴出口はプラズマが発生しない領域に設け
られ、パウダーの発生を防止している。さらに複数の噴
出口と排気口とは離れた位置に配置され、ガスを均一に
拡散させている。関連する従来のプラズマＣＶＤ装置と
しては例えば特開平４−２３６７８１号公報、特開平７
−３３０４８８号公報に開示される装置がある。特開平
４−２３６７８１号公報のプラズマＣＶＤ装置は、放電
用電極を梯子形態を有する平面形コイルで形成し、基板
に平行に設置している。梯子型の平面形コイルは線材で
形成されている。材料ガスは反応容器の一箇所に設けた
反応ガス導入管で導入され、反応容器の内部の排気は反
応容器の一箇所に設けた排気管で行われている。かかる
平面形コイルによって電界の強度を高め、均一性を良好
にしている。特開平７−３３０４８８号公報のプラズマ
ＣＶＤ装置はアースシールドを備えた中空ラダー電極を
基板に平行に配置した構成を有する。これにより電極近
傍の電磁場強度が強い部分に反応ガスを供給しアモルフ
ァスシリコン薄膜の品質を高めている。また反応容器に
おいて、基板の周辺部に排気管が設けられている。
形成して太陽電池等を作る従来のプラズマＣＶＤ装置と
しては例えば特開平５−３４３３３８号公報に開示され
た装置がある。このプラズマＣＶＤ装置は、材料ガスを
供給するカソード電極機構部と基板を搭載するアノード
電極を有し、複数のカソード電極を平面的に設け、複数
のカソード電極の裏面側のプラズマ非発生領域に、材料
ガスを基板に対し供給する複数のガス供給管の噴出口を
設け、さらに複数の排気口を噴出口の間に交互に設けて
いる。複数の噴出口はプラズマが発生しない領域に設け
られ、パウダーの発生を防止している。さらに複数の噴
出口と排気口とは離れた位置に配置され、ガスを均一に
拡散させている。関連する従来のプラズマＣＶＤ装置と
しては例えば特開平４−２３６７８１号公報、特開平７
−３３０４８８号公報に開示される装置がある。特開平
４−２３６７８１号公報のプラズマＣＶＤ装置は、放電
用電極を梯子形態を有する平面形コイルで形成し、基板
に平行に設置している。梯子型の平面形コイルは線材で
形成されている。材料ガスは反応容器の一箇所に設けた
反応ガス導入管で導入され、反応容器の内部の排気は反
応容器の一箇所に設けた排気管で行われている。かかる
平面形コイルによって電界の強度を高め、均一性を良好
にしている。特開平７−３３０４８８号公報のプラズマ
ＣＶＤ装置はアースシールドを備えた中空ラダー電極を
基板に平行に配置した構成を有する。これにより電極近
傍の電磁場強度が強い部分に反応ガスを供給しアモルフ
ァスシリコン薄膜の品質を高めている。また反応容器に
おいて、基板の周辺部に排気管が設けられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の一般的なプラズ
マＣＶＤ装置を用いて大きな面積（例えば５５０ｍｍ×
６５０ｍｍ）の矩形基板の上にアモルファスシリコン薄
膜を形成して太陽電池を作る場合、次のような問題が起
きる。
マＣＶＤ装置を用いて大きな面積（例えば５５０ｍｍ×
６５０ｍｍ）の矩形基板の上にアモルファスシリコン薄
膜を形成して太陽電池を作る場合、次のような問題が起
きる。
【０００４】従来のプラズマＣＶＤ装置で高速に薄膜形
成を行うとすると、大きな電力を投入しなければならな
い。大きな電力を投入すると薄膜の品質が低下する。薄
膜の品質低下は高密度プラズマ中で生成された高次シラ
ンが原因である。従って薄膜形成中に高次シランは反応
領域から速やかに取り除かれることが必要である。
成を行うとすると、大きな電力を投入しなければならな
い。大きな電力を投入すると薄膜の品質が低下する。薄
膜の品質低下は高密度プラズマ中で生成された高次シラ
ンが原因である。従って薄膜形成中に高次シランは反応
領域から速やかに取り除かれることが必要である。
【０００５】ところが従来のプラズマＣＶＤ装置では、
材料ガスを供給するガス供給部は、一般的に、平行平板
型電極構造の一方の電極として機能し、かつシャワーヘ
ッド形式のガス供給機構として構成される。ガス供給部
は、基板の成膜すべき面の前方に配置され、基板の成膜
すべき面に向かって材料ガスを供給する。また反応容器
の内部を真空状態にしたりまたは反応容器内の不要ガス
を外部に排気する排気機構は、反応容器における基板周
りの周辺部に設けられている。そのため従来のプラズマ
ＣＶＤ装置では、基板の成膜すべき面において材料ガス
が中心部から周辺部に向かって流れ、成膜面の中心部に
上流側領域が形成され、成膜面の周辺部に下流側領域が
形成される。その結果、従来のプラズマＣＶＤ装置によ
れば、高次シランを反応領域から速やかに取り除くこと
は困難であり、中心付近の膜品質が低下しやすいという
問題が起きた。この問題は、基板の面積が大きくなれば
なるほど顕著になる。太陽電池に利用される薄膜は膜構
造の面で特に高い品質を有することが要求される。従来
のプラズマＣＶＤ装置では上記問題を有することから、
かかる要求を満たすことが難しい。
材料ガスを供給するガス供給部は、一般的に、平行平板
型電極構造の一方の電極として機能し、かつシャワーヘ
ッド形式のガス供給機構として構成される。ガス供給部
は、基板の成膜すべき面の前方に配置され、基板の成膜
すべき面に向かって材料ガスを供給する。また反応容器
の内部を真空状態にしたりまたは反応容器内の不要ガス
を外部に排気する排気機構は、反応容器における基板周
りの周辺部に設けられている。そのため従来のプラズマ
ＣＶＤ装置では、基板の成膜すべき面において材料ガス
が中心部から周辺部に向かって流れ、成膜面の中心部に
上流側領域が形成され、成膜面の周辺部に下流側領域が
形成される。その結果、従来のプラズマＣＶＤ装置によ
れば、高次シランを反応領域から速やかに取り除くこと
は困難であり、中心付近の膜品質が低下しやすいという
問題が起きた。この問題は、基板の面積が大きくなれば
なるほど顕著になる。太陽電池に利用される薄膜は膜構
造の面で特に高い品質を有することが要求される。従来
のプラズマＣＶＤ装置では上記問題を有することから、
かかる要求を満たすことが難しい。
【０００６】また前述した従来の各プラズマＣＶＤ装置
においても、基板に対して供給された材料ガスの流れに
関しては、ガス供給口とガス排気口の位置関係に基づい
て上流側領域と下流側領域が形成され、前述と同様な問
題が起きる。
においても、基板に対して供給された材料ガスの流れに
関しては、ガス供給口とガス排気口の位置関係に基づい
て上流側領域と下流側領域が形成され、前述と同様な問
題が起きる。
【０００７】本発明の目的は、上記の問題を解決するこ
とにあり、成膜中に生じた高次シラン等を速やかに反応
領域から取り除き、基板の成膜すべき面のいずれの箇所
でも同じ条件で成膜を行い、大面積基板の表面に膜品質
の高いアモルファスシリコン薄膜を形成するプラズマＣ
ＶＤ装置を提供することにある。さらに本発明の目的
は、上記のごとき膜品質の高い薄膜によって構成される
太陽電池、および当該太陽電池の作製を可能にするプラ
ズマＣＶＤ方法を提供することにある。
とにあり、成膜中に生じた高次シラン等を速やかに反応
領域から取り除き、基板の成膜すべき面のいずれの箇所
でも同じ条件で成膜を行い、大面積基板の表面に膜品質
の高いアモルファスシリコン薄膜を形成するプラズマＣ
ＶＤ装置を提供することにある。さらに本発明の目的
は、上記のごとき膜品質の高い薄膜によって構成される
太陽電池、および当該太陽電池の作製を可能にするプラ
ズマＣＶＤ方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段および作用】本発明に係る
プラズマＣＶＤ装置は、上記の目的を達成するため、次
のように構成される。プラズマＣＶＤ装置は、真空ポン
プで所定の真空状態に保持された反応容器内に基板を配
置し、基板の成膜すべき面の前面空間に材料ガスを供給
し高周波電力で放電励振を行ってプラズマを生成し化学
気相成長（ＣＶＤ）により基板に薄膜を形成するように
構成される。上記基板は例えば大型のガラス基板であ
り、上記薄膜は例えば太陽電池に使用されるアモルファ
スシリコン薄膜である。プラズマＣＶＤ装置では、さら
に、複数のガス吐出口を有しかつこれらのガス吐出口を
通して基板の前面空間に材料ガスを供給するガス供給体
と、複数のガス吸入口を有しかつこれらのガス吸入口を
通して周辺のガスを吸入し外部へ排気するガス排気体と
が設けられ、複数のガス吐出口と複数のガス吸入口は個
々のガス吐出口とガス吸入口が接近するように配置さ
れ、ガス供給体とガス排気体は高周波電力が供給され電
極として構成される。ガス供給体は反応容器内に配置さ
れ、反応容器の内部空間に材料ガスを供給するための構
造体である。ガス排気体は反応容器内に配置され、反応
容器内に生じた高次シラン等のガスを速やかに外部に排
気するために構造体である。ガス供給体とガス排気体は
それぞれ電極として利用される。ガス供給体のガス吐出
口とガス排気体のガス吸入口は個々に近くにあるもの同
士で所望の位置関係にて配置されている。上記構成によ
れば、ガス供給体の複数のガス吐出口の各々から反応容
器内に供給された材料ガスは、高周波電力で励振され、
プラズマを生成する。また材料ガスが化学反応を生じ、
その途中段階で生じた高次シラン等は、ガス排気体にお
ける近くのガス吸入口から取り込まれ、ガス排気体を通
して外部へ排出される。薄膜形成の際に、高次シラン等
は速やかに反応領域から取り除かれる。このため基板の
成膜すべき面の前面空間に形成されたプラズマの領域す
なわち反応領域に高次シランが長時間残留することはな
い。またガス供給体とガス排気体の構造上、基板の成膜
すべき面において材料ガスに関し上流側領域と下流側領
域は形成されず、基板の表面上では常に同じ成膜条件の
領域が形成される。基板の面積が大きくなっても、上記
のガス供給体とガス排気体をさらに大型化するだけで、
上記状態は変わらない。上記プラズマＣＶＤ装置では、
さらに好ましくは、ガス供給体は基板に実質的に平行な
仮想平面の上に配置される複数の直線状管体で構成さ
れ、ガス排気体は仮想平面の上に配置される複数の直線
状管体で構成され、ガス供給用の複数の直線状管体とガ
ス排気用の複数の直線状管体は実質的に平行に交互に配
置され、ガス吐出口とガス吸入口は対向して配置され
る。上記構成において、ガス供給用の複数の直線状管体
とガス排気用の複数の直線状管体は梯子形態を有するよ
うに構成されることが好ましい。上記構成において、好
ましくは、基板は２枚用意され、２枚の基板は平行に配
置され、ガス供給用の複数の直線状管体とガス排気用の
複数の直線状管体が配置される仮想平面は、２枚の記基
板の中間位置に設定される。さらにこの構成に関して、
ガス供給用の複数の直線状管体とガス排気用の複数の直
線状管体からなる構造体の両側に基板を配置した構成を
１つのユニットとし、このユニットを多層に設けて積層
構造とし、各基板の背面側にヒータを設けるように構成
することもできる。この構成によれば、同時に多数枚の
基板に対して成膜を行うことができるので、生産性をさ
らに高めることが可能となる。上記構成において、ガス
供給用の複数の直線状管体とガス排気用の複数の直線状
管体の各々の高周波電流経路長は放電励振用の高周波の
励振波長の１／２の自然数倍であることが好ましい。上
記の構成において、基板の配置方向と、ガス供給用の複
数の直線状管体とガス排気用の複数の直線状管体が配置
される仮想平面の方向は、鉛直であることを特徴とす
る。上記の構成において、ガス供給体は基板に実質的に
平行な仮想平面の上に配置されかつ同心的位置関係にあ
る複数の環状管体で構成され、ガス排気体は仮想平面の
上に配置されかつ同心的位置関係にある複数の環状管体
で構成され、ガス供給用の複数の環状管体とガス排気用
の複数の環状管体は同心的位置関係を保持して交互に配
置され、ガス吐出口とガス吸入口は個々に対向して配置
されていることを特徴とする。この構成でも、基板を２
枚用意し、両面成膜を行うことができる。上記の各構成
において、放電を励振する高周波電力の供給は間欠的に
行われることが好ましい。太陽電池を作製するための本
発明に係るプラズマＣＶＤ方法は、基板が配置された反
応容器内に材料ガスを供給し、高周波電力で放電励振を
行ってプラズマを生成して化学気相成長により基板に薄
膜を形成し、太陽電池を作製する方法であり、基板の前
面空間のプラズマ中に材料ガスを供給して薄膜形成を行
い、プラズマ中に生じた副生成物を、この副生成物の反
応容器内での残留時間が短くなるように前面空間で吸引
して排気し、副生成物が基板の前記薄膜に付着しないよ
うにした方法である。上記の方法において、上記の副生
成物は高次シランガスまたはその粉状物である。さらに
本発明に係る太陽電池は、プラズマを作り、材料ガスと
してシランガスを使用し、プラズマＣＶＤにより基板の
表面にアモルファスシリコン薄膜を堆積して作製される
太陽電池であって、アモルファスシリコン薄膜における
プラズマ中で生じた副生成物の付着量が低減されている
ことを特徴とする。この太陽電池において、上記副生成
物は高次シランガスまたはその粉状物である。さらに本
発明に係る太陽電池は、前述の各プラズマＣＶＤ装置に
よって形成される薄膜を含んで構成されることを特徴と
する。
プラズマＣＶＤ装置は、上記の目的を達成するため、次
のように構成される。プラズマＣＶＤ装置は、真空ポン
プで所定の真空状態に保持された反応容器内に基板を配
置し、基板の成膜すべき面の前面空間に材料ガスを供給
し高周波電力で放電励振を行ってプラズマを生成し化学
気相成長（ＣＶＤ）により基板に薄膜を形成するように
構成される。上記基板は例えば大型のガラス基板であ
り、上記薄膜は例えば太陽電池に使用されるアモルファ
スシリコン薄膜である。プラズマＣＶＤ装置では、さら
に、複数のガス吐出口を有しかつこれらのガス吐出口を
通して基板の前面空間に材料ガスを供給するガス供給体
と、複数のガス吸入口を有しかつこれらのガス吸入口を
通して周辺のガスを吸入し外部へ排気するガス排気体と
が設けられ、複数のガス吐出口と複数のガス吸入口は個
々のガス吐出口とガス吸入口が接近するように配置さ
れ、ガス供給体とガス排気体は高周波電力が供給され電
極として構成される。ガス供給体は反応容器内に配置さ
れ、反応容器の内部空間に材料ガスを供給するための構
造体である。ガス排気体は反応容器内に配置され、反応
容器内に生じた高次シラン等のガスを速やかに外部に排
気するために構造体である。ガス供給体とガス排気体は
それぞれ電極として利用される。ガス供給体のガス吐出
口とガス排気体のガス吸入口は個々に近くにあるもの同
士で所望の位置関係にて配置されている。上記構成によ
れば、ガス供給体の複数のガス吐出口の各々から反応容
器内に供給された材料ガスは、高周波電力で励振され、
プラズマを生成する。また材料ガスが化学反応を生じ、
その途中段階で生じた高次シラン等は、ガス排気体にお
ける近くのガス吸入口から取り込まれ、ガス排気体を通
して外部へ排出される。薄膜形成の際に、高次シラン等
は速やかに反応領域から取り除かれる。このため基板の
成膜すべき面の前面空間に形成されたプラズマの領域す
なわち反応領域に高次シランが長時間残留することはな
い。またガス供給体とガス排気体の構造上、基板の成膜
すべき面において材料ガスに関し上流側領域と下流側領
域は形成されず、基板の表面上では常に同じ成膜条件の
領域が形成される。基板の面積が大きくなっても、上記
のガス供給体とガス排気体をさらに大型化するだけで、
上記状態は変わらない。上記プラズマＣＶＤ装置では、
さらに好ましくは、ガス供給体は基板に実質的に平行な
仮想平面の上に配置される複数の直線状管体で構成さ
れ、ガス排気体は仮想平面の上に配置される複数の直線
状管体で構成され、ガス供給用の複数の直線状管体とガ
ス排気用の複数の直線状管体は実質的に平行に交互に配
置され、ガス吐出口とガス吸入口は対向して配置され
る。上記構成において、ガス供給用の複数の直線状管体
とガス排気用の複数の直線状管体は梯子形態を有するよ
うに構成されることが好ましい。上記構成において、好
ましくは、基板は２枚用意され、２枚の基板は平行に配
置され、ガス供給用の複数の直線状管体とガス排気用の
複数の直線状管体が配置される仮想平面は、２枚の記基
板の中間位置に設定される。さらにこの構成に関して、
ガス供給用の複数の直線状管体とガス排気用の複数の直
線状管体からなる構造体の両側に基板を配置した構成を
１つのユニットとし、このユニットを多層に設けて積層
構造とし、各基板の背面側にヒータを設けるように構成
することもできる。この構成によれば、同時に多数枚の
基板に対して成膜を行うことができるので、生産性をさ
らに高めることが可能となる。上記構成において、ガス
供給用の複数の直線状管体とガス排気用の複数の直線状
管体の各々の高周波電流経路長は放電励振用の高周波の
励振波長の１／２の自然数倍であることが好ましい。上
記の構成において、基板の配置方向と、ガス供給用の複
数の直線状管体とガス排気用の複数の直線状管体が配置
される仮想平面の方向は、鉛直であることを特徴とす
る。上記の構成において、ガス供給体は基板に実質的に
平行な仮想平面の上に配置されかつ同心的位置関係にあ
る複数の環状管体で構成され、ガス排気体は仮想平面の
上に配置されかつ同心的位置関係にある複数の環状管体
で構成され、ガス供給用の複数の環状管体とガス排気用
の複数の環状管体は同心的位置関係を保持して交互に配
置され、ガス吐出口とガス吸入口は個々に対向して配置
されていることを特徴とする。この構成でも、基板を２
枚用意し、両面成膜を行うことができる。上記の各構成
において、放電を励振する高周波電力の供給は間欠的に
行われることが好ましい。太陽電池を作製するための本
発明に係るプラズマＣＶＤ方法は、基板が配置された反
応容器内に材料ガスを供給し、高周波電力で放電励振を
行ってプラズマを生成して化学気相成長により基板に薄
膜を形成し、太陽電池を作製する方法であり、基板の前
面空間のプラズマ中に材料ガスを供給して薄膜形成を行
い、プラズマ中に生じた副生成物を、この副生成物の反
応容器内での残留時間が短くなるように前面空間で吸引
して排気し、副生成物が基板の前記薄膜に付着しないよ
うにした方法である。上記の方法において、上記の副生
成物は高次シランガスまたはその粉状物である。さらに
本発明に係る太陽電池は、プラズマを作り、材料ガスと
してシランガスを使用し、プラズマＣＶＤにより基板の
表面にアモルファスシリコン薄膜を堆積して作製される
太陽電池であって、アモルファスシリコン薄膜における
プラズマ中で生じた副生成物の付着量が低減されている
ことを特徴とする。この太陽電池において、上記副生成
物は高次シランガスまたはその粉状物である。さらに本
発明に係る太陽電池は、前述の各プラズマＣＶＤ装置に
よって形成される薄膜を含んで構成されることを特徴と
する。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な実施形態
を添付図面に基づいて説明する。
を添付図面に基づいて説明する。
【００１０】図１は本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の
第１実施形態の要部の構造を示し、電極部２１の構造と
電極部２１および基板２２の配置関係の一例を示す。プ
ラズマＣＶＤ装置の全体の構成は例えば図１２に示され
る。図１２に示すごとく、プラズマＣＶＤ装置は密閉さ
れた構造の反応容器１１を備える。反応容器１１の内部
空間１２は、反応容器１１の側壁下側に設けられた真空
ポンプ１３によって排気口１４を介して矢印１５のごと
く排気され、所定の真空状態に保持されている。図１に
示した電極部２１と基板２２は上記反応容器１１の内部
空間に配置されている。反応容器１１において、電極部
２１は周知の支持機構で支持され、基板２２は周知の基
板ホルダで保持されている。図１で支持機構および基板
ホルダの図示は説明の便宜上省略されている。
第１実施形態の要部の構造を示し、電極部２１の構造と
電極部２１および基板２２の配置関係の一例を示す。プ
ラズマＣＶＤ装置の全体の構成は例えば図１２に示され
る。図１２に示すごとく、プラズマＣＶＤ装置は密閉さ
れた構造の反応容器１１を備える。反応容器１１の内部
空間１２は、反応容器１１の側壁下側に設けられた真空
ポンプ１３によって排気口１４を介して矢印１５のごと
く排気され、所定の真空状態に保持されている。図１に
示した電極部２１と基板２２は上記反応容器１１の内部
空間に配置されている。反応容器１１において、電極部
２１は周知の支持機構で支持され、基板２２は周知の基
板ホルダで保持されている。図１で支持機構および基板
ホルダの図示は説明の便宜上省略されている。
【００１１】図１に示した構成では、電極部２１は一例
として直線状の４本の管状電極２１ａ，２１ｂ，２１
ｃ，２１ｄによって構成されている。管状電極２１ａ〜
２１ｄを形成する管体は例えば円管である。電極部２１
は、実際の構成では、基板２２の面積に応じて４本より
も多い（または少ない）管状電極を用いて構成される
が、図１では説明を簡単に行うため４本の管状電極が示
されている。管状電極２１ａ〜２１ｄは互いに平行にな
るように配置され、かつ基板２２に対して平行な仮想平
面の上に配置されている。４本の管状電極のうち管状電
極２１ａ，２１ｃは、反応容器内の基板２２の上面（成
膜が行われる面）の前面空間（プラズマ生成領域）に材
料ガスを供給するガス供給用の管状電極であり、管状電
極２１ｂ，２１ｄは前面空間で生じた高次シランのガス
（または高次シランのサイズが大きくなった粉状物）な
どを速やかに外部へ排気するガス排気用の管状電極であ
る。ガス供給用の管状電極２１ａ，２１ｃとガス排気用
の管状電極２１ｂ，２１ｄは互いに平行であって交互に
配置されている。図１において、管状電極２１ａ，２１
ｃの左端は開きかつ右端は閉じており、管状電極２１
ｂ，２１ｄの左端は閉じかつ右端は開いている。管状電
極２１ａ，２１ｃの左端には矢印２３のごとく材料ガス
が供給される。また管状電極２１ｂ，２１ｄの右端から
は矢印２４のごとくガスが排気される。
として直線状の４本の管状電極２１ａ，２１ｂ，２１
ｃ，２１ｄによって構成されている。管状電極２１ａ〜
２１ｄを形成する管体は例えば円管である。電極部２１
は、実際の構成では、基板２２の面積に応じて４本より
も多い（または少ない）管状電極を用いて構成される
が、図１では説明を簡単に行うため４本の管状電極が示
されている。管状電極２１ａ〜２１ｄは互いに平行にな
るように配置され、かつ基板２２に対して平行な仮想平
面の上に配置されている。４本の管状電極のうち管状電
極２１ａ，２１ｃは、反応容器内の基板２２の上面（成
膜が行われる面）の前面空間（プラズマ生成領域）に材
料ガスを供給するガス供給用の管状電極であり、管状電
極２１ｂ，２１ｄは前面空間で生じた高次シランのガス
（または高次シランのサイズが大きくなった粉状物）な
どを速やかに外部へ排気するガス排気用の管状電極であ
る。ガス供給用の管状電極２１ａ，２１ｃとガス排気用
の管状電極２１ｂ，２１ｄは互いに平行であって交互に
配置されている。図１において、管状電極２１ａ，２１
ｃの左端は開きかつ右端は閉じており、管状電極２１
ｂ，２１ｄの左端は閉じかつ右端は開いている。管状電
極２１ａ，２１ｃの左端には矢印２３のごとく材料ガス
が供給される。また管状電極２１ｂ，２１ｄの右端から
は矢印２４のごとくガスが排気される。
【００１２】管状電極２１ａ，２１ｃの両側の側部には
軸方向に沿って複数のガス吐出口２５が好ましくは一定
間隔で形成されている。ガス吐出口２５が形成された管
状電極２１ａ，２１ｃの側部は管状電極２１ｂ，２１ｄ
に対向している。ガス吐出口２５は小径の孔である。管
状電極２１ａ，２１ｃの左端に供給された材料ガスは複
数のガス吐出口２５から反応容器内に吹出す。一方、管
状電極２１ｂ，２１ｄの両側の側部には軸方向に沿って
複数のガス吸入口２６が形成されている。ガス吸入口２
６が形成された管状電極２１ｂ，２１ｄの側部は管状電
極２１ａ，２１ｃに対向している。複数のガス吸入口２
６の各々と複数のガス吐出口２５の各々は好ましくは対
向し、ガス吸入口とガス吐出口が個々に接近して設けら
れている。図１では示されていないが、実際の装置で
は、管状電極２１ａの手前側に管状電極２１ａのガス吐
出口２５に対向するガス吸入口を備えたガス排気用の管
状電極が設けられている。この管状電極は図４で管状電
極２１ｅとして示されている。管状電極２１ｂ，２１ｄ
のガス吸入口２６から吸い込まれたガスは管状電極２１
ｂ，２１ｄの右端から排気される。上記管状電極２１
ａ，２１ｃのガス吐出口２５からの材料ガスの吹出し方
向、および管状電極２１ｂ，２１ｄのガス吸入口２６で
のガスの吸入方向は、好ましくは基板２２の面に対して
実質的に平行である。管状電極２１ａ，２１ｃのガス吐
出口２５からの材料ガスの吹出し、管状電極２１ｂ，２
１ｄのガス吸入口２６でのガスの吸込みの各状態の一例
を図４に示す。図４においてガス吐出口２５から出た矢
印は材料ガスの吹出し状態を示し、ガス吸入口２６に向
かう矢印はガスの吸込み状態を示している。
軸方向に沿って複数のガス吐出口２５が好ましくは一定
間隔で形成されている。ガス吐出口２５が形成された管
状電極２１ａ，２１ｃの側部は管状電極２１ｂ，２１ｄ
に対向している。ガス吐出口２５は小径の孔である。管
状電極２１ａ，２１ｃの左端に供給された材料ガスは複
数のガス吐出口２５から反応容器内に吹出す。一方、管
状電極２１ｂ，２１ｄの両側の側部には軸方向に沿って
複数のガス吸入口２６が形成されている。ガス吸入口２
６が形成された管状電極２１ｂ，２１ｄの側部は管状電
極２１ａ，２１ｃに対向している。複数のガス吸入口２
６の各々と複数のガス吐出口２５の各々は好ましくは対
向し、ガス吸入口とガス吐出口が個々に接近して設けら
れている。図１では示されていないが、実際の装置で
は、管状電極２１ａの手前側に管状電極２１ａのガス吐
出口２５に対向するガス吸入口を備えたガス排気用の管
状電極が設けられている。この管状電極は図４で管状電
極２１ｅとして示されている。管状電極２１ｂ，２１ｄ
のガス吸入口２６から吸い込まれたガスは管状電極２１
ｂ，２１ｄの右端から排気される。上記管状電極２１
ａ，２１ｃのガス吐出口２５からの材料ガスの吹出し方
向、および管状電極２１ｂ，２１ｄのガス吸入口２６で
のガスの吸入方向は、好ましくは基板２２の面に対して
実質的に平行である。管状電極２１ａ，２１ｃのガス吐
出口２５からの材料ガスの吹出し、管状電極２１ｂ，２
１ｄのガス吸入口２６でのガスの吸込みの各状態の一例
を図４に示す。図４においてガス吐出口２５から出た矢
印は材料ガスの吹出し状態を示し、ガス吸入口２６に向
かう矢印はガスの吸込み状態を示している。
【００１３】基板２２は太陽電池用基板に利用される大
きな面積を有する基板であり、例えばガラス基板であ
る。この基板２２の上面は成膜すべき面となっており、
後述するように、上面の前面空間に放電を励振してプラ
ズマを生成し、化学気相成長の作用によりアモルファス
シリコン薄膜が堆積される。このアモルファスシリコン
薄膜は太陽電池としての機能を有する薄膜として利用さ
れる。なおこの実施形態では、基板およびアモルファス
シリコン薄膜は主に太陽電池を構成するものとして説明
されるが、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置で作製され
る薄膜は太陽電池に限定されるものではない。
きな面積を有する基板であり、例えばガラス基板であ
る。この基板２２の上面は成膜すべき面となっており、
後述するように、上面の前面空間に放電を励振してプラ
ズマを生成し、化学気相成長の作用によりアモルファス
シリコン薄膜が堆積される。このアモルファスシリコン
薄膜は太陽電池としての機能を有する薄膜として利用さ
れる。なおこの実施形態では、基板およびアモルファス
シリコン薄膜は主に太陽電池を構成するものとして説明
されるが、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置で作製され
る薄膜は太陽電池に限定されるものではない。
【００１４】図３に従って管状電極２１ａ〜２１ｄから
なる電極部２１の作用を説明する。本実施形態による電
極部２１は、本来の電極としての機能を有すると共に、
一部が材料ガスを供給する供給手段、他の一部がプラズ
マ生成領域（反応領域）から高次シランのガスを外部へ
排出する排気手段としての機能を有する。管状電極２１
ａ〜２１ｄは一端が高周波電源３１に接続され、他端が
アース端子３２に接続されている。管状電極２１ａ〜２
１ｄには高周波電源３１から高周波電力が供給される。
高周波電力は、基板２２の前面空間にプラズマを生成す
る放電を励振するための電力である。管状電極２１ａ〜
２１ｄは、同時に、前述のごとく一部（２１ａ，２１
ｃ）が材料ガスを供給するためのガス供給用管状電極と
して作用し、他の部分（２１ｂ，２１ｄ）が不要ガスを
排気するためのガス排気用管状電極として作用する。
なる電極部２１の作用を説明する。本実施形態による電
極部２１は、本来の電極としての機能を有すると共に、
一部が材料ガスを供給する供給手段、他の一部がプラズ
マ生成領域（反応領域）から高次シランのガスを外部へ
排出する排気手段としての機能を有する。管状電極２１
ａ〜２１ｄは一端が高周波電源３１に接続され、他端が
アース端子３２に接続されている。管状電極２１ａ〜２
１ｄには高周波電源３１から高周波電力が供給される。
高周波電力は、基板２２の前面空間にプラズマを生成す
る放電を励振するための電力である。管状電極２１ａ〜
２１ｄは、同時に、前述のごとく一部（２１ａ，２１
ｃ）が材料ガスを供給するためのガス供給用管状電極と
して作用し、他の部分（２１ｂ，２１ｄ）が不要ガスを
排気するためのガス排気用管状電極として作用する。
【００１５】図２は電極部２１と基板の配置関係に関す
る他の例を示す。この配置例では電極部２１の両側に基
板２２を配置し、２枚の基板に対して同時に成膜を行う
構成となっている。電極部２１の構成は図１および図３
に基づいて説明した構成と同じであるので、詳細な説明
は省略する。電極部２１の上下の両側では同じ条件の領
域が作られるので、各々の場所に基板２２を配置して成
膜を行うことが可能である。図２に示した配置例におい
て、電極部２１の作用に基づいてプラズマを生成した状
態を図４に示す。
る他の例を示す。この配置例では電極部２１の両側に基
板２２を配置し、２枚の基板に対して同時に成膜を行う
構成となっている。電極部２１の構成は図１および図３
に基づいて説明した構成と同じであるので、詳細な説明
は省略する。電極部２１の上下の両側では同じ条件の領
域が作られるので、各々の場所に基板２２を配置して成
膜を行うことが可能である。図２に示した配置例におい
て、電極部２１の作用に基づいてプラズマを生成した状
態を図４に示す。
【００１６】図４において、電極部２１の上側と下側に
基板２２が配置される。各基板２２は周囲に設けられた
ホルダ枠３３で支持されている。材料ガスを供給する管
状電極２１ａ，２１ｃの複数のガス吐出口２５からは矢
印のごとく基板表面に平行に材料ガスが吹き出される。
材料ガスは例えばＳｉＨ4 である。同時に電極部２１の
管状電極２１ａ〜２１ｄおよび管状電極２１ｅの各々に
は高周波電力が供給され、各管状電極の周囲の空間で放
電を励振し、その結果、管状電極の周囲空間でプラズマ
３４が生成される。
基板２２が配置される。各基板２２は周囲に設けられた
ホルダ枠３３で支持されている。材料ガスを供給する管
状電極２１ａ，２１ｃの複数のガス吐出口２５からは矢
印のごとく基板表面に平行に材料ガスが吹き出される。
材料ガスは例えばＳｉＨ4 である。同時に電極部２１の
管状電極２１ａ〜２１ｄおよび管状電極２１ｅの各々に
は高周波電力が供給され、各管状電極の周囲の空間で放
電を励振し、その結果、管状電極の周囲空間でプラズマ
３４が生成される。
【００１７】図４に示された円３５の部分を拡大して示
すと、図５のようになる。ガス供給用の管状電極２１ａ
は、その断面形状で明らかなように、両側の側部に小径
のガス吐出口２５を有している。ガス吐出口２５からは
矢印３６に示すごとく横方向に材料ガスが吹き出され
る。また高周波電力による放電励振の結果、管状電極２
１ａの周囲空間にプラズマ３４が生成される。プラズマ
３４は各管状電極の周囲に生成され、各管状電極ごとの
周囲に発生する電磁界により維持される。
すと、図５のようになる。ガス供給用の管状電極２１ａ
は、その断面形状で明らかなように、両側の側部に小径
のガス吐出口２５を有している。ガス吐出口２５からは
矢印３６に示すごとく横方向に材料ガスが吹き出され
る。また高周波電力による放電励振の結果、管状電極２
１ａの周囲空間にプラズマ３４が生成される。プラズマ
３４は各管状電極の周囲に生成され、各管状電極ごとの
周囲に発生する電磁界により維持される。
【００１８】プラズマ３４が生成された領域は反応領域
となり、その結果、プラズマ３４に対向する基板表面に
は化学気相成長（化学蒸着、ＣＶＤ）の作用によってア
モルファスシリコン薄膜が形成される。プラズマ３４が
生成された領域では、その化学反応によって高次シラン
が生成される。そこで管状電極２１ｂ，２１ｄ，２１ｅ
では、複数のガス吸入口２６によって矢印に示されるご
とくその周辺のガスを吸引し、外部へ排気する。各ガス
吸入口２６は対応するガス吐出口２５に接近させて配置
されており、ガス吐出口２５から反応領域に吹き出され
た材料ガスに基づいて生成された高次シランを速やかに
外部へ排気し、反応領域から高次シランを取り除いてい
る。
となり、その結果、プラズマ３４に対向する基板表面に
は化学気相成長（化学蒸着、ＣＶＤ）の作用によってア
モルファスシリコン薄膜が形成される。プラズマ３４が
生成された領域では、その化学反応によって高次シラン
が生成される。そこで管状電極２１ｂ，２１ｄ，２１ｅ
では、複数のガス吸入口２６によって矢印に示されるご
とくその周辺のガスを吸引し、外部へ排気する。各ガス
吸入口２６は対応するガス吐出口２５に接近させて配置
されており、ガス吐出口２５から反応領域に吹き出され
た材料ガスに基づいて生成された高次シランを速やかに
外部へ排気し、反応領域から高次シランを取り除いてい
る。
【００１９】以上のごとく上記実施形態による電極部２
１によれば、プラズマＣＶＤ装置で例えばＳｉＨ4 の材
料ガスを用いて大面積の基板に対してアモルファスシリ
コン薄膜を形成するとき、基板の成膜すべき面の前面空
間のプラズマ生成領域（反応領域）で生成される高次シ
ランのガス等を速やかに取り除くことができ、アモルフ
ァスシリコン薄膜の膜品質を高めることができる。電極
部２１の構造によれば基板表面上で上流側領域と下流側
領域を作らず、基板表面のどの箇所でもほぼ同じ成膜条
件を作ることができ、このため基板表面に堆積された薄
膜の膜品質を均一にすることができる。また上記電極部
２１の構造によれば、基板の面積がさらに増大しても、
ガス供給用およびガス排気用の管状電極を増すだけでよ
いので、構造的に面積増大に対する対応を容易に行うこ
とができる。電極部２１の両側に基板を配置して成膜を
行う構成では当然のことながら生産性を２倍にできると
いう利点がある。
１によれば、プラズマＣＶＤ装置で例えばＳｉＨ4 の材
料ガスを用いて大面積の基板に対してアモルファスシリ
コン薄膜を形成するとき、基板の成膜すべき面の前面空
間のプラズマ生成領域（反応領域）で生成される高次シ
ランのガス等を速やかに取り除くことができ、アモルフ
ァスシリコン薄膜の膜品質を高めることができる。電極
部２１の構造によれば基板表面上で上流側領域と下流側
領域を作らず、基板表面のどの箇所でもほぼ同じ成膜条
件を作ることができ、このため基板表面に堆積された薄
膜の膜品質を均一にすることができる。また上記電極部
２１の構造によれば、基板の面積がさらに増大しても、
ガス供給用およびガス排気用の管状電極を増すだけでよ
いので、構造的に面積増大に対する対応を容易に行うこ
とができる。電極部２１の両側に基板を配置して成膜を
行う構成では当然のことながら生産性を２倍にできると
いう利点がある。
【００２０】図６は電極部と基板の配置に関する他の構
成例を示す。この例では電極部４１の両側に基板２２を
配置して成膜を行い、かつ電極部４１と基板２２を鉛直
方向（図中垂直方向）に配置した構成を示している。基
板２２は基板ホルダ４２に保持され、鉛直に配置され
る。基板ホルダ４２はアース端子４３に接続され、アー
ス電位に保持されている。電極部４１は、例えば６本の
直線状の管状電極４１ａ〜４１ｆから構成される。各管
状電極は鉛直方向の仮想平面上に配置され、かつ水平状
態であって互いに平行に配置されている。管状電極４１
ａ〜４１ｆのうち、管状電極４１ｂ，４１ｅがガス供給
用の管状電極であり、管状電極４１ａ，４１ｃ，４１
ｄ，４１ｆがガス排気用の管状電極である。ガス供給用
の管状電極４１ｂ，４１ｅでは上下の側部に前述のごと
く複数のガス吐出口が形成されている。ガス排気用の管
状電極に関しては、管状電極４１ａ，４１ｃでは管状電
極４１ｂに対向する側部に前述のごとく複数のガス吸入
口が形成されており、管状電極４１ｄ，４１ｆでは管状
電極４１ｅに対向する側部に前述のごとく複数のガス吸
入口が形成されている。その他の構成は、前述の実施形
態で説明した構成と同じである。かかる構成を有する電
極部４１によって各管状電極の周囲にはプラズマ３４が
生成され、両側の基板２２に対してアモルファスシリコ
ン薄膜の成膜が行われる。
成例を示す。この例では電極部４１の両側に基板２２を
配置して成膜を行い、かつ電極部４１と基板２２を鉛直
方向（図中垂直方向）に配置した構成を示している。基
板２２は基板ホルダ４２に保持され、鉛直に配置され
る。基板ホルダ４２はアース端子４３に接続され、アー
ス電位に保持されている。電極部４１は、例えば６本の
直線状の管状電極４１ａ〜４１ｆから構成される。各管
状電極は鉛直方向の仮想平面上に配置され、かつ水平状
態であって互いに平行に配置されている。管状電極４１
ａ〜４１ｆのうち、管状電極４１ｂ，４１ｅがガス供給
用の管状電極であり、管状電極４１ａ，４１ｃ，４１
ｄ，４１ｆがガス排気用の管状電極である。ガス供給用
の管状電極４１ｂ，４１ｅでは上下の側部に前述のごと
く複数のガス吐出口が形成されている。ガス排気用の管
状電極に関しては、管状電極４１ａ，４１ｃでは管状電
極４１ｂに対向する側部に前述のごとく複数のガス吸入
口が形成されており、管状電極４１ｄ，４１ｆでは管状
電極４１ｅに対向する側部に前述のごとく複数のガス吸
入口が形成されている。その他の構成は、前述の実施形
態で説明した構成と同じである。かかる構成を有する電
極部４１によって各管状電極の周囲にはプラズマ３４が
生成され、両側の基板２２に対してアモルファスシリコ
ン薄膜の成膜が行われる。
【００２１】図６に示した構成を有するプラズマＣＶＤ
装置でも前述した効果と同等の効果が生じる。さらに電
極部および基板を鉛直方向に向けて配置したため、基板
表面に付着するダストパーティクルの問題を抑制でき
る。
装置でも前述した効果と同等の効果が生じる。さらに電
極部および基板を鉛直方向に向けて配置したため、基板
表面に付着するダストパーティクルの問題を抑制でき
る。
【００２２】図７は本発明の第１実施形態の変形例を示
す。この構成例では、例えば図１に示した電極部を梯子
形態で形成している。図７において、電極部５１は４本
の平行な管状電極５１ａ〜５１ｄで構成され、管状電極
５１ａ〜５１ｄは入口側管状電極５１ｅと出口側管状電
極５１ｆによって梯子形態に形成されている。管状電極
５１ａ〜５１ｆを形成する管体は例えば四角管である。
電極部５１の下側に基板ホルダ５２に保持された基板５
３が配置されている。基板５３は電極部５１の上側に配
置することもできる。電極部５１では、入口側管状電極
５１ｅの基端側が高周波電源５４に接続され、出口側管
状電極５１ｆの先端側がアース端子５５に接続されてい
る。
す。この構成例では、例えば図１に示した電極部を梯子
形態で形成している。図７において、電極部５１は４本
の平行な管状電極５１ａ〜５１ｄで構成され、管状電極
５１ａ〜５１ｄは入口側管状電極５１ｅと出口側管状電
極５１ｆによって梯子形態に形成されている。管状電極
５１ａ〜５１ｆを形成する管体は例えば四角管である。
電極部５１の下側に基板ホルダ５２に保持された基板５
３が配置されている。基板５３は電極部５１の上側に配
置することもできる。電極部５１では、入口側管状電極
５１ｅの基端側が高周波電源５４に接続され、出口側管
状電極５１ｆの先端側がアース端子５５に接続されてい
る。
【００２３】上記電極部５１と図１および図３で説明し
た電極部２１とを対比すると、管状電極５１ａが管状電
極２１ａに対応し、管状電極５１ｂが管状電極２１ｂに
対応し、管状電極５１ｃが管状電極２１ｃに対応し、管
状電極５１ｄが管状電極２１ｄに対応している。管状電
極５１ａ〜５１ｄの構成および相互の関係、基板との位
置関係、および作用は、前述した管状電極２１ａ〜２１
ｄと全く同じであるので、ここでは詳細な説明は省略す
る。特徴的な構成は図８に示される。入口側管状電極５
１ａから材料ガスが供給されると、この材料ガスはガス
供給用の管状電極５１ａ，５１ｃに分配され、管状電極
５１ａ，５１ｃの両側の側部に形成された複数のガス吐
出口５７から吹き出される。複数のガス吐出口５７から
吹き出された材料ガスに基づき化学反応で高次シランが
生成されると、当該高次シランはガス排気用の管状電極
５１ｂ，５１ｄの両側の側部に形成された複数のガス吸
入口５８を通して吸引され、出口側管状電極５１ｆを通
して外部へ排気される。
た電極部２１とを対比すると、管状電極５１ａが管状電
極２１ａに対応し、管状電極５１ｂが管状電極２１ｂに
対応し、管状電極５１ｃが管状電極２１ｃに対応し、管
状電極５１ｄが管状電極２１ｄに対応している。管状電
極５１ａ〜５１ｄの構成および相互の関係、基板との位
置関係、および作用は、前述した管状電極２１ａ〜２１
ｄと全く同じであるので、ここでは詳細な説明は省略す
る。特徴的な構成は図８に示される。入口側管状電極５
１ａから材料ガスが供給されると、この材料ガスはガス
供給用の管状電極５１ａ，５１ｃに分配され、管状電極
５１ａ，５１ｃの両側の側部に形成された複数のガス吐
出口５７から吹き出される。複数のガス吐出口５７から
吹き出された材料ガスに基づき化学反応で高次シランが
生成されると、当該高次シランはガス排気用の管状電極
５１ｂ，５１ｄの両側の側部に形成された複数のガス吸
入口５８を通して吸引され、出口側管状電極５１ｆを通
して外部へ排気される。
【００２４】図９は梯子型に構成された電極部５１を概
念的に示した図である。複数の管状電極は複数本の平行
線で表現されており、その本数が増大された例が示され
ている。管状電極の長さＬは実際には例えば約１．２ｍ
である。高周波電源５４は点５９に接続され、アース端
子５５は点６０に接続される。各管状電極は、高周波電
源５４から供給される高周波電力を分流して流す電流経
路（図中１，２，３，…）として機能する。各管状電極
の長さ、すなわち電流経路長は、供給される励振用高周
波電力の周波数との関係で、励振波長の１／２の自然数
倍になっていることが好ましい。
念的に示した図である。複数の管状電極は複数本の平行
線で表現されており、その本数が増大された例が示され
ている。管状電極の長さＬは実際には例えば約１．２ｍ
である。高周波電源５４は点５９に接続され、アース端
子５５は点６０に接続される。各管状電極は、高周波電
源５４から供給される高周波電力を分流して流す電流経
路（図中１，２，３，…）として機能する。各管状電極
の長さ、すなわち電流経路長は、供給される励振用高周
波電力の周波数との関係で、励振波長の１／２の自然数
倍になっていることが好ましい。
【００２５】上記構成例に示される電極部５１によれ
ば、前述した各利点に加えて、直線状の管状電極５１ａ
〜５１ｄが入口側管状電極５１ｅと出口側管状電極５１
ｆによって梯子形態に形成されるため、構造が一体化さ
れ、高周波電力の供給点が一点となって構造が簡易とな
り、製作が容易になり、装置を安価に製作できるという
利点を有する。
ば、前述した各利点に加えて、直線状の管状電極５１ａ
〜５１ｄが入口側管状電極５１ｅと出口側管状電極５１
ｆによって梯子形態に形成されるため、構造が一体化さ
れ、高周波電力の供給点が一点となって構造が簡易とな
り、製作が容易になり、装置を安価に製作できるという
利点を有する。
【００２６】図１０は本発明の第１実施形態の他の変形
例を示す。この構成例では電極部９１を多層構造として
形成しており、例えば５層で形成されている。各電極部
９１は、例えば図６で示した例と同様に縦置き状態（垂
直方向）で配置されている。各電極部９１は、例えば図
３に示された電極部２１と実質的に同じ構成を有してい
る。ただし電極部９１では直線状の管状電極の本数が多
くなっている。各電極部９１では材料ガスが供給されか
つ高周波電力が供給されることにより各管状電極の周囲
にプラズマ９２が生成される。各電極部９１の両側に
は、ホルダ枠体９３に支持された基板（ガラス基板）９
４が縦置きで配置されている。基板９４における電極部
９１側の面が成膜面となる。また各基板９４の背面側に
はヒータ９５が配置されている。この装置構成は、電極
部９１とその両側に配置された基板９４とからなる構造
体で１つのユニットが構成され、この構造体が５層形成
された例となっている。かかる構成によれば、成膜処理
の生産性をさらに高めることができる。
例を示す。この構成例では電極部９１を多層構造として
形成しており、例えば５層で形成されている。各電極部
９１は、例えば図６で示した例と同様に縦置き状態（垂
直方向）で配置されている。各電極部９１は、例えば図
３に示された電極部２１と実質的に同じ構成を有してい
る。ただし電極部９１では直線状の管状電極の本数が多
くなっている。各電極部９１では材料ガスが供給されか
つ高周波電力が供給されることにより各管状電極の周囲
にプラズマ９２が生成される。各電極部９１の両側に
は、ホルダ枠体９３に支持された基板（ガラス基板）９
４が縦置きで配置されている。基板９４における電極部
９１側の面が成膜面となる。また各基板９４の背面側に
はヒータ９５が配置されている。この装置構成は、電極
部９１とその両側に配置された基板９４とからなる構造
体で１つのユニットが構成され、この構造体が５層形成
された例となっている。かかる構成によれば、成膜処理
の生産性をさらに高めることができる。
【００２７】図１１は本発明による電極部の第２の実施
形態を示す。この実施形態によるプラズマＣＶＤ装置で
用いられる電極部６１は例えば四角環状の複数の管状電
極６１ａ，６１ｂ，６１ｃによって構成される。管状電
極の断面形状は円形であっても四角形であってもよい。
管状電極６１ａ〜６１ｃは、図示しない基板に平行な仮
想平面の上に配置され、かつ図１１に示されるごとく大
きさを異ならせて内外に位置するように同心的位置関係
にて配置されている。管状電極６１ａ〜６１ｃはほぼ等
間隔に配置されている。中間に位置する管状電極６１ｂ
はガス供給用の管状電極であり、管状電極６１ｂの内側
に配置された管状電極６１ａとその外側に配置された管
状電極６１ｃはガス排気用の管状電極である。管状電極
６１ｂには材料ガスが供給され、また管状電極６１ａ，
６１ｃの出口側は排気系に接続されている。管状電極６
１ｂの両側の側部には例えば等間隔で複数のガス吐出口
が形成され、矢印のごとく材料ガスが吹き出される。管
状電極６１ａ，６１ｃにおける管状電極６１ｂ側の側部
には例えば等間隔で複数のガス吸入口が形成され、矢印
のごとくガスが吸引される。管状電極６１ｂの基端に高
周波電源６２が接続されている。以上の構成を有する電
極部６１によっても前述した効果と同様な効果が発揮さ
れる。
形態を示す。この実施形態によるプラズマＣＶＤ装置で
用いられる電極部６１は例えば四角環状の複数の管状電
極６１ａ，６１ｂ，６１ｃによって構成される。管状電
極の断面形状は円形であっても四角形であってもよい。
管状電極６１ａ〜６１ｃは、図示しない基板に平行な仮
想平面の上に配置され、かつ図１１に示されるごとく大
きさを異ならせて内外に位置するように同心的位置関係
にて配置されている。管状電極６１ａ〜６１ｃはほぼ等
間隔に配置されている。中間に位置する管状電極６１ｂ
はガス供給用の管状電極であり、管状電極６１ｂの内側
に配置された管状電極６１ａとその外側に配置された管
状電極６１ｃはガス排気用の管状電極である。管状電極
６１ｂには材料ガスが供給され、また管状電極６１ａ，
６１ｃの出口側は排気系に接続されている。管状電極６
１ｂの両側の側部には例えば等間隔で複数のガス吐出口
が形成され、矢印のごとく材料ガスが吹き出される。管
状電極６１ａ，６１ｃにおける管状電極６１ｂ側の側部
には例えば等間隔で複数のガス吸入口が形成され、矢印
のごとくガスが吸引される。管状電極６１ｂの基端に高
周波電源６２が接続されている。以上の構成を有する電
極部６１によっても前述した効果と同様な効果が発揮さ
れる。
【００２８】図１２は本発明による電極部の第３の実施
形態を示す。本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の反応容
器１１は下部容器１１ａと上部容器１１ｂから構成され
る。下部容器１１ａと上部容器１１ｂの間には絶縁リン
グ７１が介設されている。下部容器１１ａにはヒータ７
２を内蔵する基板ホルダ７３が設けられる。基板ホルダ
７３はアースされている。基板ホルダ７３の上に基板７
４が搭載されている。上部容器１１ｂの内部には本発明
による電極部７５が設けられている。
形態を示す。本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の反応容
器１１は下部容器１１ａと上部容器１１ｂから構成され
る。下部容器１１ａと上部容器１１ｂの間には絶縁リン
グ７１が介設されている。下部容器１１ａにはヒータ７
２を内蔵する基板ホルダ７３が設けられる。基板ホルダ
７３はアースされている。基板ホルダ７３の上に基板７
４が搭載されている。上部容器１１ｂの内部には本発明
による電極部７５が設けられている。
【００２９】電極部７５は、基板７４に対向する部分
に、材料ガスを吹き出す複数のガス吐出口７６ａとガス
を吸引する複数のガス吸入口７６ｂが形成された板材７
６が設けられる。板材７６において、複数のガス吐出口
７６ａとガス吸入口７６ｂは、前述のごとく材料ガスを
基板７４の前面空間に生成されたプラズマ中に供給しか
つ化学反応で生成された高次シラン等が速やかに排気さ
れるように、互いに接近した位置関係で形成されてい
る。上部容器１１ｂの天井部側から供給される材料ガス
は、導入部７７を通して導入空間７８に導入される。材
料ガスは、導入空間７８に設けられた拡散板７９を通
り、さらに複数のパイプ状通路８０を通って分散状態で
上記ガス吐出口７６ａから基板７４の前面空間に供給さ
れる。電極部７５の中央部には絶縁体８１を介して電極
棒８２が設けられ、電極棒８２には高周波電力が供給さ
れている。基板７４の前面空間では、高周波電力で放電
の励振が行われ、プラズマが生成される。電極部７５に
は排気用空間８２が形成されている。基板７４の前面空
間の反応領域で生成された高次シランはガス吸入口から
速やかに吸い込まれ、排気用空間８２を通して外部へ排
気される。この実施形態による電極部７５は、ガス供給
用の管状電極、ガス排気用の管状電極を備えていない
が、ガス供給用の複数のガス吐出口を有するガス供給体
とガス排気用の複数のガス吸入口を有するガス排気体を
備えているので、前述の実施形態の構成と実質的に同等
の構成を有している。従って本実施形態による構成によ
っても前述した効果と同様な効果を生じさせることがで
きる。
に、材料ガスを吹き出す複数のガス吐出口７６ａとガス
を吸引する複数のガス吸入口７６ｂが形成された板材７
６が設けられる。板材７６において、複数のガス吐出口
７６ａとガス吸入口７６ｂは、前述のごとく材料ガスを
基板７４の前面空間に生成されたプラズマ中に供給しか
つ化学反応で生成された高次シラン等が速やかに排気さ
れるように、互いに接近した位置関係で形成されてい
る。上部容器１１ｂの天井部側から供給される材料ガス
は、導入部７７を通して導入空間７８に導入される。材
料ガスは、導入空間７８に設けられた拡散板７９を通
り、さらに複数のパイプ状通路８０を通って分散状態で
上記ガス吐出口７６ａから基板７４の前面空間に供給さ
れる。電極部７５の中央部には絶縁体８１を介して電極
棒８２が設けられ、電極棒８２には高周波電力が供給さ
れている。基板７４の前面空間では、高周波電力で放電
の励振が行われ、プラズマが生成される。電極部７５に
は排気用空間８２が形成されている。基板７４の前面空
間の反応領域で生成された高次シランはガス吸入口から
速やかに吸い込まれ、排気用空間８２を通して外部へ排
気される。この実施形態による電極部７５は、ガス供給
用の管状電極、ガス排気用の管状電極を備えていない
が、ガス供給用の複数のガス吐出口を有するガス供給体
とガス排気用の複数のガス吸入口を有するガス排気体を
備えているので、前述の実施形態の構成と実質的に同等
の構成を有している。従って本実施形態による構成によ
っても前述した効果と同様な効果を生じさせることがで
きる。
【００３０】上記の各実施形態での高周波電力の供給に
ついて説明する。高周波電力の供給は好ましくは間欠的
に行われる。大面積の絶縁材基板にプラズマＣＶＤ法に
よってアモルファスシリコン薄膜を成膜する場合には、
均一の膜質および膜厚を形成するために、放電を励振す
る高周波電力を間欠的に供給することが好ましい。高周
波電力が印加されている間に、放電空間内で高品質膜の
プリカーサとなるＳｉＨ3 の他にＳｉＨ2 等とが発生す
る。ＳｉＨ2 等は、親分子であるＳｉＨ4 と逐次的に衝
突して重合反応を起こし、粉を生成させる。生成された
粉は、負に帯電し、プラズマ中で静電的に捕獲され、捕
獲されている間にさらに重合反応が進行する。この結
果、膜表面に粉が堆積する。上記間欠放電は、重合によ
り生じた粉は、放電休止中の静電捕獲がない時間帯を利
用して重合体を排気するという方法である。基板周辺か
らしか排気が行われない状態のまま大面積化すると、排
気経路が長くなるために、この排気による重合体の排除
効率が悪化し、放電休止期間をいたずらに延長する必要
性が生じる。このために、実効的な成膜速度を低下させ
る原因となる。前述の実施形態で説明したように排気を
高周波（ｒｆ）電極から行うことで、間欠放電法の本来
持つ特長を維持したまま、大面積化が可能となる。
ついて説明する。高周波電力の供給は好ましくは間欠的
に行われる。大面積の絶縁材基板にプラズマＣＶＤ法に
よってアモルファスシリコン薄膜を成膜する場合には、
均一の膜質および膜厚を形成するために、放電を励振す
る高周波電力を間欠的に供給することが好ましい。高周
波電力が印加されている間に、放電空間内で高品質膜の
プリカーサとなるＳｉＨ3 の他にＳｉＨ2 等とが発生す
る。ＳｉＨ2 等は、親分子であるＳｉＨ4 と逐次的に衝
突して重合反応を起こし、粉を生成させる。生成された
粉は、負に帯電し、プラズマ中で静電的に捕獲され、捕
獲されている間にさらに重合反応が進行する。この結
果、膜表面に粉が堆積する。上記間欠放電は、重合によ
り生じた粉は、放電休止中の静電捕獲がない時間帯を利
用して重合体を排気するという方法である。基板周辺か
らしか排気が行われない状態のまま大面積化すると、排
気経路が長くなるために、この排気による重合体の排除
効率が悪化し、放電休止期間をいたずらに延長する必要
性が生じる。このために、実効的な成膜速度を低下させ
る原因となる。前述の実施形態で説明したように排気を
高周波（ｒｆ）電極から行うことで、間欠放電法の本来
持つ特長を維持したまま、大面積化が可能となる。
【００３１】上記実施形態では、主にプラズマＣＶＤ装
置としての構成・作用という観点で説明が行われたが、
上記プラズマＣＶＤ装置の作用は太陽電池を作製するた
めのプラズマＣＶＤ方法として把握することができるの
は勿論である。また上記のプラズマＣＶＤ装置あるいは
プラズマＣＶＤ方法で作製された太陽電池は、そのアモ
ルファスシリコン薄膜において、成膜の際のプラズマで
発生する高次シラン等の副生成物の影響が低減されて、
高い膜品質を有しているという特性を有している。従っ
て品質の良い高い性能を有する太陽電池が作製される。
置としての構成・作用という観点で説明が行われたが、
上記プラズマＣＶＤ装置の作用は太陽電池を作製するた
めのプラズマＣＶＤ方法として把握することができるの
は勿論である。また上記のプラズマＣＶＤ装置あるいは
プラズマＣＶＤ方法で作製された太陽電池は、そのアモ
ルファスシリコン薄膜において、成膜の際のプラズマで
発生する高次シラン等の副生成物の影響が低減されて、
高い膜品質を有しているという特性を有している。従っ
て品質の良い高い性能を有する太陽電池が作製される。
【００３２】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように本発明によ
れば、次の効果が生じる。本発明に係るプラズマＣＶＤ
装置は、プラズマを生成し大面積の基板にアモルファス
シリコン薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において反
応領域で生成される高次シランのガス等を速やかに排気
できる構成を有した電極部を設けるようにしたため、大
面積基板に対して膜品質が高いアモルファスシリコン薄
膜を形成することができる。このプラズマＣＶＤ装置を
太陽電池の作製装置として使用すると、アモルファスシ
リコン薄膜の膜品質を向上することができ、高い性能を
有する太陽電池を作製することができる。また太陽電池
を作製する本発明に係るプラズマＣＶＤ方法によれば、
基板の前面空間でガスを吸引して外部へ排気するように
したため、プラズマ中に生じた高次シランガス等の副生
成物が反応容器内に残留する時間を短くでき、副生成物
が薄膜に影響を与えるのを防止し、太陽電池の薄膜品質
を向上できる。さらに本発明に係る太陽電池は、アモル
ファスシリコン薄膜における副生成物の付着量が低減さ
れ、品質を良好なものにすることができる。
れば、次の効果が生じる。本発明に係るプラズマＣＶＤ
装置は、プラズマを生成し大面積の基板にアモルファス
シリコン薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において反
応領域で生成される高次シランのガス等を速やかに排気
できる構成を有した電極部を設けるようにしたため、大
面積基板に対して膜品質が高いアモルファスシリコン薄
膜を形成することができる。このプラズマＣＶＤ装置を
太陽電池の作製装置として使用すると、アモルファスシ
リコン薄膜の膜品質を向上することができ、高い性能を
有する太陽電池を作製することができる。また太陽電池
を作製する本発明に係るプラズマＣＶＤ方法によれば、
基板の前面空間でガスを吸引して外部へ排気するように
したため、プラズマ中に生じた高次シランガス等の副生
成物が反応容器内に残留する時間を短くでき、副生成物
が薄膜に影響を与えるのを防止し、太陽電池の薄膜品質
を向上できる。さらに本発明に係る太陽電池は、アモル
ファスシリコン薄膜における副生成物の付着量が低減さ
れ、品質を良好なものにすることができる。
【図１】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の電極部の第
１実施形態を示し、直線状の管状電極と基板の配置関係
の一例を示す斜視図である。
１実施形態を示し、直線状の管状電極と基板の配置関係
の一例を示す斜視図である。
【図２】直線状の管状電極と基板の配置関係の他の例を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図３】図１に示した構成に基づいて基板に対してプラ
ズマＣＶＤ成膜を行う際の各管状電極の作用を説明する
図である。
ズマＣＶＤ成膜を行う際の各管状電極の作用を説明する
図である。
【図４】図２に示した構成における材料ガスの供給とガ
スの排気の作用の一例を示す断面図である。
スの排気の作用の一例を示す断面図である。
【図５】図４における材料ガスを供給する管状電極の一
部を拡大し、材料ガスの供給状態と周囲に形成されるプ
ラズマの状態を示す断面図である。
部を拡大し、材料ガスの供給状態と周囲に形成されるプ
ラズマの状態を示す断面図である。
【図６】基板と管状電極を鉛直方向に配置した構成例
（縦置き型）を示す図である。
（縦置き型）を示す図である。
【図７】材料ガス供給とガス排気を行う管状電極からな
る電極部を梯子形態で構成した例を示す斜視図である。
る電極部を梯子形態で構成した例を示す斜視図である。
【図８】梯子形態を有する電極部の材料ガス供給とガス
排気の各状態を説明する図である。
排気の各状態を説明する図である。
【図９】梯子形態を有する電極部の実際の構成例を示す
図である。
図である。
【図１０】本発明の第１実施形態で多層構造の縦置き型
の例を示す断面図である。
の例を示す断面図である。
【図１１】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の電極部の
第２実施形態を示し、全体として四角環形状を有する管
状電極の例を示す平面図である。
第２実施形態を示し、全体として四角環形状を有する管
状電極の例を示す平面図である。
【図１２】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の電極部の
第３実施形態を示す縦断面図である。
第３実施形態を示す縦断面図である。
１１ 反応容器 ２１ 電極部 ２１ａ，２１ｃ ガス供給用の管状電極 ２１ｂ，２１ｄ ガス排気用の管状電極 ２２ 基板 ２５ ガス吐出口 ２６ ガス吸入口 ３１ 高周波電源 ３４ プラズマ ４１ 電極部 ４１ａ〜４１ｆ 管状電極 ５１ 梯子型電極部 ６１ 電極部 ６１ａ〜６１ｃ 四角環状の管状電極 ７４ 基板 ７５ 電極部 ７６ａ ガス吐出口 ７６ｂ ガス吸入口 ９１ 電極部 ９４ 基板 ９５ ヒータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 000005049 シャープ株式会社 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 (74)上記３名の代理人 100094020 弁理士 田宮 寛祉 (72)発明者 松田 彰久 茨城県つくば市梅園１丁目１番４ 工業技 術院 電子技術総合研究所内 (72)発明者 渡部 嘉 東京都府中市四谷５丁目８番１号 アネル バ株式会社内 (72)発明者 山岸 英雄 大阪府大阪市北区中之島３丁目２番４号 鐘淵化学工業株式会社内 (72)発明者 近藤 正隆 大阪府大阪市北区中之島３丁目２番４号 鐘淵化学工業株式会社内 (72)発明者 早川 尚志 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 AA06 BA30 CA17 EA05 EA06 EA11 GA01 KA16 KA17 LA16 5F045 AA08 AB04 AC01 AF07 BB08 BB15 CA13 DP13 EF03 EF08 EF20 EG01 EG05 EH04 EH05 EH12 EH19 5F051 AA05 CA07 CA16 CA23 CA24
Claims (15)
- 【請求項１】 真空ポンプで所定の真空状態に保持され
た反応容器内に基板を配置し、前記基板の成膜すべき面
の前面空間に材料ガスを供給し高周波電力で放電励振を
行ってプラズマを生成し化学気相成長により前記基板に
薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、 複数のガス吐出口を有しかつこれらのガス吐出口を通し
て前記前面空間に前記材料ガスを供給するガス供給体
と、複数のガス吸入口を有しかつこれらのガス吸入口を
通して周辺のガスを吸入し外部へ排気するガス排気体と
を設け、 前記複数のガス吐出口と前記複数のガス吸入口は、個々
のガス吐出口とガス吸入口が接近するように配置され、 前記ガス供給体と前記ガス排気体は、前記高周波電力が
供給され、電極として構成される、 ことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 前記ガス供給体は前記基板に実質的に平
行な仮想平面の上に配置される複数の直線状管体で構成
され、前記ガス排気体は前記仮想平面の上に配置される
複数の直線状管体で構成され、ガス供給用の前記複数の
直線状管体とガス排気用の前記複数の直線状管体は実質
的に平行に交互に配置され、前記ガス吐出口と前記ガス
吸入口は対向して配置されることを特徴とする請求項１
記載のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 ガス供給用の前記複数の直線状管体とガ
ス排気用の前記複数の直線状管体は梯子形態を有するよ
うに構成されていることを特徴とする請求項２記載のプ
ラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項４】 前記基板は２枚用意され、２枚の基板は
平行に配置され、ガス供給用の前記複数の直線状管体と
ガス排気用の前記複数の直線状管体が配置される前記仮
想平面は、前記２枚の記基板の中間位置に設定されるこ
とを特徴とする請求項２または３記載のプラズマＣＶＤ
装置。 - 【請求項５】 ガス供給用の前記複数の直線状管体とガ
ス排気用の前記複数の直線状管体からなる構造体の両側
に前記基板を配置した構成を１つのユニットとし、この
ユニットを多層に設けて積層構造を構成し、前記基板の
各々の背面側にヒータを設けるようにしたことを特徴と
する請求項４記載のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項６】 ガス供給用の前記複数の直線状管体とガ
ス排気用の前記複数の直線状管体の各々の高周波電流経
路長は放電励振用の前記高周波電力の励振波長の１／２
の自然数倍であることを特徴とする請求項２〜５のいず
れか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項７】 前記基板の配置方向と、ガス供給用の前
記複数の直線状管体とガス排気用の前記複数の直線状管
体が配置される前記仮想平面の方向は、鉛直であること
を特徴とする請求項２〜５のいずれか１項に記載のプラ
ズマＣＶＤ装置。 - 【請求項８】 前記ガス供給体は前記基板に実質的に平
行な仮想平面の上に配置されかつ同心的位置関係にある
複数の環状管体で構成され、前記ガス排気体は前記仮想
平面の上に配置されかつ同心的位置関係にある複数の環
状管体で構成され、ガス供給用の前記複数の環状管体と
ガス排気用の前記複数の環状管体は同心的位置関係を保
持して交互に配置され、前記ガス吐出口と前記ガス吸入
口は個々に対向して配置されていることを特徴とする請
求項１記載のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項９】 前記基板は２枚用意され、２枚の基板は
平行に配置され、ガス供給用の前記複数の環状管体とガ
ス排気用の前記複数の環状管体が配置される前記仮想平
面は、前記２枚の基板の中間位置に設定されることを特
徴とする請求項８記載のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項１０】 放電を励振する前記高周波電力の供給
が間欠的に行われることを特徴とする請求項１〜９のい
ずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項１１】 基板が配置された反応容器内に材料ガ
スを供給し、高周波電力で放電励振を行ってプラズマを
生成して化学気相成長により前記基板に薄膜を形成し、
太陽電池を作製するプラズマＣＶＤ方法において、 前記基板の前面空間の前記プラズマ中に前記材料ガスを
供給して薄膜形成を行い、前記プラズマ中に生じた副生
成物を、この副生成物の前記反応容器内での残留時間が
短くなるように前記前面空間で吸引して排気し、前記副
生成物が前記基板の前記薄膜に付着しないようにしたこ
とを特徴とする太陽電池を作製するプラズマＣＶＤ方
法。 - 【請求項１２】 前記副生成物は高次シランガスまたは
その粉状物であることを特徴とする請求項１１記載の太
陽電池を作製するプラズマＣＶＤ方法。 - 【請求項１３】 プラズマを作り、材料ガスとしてシラ
ンガスを使用し、プラズマＣＶＤにより基板の表面にア
モルファスシリコン薄膜を堆積して作製される太陽電池
であり、前記アモルファスシリコン薄膜における前記プ
ラズマ中で生じた副生成物の付着量が低減されることを
特徴とする太陽電池。 - 【請求項１４】 前記副生成物は高次シランガスまたは
その粉状物であることを特徴とする請求項１３記載の太
陽電池。 - 【請求項１５】 請求項１〜１０のいずれか１項に記載
されたプラズマＣＶＤ装置によって形成される薄膜を含
んでなることを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19496698A JP3844274B2 (ja) | 1998-06-25 | 1998-06-25 | プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄ方法 |
| US09/337,661 US6189485B1 (en) | 1998-06-25 | 1999-06-22 | Plasma CVD apparatus suitable for manufacturing solar cell and the like |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19496698A JP3844274B2 (ja) | 1998-06-25 | 1998-06-25 | プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000012471A true JP2000012471A (ja) | 2000-01-14 |
| JP3844274B2 JP3844274B2 (ja) | 2006-11-08 |
Family
ID=16333309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19496698A Expired - Lifetime JP3844274B2 (ja) | 1998-06-25 | 1998-06-25 | プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄ方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6189485B1 (ja) |
| JP (1) | JP3844274B2 (ja) |
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274101A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 棒状電極を有するプラズマ化学蒸着装置 |
| EP1143034A1 (de) * | 2000-04-06 | 2001-10-10 | Angewandte Solarenergie - ASE GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten und/oder Behandeln eines Substrates |
| EP1146569A2 (en) * | 2000-04-13 | 2001-10-17 | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | Thin film forming method, thin film forming apparatus and solar cell |
| WO2002058121A1 (fr) * | 2001-01-22 | 2002-07-25 | Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd | Procede et dispositif pour depot chimique en phase vapeur assiste par plasma |
| JP2003347221A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Kyocera Corp | Ｃａｔ−ＰＥＣＶＤ法、それを用いて形成した膜、およびその膜を備えた薄膜デバイス |
| JP2006237093A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Sanyo Electric Co Ltd | プラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法 |
| WO2007111204A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | 電極および真空処理装置 |
| JP2008513978A (ja) * | 2004-09-14 | 2008-05-01 | オプティソーラー インコーポレイテッド | プラズマ強化型ｃｖｄ装置及び方法 |
| JP2008140566A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Univ Nagoya | エネルギ線照射による処理装置および方法 |
| JP2008285763A (ja) * | 2008-07-28 | 2008-11-27 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 電極およびこれを備えた真空処理装置 |
| KR100920324B1 (ko) | 2007-08-24 | 2009-10-07 | 주식회사 케이씨텍 | 박막 증착장치 |
| WO2010110099A1 (ja) * | 2009-03-24 | 2010-09-30 | 東レ株式会社 | プラズマ処理装置およびこれを用いたアモルファスシリコン薄膜の製造方法 |
| WO2011033927A1 (ja) * | 2009-09-17 | 2011-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
| KR101057372B1 (ko) * | 2008-05-23 | 2011-08-17 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
| JP2011528501A (ja) * | 2008-07-16 | 2011-11-17 | 株式会社テラセミコン | バッチ式熱処理装置及び該装置に適用されるヒータ |
| JP2012516564A (ja) * | 2009-01-30 | 2012-07-19 | 株式会社テラセミコン | バッチ式基板処理装置 |
| CN102652946A (zh) * | 2011-03-04 | 2012-09-05 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 等离子清洁装置及等离子清洁方法 |
| WO2013035377A1 (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-14 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | プラズマ発生装置、ｃｖｄ装置およびプラズマ処理粒子生成装置 |
| WO2013035375A1 (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-14 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | プラズマ発生装置およびｃｖｄ装置 |
| JP2014075606A (ja) * | 2013-12-25 | 2014-04-24 | Toray Ind Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
| KR101514080B1 (ko) * | 2009-02-04 | 2015-04-21 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 화학 기상 증착 장치 |
| CN104812936A (zh) * | 2012-11-30 | 2015-07-29 | Lg化学株式会社 | 辊子 |
| US9165748B2 (en) | 2000-05-17 | 2015-10-20 | Ihi Corporation | Plasma CVD method |
| KR20190015622A (ko) * | 2016-07-08 | 2019-02-13 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마 처리를 이용하여 금속 막들을 증착하기 위한 장치 |
| KR20210085139A (ko) * | 2019-12-30 | 2021-07-08 | (주)에스테크 | 태양전지용 단결정 실리콘 웨이퍼 제조용 대량생산 기반의 pecvd 장치 |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100416308B1 (ko) * | 1999-05-26 | 2004-01-31 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
| US6812157B1 (en) * | 1999-06-24 | 2004-11-02 | Prasad Narhar Gadgil | Apparatus for atomic layer chemical vapor deposition |
| US20040224504A1 (en) * | 2000-06-23 | 2004-11-11 | Gadgil Prasad N. | Apparatus and method for plasma enhanced monolayer processing |
| US20060191637A1 (en) * | 2001-06-21 | 2006-08-31 | John Zajac | Etching Apparatus and Process with Thickness and Uniformity Control |
| US6948448B2 (en) * | 2001-11-27 | 2005-09-27 | General Electric Company | Apparatus and method for depositing large area coatings on planar surfaces |
| US20030098367A1 (en) * | 2001-11-27 | 2003-05-29 | General Electric Company | Processes and systems for determining the identity of metal alloys |
| US20060219170A1 (en) * | 2002-01-11 | 2006-10-05 | Energy Conversion Devices, Inc. | Pore cathode for the mass production of photovoltaic devices having increased conversion efficiency |
| US20040250763A1 (en) * | 2002-01-11 | 2004-12-16 | Ovshinsky Stanford R. | Fountain cathode for large area plasma deposition |
| US20040129212A1 (en) * | 2002-05-20 | 2004-07-08 | Gadgil Pradad N. | Apparatus and method for delivery of reactive chemical precursors to the surface to be treated |
| US20030047536A1 (en) * | 2002-10-02 | 2003-03-13 | Johnson Wayne L. | Method and apparatus for distributing gas within high density plasma process chamber to ensure uniform plasma |
| JP2004288984A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Sharp Corp | 成膜装置及び成膜方法 |
| US20070048456A1 (en) * | 2004-09-14 | 2007-03-01 | Keshner Marvin S | Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and method |
| US20060062914A1 (en) * | 2004-09-21 | 2006-03-23 | Diwakar Garg | Apparatus and process for surface treatment of substrate using an activated reactive gas |
| JP4185483B2 (ja) * | 2004-10-22 | 2008-11-26 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP4584722B2 (ja) * | 2005-01-13 | 2010-11-24 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置および同装置により製造された半導体素子 |
| JP2006196681A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Sharp Corp | プラズマ処理装置および同装置により製造された半導体素子 |
| US20080139003A1 (en) * | 2006-10-26 | 2008-06-12 | Shahid Pirzada | Barrier coating deposition for thin film devices using plasma enhanced chemical vapor deposition process |
| US9157191B2 (en) * | 2006-11-02 | 2015-10-13 | Apjet, Inc. | Treatment of fibrous materials using atmospheric pressure plasma polymerization |
| EP1970468B1 (de) * | 2007-03-05 | 2009-07-15 | Applied Materials, Inc. | Beschichtungsanlage und Gasleitungssystem |
| EP1968098A1 (en) | 2007-03-08 | 2008-09-10 | Applied Materials, Inc. | Suction device for plasma coating chamber |
| US9105449B2 (en) * | 2007-06-29 | 2015-08-11 | Lam Research Corporation | Distributed power arrangements for localizing power delivery |
| US8528498B2 (en) * | 2007-06-29 | 2013-09-10 | Lam Research Corporation | Integrated steerability array arrangement for minimizing non-uniformity |
| US20100047954A1 (en) * | 2007-08-31 | 2010-02-25 | Su Tzay-Fa Jeff | Photovoltaic production line |
| KR20100051738A (ko) * | 2007-08-31 | 2010-05-17 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 광전지 생산 라인 |
| US8361276B2 (en) | 2008-02-11 | 2013-01-29 | Apjet, Inc. | Large area, atmospheric pressure plasma for downstream processing |
| EP2253008B1 (en) * | 2008-03-12 | 2017-02-01 | Alytus Corporation, S.A. | Plasma system |
| US20090229664A1 (en) * | 2008-03-17 | 2009-09-17 | Nanopv Technologies Inc. | Method of manufacturing nanocrystalline photovoltaic devices |
| CA2653581A1 (en) | 2009-02-11 | 2010-08-11 | Kenneth Scott Alexander Butcher | Migration and plasma enhanced chemical vapour deposition |
| WO2011028290A1 (en) * | 2009-09-06 | 2011-03-10 | Hanzhong Zhang | Tubular photovoltaic device and method of making |
| KR101693673B1 (ko) * | 2010-06-23 | 2017-01-09 | 주성엔지니어링(주) | 가스분배수단 및 이를 포함한 기판처리장치 |
| KR20120040433A (ko) | 2010-10-19 | 2012-04-27 | 삼성전자주식회사 | 가스 분출 장치 및 이를 이용한 태양 전지의 제조 방법 |
| GB201102337D0 (en) | 2011-02-09 | 2011-03-23 | Univ Ulster | A plasma based surface augmentation method |
| US8143147B1 (en) | 2011-02-10 | 2012-03-27 | Intermolecular, Inc. | Methods and systems for forming thin films |
| KR20140038070A (ko) * | 2012-09-20 | 2014-03-28 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 가스 분사 장치 및 이에 사용되는 인젝터 파이프 |
| KR101379701B1 (ko) * | 2012-11-28 | 2014-04-01 | 한국표준과학연구원 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102215965B1 (ko) * | 2014-04-11 | 2021-02-18 | 주성엔지니어링(주) | 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| CN109207965B (zh) * | 2017-07-04 | 2020-11-10 | 上海稷以科技有限公司 | 平板电极结构和等离子体沉积设备 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6447875A (en) | 1987-08-13 | 1989-02-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Plasma cvd device |
| JPH07118463B2 (ja) | 1988-01-12 | 1995-12-18 | 三菱重工業株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP2785442B2 (ja) | 1990-05-15 | 1998-08-13 | 三菱重工業株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH04120277A (ja) | 1990-09-10 | 1992-04-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP2989279B2 (ja) | 1991-01-21 | 1999-12-13 | 三菱重工業株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP2798225B2 (ja) | 1991-11-13 | 1998-09-17 | 工業技術院長 | 高周波プラズマｃｖｄ装置 |
| JP3089087B2 (ja) | 1992-03-31 | 2000-09-18 | 三菱重工業株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH05343338A (ja) | 1992-06-11 | 1993-12-24 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| US5356476A (en) * | 1992-06-15 | 1994-10-18 | Materials Research Corporation | Semiconductor wafer processing method and apparatus with heat and gas flow control |
| GB9410567D0 (en) * | 1994-05-26 | 1994-07-13 | Philips Electronics Uk Ltd | Plasma treatment and apparatus in electronic device manufacture |
| JP3137532B2 (ja) | 1994-06-10 | 2001-02-26 | 三菱重工業株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH08253864A (ja) | 1995-03-14 | 1996-10-01 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ化学蒸着装置 |
| JP3426788B2 (ja) | 1995-05-30 | 2003-07-14 | 三菱重工業株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP3546095B2 (ja) | 1995-05-30 | 2004-07-21 | 三菱重工業株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH0971867A (ja) | 1995-09-01 | 1997-03-18 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH09162131A (ja) | 1995-12-13 | 1997-06-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP3310875B2 (ja) | 1996-07-30 | 2002-08-05 | 三菱重工業株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
-
1998
- 1998-06-25 JP JP19496698A patent/JP3844274B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-06-22 US US09/337,661 patent/US6189485B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274101A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 棒状電極を有するプラズマ化学蒸着装置 |
| EP1143034A1 (de) * | 2000-04-06 | 2001-10-10 | Angewandte Solarenergie - ASE GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten und/oder Behandeln eines Substrates |
| EP1146569A3 (en) * | 2000-04-13 | 2004-06-23 | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | Thin film forming method, thin film forming apparatus and solar cell |
| EP1146569A2 (en) * | 2000-04-13 | 2001-10-17 | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | Thin film forming method, thin film forming apparatus and solar cell |
| KR100757717B1 (ko) * | 2000-04-13 | 2007-09-11 | 도꾸리쯔교세이호진 상교기쥬쯔 소고겡뀨죠 | 박막 형성 방법, 박막 형성 장치 및 태양전지 |
| US9165748B2 (en) | 2000-05-17 | 2015-10-20 | Ihi Corporation | Plasma CVD method |
| EP1359611A4 (en) * | 2001-01-22 | 2007-01-10 | Ishikawajima Harima Heavy Ind | METHOD AND DEVICE FOR PLASMA-ASSISTED VAPOR PHASE CHEMICAL DEPOSITION |
| JP2002217119A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Anelva Corp | プラズマｃｖｄ法及び装置 |
| US7047903B2 (en) | 2001-01-22 | 2006-05-23 | Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd. | Method and device for plasma CVD |
| WO2002058121A1 (fr) * | 2001-01-22 | 2002-07-25 | Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd | Procede et dispositif pour depot chimique en phase vapeur assiste par plasma |
| CN100349261C (zh) * | 2001-01-22 | 2007-11-14 | 石川岛播磨重工业株式会社 | 等离子体cvd法及其装置 |
| EP1359611A1 (en) * | 2001-01-22 | 2003-11-05 | Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd. | Method and device for plasma cvd |
| JP2003347221A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Kyocera Corp | Ｃａｔ−ＰＥＣＶＤ法、それを用いて形成した膜、およびその膜を備えた薄膜デバイス |
| JP2008513978A (ja) * | 2004-09-14 | 2008-05-01 | オプティソーラー インコーポレイテッド | プラズマ強化型ｃｖｄ装置及び方法 |
| JP2006237093A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Sanyo Electric Co Ltd | プラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法 |
| WO2007111204A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | 電極および真空処理装置 |
| JP2008140566A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Univ Nagoya | エネルギ線照射による処理装置および方法 |
| KR100920324B1 (ko) | 2007-08-24 | 2009-10-07 | 주식회사 케이씨텍 | 박막 증착장치 |
| KR101057372B1 (ko) * | 2008-05-23 | 2011-08-17 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
| US8267042B2 (en) | 2008-05-23 | 2012-09-18 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| JP2011528501A (ja) * | 2008-07-16 | 2011-11-17 | 株式会社テラセミコン | バッチ式熱処理装置及び該装置に適用されるヒータ |
| TWI508178B (zh) * | 2008-07-16 | 2015-11-11 | Tera Semicon Corp | 批量式熱處理裝置 |
| JP2008285763A (ja) * | 2008-07-28 | 2008-11-27 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 電極およびこれを備えた真空処理装置 |
| JP2012516564A (ja) * | 2009-01-30 | 2012-07-19 | 株式会社テラセミコン | バッチ式基板処理装置 |
| KR101514080B1 (ko) * | 2009-02-04 | 2015-04-21 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 화학 기상 증착 장치 |
| JP5589839B2 (ja) * | 2009-03-24 | 2014-09-17 | 東レ株式会社 | プラズマ処理装置およびこれを用いたアモルファスシリコン薄膜の製造方法 |
| WO2010110099A1 (ja) * | 2009-03-24 | 2010-09-30 | 東レ株式会社 | プラズマ処理装置およびこれを用いたアモルファスシリコン薄膜の製造方法 |
| US8431996B2 (en) | 2009-03-24 | 2013-04-30 | Toray Industries, Inc. | Plasma processing apparatus and method of producing amorphous silicon thin film using same |
| WO2011033927A1 (ja) * | 2009-09-17 | 2011-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
| JP2011086912A (ja) * | 2009-09-17 | 2011-04-28 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
| KR101361955B1 (ko) * | 2009-09-17 | 2014-02-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치 |
| CN102652946A (zh) * | 2011-03-04 | 2012-09-05 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 等离子清洁装置及等离子清洁方法 |
| US10297423B2 (en) | 2011-09-08 | 2019-05-21 | Toshiba Mitsubishi—Electric Industrial Systems Corporation | Plasma generation apparatus, CVD apparatus, and plasma-treated particle generation apparatus |
| JPWO2013035377A1 (ja) * | 2011-09-08 | 2015-03-23 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | プラズマ発生装置、ｃｖｄ装置およびプラズマ処理粒子生成装置 |
| WO2013035377A1 (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-14 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | プラズマ発生装置、ｃｖｄ装置およびプラズマ処理粒子生成装置 |
| WO2013035375A1 (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-14 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | プラズマ発生装置およびｃｖｄ装置 |
| JPWO2013035375A1 (ja) * | 2011-09-09 | 2015-03-23 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | プラズマ発生装置およびｃｖｄ装置 |
| CN104812936A (zh) * | 2012-11-30 | 2015-07-29 | Lg化学株式会社 | 辊子 |
| TWI587931B (zh) * | 2012-11-30 | 2017-06-21 | Ｌｇ化學股份有限公司 | 滾筒、薄膜形成裝置以及於基板上形成薄膜的方法 |
| US10364499B2 (en) | 2012-11-30 | 2019-07-30 | Lg Chem, Ltd. | Roll |
| JP2014075606A (ja) * | 2013-12-25 | 2014-04-24 | Toray Ind Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
| KR20190015622A (ko) * | 2016-07-08 | 2019-02-13 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마 처리를 이용하여 금속 막들을 증착하기 위한 장치 |
| KR102138275B1 (ko) | 2016-07-08 | 2020-07-27 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마 처리를 이용하여 금속 막들을 증착하기 위한 장치 |
| KR20210085139A (ko) * | 2019-12-30 | 2021-07-08 | (주)에스테크 | 태양전지용 단결정 실리콘 웨이퍼 제조용 대량생산 기반의 pecvd 장치 |
| KR102352264B1 (ko) * | 2019-12-30 | 2022-01-17 | (주)에스테크 | 태양전지용 단결정 실리콘 웨이퍼 제조용 대량생산 기반의 pecvd 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3844274B2 (ja) | 2006-11-08 |
| US6189485B1 (en) | 2001-02-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000012471A (ja) | プラズマｃｖｄ装置並びに太陽電池およびこれを作製するプラズマｃｖｄ方法 | |
| TWI381441B (zh) | 對其他腔室零件造成最少侵蝕之電漿圍束環的快速清洗設備、系統及方法 | |
| US20060096540A1 (en) | Apparatus to manufacture semiconductor | |
| JP2601127B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH05275345A (ja) | プラズマｃｖｄ方法およびその装置 | |
| TWI810272B (zh) | 具有交錯的氣體供給和去除之氣體分配模組及使用方法 | |
| JP5377749B2 (ja) | プラズマ生成装置 | |
| KR101388224B1 (ko) | 다이렉트 플라즈마 형성 증착장치 | |
| JP2002237459A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| US5036794A (en) | CVD apparatus | |
| JP4430417B2 (ja) | 成膜装置及びそのクリーニング方法 | |
| WO2018164807A1 (en) | Diffuser design for flowable cvd | |
| JP3546200B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄ方法 | |
| JP2667364B2 (ja) | 成膜装置 | |
| JP2002237460A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP5691740B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2650465B2 (ja) | 乾式薄膜加工装置 | |
| JPH1022279A (ja) | 誘導結合型プラズマｃｖｄ装置 | |
| CN220012796U (zh) | 镀膜设备进片室装置 | |
| TWI834658B (zh) | 用於處理基板的設備 | |
| JP2993813B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH08115906A (ja) | プラズマアッシング装置 | |
| JP2001140077A (ja) | 半導体製造装置 | |
| WO2019095442A1 (zh) | 化学气相沉积设备及成膜方法 | |
| CN116618384A (zh) | 一种立式石墨舟清洗设备及清洗方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20010118 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20010926 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20020930 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20020930 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041105 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051024 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051101 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051227 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060131 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060302 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060302 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060516 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060626 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060718 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060811 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090825 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100825 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110825 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110825 Year of fee payment: 5 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110825 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110825 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120825 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120825 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130825 Year of fee payment: 7 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130825 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |