JPH08253864A - プラズマ化学蒸着装置 - Google Patents
プラズマ化学蒸着装置Info
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- JPH08253864A JPH08253864A JP7054113A JP5411395A JPH08253864A JP H08253864 A JPH08253864 A JP H08253864A JP 7054113 A JP7054113 A JP 7054113A JP 5411395 A JP5411395 A JP 5411395A JP H08253864 A JPH08253864 A JP H08253864A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inductance electrode
- ladder inductance
- discharge
- high frequency
- reaction vessel
- Prior art date
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-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 放電用ラダーインダクタンス電極に供給する
高周波電流を増加させ、高速・高品質成膜が可能な装置
を実現する。 【構成】 放電用ラダーインダクタンス電極２のアース
線１１に広表面積導体を用いることによって、アース線
１１の表皮効果を抑制し、高周波電流に対する抵抗を減
少させることができるため、供給される高周波電力を増
大させることができ、高速成膜が可能となり、また、バ
イアス電圧が発生しないため、イオン衝突によるフレー
クの発生がなく、高品質成膜が可能となる。
高周波電流を増加させ、高速・高品質成膜が可能な装置
を実現する。 【構成】 放電用ラダーインダクタンス電極２のアース
線１１に広表面積導体を用いることによって、アース線
１１の表皮効果を抑制し、高周波電流に対する抵抗を減
少させることができるため、供給される高周波電力を増
大させることができ、高速成膜が可能となり、また、バ
イアス電圧が発生しないため、イオン衝突によるフレー
クの発生がなく、高品質成膜が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アモルファスシリコン
太陽電池、薄膜半導体、光センサ、半導体保護膜などの
各種電子デバイスに使用される薄膜の製造に適用される
プラズマ化学蒸着装置（以下、プラズマＣＶＤ装置とす
る）に関する。
太陽電池、薄膜半導体、光センサ、半導体保護膜などの
各種電子デバイスに使用される薄膜の製造に適用される
プラズマ化学蒸着装置（以下、プラズマＣＶＤ装置とす
る）に関する。
【０００２】
【従来の技術】アモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ
と記す）薄膜や窒化シリコン（以下ＳｉＮｘと記す）薄
膜を製造するために、従来より用いられているプラズマ
ＣＶＤ装置の構成について、図６を参照して説明する。
と記す）薄膜や窒化シリコン（以下ＳｉＮｘと記す）薄
膜を製造するために、従来より用いられているプラズマ
ＣＶＤ装置の構成について、図６を参照して説明する。
【０００３】図６に示す従来のプラズマＣＶＤ装置にお
いては、反応容器１内に、放電用ラダーインダクタンス
電極２と基板加熱用ヒータ３とが平行に配置されてい
る。放電用ラダーインダクタンス電極２には、高周波電
源４からインピーダンス整合器５を介して、例えば１
３．５６ＭＨｚの高周波電力が供給される。放電用ラダ
ーインダクタンス電極２は、一端が高周波電源４に接続
されており、他端はアース線１０に接続され、反応容器
１とともに接地されている。
いては、反応容器１内に、放電用ラダーインダクタンス
電極２と基板加熱用ヒータ３とが平行に配置されてい
る。放電用ラダーインダクタンス電極２には、高周波電
源４からインピーダンス整合器５を介して、例えば１
３．５６ＭＨｚの高周波電力が供給される。放電用ラダ
ーインダクタンス電極２は、一端が高周波電源４に接続
されており、他端はアース線１０に接続され、反応容器
１とともに接地されている。
【０００４】放電用ラダーインダクタンス電極２に供給
された高周波電力は、反応容器１とともに接地された基
板加熱用ヒータ３と放電用ラダーインダクタンス電極２
との間にグロー放電プラズマを発生させ、放電用ラダー
インダクタンス電極２のアース線１０を介してアースへ
流れる。なお、このアース線１０には同軸ケーブルが用
いられている。
された高周波電力は、反応容器１とともに接地された基
板加熱用ヒータ３と放電用ラダーインダクタンス電極２
との間にグロー放電プラズマを発生させ、放電用ラダー
インダクタンス電極２のアース線１０を介してアースへ
流れる。なお、このアース線１０には同軸ケーブルが用
いられている。
【０００５】反応容器１内には、図示しないボンベから
反応ガス導入管６を通して、例えばモノシランと水素と
の混合ガスが供給される。供給された反応ガスは、放電
用ラダーインダクタンス電極２により発生したグロー放
電プラズマにより分解され、基板加熱用ヒータ３上に保
持され、所定の温度に加熱された基板９上に堆積する。
また、反応容器１内のガスは、排気管７を通して真空ポ
ンプ８により排気される。
反応ガス導入管６を通して、例えばモノシランと水素と
の混合ガスが供給される。供給された反応ガスは、放電
用ラダーインダクタンス電極２により発生したグロー放
電プラズマにより分解され、基板加熱用ヒータ３上に保
持され、所定の温度に加熱された基板９上に堆積する。
また、反応容器１内のガスは、排気管７を通して真空ポ
ンプ８により排気される。
【０００６】上記装置を用いて行う薄膜の製造につい
て、以下に説明する。まず、真空ポンプ８を駆動して反
応容器１内を排気した後、反応ガス導入管６を通して、
例えば、モノシランと水素との混合ガスを供給し、反応
容器１内の圧力を０．０５〜０．５Torrに保つ。
て、以下に説明する。まず、真空ポンプ８を駆動して反
応容器１内を排気した後、反応ガス導入管６を通して、
例えば、モノシランと水素との混合ガスを供給し、反応
容器１内の圧力を０．０５〜０．５Torrに保つ。
【０００７】この状態で、高周波電源４から放電用ラダ
ーインダクタンス電極２に高周波電力を印加すると、グ
ロー放電プラズマが発生する。反応ガスは、放電用ラダ
ーインダクタンス電極２と基板加熱用ヒータ３間に生じ
るグロー放電プラズマによって分解され、この結果、Ｓ
ｉＨ3 ，ＳｉＨ2 などのＳｉを含むラジカルが発生し、
基板９表面に付着してａ−Ｓｉ薄膜が形成される。
ーインダクタンス電極２に高周波電力を印加すると、グ
ロー放電プラズマが発生する。反応ガスは、放電用ラダ
ーインダクタンス電極２と基板加熱用ヒータ３間に生じ
るグロー放電プラズマによって分解され、この結果、Ｓ
ｉＨ3 ，ＳｉＨ2 などのＳｉを含むラジカルが発生し、
基板９表面に付着してａ−Ｓｉ薄膜が形成される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の装置において、
放電用ラダーインダクタンス電極に印加する電力は、例
えば１３．５６ＭＨｚの高周波電流であるため、導体断
面内を一様に流れず、電流密度は導体表面の方が大きく
なる。この現象を表皮効果という。
放電用ラダーインダクタンス電極に印加する電力は、例
えば１３．５６ＭＨｚの高周波電流であるため、導体断
面内を一様に流れず、電流密度は導体表面の方が大きく
なる。この現象を表皮効果という。
【０００９】導体表面における電流密度が１／ｅになる
深さδを表皮効果の深さといい、 δ＝１／（πｆμσ）1/2 で表される。こゝで、ｆは周波数、μは透磁率、σは導
電率である。
深さδを表皮効果の深さといい、 δ＝１／（πｆμσ）1/2 で表される。こゝで、ｆは周波数、μは透磁率、σは導
電率である。
【００１０】半径ａの導体に直流電流を流す場合、長さ
Ｌの導体の抵抗は、 ＲDC＝Ｌ／πａ2 σ となる。
Ｌの導体の抵抗は、 ＲDC＝Ｌ／πａ2 σ となる。
【００１１】また、半径ａ、長さＬの導体に高周波電流
を流す場合、 ＲRF＝Ｌ／２πａδσ となり、ＲRF＞ＲDCとなる。
を流す場合、 ＲRF＝Ｌ／２πａδσ となり、ＲRF＞ＲDCとなる。
【００１２】以上で述べたように、放電用ラダーインダ
クタンス電極に高周波電力を供給する場合、抵抗が増加
するため、電圧が一定ならば電流が減少することにな
る。すなわち、実質的に放電用ラダーインダクタンス電
極に供給される電力は減少する。そのため、モノシラン
の分解が促進されず、ＳｉＨ3 などのＳｉを含むラジカ
ルの発生が抑制されるため、薄膜の高速成膜化が不十分
であった。
クタンス電極に高周波電力を供給する場合、抵抗が増加
するため、電圧が一定ならば電流が減少することにな
る。すなわち、実質的に放電用ラダーインダクタンス電
極に供給される電力は減少する。そのため、モノシラン
の分解が促進されず、ＳｉＨ3 などのＳｉを含むラジカ
ルの発生が抑制されるため、薄膜の高速成膜化が不十分
であった。
【００１３】また、従来の装置の場合、放電用ラダーイ
ンダクタンス電極のアース線には同軸ケーブルを用いて
いるが、表面積が少ないため、表皮効果によりバイアス
電圧が発生していた。
ンダクタンス電極のアース線には同軸ケーブルを用いて
いるが、表面積が少ないため、表皮効果によりバイアス
電圧が発生していた。
【００１４】このバイアス電圧のために、放電用ラダー
インダクタンス電極にイオン衝突が起こり、放電用ラダ
ーインダクタンス電極表面に付着した薄膜がスパッタさ
れてフレークが発生し、このフレークが膜中に取り込ま
れることにより膜質劣化を引き起こしていた。本発明は
上記の課題を解決しようとするものである。
インダクタンス電極にイオン衝突が起こり、放電用ラダ
ーインダクタンス電極表面に付着した薄膜がスパッタさ
れてフレークが発生し、このフレークが膜中に取り込ま
れることにより膜質劣化を引き起こしていた。本発明は
上記の課題を解決しようとするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマＣＶＤ
装置は、反応容器と、同反応容器内に反応ガスを導入
し、排出する手段と、上記反応容器内に収容された放電
用ラダーインダクタンス電極と、同放電用ラダーインダ
クタンス電極にグロー放電用電力を供給する電源と、上
記放電用ラダーインダクタンス電極と平行に支持された
基板加熱用ヒータとを有し、基板加熱用ヒータ上に支持
された基板上に非晶質薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装
置において、上記ラダーインダクタンス電極に接続され
たアース線が広表面積導体により形成されたことを特徴
としている。
装置は、反応容器と、同反応容器内に反応ガスを導入
し、排出する手段と、上記反応容器内に収容された放電
用ラダーインダクタンス電極と、同放電用ラダーインダ
クタンス電極にグロー放電用電力を供給する電源と、上
記放電用ラダーインダクタンス電極と平行に支持された
基板加熱用ヒータとを有し、基板加熱用ヒータ上に支持
された基板上に非晶質薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装
置において、上記ラダーインダクタンス電極に接続され
たアース線が広表面積導体により形成されたことを特徴
としている。
【００１６】
【作用】上記において、放電用ラダーインダクタンス電
極のアース線には広表面積導体が用いられているため、
表皮効果が抑制され、放電用ラダーインダクタンス電極
の高周波抵抗が減少するため、供給される高周波電力が
増加し、モノシランの分解が促進されて、高速成膜が可
能となる。
極のアース線には広表面積導体が用いられているため、
表皮効果が抑制され、放電用ラダーインダクタンス電極
の高周波抵抗が減少するため、供給される高周波電力が
増加し、モノシランの分解が促進されて、高速成膜が可
能となる。
【００１７】また、従来の装置のように放電用ラダーイ
ンダクタンス電極にバイアス電圧が発生しないため、イ
オン衝突によるフレーク発生がなく、高品質成膜が可能
となる。
ンダクタンス電極にバイアス電圧が発生しないため、イ
オン衝突によるフレーク発生がなく、高品質成膜が可能
となる。
【００１８】
【実施例】本発明の一実施例に係るプラズマＣＶＤ装置
を図１に示す。
を図１に示す。
【００１９】なお、本実施例は、反応ガス導入管６が接
続され排気管７を介して真空ポンプ８が接続された反応
容器１、同反応容器１内に配設され基板９が取付けられ
る基板加熱用ヒータ３、同ヒータ３に対向して平行に配
設された放電用ラダーインダクタンス電極２、同電極２
の一端にインピーダンス整合器５を介して接続された高
周波電源４、および上記放電用ラダーインダクタンス電
極２の他端にその一端が接続され他端が接地されたアー
ス線１１を備えたプラズマＣＶＤ装置に関するものであ
る。
続され排気管７を介して真空ポンプ８が接続された反応
容器１、同反応容器１内に配設され基板９が取付けられ
る基板加熱用ヒータ３、同ヒータ３に対向して平行に配
設された放電用ラダーインダクタンス電極２、同電極２
の一端にインピーダンス整合器５を介して接続された高
周波電源４、および上記放電用ラダーインダクタンス電
極２の他端にその一端が接続され他端が接地されたアー
ス線１１を備えたプラズマＣＶＤ装置に関するものであ
る。
【００２０】図１に示す本実施例は、上記プラズマＣＶ
Ｄ装置において、放電用ラダーインダクタンス電極２と
アース間に配設されるアース線１１が幅広な金属板や細
線をより合せたより線で形成されている。
Ｄ装置において、放電用ラダーインダクタンス電極２と
アース間に配設されるアース線１１が幅広な金属板や細
線をより合せたより線で形成されている。
【００２１】上記において、放電用ラダーインダクタン
ス電極２には、高周波電源４から、例えば１３．５６Ｍ
Ｈｚの周波数の高周波電力がインピーダンス整合器５を
介して供給される。
ス電極２には、高周波電源４から、例えば１３．５６Ｍ
Ｈｚの周波数の高周波電力がインピーダンス整合器５を
介して供給される。
【００２２】放電用ラダーインダクタンス電極２に供給
された高周波電力は、反応容器１とともに接地された基
板加熱用ヒータ３と放電用ラダーインダクタンス電極２
との間にグロー放電プラズマを発生させ、放電用ラダー
インダクタンス電極２に接続されたアース線１１を介し
てアースへ流れる。
された高周波電力は、反応容器１とともに接地された基
板加熱用ヒータ３と放電用ラダーインダクタンス電極２
との間にグロー放電プラズマを発生させ、放電用ラダー
インダクタンス電極２に接続されたアース線１１を介し
てアースへ流れる。
【００２３】本実施例においては、アース線１１に幅広
な金属板やより線を用いてその表面積を増加させている
ため、表皮効果が抑制され、高周波電流に対する抵抗が
減少し、実質的に放電用ラダーインダクタンス電極２に
供給される高周波電力が増加し、高速成膜が可能とな
る。
な金属板やより線を用いてその表面積を増加させている
ため、表皮効果が抑制され、高周波電流に対する抵抗が
減少し、実質的に放電用ラダーインダクタンス電極２に
供給される高周波電力が増加し、高速成膜が可能とな
る。
【００２４】また、放電用ラダーインダクタンス電極２
に発生するバイアス電圧が減少するため、イオン衝突回
数が減り、放電用ラダーインダクタンス電極２表面から
剥離するフレークの発生がなくなり、高品質成膜が可能
となる。
に発生するバイアス電圧が減少するため、イオン衝突回
数が減り、放電用ラダーインダクタンス電極２表面から
剥離するフレークの発生がなくなり、高品質成膜が可能
となる。
【００２５】上記装置を用いて行う薄膜の製造は、以下
のとおりである。反応容器１内に供給する反応ガス、例
えばモノシランと水素の混合ガスは、５０〜１００cc／
min程度の流量で反応ガス導入管６を通して供給し、反
応容器１内の圧力を０．０５〜０．５Torrに保ちなが
ら、高周波電源４からインピーダンス整合器５を介して
放電用ラダーインダクタンス電極２に電圧を印加する
と、放電用ラダーインダクタンス電極２と基板加熱用ヒ
ータ３との間にグロー放電プラズマが発生する。この結
果、反応ガスが分解して基板９上にａ−Ｓｉ薄膜が堆積
する。
のとおりである。反応容器１内に供給する反応ガス、例
えばモノシランと水素の混合ガスは、５０〜１００cc／
min程度の流量で反応ガス導入管６を通して供給し、反
応容器１内の圧力を０．０５〜０．５Torrに保ちなが
ら、高周波電源４からインピーダンス整合器５を介して
放電用ラダーインダクタンス電極２に電圧を印加する
と、放電用ラダーインダクタンス電極２と基板加熱用ヒ
ータ３との間にグロー放電プラズマが発生する。この結
果、反応ガスが分解して基板９上にａ−Ｓｉ薄膜が堆積
する。
【００２６】本実施例の効果を確認するため、幅広の金
属板を用いた実験を行っており、以下、その内容を説明
する。幅広の金属板としては、幅１０cm、長さ１m 、厚
さ０．５mmの銅板を用いた。また、他の成膜条件につい
ては、基板としてコーニング＃７０５９無アルカリガラ
スを用い、基板サイズは３００×３００×１．１t mm、
反応ガスの種類は水素希釈２０％モノシラン、反応ガス
流量は５０cc／min 、反応容器内圧力は０．０５Torr、
高周波電力は５０〜３００Ｗ、基板温度は２５０℃に設
定した。
属板を用いた実験を行っており、以下、その内容を説明
する。幅広の金属板としては、幅１０cm、長さ１m 、厚
さ０．５mmの銅板を用いた。また、他の成膜条件につい
ては、基板としてコーニング＃７０５９無アルカリガラ
スを用い、基板サイズは３００×３００×１．１t mm、
反応ガスの種類は水素希釈２０％モノシラン、反応ガス
流量は５０cc／min 、反応容器内圧力は０．０５Torr、
高周波電力は５０〜３００Ｗ、基板温度は２５０℃に設
定した。
【００２７】放電用ラダーインダクタンス電極２に供給
する高周波電力の周波数に対する放電用ラダーインダク
タンス電極２のアース線１１の抵抗値は、図２に示すと
おりであり、従来の装置の場合、供給される高周波電力
の周波数の増加に伴い、指数的に抵抗値が増加するが、
本実施例の装置の場合は、従来の装置と比べて抵抗は抑
制され、高周波領域でも低抵抗となっている。
する高周波電力の周波数に対する放電用ラダーインダク
タンス電極２のアース線１１の抵抗値は、図２に示すと
おりであり、従来の装置の場合、供給される高周波電力
の周波数の増加に伴い、指数的に抵抗値が増加するが、
本実施例の装置の場合は、従来の装置と比べて抵抗は抑
制され、高周波領域でも低抵抗となっている。
【００２８】高周波電源４より供給される高周波電力
（以下、ＲＦパワーとする）と、放電用ラダーインダク
タンス電極２に発生するバイアス電圧との関係は、図３
に示すとおりであり、従来の装置の場合、ＲＦパワーの
増加と共にバイアス電圧も増加し、ＲＦパワー３００Ｗ
のときに−６３Ｖとなっていたが、本実施例の装置の場
合、ＲＦパワー３００Ｗのとき、−６Ｖと従来の装置に
比べ１／１０に抑制することができた。
（以下、ＲＦパワーとする）と、放電用ラダーインダク
タンス電極２に発生するバイアス電圧との関係は、図３
に示すとおりであり、従来の装置の場合、ＲＦパワーの
増加と共にバイアス電圧も増加し、ＲＦパワー３００Ｗ
のときに−６３Ｖとなっていたが、本実施例の装置の場
合、ＲＦパワー３００Ｗのとき、−６Ｖと従来の装置に
比べ１／１０に抑制することができた。
【００２９】ＲＦパワーとａ−Ｓｉ薄膜の成膜速度との
関係は、図４に示すとおりであり、ＲＦパワーの増加と
ともに成膜速度も向上し、従来の装置より高速の８Å／
ｓを達成することができた。
関係は、図４に示すとおりであり、ＲＦパワーの増加と
ともに成膜速度も向上し、従来の装置より高速の８Å／
ｓを達成することができた。
【００３０】作製したａ−Ｓｉ薄膜の欠陥密度とＲＦパ
ワーとの関係は、本実施例の場合、図３で示されたよう
にバイアス電圧が従来の装置に比べて１／１０に抑制で
きたため、放電用ラダーインダクタンス電極２から剥離
するフレークの量が減少し、膜中に取り込まれなくなっ
たことにより、図５に示すようにａ−Ｓｉ薄膜の欠陥密
度を大幅に改善させることができた。
ワーとの関係は、本実施例の場合、図３で示されたよう
にバイアス電圧が従来の装置に比べて１／１０に抑制で
きたため、放電用ラダーインダクタンス電極２から剥離
するフレークの量が減少し、膜中に取り込まれなくなっ
たことにより、図５に示すようにａ−Ｓｉ薄膜の欠陥密
度を大幅に改善させることができた。
【００３１】
【発明の効果】本発明のプラズマＣＶＤ装置は、放電用
ラダーインダクタンス電極のアース線に広表面積導体を
用いることによって、アース線の表皮効果を抑制し、高
周波電流に対する抵抗を減少させることができるため、
供給される高周波電力を増大させることができ、高速成
膜が可能となり、また、バイアス電圧が発生しないた
め、イオン衝突によるフレークの発生がなく、高品質成
膜が可能となる。したがって、ａ−Ｓｉ太陽電池、ＴＦ
Ｔ液晶ディスプレイ、ａ−Ｓｉ感光体等の製造分野での
工業的価値が大きい。
ラダーインダクタンス電極のアース線に広表面積導体を
用いることによって、アース線の表皮効果を抑制し、高
周波電流に対する抵抗を減少させることができるため、
供給される高周波電力を増大させることができ、高速成
膜が可能となり、また、バイアス電圧が発生しないた
め、イオン衝突によるフレークの発生がなく、高品質成
膜が可能となる。したがって、ａ−Ｓｉ太陽電池、ＴＦ
Ｔ液晶ディスプレイ、ａ−Ｓｉ感光体等の製造分野での
工業的価値が大きい。
【図１】本発明の一実施例に係るプラズマＣＶＤ装置の
断面図である。
断面図である。
【図２】上記一実施例に係る周波数と放電用ラダーイン
ダクタンス電極のアース線の抵抗値との関係図である。
ダクタンス電極のアース線の抵抗値との関係図である。
【図３】上記一実施例に係るＲＦパワーとバイアス電圧
との関係図である。
との関係図である。
【図４】上記一実施例に係るＲＦパワーとａ−Ｓｉ薄膜
成膜速度との関係図である。
成膜速度との関係図である。
【図５】上記一実施例に係るＲＦパワーと膜中欠陥密度
との関係図である。
との関係図である。
【図６】従来のプラズマＣＶＤ装置の断面図である。
１ 反応容器 ２ 放電用ラダーインダクタンス電極 ３ 基板加熱用ヒータ ４ 高周波電源 ５ インピーダンス整合器 ６ 反応ガス導入管 ７ 排気管 ８ 真空ポンプ ９ 基板 １１ アース線
Claims (1)
- 【請求項１】 反応容器と、同反応容器内に反応ガスを
導入し、排出する手段と、上記反応容器内に収容された
放電用ラダーインダクタンス電極と、同放電用ラダーイ
ンダクタンス電極にグロー放電用電力を供給する電源
と、上記放電用ラダーインダクタンス電極と平行に支持
された基板加熱用ヒータとを有し、基板加熱用ヒータ上
に支持された基板上に非晶質薄膜を形成するプラズマ化
学蒸着装置において、上記ラダーインダクタンス電極に
接続されたアース線が広表面積導体により形成されたこ
とを特徴とするプラズマ化学蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7054113A JPH08253864A (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | プラズマ化学蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7054113A JPH08253864A (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | プラズマ化学蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08253864A true JPH08253864A (ja) | 1996-10-01 |
Family
ID=12961547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7054113A Withdrawn JPH08253864A (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | プラズマ化学蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08253864A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6189485B1 (en) | 1998-06-25 | 2001-02-20 | Anelva Corporation | Plasma CVD apparatus suitable for manufacturing solar cell and the like |
-
1995
- 1995-03-14 JP JP7054113A patent/JPH08253864A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6189485B1 (en) | 1998-06-25 | 2001-02-20 | Anelva Corporation | Plasma CVD apparatus suitable for manufacturing solar cell and the like |
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