JPH11354460A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH11354460A JPH11354460A JP11094598A JP9459899A JPH11354460A JP H11354460 A JPH11354460 A JP H11354460A JP 11094598 A JP11094598 A JP 11094598A JP 9459899 A JP9459899 A JP 9459899A JP H11354460 A JPH11354460 A JP H11354460A
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- power supply
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- mhz
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
Abstract
(57)【要約】
【課題】 膜厚分布が均一で迅速にプラズマ成膜を行う
ことができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。 【解決手段】 反応容器３１と、この反応容器３１に反
応ガスを導入し、排出する手段と、前記反応容器３１内
から収容された放電用のはしご型電極３２と、このはし
ご型電極３２にグロー放電発生用電力を供給する電源３
６とを有し、前記反応容器３１内に設置された基板表面
に非晶質薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、
前記はしご型電極３２と電源３６を結ぶ給電線に同軸ケ
ーブル５３〜５６を用い、かつ前記はしご型電極３２を
接地線で接地しない構成にした。
ことができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。 【解決手段】 反応容器３１と、この反応容器３１に反
応ガスを導入し、排出する手段と、前記反応容器３１内
から収容された放電用のはしご型電極３２と、このはし
ご型電極３２にグロー放電発生用電力を供給する電源３
６とを有し、前記反応容器３１内に設置された基板表面
に非晶質薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、
前記はしご型電極３２と電源３６を結ぶ給電線に同軸ケ
ーブル５３〜５６を用い、かつ前記はしご型電極３２を
接地線で接地しない構成にした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマＣＶＤ（化
学蒸着）装置に関し、アモルファスシリコン太陽電池、
微結晶太陽電池、薄膜多結晶太陽電池、薄膜半導体、光
センサ、半導体保護膜等の各種電子デバイスに使用され
る薄膜の製造に適用されるプラズマＣＶＤ装置に関す
る。
学蒸着）装置に関し、アモルファスシリコン太陽電池、
微結晶太陽電池、薄膜多結晶太陽電池、薄膜半導体、光
センサ、半導体保護膜等の各種電子デバイスに使用され
る薄膜の製造に適用されるプラズマＣＶＤ装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】アモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ
と記す）薄膜や微結晶薄膜や薄膜多結晶や窒化シリコン
（以下、ＳｉＮｘと記す）薄膜を製造するために、従来
より用いられているプラズマＣＶＤ装置の構成につい
て、２つの代表的例について説明する。即ち、放電発生
に用いる電極として、はしご型電極、即ちラダーアンテ
ナ電極あるいはラダーインダクタンス電極あるいははし
ご状平面形コイル電極とも呼ばれる電極を用いる方法、
及び平行平板電極を用いる方法について説明する。
と記す）薄膜や微結晶薄膜や薄膜多結晶や窒化シリコン
（以下、ＳｉＮｘと記す）薄膜を製造するために、従来
より用いられているプラズマＣＶＤ装置の構成につい
て、２つの代表的例について説明する。即ち、放電発生
に用いる電極として、はしご型電極、即ちラダーアンテ
ナ電極あるいはラダーインダクタンス電極あるいははし
ご状平面形コイル電極とも呼ばれる電極を用いる方法、
及び平行平板電極を用いる方法について説明する。
【０００３】まず、はしご型電極を用いる方法について
は特開平４−２３６７８１号にはしご型電極として各種
形状の電極を用いたプラズマＣＶＤ装置が開示されてい
る。本方法の代表例について、図２１を用いて説明す
る。図中の付番１は反応容器であり、この反応容器１内
に放電用はしご型電極２と基板加熱用ヒータ３とが平行
に配置されている。前記放電用はしご型電極２には、高
周波電源４からインピーダンス整合器５を介して例えば
１３．５６ＭＨｚの高周波電力が供給される。前記放電
用はしご型電極２は、図２２に示すように一端がインピ
ーダンス整合器５を介して高周波電源４に接続されてお
り、他端はアース線７に接続され、反応容器１とともに
接地されている。
は特開平４−２３６７８１号にはしご型電極として各種
形状の電極を用いたプラズマＣＶＤ装置が開示されてい
る。本方法の代表例について、図２１を用いて説明す
る。図中の付番１は反応容器であり、この反応容器１内
に放電用はしご型電極２と基板加熱用ヒータ３とが平行
に配置されている。前記放電用はしご型電極２には、高
周波電源４からインピーダンス整合器５を介して例えば
１３．５６ＭＨｚの高周波電力が供給される。前記放電
用はしご型電極２は、図２２に示すように一端がインピ
ーダンス整合器５を介して高周波電源４に接続されてお
り、他端はアース線７に接続され、反応容器１とともに
接地されている。
【０００４】放電用はしご型電極２に供給された高周波
電力は、反応容器１とともに接地された基板加熱用ヒー
タ３と放電用はしご型電極２との間にグロー放電プラズ
マを発生させ、放電空間経由で反応容器１の壁へ、また
放電用はしご型電極２のアース線７を介してアースへ流
れる。なお、このアース線７には同軸ケーブルが用いら
れている。
電力は、反応容器１とともに接地された基板加熱用ヒー
タ３と放電用はしご型電極２との間にグロー放電プラズ
マを発生させ、放電空間経由で反応容器１の壁へ、また
放電用はしご型電極２のアース線７を介してアースへ流
れる。なお、このアース線７には同軸ケーブルが用いら
れている。
【０００５】前記反応容器１内には、図示しないボンベ
から反応ガス導入管８を通して、例えばモノシランと水
素との混合ガスが供給される。供給された反応ガスは、
放電用はしご型電極２により発生したグロー放電プラズ
マにより分解され、基板加熱用ヒータ３上に保持され、
所定の温度に加熱された基板９上に堆積する。また、反
応容器１内のガスは、排気管１０を通して真空ポンプ１
１により排気される。
から反応ガス導入管８を通して、例えばモノシランと水
素との混合ガスが供給される。供給された反応ガスは、
放電用はしご型電極２により発生したグロー放電プラズ
マにより分解され、基板加熱用ヒータ３上に保持され、
所定の温度に加熱された基板９上に堆積する。また、反
応容器１内のガスは、排気管１０を通して真空ポンプ１
１により排気される。
【０００６】以下、上記装置を用いて薄膜を製造する場
合について説明する。まず、真空ポンプ１１を駆動して
反応容器１内を排気した後、反応ガス導入管８を通し
て、例えば、モノシランと水素との混合ガスを供給し、
反応容器１内の圧力を０．０５〜０．５Ｔｏｒｒに保
つ。
合について説明する。まず、真空ポンプ１１を駆動して
反応容器１内を排気した後、反応ガス導入管８を通し
て、例えば、モノシランと水素との混合ガスを供給し、
反応容器１内の圧力を０．０５〜０．５Ｔｏｒｒに保
つ。
【０００７】この状態で、高周波電源４から放電用はし
ご型電極２に高周波電力を印加すると、グロー放電プラ
ズマが発生する。反応ガスは、放電用はしご型電極２と
基板加熱用ヒータ３間に生じるグロー放電プラズマによ
って分解され、この結果ＳｉＨ3 ，ＳｉＨ2 などのＳｉ
を含むラジカルが発生し、基板９表面に付着してａ−Ｓ
ｉ薄膜が形成される。
ご型電極２に高周波電力を印加すると、グロー放電プラ
ズマが発生する。反応ガスは、放電用はしご型電極２と
基板加熱用ヒータ３間に生じるグロー放電プラズマによ
って分解され、この結果ＳｉＨ3 ，ＳｉＨ2 などのＳｉ
を含むラジカルが発生し、基板９表面に付着してａ−Ｓ
ｉ薄膜が形成される。
【０００８】次に、平行平板電極を用いる方法について
図２３を参照して説明する。図中の付番２１は反応容器
であり、この反応容器２１内に高周波電極２２と基板加
熱用ヒータ２３とが平行に配置されている。前記高周波
電極２２は、高周波電源２４からインピーダンス整合器
２５を介して例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が供
給される。基板加熱用ヒータ２３は、反応容器２１とと
もに接地され、接地電極となっている。従って、高周波
電極２２と基板加熱用ヒータ２３との間でグロー放電プ
ラズマが発生する。
図２３を参照して説明する。図中の付番２１は反応容器
であり、この反応容器２１内に高周波電極２２と基板加
熱用ヒータ２３とが平行に配置されている。前記高周波
電極２２は、高周波電源２４からインピーダンス整合器
２５を介して例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が供
給される。基板加熱用ヒータ２３は、反応容器２１とと
もに接地され、接地電極となっている。従って、高周波
電極２２と基板加熱用ヒータ２３との間でグロー放電プ
ラズマが発生する。
【０００９】前記反応容器２１内には図示しないボンベ
から反応ガス導入管２６を通して例えばモノシランと水
素との混合ガスが供給される。反応容器２１内のガス
は、排気管２７を通して真空ポンプ２８により排気され
る。基板２９は、基板加熱用ヒータ２３上に保持され、
所定の温度に加熱される。
から反応ガス導入管２６を通して例えばモノシランと水
素との混合ガスが供給される。反応容器２１内のガス
は、排気管２７を通して真空ポンプ２８により排気され
る。基板２９は、基板加熱用ヒータ２３上に保持され、
所定の温度に加熱される。
【００１０】こうした装置を用いて、以下のようにして
薄膜を製造する。まず、真空ポンプ２８を駆動して反応
容器２１内を排気する。次に、反応ガス導入管２６を通
して例えばモノシランと水素との混合ガスを供給して反
応容器２１内の圧力を０．０５〜０．５Ｔｏｒｒに保
ち、高周波電源２４から高周波電極２２に電圧を印加す
ると、グロー放電プラズマが発生する。
薄膜を製造する。まず、真空ポンプ２８を駆動して反応
容器２１内を排気する。次に、反応ガス導入管２６を通
して例えばモノシランと水素との混合ガスを供給して反
応容器２１内の圧力を０．０５〜０．５Ｔｏｒｒに保
ち、高周波電源２４から高周波電極２２に電圧を印加す
ると、グロー放電プラズマが発生する。
【００１１】反応ガス導入管２６から供給されたガスの
うち、モノシランガスは高周波電極２２〜基板加熱用ヒ
ータ２３間に生じるグロー放電プラズマによって分解さ
れる。この結果、ＳｉＨ3 ，ＳｉＨ2 等のＳｉを含むラ
ジカルが発生し、基板２９表面に付着して、ａ−Ｓｉ薄
膜が形成される。
うち、モノシランガスは高周波電極２２〜基板加熱用ヒ
ータ２３間に生じるグロー放電プラズマによって分解さ
れる。この結果、ＳｉＨ3 ，ＳｉＨ2 等のＳｉを含むラ
ジカルが発生し、基板２９表面に付着して、ａ−Ｓｉ薄
膜が形成される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術、即ちはしご型電極を用いる方法及び平行平板電極を
用いる方法は、いずれも次のような問題を有している。 （１）図２１において、はしご型電極２近傍に発生した
電界により反応ガス、例えばＳｉＨ4 はＳｉ，ＳｉＨ，
ＳｉＨ2 ，ＳｉＨ3 ，Ｈ，Ｈ2 等に分解され、基板９の
表面にａ−Ｓｉ膜を形成する。しかしながら、ａ−Ｓｉ
膜形成の高速化を図るため、高周波電源の周波数を現状
の１３．５６ＭＨｚより、３０ＭＨｚ乃至２００ＭＨｚ
の超高周波帯（ＶＨＦ帯：Very High Frequency ）へ高
くすると、はしご型電極近傍の電界分布が一様性がくず
れ、その結果として、ａ−Ｓｉ膜の膜厚分布が極端に悪
くなる，という問題がある。図２４は、基板面積３０ｃ
ｍ×３０ｃｍでのプラズマ電源周波数と膜厚分布の関係
を示す。膜厚分布の一様性（±１０％以内）を確保でき
る基板の大きさ即ち面積は５ｃｍ×５ｃｍ乃至２０ｃｍ
×２０ｃｍ程度である。
術、即ちはしご型電極を用いる方法及び平行平板電極を
用いる方法は、いずれも次のような問題を有している。 （１）図２１において、はしご型電極２近傍に発生した
電界により反応ガス、例えばＳｉＨ4 はＳｉ，ＳｉＨ，
ＳｉＨ2 ，ＳｉＨ3 ，Ｈ，Ｈ2 等に分解され、基板９の
表面にａ−Ｓｉ膜を形成する。しかしながら、ａ−Ｓｉ
膜形成の高速化を図るため、高周波電源の周波数を現状
の１３．５６ＭＨｚより、３０ＭＨｚ乃至２００ＭＨｚ
の超高周波帯（ＶＨＦ帯：Very High Frequency ）へ高
くすると、はしご型電極近傍の電界分布が一様性がくず
れ、その結果として、ａ−Ｓｉ膜の膜厚分布が極端に悪
くなる，という問題がある。図２４は、基板面積３０ｃ
ｍ×３０ｃｍでのプラズマ電源周波数と膜厚分布の関係
を示す。膜厚分布の一様性（±１０％以内）を確保でき
る基板の大きさ即ち面積は５ｃｍ×５ｃｍ乃至２０ｃｍ
×２０ｃｍ程度である。
【００１３】はしご型電極を用いる方法による高周波電
源４の高周波数化が困難な理由は次の通りである。図２
５に示すように、はしご型電極の構造に起因したインピ
ーダンスの不均一性が存在するために、プラズマ発光の
強い部分が局部的になる。例えば、上記電極の周辺部に
強いプラズマが発生し、中央部には発生しない。特に６
０ＭＨｚ以上の超高周波数化に伴なってその減少は顕著
になる。
源４の高周波数化が困難な理由は次の通りである。図２
５に示すように、はしご型電極の構造に起因したインピ
ーダンスの不均一性が存在するために、プラズマ発光の
強い部分が局部的になる。例えば、上記電極の周辺部に
強いプラズマが発生し、中央部には発生しない。特に６
０ＭＨｚ以上の超高周波数化に伴なってその減少は顕著
になる。
【００１４】従って、量産性向上や低コスト化に必要な
大面積基板に関するプラズマ電源の高周波数化による成
膜速度の向上は非常に困難で、不可能視されている。な
お、ａ−Ｓｉの成膜速度はプラズマ電源周波数の２乗に
比例するので、関連技術分野の学会においても研究が活
発化されているが、大面積化（基板面積３０ｃｍ×３０
ｃｍ以上）への成功例はまだ得られてない。
大面積基板に関するプラズマ電源の高周波数化による成
膜速度の向上は非常に困難で、不可能視されている。な
お、ａ−Ｓｉの成膜速度はプラズマ電源周波数の２乗に
比例するので、関連技術分野の学会においても研究が活
発化されているが、大面積化（基板面積３０ｃｍ×３０
ｃｍ以上）への成功例はまだ得られてない。
【００１５】（２）図２３において、高周波電極２２と
基板加熱用ヒータ２３との間に発生する電界により、反
応ガス、例えばＳｉＨ4 はＳｉ，ＳｉＨ，ＳｉＨ2 ，Ｓ
ｉＨ 3 ，Ｈ，Ｈ2 等に分解され、基板２９の表面にａ−
Ｓｉ膜を形成する。しかしながら、ａ−Ｓｉ膜形成の高
速化を図るため、高周波電源２４の周波数を現状の１
３．５６ＭＨｚより、３０ＭＨｚ乃至２００ＭＨｚの超
高周波帯（ＶＨＦ帯：Very High Frequency ）へ高くす
ると、高周波電極２２と基板加熱用ヒータ２３間に発生
する電界分布の一様性がくずれ、その結果として、ａ−
Ｓｉ膜の膜厚分布が極端に悪くなる、という問題があ
る。図２４は、基板面積３０ｃｍ×３０ｃｍでのプラズ
マ電源周波数と膜厚分布（平均膜厚からのずれ）の関係
を示す特性図である。膜厚分布の一様性（±１０％以
内）が確保できる基板の大きさ即ち面積は、５ｃｍ×５
ｃｍ乃至２０ｃｍ×２０ｃｍ程度である。
基板加熱用ヒータ２３との間に発生する電界により、反
応ガス、例えばＳｉＨ4 はＳｉ，ＳｉＨ，ＳｉＨ2 ，Ｓ
ｉＨ 3 ，Ｈ，Ｈ2 等に分解され、基板２９の表面にａ−
Ｓｉ膜を形成する。しかしながら、ａ−Ｓｉ膜形成の高
速化を図るため、高周波電源２４の周波数を現状の１
３．５６ＭＨｚより、３０ＭＨｚ乃至２００ＭＨｚの超
高周波帯（ＶＨＦ帯：Very High Frequency ）へ高くす
ると、高周波電極２２と基板加熱用ヒータ２３間に発生
する電界分布の一様性がくずれ、その結果として、ａ−
Ｓｉ膜の膜厚分布が極端に悪くなる、という問題があ
る。図２４は、基板面積３０ｃｍ×３０ｃｍでのプラズ
マ電源周波数と膜厚分布（平均膜厚からのずれ）の関係
を示す特性図である。膜厚分布の一様性（±１０％以
内）が確保できる基板の大きさ即ち面積は、５ｃｍ×５
ｃｍ乃至２０ｃｍ×２０ｃｍ程度である。
【００１６】平行平板電極を用いる方法による高周波電
源２４の超高周波数化が困難な理由は、次の通りであ
る。平行平板型電極は、電極周辺部と中央部の電気特性
が異なるため、図２６（Ａ）に示すように電極周辺部に
強いプラズマが発生するか、あるいは図２６（Ｂ）に示
すように中央部分のみに強いプラズマが発生するという
現実がある。
源２４の超高周波数化が困難な理由は、次の通りであ
る。平行平板型電極は、電極周辺部と中央部の電気特性
が異なるため、図２６（Ａ）に示すように電極周辺部に
強いプラズマが発生するか、あるいは図２６（Ｂ）に示
すように中央部分のみに強いプラズマが発生するという
現実がある。
【００１７】したがって、量産性向上や低コスト化に必
要な大面積基板に関するプラズマ電源の高周波数化によ
る成膜速度の向上は、非常に困難で、不可能視されてい
る。なお、ａ−Ｓｉの成膜速度はプラズマ電源周波数の
２乗に比例するので、関連技術分野の学会においても研
究が活発化しているが、大面積化（基板面積３０ｃｍ×
３０ｃｍ以上）への成功例はまだ得られてない。
要な大面積基板に関するプラズマ電源の高周波数化によ
る成膜速度の向上は、非常に困難で、不可能視されてい
る。なお、ａ−Ｓｉの成膜速度はプラズマ電源周波数の
２乗に比例するので、関連技術分野の学会においても研
究が活発化しているが、大面積化（基板面積３０ｃｍ×
３０ｃｍ以上）への成功例はまだ得られてない。
【００１８】また、図２１に示す如く、はしご型電極２
の接地線７を行うと、接地線７と電極２との接合点にお
けるプラズマが弱くなり、成膜速度が低下することが分
かった。
の接地線７を行うと、接地線７と電極２との接合点にお
けるプラズマが弱くなり、成膜速度が低下することが分
かった。
【００１９】本発明はこうした事情を考慮してなされた
もので、放電用電極として、はしご型電極と電源を結ぶ
給電線に同軸ケーブルを用い、かつ前記はしご型電極を
接地線で接地しない構成にすることにより、成膜速度の
低下を防止し得るプラズマＣＶＤ装置を提供することを
目的とする。
もので、放電用電極として、はしご型電極と電源を結ぶ
給電線に同軸ケーブルを用い、かつ前記はしご型電極を
接地線で接地しない構成にすることにより、成膜速度の
低下を防止し得るプラズマＣＶＤ装置を提供することを
目的とする。
【００２０】また、本発明は、はしご型電極と同軸ケー
ブルとを結線する位置である給電点を前記平面形コイル
電極の周辺部又は内周部に位置し、かつその個数を少な
くとも４個以上とすることにより、従来と比べ良好な膜
厚分布が得られるプラズマＣＶＤ装置を提供することを
目的とする。
ブルとを結線する位置である給電点を前記平面形コイル
電極の周辺部又は内周部に位置し、かつその個数を少な
くとも４個以上とすることにより、従来と比べ良好な膜
厚分布が得られるプラズマＣＶＤ装置を提供することを
目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明の［請求項１］の発明は、反応容器と、この反応容器
に反応ガスを導入し、排出する手段と、前記反応容器内
から収容された放電用のはしご型電極すなわちラダーア
ンテナ型電極あるいははしご状平面形コイル電極と、こ
のはしご型電極にグロー放電発生用電力を供給する電源
とを有し、前記反応容器内に設置された基板表面に非晶
質薄膜あるいは微結晶薄膜あるいは薄膜多結晶を形成す
るプラズマＣＶＤ装置において、前記はしご型電極と電
源を結ぶ給電線に同軸ケーブルを用い、かつ前記はしご
型電極を接地線で接地しない構成にしたことを特徴とす
る。
明の［請求項１］の発明は、反応容器と、この反応容器
に反応ガスを導入し、排出する手段と、前記反応容器内
から収容された放電用のはしご型電極すなわちラダーア
ンテナ型電極あるいははしご状平面形コイル電極と、こ
のはしご型電極にグロー放電発生用電力を供給する電源
とを有し、前記反応容器内に設置された基板表面に非晶
質薄膜あるいは微結晶薄膜あるいは薄膜多結晶を形成す
るプラズマＣＶＤ装置において、前記はしご型電極と電
源を結ぶ給電線に同軸ケーブルを用い、かつ前記はしご
型電極を接地線で接地しない構成にしたことを特徴とす
る。
【００２２】［請求項２］の発明は、請求項１におい
て、前記はしご型電極と同軸ケーブルとを結線する位置
である給電点は、前記はしご型電極の周辺部に位置し、
かつその個数は少なくとも４個であることを特徴とす
る。ここで、給電点の位置は、具体的には、はしご型電
極の上辺，下辺，左辺，右辺に２箇所以上、即ち例えば
上辺，下辺それぞれに２箇所づつ合計４箇所、あるいは
左辺，右辺それぞれに４箇所づつ合計８箇所とするのが
好ましい。
て、前記はしご型電極と同軸ケーブルとを結線する位置
である給電点は、前記はしご型電極の周辺部に位置し、
かつその個数は少なくとも４個であることを特徴とす
る。ここで、給電点の位置は、具体的には、はしご型電
極の上辺，下辺，左辺，右辺に２箇所以上、即ち例えば
上辺，下辺それぞれに２箇所づつ合計４箇所、あるいは
左辺，右辺それぞれに４箇所づつ合計８箇所とするのが
好ましい。
【００２３】［請求項３］の発明は、請求項１におい
て、前記はしご型電極と同軸ケーブルとを結線する位置
である給電点は、前記はしご型電極の周辺部の内側に位
置し、かつその個数は少なくとも４個であることを特徴
とする。ここで、給電点の位置は、具体的には、はしご
型電極の周辺部の内周中央側に、４箇所乃至８箇所とす
るのが好ましい。
て、前記はしご型電極と同軸ケーブルとを結線する位置
である給電点は、前記はしご型電極の周辺部の内側に位
置し、かつその個数は少なくとも４個であることを特徴
とする。ここで、給電点の位置は、具体的には、はしご
型電極の周辺部の内周中央側に、４箇所乃至８箇所とす
るのが好ましい。
【００２４】［請求項４］の発明は、請求項２又は３に
おいて、前記はしご型電極にグロー放電発生用電力を供
給する電源の周波数を３０ＭＨｚ乃至２００ＭＨｚと
し、かつはしご型電極を用いるようにしたことを特徴と
する。ここで、前記電源の周波数は３０ＭＨｚ乃至１５
０ＭＨｚとすることが好ましい。
おいて、前記はしご型電極にグロー放電発生用電力を供
給する電源の周波数を３０ＭＨｚ乃至２００ＭＨｚと
し、かつはしご型電極を用いるようにしたことを特徴と
する。ここで、前記電源の周波数は３０ＭＨｚ乃至１５
０ＭＨｚとすることが好ましい。
【００２５】［請求項５］の発明は、請求項４におい
て、前記はしご型電極にグロー放電発生用電力を供給す
る電源の周波数を８５ＭＨｚ乃至２００ＭＨｚとし、か
つ線径が0.５〜５ｍｍのはしご型電極を用いるようにし
たことを特徴とする。
て、前記はしご型電極にグロー放電発生用電力を供給す
る電源の周波数を８５ＭＨｚ乃至２００ＭＨｚとし、か
つ線径が0.５〜５ｍｍのはしご型電極を用いるようにし
たことを特徴とする。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例に係るプ
ラズマＣＶＤ装置について図１及び図２を参照して説明
する。ここで、図１は同装置の全体図、図２は同装置の
一構成を示す放電用電極に高周波数電力を供給するため
の電気配線を示す説明図である。
ラズマＣＶＤ装置について図１及び図２を参照して説明
する。ここで、図１は同装置の全体図、図２は同装置の
一構成を示す放電用電極に高周波数電力を供給するため
の電気配線を示す説明図である。
【００２７】図中の付番３１は反応容器である。この反
応容器３１内には、グロー放電プラズマを発生させる為
のはしご型のＳＵＳ３０４製の放電用電極（はしご型電
極）３２と、被処理物としての基板３３を支持するとと
もに該基板３３の温度を制御する基板加熱用ヒータ３４
が配置されている。なお、前記放電用電極３２は外寸法
５７２ｍｍ×５７２ｍｍ、直径６ｍｍのＳＵＳ棒で製作
され、その中心間隔は２６ｍｍである。
応容器３１内には、グロー放電プラズマを発生させる為
のはしご型のＳＵＳ３０４製の放電用電極（はしご型電
極）３２と、被処理物としての基板３３を支持するとと
もに該基板３３の温度を制御する基板加熱用ヒータ３４
が配置されている。なお、前記放電用電極３２は外寸法
５７２ｍｍ×５７２ｍｍ、直径６ｍｍのＳＵＳ棒で製作
され、その中心間隔は２６ｍｍである。
【００２８】前記放電用電極３２には、インピーダンス
整合器３５を介して高周波電源３６が接続されている。
前記高周波電源３６より放電用電極３２に、例えば周波
数１３．５６ＭＨｚ乃至２００ＭＨｚの電力が供給され
る。前記反応容器３１内には、反応ガスを前記放電用電
極３２周辺に導入する反応ガス吐出孔３７ａを有した反
応ガス導入管３７が配置されている。前記反応容器３１
には、反応容器３１内の反応ガス等のガスを排気する排
気管３８を介して真空ポンプ３９が接続されている。
整合器３５を介して高周波電源３６が接続されている。
前記高周波電源３６より放電用電極３２に、例えば周波
数１３．５６ＭＨｚ乃至２００ＭＨｚの電力が供給され
る。前記反応容器３１内には、反応ガスを前記放電用電
極３２周辺に導入する反応ガス吐出孔３７ａを有した反
応ガス導入管３７が配置されている。前記反応容器３１
には、反応容器３１内の反応ガス等のガスを排気する排
気管３８を介して真空ポンプ３９が接続されている。
【００２９】前記反応容器３１内には、アースシールド
４０が配置されている。このアースシールド４０は、不
必要な部分での放電を抑制し、かつ、前記排気管３８及
び真空ポンプ３９と組合せて使用されることにより、上
記反応ガス導入管３７より導入されたＳｉＨ4 等の反応
ガスを放電用電極３２でプラズマ化した後、反応ガス及
びその他生成物等を排気管３８を介して排出する機能を
有している。なお、反応容器３１内の圧力は、図示しな
い圧力計によりモニタされ、前記真空ポンプ３９の排気
量を調整することにより制御される。
４０が配置されている。このアースシールド４０は、不
必要な部分での放電を抑制し、かつ、前記排気管３８及
び真空ポンプ３９と組合せて使用されることにより、上
記反応ガス導入管３７より導入されたＳｉＨ4 等の反応
ガスを放電用電極３２でプラズマ化した後、反応ガス及
びその他生成物等を排気管３８を介して排出する機能を
有している。なお、反応容器３１内の圧力は、図示しな
い圧力計によりモニタされ、前記真空ポンプ３９の排気
量を調整することにより制御される。
【００３０】図２に示すように、前記放電用電極３２の
上辺，下辺には、４個づつ電力供給端子４１，４２，４
３，４４，４５，４６，４７，４８が溶着されている。
前記放電用電極３２とインピーダンス整合器３５間に
は、４個の２ピンの電流導入端子４９，５０，５１，５
２が夫々配置されている。前記高周波電源３６より、例
えば周波数６０ＭＨｚあるいは８０ＭＨｚの電力を、イ
ンピーダンス整合器３５を介してかつ例えば８本の同軸
ケーブル６１，６２，６３，６４，６５，６６，６７，
６８、前記電流導入端子４９〜５２及び８本の真空用同
軸ケーブル５３，５４，５５，５６，５７，５８，５
９，６０により、前記電力供給端子４１〜４８へ供給す
るようになっている。ここで、前記電力供給端子は４個
以上とし、アース線は結線しない。
上辺，下辺には、４個づつ電力供給端子４１，４２，４
３，４４，４５，４６，４７，４８が溶着されている。
前記放電用電極３２とインピーダンス整合器３５間に
は、４個の２ピンの電流導入端子４９，５０，５１，５
２が夫々配置されている。前記高周波電源３６より、例
えば周波数６０ＭＨｚあるいは８０ＭＨｚの電力を、イ
ンピーダンス整合器３５を介してかつ例えば８本の同軸
ケーブル６１，６２，６３，６４，６５，６６，６７，
６８、前記電流導入端子４９〜５２及び８本の真空用同
軸ケーブル５３，５４，５５，５６，５７，５８，５
９，６０により、前記電力供給端子４１〜４８へ供給す
るようになっている。ここで、前記電力供給端子は４個
以上とし、アース線は結線しない。
【００３１】図２に示したプラズマＣＶＤ装置に用いる
はしご型の放電用電極の他の形態の代表的なものを図３
〜図９に示すが、本発明は以下のものに何ら限定される
ものではない。図３〜図９に示すはしご型の放電用電極
は、夫々上記電力供給端子の位置と個数が異なるものを
示している。図３に示す放電用電極３２Ａは、上辺中央
と下辺中央の位置にそれぞれ１個、合計２個の電力供給
端子３２ａ，３２ｂが配置された構成となっている。図
４に示す放電用電極３２Ｂは、左辺と上辺の３等分の位
置にそれぞれ２個、合計４個の電力供給端子３２ａ，３
２ｂ，３２ｃ，３２ｄが配置された構成となっている。
図５に示す放電用電極３２Ｃは、上辺と下辺の３等分の
位置にそれぞれ２個、合計４個の電力供給端子３２ａ，
３２ｂ，３２ｃ，３２ｄが配置された構成となってい
る。
はしご型の放電用電極の他の形態の代表的なものを図３
〜図９に示すが、本発明は以下のものに何ら限定される
ものではない。図３〜図９に示すはしご型の放電用電極
は、夫々上記電力供給端子の位置と個数が異なるものを
示している。図３に示す放電用電極３２Ａは、上辺中央
と下辺中央の位置にそれぞれ１個、合計２個の電力供給
端子３２ａ，３２ｂが配置された構成となっている。図
４に示す放電用電極３２Ｂは、左辺と上辺の３等分の位
置にそれぞれ２個、合計４個の電力供給端子３２ａ，３
２ｂ，３２ｃ，３２ｄが配置された構成となっている。
図５に示す放電用電極３２Ｃは、上辺と下辺の３等分の
位置にそれぞれ２個、合計４個の電力供給端子３２ａ，
３２ｂ，３２ｃ，３２ｄが配置された構成となってい
る。
【００３２】図６に示す放電用電極３２Ｄは、４つのコ
ーナ部分に合計４個の電力供給端子３２ａ，３２ｂ，３
２ｃ，３２ｄが配置された構成となっている。図７に示
す放電用電極３２Ｅは、４つのコーナ部分と上辺，下
辺，左辺，右辺の中央部にそれぞれ１個、合計８個の電
力供給端子３２ａ〜３２ｈが配置された構成となってい
る。図８に示す放電用電極３２Ｆは、４つのコーナ部分
と、左辺，右辺の３等分の位置にそれぞれ１個、合計８
個の電力供給端子３２ａ〜３２ｈが配置された構成とな
っている。図９に示す放電用電極３２Ｇは、４つのコー
ナ部分と、上辺，下辺の３等分の位置にそれぞれ１個、
合計８個の電力供給端子３２ａ〜３２ｈが配置された構
成となっている。
ーナ部分に合計４個の電力供給端子３２ａ，３２ｂ，３
２ｃ，３２ｄが配置された構成となっている。図７に示
す放電用電極３２Ｅは、４つのコーナ部分と上辺，下
辺，左辺，右辺の中央部にそれぞれ１個、合計８個の電
力供給端子３２ａ〜３２ｈが配置された構成となってい
る。図８に示す放電用電極３２Ｆは、４つのコーナ部分
と、左辺，右辺の３等分の位置にそれぞれ１個、合計８
個の電力供給端子３２ａ〜３２ｈが配置された構成とな
っている。図９に示す放電用電極３２Ｇは、４つのコー
ナ部分と、上辺，下辺の３等分の位置にそれぞれ１個、
合計８個の電力供給端子３２ａ〜３２ｈが配置された構
成となっている。
【００３３】次に、上記構成のプラズマＣＶＤ装置を用
いてａ−Ｓｉ膜を製作する方法について説明する。ここ
で、放電用電極３２でＳｉＨ4 プラズマを発生させると
そのプラズマ中に存在するＳｉＨ3 ，ＳｉＨ2 ，ＳｉＨ
等のラジカルが拡散現象により拡散し、基板３３表面に
吸着されることにより、ａ−Ｓｉ膜、あるいは微結晶Ｓ
ｉあるいは薄膜多結晶Ｓｉが堆積する。なお、ａ−Ｓｉ
膜あるいは微結晶Ｓｉ及び薄膜多結晶Ｓｉは、成膜条件
の中のＳｉＨ4 ，Ｈ2 の流量比、圧力及びプラズマ発生
用電力を適正化することで成膜できることは公知の技術
であるので、ここではＳｉＨ4 ガスを用いたａ−Ｓｉ成
膜を例にとり説明する。当然ながら、微結晶Ｓｉ及び薄
膜多結晶Ｓｉを成膜することも可能である。
いてａ−Ｓｉ膜を製作する方法について説明する。ここ
で、放電用電極３２でＳｉＨ4 プラズマを発生させると
そのプラズマ中に存在するＳｉＨ3 ，ＳｉＨ2 ，ＳｉＨ
等のラジカルが拡散現象により拡散し、基板３３表面に
吸着されることにより、ａ−Ｓｉ膜、あるいは微結晶Ｓ
ｉあるいは薄膜多結晶Ｓｉが堆積する。なお、ａ−Ｓｉ
膜あるいは微結晶Ｓｉ及び薄膜多結晶Ｓｉは、成膜条件
の中のＳｉＨ4 ，Ｈ2 の流量比、圧力及びプラズマ発生
用電力を適正化することで成膜できることは公知の技術
であるので、ここではＳｉＨ4 ガスを用いたａ−Ｓｉ成
膜を例にとり説明する。当然ながら、微結晶Ｓｉ及び薄
膜多結晶Ｓｉを成膜することも可能である。
【００３４】まず、図１に示す装置において、真空ポン
プ３９を稼働させて反応容器３１内を排気し、到達真空
度を２〜３×１０-7Ｔｏｒｒとする。つづいて、反応ガ
ス導入管３７より反応ガス、例えばＳｉＨ4 ガスを８０
〜２００ｃｃ／分程度の流量で供給する。この後、反応
容器３１内の圧力を０．０５〜０．１Ｔｏｒｒに保ちな
がら、高周波電源３６からインピーダンス整合器３５を
介して放電用電極３２に高周波電力を供給する。その結
果、放電用電極３２の近傍にＳｉＨ4 のグロー放電プラ
ズマが発生する。このプラズマは、ＳｉＨ4 ガスを分解
し、基板３３の表面にａ−Ｓｉ膜を形成する。但し、成
膜速度は高周波電源３６の周波数及び出力にも依存する
が、０．５〜３ｎｍ／ｓ程度である。
プ３９を稼働させて反応容器３１内を排気し、到達真空
度を２〜３×１０-7Ｔｏｒｒとする。つづいて、反応ガ
ス導入管３７より反応ガス、例えばＳｉＨ4 ガスを８０
〜２００ｃｃ／分程度の流量で供給する。この後、反応
容器３１内の圧力を０．０５〜０．１Ｔｏｒｒに保ちな
がら、高周波電源３６からインピーダンス整合器３５を
介して放電用電極３２に高周波電力を供給する。その結
果、放電用電極３２の近傍にＳｉＨ4 のグロー放電プラ
ズマが発生する。このプラズマは、ＳｉＨ4 ガスを分解
し、基板３３の表面にａ−Ｓｉ膜を形成する。但し、成
膜速度は高周波電源３６の周波数及び出力にも依存する
が、０．５〜３ｎｍ／ｓ程度である。
【００３５】図１０は、図３〜図９に示した放電用電極
３２を用いて高周波電源３６の周波数を６０ＭＨｚと
し、面積４０ｃｍ×５０ｃｍのガラス基板（商品名：コ
ーニング＃７０５９、コーニング社製造）にａ−Ｓｉ膜
を成膜した結果を示す。ここで、成膜条件は、ＳｉＨ4
ガス流量７００ｃｃ／分、圧力０．２Ｔｏｒｒ、高周波
電力５００Ｗであった。図１０により、電力供給端子の
個数が２個の場合膜厚分布は±２６％であるが、該個数
が４個の場合膜厚分布は±１４％、該個数が８個の場
合、膜厚分布±６％と著しく良好な結果を示している。
３２を用いて高周波電源３６の周波数を６０ＭＨｚと
し、面積４０ｃｍ×５０ｃｍのガラス基板（商品名：コ
ーニング＃７０５９、コーニング社製造）にａ−Ｓｉ膜
を成膜した結果を示す。ここで、成膜条件は、ＳｉＨ4
ガス流量７００ｃｃ／分、圧力０．２Ｔｏｒｒ、高周波
電力５００Ｗであった。図１０により、電力供給端子の
個数が２個の場合膜厚分布は±２６％であるが、該個数
が４個の場合膜厚分布は±１４％、該個数が８個の場
合、膜厚分布±６％と著しく良好な結果を示している。
【００３６】図１１は、図３〜図９に示した放電用電極
３２を用い、高周波電源３６の周波数を８０ＭＨｚと
し、面積４０ｃｍ×５０ｃｍのガラス基板（商品名：コ
ーニング＃７０５９、コーニング社製造）にａ−Ｓｉ膜
を成膜した結果の例を示している。ここで、成膜条件
は、ＳｉＨ4 ガス流量７００ｃｃ／分、圧力０．２Ｔｏ
ｒｒ、高周波電力５００Ｗであった。図１１により、電
力供給端子の個数が２個の場合膜厚分布は±３０％であ
るが、該個数が４個の場合膜厚分布は±１８％、該個数
が８個の場合、膜厚分布±８％と著しく良好な結果を示
している。
３２を用い、高周波電源３６の周波数を８０ＭＨｚと
し、面積４０ｃｍ×５０ｃｍのガラス基板（商品名：コ
ーニング＃７０５９、コーニング社製造）にａ−Ｓｉ膜
を成膜した結果の例を示している。ここで、成膜条件
は、ＳｉＨ4 ガス流量７００ｃｃ／分、圧力０．２Ｔｏ
ｒｒ、高周波電力５００Ｗであった。図１１により、電
力供給端子の個数が２個の場合膜厚分布は±３０％であ
るが、該個数が４個の場合膜厚分布は±１８％、該個数
が８個の場合、膜厚分布±８％と著しく良好な結果を示
している。
【００３７】なお、ａ−Ｓｉ太陽電池、薄膜トランジス
タ及び感光ドラムなどの製造では、膜厚分布としては±
１０％以内であれば性能上問題はない。上記実施例によ
れば、放電用電極として用いるはしご型電極周辺部に電
力供給端子を合計４個以上、望ましくは８個以上設置す
ることにより、６０ＭＨｚ及び８０ＭＨｚを用いても、
従来の装置及び方法に比べ、著しく良好な膜厚分布を得
ることが可能になった。特に、高周波電源３６の周波数
が６０ＭＨｚの場合には、基板サイズ４０ｃｍ×５０ｃ
ｍにて、膜厚分布±１０％以内を実現できた。このこと
は、ａ−Ｓｉ太陽電池、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）駆
動液晶ディスプレイ及びａ−Ｓｉ感光体等の製造分野で
の生産性向上及び低コスト化に係る工業的価値が著しく
大きいことを意味している。
タ及び感光ドラムなどの製造では、膜厚分布としては±
１０％以内であれば性能上問題はない。上記実施例によ
れば、放電用電極として用いるはしご型電極周辺部に電
力供給端子を合計４個以上、望ましくは８個以上設置す
ることにより、６０ＭＨｚ及び８０ＭＨｚを用いても、
従来の装置及び方法に比べ、著しく良好な膜厚分布を得
ることが可能になった。特に、高周波電源３６の周波数
が６０ＭＨｚの場合には、基板サイズ４０ｃｍ×５０ｃ
ｍにて、膜厚分布±１０％以内を実現できた。このこと
は、ａ−Ｓｉ太陽電池、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）駆
動液晶ディスプレイ及びａ−Ｓｉ感光体等の製造分野で
の生産性向上及び低コスト化に係る工業的価値が著しく
大きいことを意味している。
【００３８】一方、従来のプラズマ蒸着装置では、３０
ＭＨｚ以上での高周波電源を用いると、膜厚分布が著し
く悪く、３０ｃｍ×３０ｃｍ乃至５０ｃｍ×５０ｃｍ程
度以上の大面積基板では実用化が困難であった。
ＭＨｚ以上での高周波電源を用いると、膜厚分布が著し
く悪く、３０ｃｍ×３０ｃｍ乃至５０ｃｍ×５０ｃｍ程
度以上の大面積基板では実用化が困難であった。
【００３９】次に、高周波電源の周波数をプラズマ密度
が一層高い１００ＭＨｚ以上の超高周波帯とした場合に
ついて、さらに、均一な膜が迅速に成膜できるはしご型
の放電電極について説明する。図３〜図９の放電電極の
ように電極の周辺部に給電点を設けた場合では、１００
ＭＨｚ以上での高周波電源を用いると、プラズマ密度は
良好なものの膜厚分布が悪くなるので、本発明では、放
電電極の周辺部の内側の中央部に給電点を設けて、これ
を解消することとした。これにより、３０ｃｍ×３０ｃ
ｍ乃至５０ｃｍ×５０ｃｍ程度以上の大面積基板でも良
好に成膜することができることとなる。
が一層高い１００ＭＨｚ以上の超高周波帯とした場合に
ついて、さらに、均一な膜が迅速に成膜できるはしご型
の放電電極について説明する。図３〜図９の放電電極の
ように電極の周辺部に給電点を設けた場合では、１００
ＭＨｚ以上での高周波電源を用いると、プラズマ密度は
良好なものの膜厚分布が悪くなるので、本発明では、放
電電極の周辺部の内側の中央部に給電点を設けて、これ
を解消することとした。これにより、３０ｃｍ×３０ｃ
ｍ乃至５０ｃｍ×５０ｃｍ程度以上の大面積基板でも良
好に成膜することができることとなる。
【００４０】図２に示したプラズマＣＶＤ装置に用いる
放電用電極３２として、周辺部の内側に給電点を配した
はしご型の放電用電極の代表的なものを図１２及び図１
３に示すが、本発明は以下のものに何ら限定されるもの
ではない。図１２（Ａ）に示すはしご型の放電用電極
は、前述した図６に示す放電用電極３２Ｄの平面図であ
り、４つのコーナ部分に合計４個の電力供給端子３２
ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄが配置された構成となって
いる。図１２（Ｂ）に示すはしご型の放電用電極１３２
Ａは、電極の周辺部の内側の中央部に合計４個の電力供
給端子１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ，１３２ｄが矩形
状に配置された構成となっている。図１２（Ｃ）に示す
はしご型の放電用電極１３２Ｂは、電極の周辺部の内側
の中央部に合計４個の電力供給端子１３２ａ，１３２
ｂ，１３２ｃ，１３２ｄが配置され、さらに、端子１３
２ａと端子１３２ｃとの間に斜めに４個の端子１３２ｅ
〜１３２ｈが配置され、合計８個の電力供給端子を配し
た構成となっている。
放電用電極３２として、周辺部の内側に給電点を配した
はしご型の放電用電極の代表的なものを図１２及び図１
３に示すが、本発明は以下のものに何ら限定されるもの
ではない。図１２（Ａ）に示すはしご型の放電用電極
は、前述した図６に示す放電用電極３２Ｄの平面図であ
り、４つのコーナ部分に合計４個の電力供給端子３２
ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄが配置された構成となって
いる。図１２（Ｂ）に示すはしご型の放電用電極１３２
Ａは、電極の周辺部の内側の中央部に合計４個の電力供
給端子１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ，１３２ｄが矩形
状に配置された構成となっている。図１２（Ｃ）に示す
はしご型の放電用電極１３２Ｂは、電極の周辺部の内側
の中央部に合計４個の電力供給端子１３２ａ，１３２
ｂ，１３２ｃ，１３２ｄが配置され、さらに、端子１３
２ａと端子１３２ｃとの間に斜めに４個の端子１３２ｅ
〜１３２ｈが配置され、合計８個の電力供給端子を配し
た構成となっている。
【００４１】図１３（Ａ）に示すはしご型の放電用電極
１３２Ｃは、電極の周辺部の内側の中央部に斜めに合計
８個の電力供給端子１３２ａ〜１３２ｈが配置された構
成となっている。図１３（Ｂ）に示すはしご型の放電用
電極１３２Ｄは、電極の周辺部の内側の中央部に合計４
個の電力供給端子１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ，１３
２ｄが矩形状に配置され、さらに、その内部に４個の端
子１３２ｅ〜１３２ｈが矩形状配置され、合計８個の電
力供給端子を配した構成となっている。図１３（Ｃ）に
示すはしご型の放電用電極１３２Ｅは、電極の周辺部の
内側の中央部に合計４個の電力供給端子１３２ａ，１３
２ｂ，１３２ｃ，１３２ｄが矩形状に配置され、さら
に、端子１３２ａと端子１３２ｃとの間に斜めに６個の
端子１３２ｅ〜１３２ｊが配置され、合計１０個の電力
供給端子を配した構成となっている。なお、放電電極の
周辺部の内側に配置する端子の個数は少なくとも４個以
上とするのが好ましいが、あまり個数が多いと電力の分
割ロスがあり、好ましくなく、成膜する基板の大きさや
電極の線径及び間隔により適宜設定するようにすればよ
い。
１３２Ｃは、電極の周辺部の内側の中央部に斜めに合計
８個の電力供給端子１３２ａ〜１３２ｈが配置された構
成となっている。図１３（Ｂ）に示すはしご型の放電用
電極１３２Ｄは、電極の周辺部の内側の中央部に合計４
個の電力供給端子１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ，１３
２ｄが矩形状に配置され、さらに、その内部に４個の端
子１３２ｅ〜１３２ｈが矩形状配置され、合計８個の電
力供給端子を配した構成となっている。図１３（Ｃ）に
示すはしご型の放電用電極１３２Ｅは、電極の周辺部の
内側の中央部に合計４個の電力供給端子１３２ａ，１３
２ｂ，１３２ｃ，１３２ｄが矩形状に配置され、さら
に、端子１３２ａと端子１３２ｃとの間に斜めに６個の
端子１３２ｅ〜１３２ｊが配置され、合計１０個の電力
供給端子を配した構成となっている。なお、放電電極の
周辺部の内側に配置する端子の個数は少なくとも４個以
上とするのが好ましいが、あまり個数が多いと電力の分
割ロスがあり、好ましくなく、成膜する基板の大きさや
電極の線径及び間隔により適宜設定するようにすればよ
い。
【００４２】図１４に図１２（Ａ）〜（Ｃ）に示した電
極を用いて、高周波電源の周波数を１２０ＭＨｚの超高
周波帯とした場合のプラズマ密度分布の相対値を図１５
〜図１７に示す。図１５は図１２（Ａ）の電極（四隅
（４点））であり、図１６は図１２（Ｂ）の電極（中央
（４点））であり、図１７は図１２（Ｃ）の電極（中央
（８点））のものであり、この結果をまとめ、プラズマ
密度の偏差値（平均値からのズレ）を求めた結果を図１
４示す。ここで、放電用電極３２を４０ｃｍ×４０ｃｍ
とし、基板（３０ｃｍ×３０ｃｍ）におけるプラズマ密
度分布の平均を求めた。
極を用いて、高周波電源の周波数を１２０ＭＨｚの超高
周波帯とした場合のプラズマ密度分布の相対値を図１５
〜図１７に示す。図１５は図１２（Ａ）の電極（四隅
（４点））であり、図１６は図１２（Ｂ）の電極（中央
（４点））であり、図１７は図１２（Ｃ）の電極（中央
（８点））のものであり、この結果をまとめ、プラズマ
密度の偏差値（平均値からのズレ）を求めた結果を図１
４示す。ここで、放電用電極３２を４０ｃｍ×４０ｃｍ
とし、基板（３０ｃｍ×３０ｃｍ）におけるプラズマ密
度分布の平均を求めた。
【００４３】図１４の測定条件は、Ｈ2 プラズマとし、
高周波電源の周波数を１２０ＭＨｚとし、面積３０ｃｍ
×３０ｃｍのガラス基板（商品名：コーニング＃７０５
９、コーニング社製造）にａ−Ｓｉ膜を成膜した結果を
示す。ここで、成膜条件は、ＳｉＨ4 ガス流量５０ｓｃ
ｃ／分、圧力５０ｍＴｏｒｒ、高周波電力１５０Ｗであ
った。図１４に示すように、図１２（Ｂ）及び図１２
（Ｃ）に示した構成の放電電極１３２Ａ及び１３２Ｂ
は、図１２（Ａ）に示した放電電極３２Ｄに比べて、周
波数を１２０ＭＨｚとした場合でも密度分布が極めて良
好であることが判明した。特に、８点とした図１２
（Ｃ）に示す放電電極１３２Ｂの密度分布が平坦性が良
好であった。この結果、放電電極の内側に少なくとも４
個以上の給電用の端子を配置することにより、高い超高
周波帯とした場合であっても均一な膜が迅速に成膜でき
ることが判明した。
高周波電源の周波数を１２０ＭＨｚとし、面積３０ｃｍ
×３０ｃｍのガラス基板（商品名：コーニング＃７０５
９、コーニング社製造）にａ−Ｓｉ膜を成膜した結果を
示す。ここで、成膜条件は、ＳｉＨ4 ガス流量５０ｓｃ
ｃ／分、圧力５０ｍＴｏｒｒ、高周波電力１５０Ｗであ
った。図１４に示すように、図１２（Ｂ）及び図１２
（Ｃ）に示した構成の放電電極１３２Ａ及び１３２Ｂ
は、図１２（Ａ）に示した放電電極３２Ｄに比べて、周
波数を１２０ＭＨｚとした場合でも密度分布が極めて良
好であることが判明した。特に、８点とした図１２
（Ｃ）に示す放電電極１３２Ｂの密度分布が平坦性が良
好であった。この結果、放電電極の内側に少なくとも４
個以上の給電用の端子を配置することにより、高い超高
周波帯とした場合であっても均一な膜が迅速に成膜でき
ることが判明した。
【００４４】次に、高周波電源３６の周波数を１００Ｍ
Ｈｚ以上のプラズマ密度が高い超高周波帯とした場合に
ついて、さらに、均一な膜が迅速に成膜できるはしご型
の放電電極について説明する。図１２及び図１３の放電
電極では電極の周辺部に内側の中央部に給電点を設け
て、超高周波帯とした場合であっても良好な成膜ができ
ることを示したが、本発明では更に、放電電極の線径に
ついて細線化することによってもこれを解消することが
できたので、以下に説明する。
Ｈｚ以上のプラズマ密度が高い超高周波帯とした場合に
ついて、さらに、均一な膜が迅速に成膜できるはしご型
の放電電極について説明する。図１２及び図１３の放電
電極では電極の周辺部に内側の中央部に給電点を設け
て、超高周波帯とした場合であっても良好な成膜ができ
ることを示したが、本発明では更に、放電電極の線径に
ついて細線化することによってもこれを解消することが
できたので、以下に説明する。
【００４５】図１８は図１２（Ｂ）の斜視図であるが、
本実施の形態ではその電極の断面形状を円形としその線
径を３ｍｍとしている。一般的な線径は前述した実施の
形態に示すように６ｍｍであるが、６ｍｍの場合では高
周波電源３６の周波数を８５ＭＨｚ以上とした場合に、
プラズマ密度分布が均一にならないという問題がある。
本実施の形態ではその電極の断面形状を円形としその線
径を３ｍｍとしている。一般的な線径は前述した実施の
形態に示すように６ｍｍであるが、６ｍｍの場合では高
周波電源３６の周波数を８５ＭＨｚ以上とした場合に、
プラズマ密度分布が均一にならないという問題がある。
【００４６】図１９ははしご型電極の線径（ｍｍ）とプ
ラズマ密度の偏差値との関係を示すものであり、電極の
線径を種々変化させ、高周波電源の周波数を１２０ＭＨ
ｚとした場合におけるプラズマ密度の偏差値である。こ
のため、図１９に示すように、その線径を0.５〜５ｍｍ
と細線化することにより、膜厚が均一で迅速な成膜を実
施することができることとした。
ラズマ密度の偏差値との関係を示すものであり、電極の
線径を種々変化させ、高周波電源の周波数を１２０ＭＨ
ｚとした場合におけるプラズマ密度の偏差値である。こ
のため、図１９に示すように、その線径を0.５〜５ｍｍ
と細線化することにより、膜厚が均一で迅速な成膜を実
施することができることとした。
【００４７】図２０は、電極の断面形状が円形で線径が
３ｍｍの場合、電極の断面形状が円形で線径が６ｍｍの
場合、電極の断面形状が矩形で線径が３ｍｍの場合、電
極の断面形状が円形で線径が１２ｍｍの場合において、
それぞれ電極の中央に４点の端子を配した場合における
測定位置を変化させた密度分布の実測値を示す。図２０
の測定条件は、Ｈ2 プラズマとし、高周波電源の周波数
を１２０ＭＨｚとし、面積３０ｃｍ×３０ｃｍのガラス
基板（商品名：コーニング＃７０５９、コーニング社製
造）にａ−Ｓｉ膜を成膜した結果を示す。ここで、成膜
条件は、ＳｉＨ4 ガス流量５０ｓｃｃ／分、圧力５０ｍ
Ｔｏｒｒ、高周波電力１５０Ｗであった。なお、図中破
線方向において測定し、●は給電点を示す。
３ｍｍの場合、電極の断面形状が円形で線径が６ｍｍの
場合、電極の断面形状が矩形で線径が３ｍｍの場合、電
極の断面形状が円形で線径が１２ｍｍの場合において、
それぞれ電極の中央に４点の端子を配した場合における
測定位置を変化させた密度分布の実測値を示す。図２０
の測定条件は、Ｈ2 プラズマとし、高周波電源の周波数
を１２０ＭＨｚとし、面積３０ｃｍ×３０ｃｍのガラス
基板（商品名：コーニング＃７０５９、コーニング社製
造）にａ−Ｓｉ膜を成膜した結果を示す。ここで、成膜
条件は、ＳｉＨ4 ガス流量５０ｓｃｃ／分、圧力５０ｍ
Ｔｏｒｒ、高周波電力１５０Ｗであった。なお、図中破
線方向において測定し、●は給電点を示す。
【００４８】この結果、線径が６ｍｍに比べて線径が５
ｍｍとした場合には、１０％の改善が認められた。な
お、線径は細いほど良好であることが判明したが、線径
が0.５ｍｍ未満の場合には、機械強度が弱体化すると共
に、さらなる分布の改善がみられなかった。
ｍｍとした場合には、１０％の改善が認められた。な
お、線径は細いほど良好であることが判明したが、線径
が0.５ｍｍ未満の場合には、機械強度が弱体化すると共
に、さらなる分布の改善がみられなかった。
【００４９】よって、放電電極の線径は、機械強度及び
電力消費量とを勘案し、高周波電源の周波数を８５ＭＨ
ｚ以上の２００ＭＨｚにおいて、0.５ｍｍ〜５ｍｍとす
ることが好適である。この結果、放電電極の電極の線径
を0.５ｍｍ〜５ｍｍとすることにより、８５ＭＨｚ以上
の２００ＭＨｚの超高周波帯とした場合であっても、３
０ｃｍ×３０ｃｍ乃至６０ｃｍ×６０ｃｍ程度以上の大
面積基板でも良好にしかも迅速に成膜することができる
こととなった。
電力消費量とを勘案し、高周波電源の周波数を８５ＭＨ
ｚ以上の２００ＭＨｚにおいて、0.５ｍｍ〜５ｍｍとす
ることが好適である。この結果、放電電極の電極の線径
を0.５ｍｍ〜５ｍｍとすることにより、８５ＭＨｚ以上
の２００ＭＨｚの超高周波帯とした場合であっても、３
０ｃｍ×３０ｃｍ乃至６０ｃｍ×６０ｃｍ程度以上の大
面積基板でも良好にしかも迅速に成膜することができる
こととなった。
【００５０】
【発明の効果】以上詳述したように［請求項１］の発明
によれば、放電用電極として、はしご型電極と電源を結
ぶ給電線に同軸ケーブルを用い、かつ前記はしご型電極
を接地線で接地しない構成にすることにより、成膜速度
の低下を防止し得るプラズマＣＶＤ装置を提供すること
ができる。
によれば、放電用電極として、はしご型電極と電源を結
ぶ給電線に同軸ケーブルを用い、かつ前記はしご型電極
を接地線で接地しない構成にすることにより、成膜速度
の低下を防止し得るプラズマＣＶＤ装置を提供すること
ができる。
【００５１】［請求項２］の発明明によれば、はしご型
電極と同軸ケーブルとを結線する位置である給電点をは
しご型電極の周辺部に位置し、かつその個数を少なくと
も４個以上とすることにより、従来と比べ良好な膜厚分
布が得られるプラズマＣＶＤ装置を提供できる。
電極と同軸ケーブルとを結線する位置である給電点をは
しご型電極の周辺部に位置し、かつその個数を少なくと
も４個以上とすることにより、従来と比べ良好な膜厚分
布が得られるプラズマＣＶＤ装置を提供できる。
【００５２】［請求項３］及び［請求項４］の発明によ
れば、前記はしご型電極と同軸ケーブルとを結線する位
置である給電点は、前記はしご型電極の周辺部の内側に
位置し、かつその個数は少なくとも４個とすることによ
り、超高周波とした場合においても良好な成膜が迅速に
得られる。
れば、前記はしご型電極と同軸ケーブルとを結線する位
置である給電点は、前記はしご型電極の周辺部の内側に
位置し、かつその個数は少なくとも４個とすることによ
り、超高周波とした場合においても良好な成膜が迅速に
得られる。
【００５３】［請求項５］の発明によれば、前記はしご
型電極にグロー放電発生用電力を供給する電源の周波数
を８５ＭＨｚ乃至２００ＭＨｚとし、かつ線径が0.５〜
５ｍｍのはしご型電極を用いるようにしたので、さら
に、超高周波とした場合においても、均一で良好な成膜
が迅速に得られる。
型電極にグロー放電発生用電力を供給する電源の周波数
を８５ＭＨｚ乃至２００ＭＨｚとし、かつ線径が0.５〜
５ｍｍのはしご型電極を用いるようにしたので、さら
に、超高周波とした場合においても、均一で良好な成膜
が迅速に得られる。
【図１】本発明の実施例１に係るプラズマＣＶＤ装置の
全体図である。
全体図である。
【図２】図１の装置の一構成を示す放電用電極に高周波
電力を供給するための電気配線を示す説明図である。
電力を供給するための電気配線を示す説明図である。
【図３】本発明に係る放電用電極で、上辺，下辺に１個
づつ電力供給端子が設けられた場合の説明図である。
づつ電力供給端子が設けられた場合の説明図である。
【図４】本発明に係る放電用電極で、上辺，下辺にそれ
ぞれ２個づつ電力供給端子が設けられた場合の説明図で
ある。
ぞれ２個づつ電力供給端子が設けられた場合の説明図で
ある。
【図５】本発明に係る放電用電極で、上辺，下辺にそれ
ぞれ２個づつ、合計４個電力供給端子が設けられた場合
の説明図である。
ぞれ２個づつ、合計４個電力供給端子が設けられた場合
の説明図である。
【図６】本発明に係る放電用電極で、コーナ部分に１個
づつ、合計４個電力供給端子が設けられた場合の説明図
である。
づつ、合計４個電力供給端子が設けられた場合の説明図
である。
【図７】本発明に係る放電用電極で、コーナ部分及び上
辺，下辺，左辺，右辺にそれぞれ１個づつ、合計８個電
力供給端子が設けられた場合の説明図である。
辺，下辺，左辺，右辺にそれぞれ１個づつ、合計８個電
力供給端子が設けられた場合の説明図である。
【図８】本発明に係る放電用電極で、コーナ部分４個を
含み、左辺，右辺にそれぞれ４個づつ、合計８個電力供
給端子が設けられた場合の説明図である。
含み、左辺，右辺にそれぞれ４個づつ、合計８個電力供
給端子が設けられた場合の説明図である。
【図９】本発明に係る放電用電極で、コーナ部分４個を
含み、上辺，下辺にそれぞれ４個づつ、合計８個電力供
給端子が設けられた場合の説明図である。
含み、上辺，下辺にそれぞれ４個づつ、合計８個電力供
給端子が設けられた場合の説明図である。
【図１０】周波数６０ＭＨｚ，電力５００Ｗの条件下で
の本発明装置を用いた場合の給電点と膜厚分布との関係
を示す特性図である。
の本発明装置を用いた場合の給電点と膜厚分布との関係
を示す特性図である。
【図１１】周波数８０ＭＨｚ，電力５００Ｗの条件下で
の本発明装置を用いた場合の給電点と膜厚分布との関係
を示す特性図である。
の本発明装置を用いた場合の給電点と膜厚分布との関係
を示す特性図である。
【図１２】本発明に係る放電用電極で、四隅に４個の電
力供給端子が設けられた場合（Ａ）、中央に４個の電力
供給端子が設けられた場合（Ｂ）、中央に８個の電力供
給端子が設けられた場合（Ｃ）の説明図である。
力供給端子が設けられた場合（Ａ）、中央に４個の電力
供給端子が設けられた場合（Ｂ）、中央に８個の電力供
給端子が設けられた場合（Ｃ）の説明図である。
【図１３】本発明に係る放電用電極で、中央に斜めに８
個の電力供給端子が設けられた場合（Ａ）、中央に８個
の電力供給端子が設けられた場合（Ｂ）、中央に１０個
の電力供給端子が設けられた場合（Ｃ）の説明図であ
る。
個の電力供給端子が設けられた場合（Ａ）、中央に８個
の電力供給端子が設けられた場合（Ｂ）、中央に１０個
の電力供給端子が設けられた場合（Ｃ）の説明図であ
る。
【図１４】周波数１２０ＭＨｚの条件下での本発明装置
を用いた場合の給電位置とプラズマ密度分布との関係を
示す特性図である。
を用いた場合の給電位置とプラズマ密度分布との関係を
示す特性図である。
【図１５】周波数１２０ＭＨｚの条件下での図１２
（Ａ）の電極を用いたプラズマ密度分布の図である。
（Ａ）の電極を用いたプラズマ密度分布の図である。
【図１６】周波数１２０ＭＨｚの条件下での図１２
（Ｂ）の電極を用いたプラズマ密度分布の図である。
（Ｂ）の電極を用いたプラズマ密度分布の図である。
【図１７】周波数１２０ＭＨｚの条件下での図１２
（Ｃ）の電極を用いたプラズマ密度分布図である。
（Ｃ）の電極を用いたプラズマ密度分布図である。
【図１８】図１２（Ｂ）の電極（線径：３ｍｍ）の斜視
図である。
図である。
【図１９】周波数１２０ＭＨｚの条件下での本発明装置
を用いた場合の線径とプラズマ密度分布との関係を示す
特性図である。
を用いた場合の線径とプラズマ密度分布との関係を示す
特性図である。
【図２０】周波数１２０ＭＨｚの条件下での図１２
（Ｂ）の電極を用いた線径変化によるプラズマ密度分布
の実測図である。
（Ｂ）の電極を用いた線径変化によるプラズマ密度分布
の実測図である。
【図２１】ラダーインダクタンス電極を用いた従来のプ
ラズマＣＶＤ装置の全体図である。
ラズマＣＶＤ装置の全体図である。
【図２２】図２２の装置の一構成要素である放電用電極
に高周波電力を供給する電気配線の説明図である。
に高周波電力を供給する電気配線の説明図である。
【図２３】平行平板電極を用いた従来のプラズマＣＶＤ
装置の全体図である。
装置の全体図である。
【図２４】従来装置におけるプラズマ電源周波数の膜厚
分布との関係を示す特性図である。
分布との関係を示す特性図である。
【図２５】図２１の従来装置におけるインピーダンスの
不均一性を説明するための図である。
不均一性を説明するための図である。
【図２６】図２３の従来装置における電極周辺部と中央
部分の電気特性の相違を説明するための図である。
部分の電気特性の相違を説明するための図である。
３１ 反応容器 ３２ 放電用電極 ３２Ａ〜３２Ｇ 放電用電極 ３３ 基板 ３４ 基板放熱用ヒータ ３５ インピーダンス整合器 ３６ 高周波電源 ３７ 反応ガス導入管 ３８ 排気管 ３９ 真空ポンプ ４０ アースシールド ４１〜４８ 電力供給端子 ４９〜５２ 電力導入端子 ５３〜６０ 真空用同軸ケーブル ６１〜６８ 同軸ケーブル １３２Ａ〜１３２Ｅ 放電用電極
【手続補正書】
【提出日】平成１１年５月１８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明の［請求項１］の発明は、反応容器と、この反応容器
に反応ガスを導入し、排出する手段と、前記反応容器内
から収容された放電用のはしご型電極すなわちラダーア
ンテナ型電極あるいははしご状平面形コイル電極と、こ
のはしご型電極にグロー放電発生用電力を供給する電源
とを有し、前記反応容器内に設置された基板表面に非晶
質薄膜あるいは微結晶薄膜あるいは薄膜多結晶を形成す
るプラズマＣＶＤ装置において 、前記はしご型電極と同
軸ケーブルとを結線する位置である給電点は、前記はし
ご型電極の周辺部に位置し、かつその個数は少なくとも
４個であることを特徴とする。ここで、給電点の位置
は、具体的には、はしご型電極の上辺，下辺，左辺，右
辺に２箇所以上、即ち例えば上辺，下辺それぞれに２箇
所づつ合計４箇所、あるいは左辺，右辺それぞれに４箇
所づつ合計８箇所とするのが好ましい。
明の［請求項１］の発明は、反応容器と、この反応容器
に反応ガスを導入し、排出する手段と、前記反応容器内
から収容された放電用のはしご型電極すなわちラダーア
ンテナ型電極あるいははしご状平面形コイル電極と、こ
のはしご型電極にグロー放電発生用電力を供給する電源
とを有し、前記反応容器内に設置された基板表面に非晶
質薄膜あるいは微結晶薄膜あるいは薄膜多結晶を形成す
るプラズマＣＶＤ装置において 、前記はしご型電極と同
軸ケーブルとを結線する位置である給電点は、前記はし
ご型電極の周辺部に位置し、かつその個数は少なくとも
４個であることを特徴とする。ここで、給電点の位置
は、具体的には、はしご型電極の上辺，下辺，左辺，右
辺に２箇所以上、即ち例えば上辺，下辺それぞれに２箇
所づつ合計４箇所、あるいは左辺，右辺それぞれに４箇
所づつ合計８箇所とするのが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】［請求項２］の発明は、反応容器と、この
反応容器に反応ガスを導入し、排出する手段と、前記反
応容器内から収容された放電用のはしご型電極すなわち
ラダーアンテナ型電極あるいははしご状平面形コイル電
極と、このはしご型電極にグロー放電発生用電力を供給
する電源とを有し、前記反応容器内に設置された基板表
面に非晶質薄膜あるいは微結晶薄膜あるいは薄膜多結晶
を形成するプラズマＣＶＤ装置において、前記はしご型
電極と同軸ケーブルとを結線する位置である給電点は、
前記はしご型電極の周辺部の内側に位置し、かつその個
数は少なくとも４個であることを特徴とする。ここで、
給電点の位置は、具体的には、はしご型電極の周辺部の
内周中央側に、４箇所乃至８箇所とするのが好ましい。
反応容器に反応ガスを導入し、排出する手段と、前記反
応容器内から収容された放電用のはしご型電極すなわち
ラダーアンテナ型電極あるいははしご状平面形コイル電
極と、このはしご型電極にグロー放電発生用電力を供給
する電源とを有し、前記反応容器内に設置された基板表
面に非晶質薄膜あるいは微結晶薄膜あるいは薄膜多結晶
を形成するプラズマＣＶＤ装置において、前記はしご型
電極と同軸ケーブルとを結線する位置である給電点は、
前記はしご型電極の周辺部の内側に位置し、かつその個
数は少なくとも４個であることを特徴とする。ここで、
給電点の位置は、具体的には、はしご型電極の周辺部の
内周中央側に、４箇所乃至８箇所とするのが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】［請求項３］の発明は、請求項１又は２に
おいて、前記はしご型電極にグロー放電発生用電力を供
給する電源の周波数を３０ＭＨｚ乃至２００ＭＨｚと
し、かつはしご型電極を用いるようにしたことを特徴と
する。ここで、前記電源の周波数は３０ＭＨｚ乃至１５
０ＭＨｚとすることが好ましい。
おいて、前記はしご型電極にグロー放電発生用電力を供
給する電源の周波数を３０ＭＨｚ乃至２００ＭＨｚと
し、かつはしご型電極を用いるようにしたことを特徴と
する。ここで、前記電源の周波数は３０ＭＨｚ乃至１５
０ＭＨｚとすることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２５】［請求項４］の発明は、請求項３におい
て、前記はしご型電極にグロー放電発生用電力を供給す
る電源の周波数を８５ＭＨｚ乃至２００ＭＨｚとし、か
つ線径が0.５〜５ｍｍのはしご型電極を用いるようにし
たことを特徴とする。
て、前記はしご型電極にグロー放電発生用電力を供給す
る電源の周波数を８５ＭＨｚ乃至２００ＭＨｚとし、か
つ線径が0.５〜５ｍｍのはしご型電極を用いるようにし
たことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】削除
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５１】
【発明の効果】以上詳述したように［請求項１］の発明
によれば、 はしご型電極と同軸ケーブルとを結線する位
置である給電点をはしご型電極の周辺部に位置し、かつ
その個数を少なくとも４個以上とすることにより、従来
と比べ良好な膜厚分布が得られるプラズマＣＶＤ装置を
提供できる。
によれば、 はしご型電極と同軸ケーブルとを結線する位
置である給電点をはしご型電極の周辺部に位置し、かつ
その個数を少なくとも４個以上とすることにより、従来
と比べ良好な膜厚分布が得られるプラズマＣＶＤ装置を
提供できる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５２】［請求項２］及び［請求項３］の発明によ
れば、前記はしご型電極と同軸ケーブルとを結線する位
置である給電点は、前記はしご型電極の周辺部の内側に
位置し、かつその個数は少なくとも４個とすることによ
り、超高周波とした場合においても良好な成膜が迅速に
得られる。
れば、前記はしご型電極と同軸ケーブルとを結線する位
置である給電点は、前記はしご型電極の周辺部の内側に
位置し、かつその個数は少なくとも４個とすることによ
り、超高周波とした場合においても良好な成膜が迅速に
得られる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５３】［請求項４］の発明によれば、前記はしご
型電極にグロー放電発生用電力を供給する電源の周波数
を８５ＭＨｚ乃至２００ＭＨｚとし、かつ線径が0.５〜
５ｍｍのはしご型電極を用いるようにしたので、さら
に、超高周波とした場合においても、均一で良好な成膜
が迅速に得られる。
型電極にグロー放電発生用電力を供給する電源の周波数
を８５ＭＨｚ乃至２００ＭＨｚとし、かつ線径が0.５〜
５ｍｍのはしご型電極を用いるようにしたので、さら
に、超高周波とした場合においても、均一で良好な成膜
が迅速に得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 縄田 芳一 長崎県長崎市飽の浦町１番１号 三菱重工 業株式会社長崎造船所内 (72)発明者 小川 和彦 長崎県長崎市飽の浦町１番１号 三菱重工 業株式会社長崎造船所内 (72)発明者 真島 浩 長崎県長崎市深堀町五丁目717番１号 三 菱重工業株式会社長崎研究所内 (72)発明者 吉田 博久 長崎県長崎市深堀町五丁目717番１号 三 菱重工業株式会社長崎研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】 反応容器と、この反応容器に反応ガスを
導入し、排出する手段と、前記反応容器内から収容され
た放電用のはしご型電極すなわちラダーアンテナ型電極
あるいははしご状平面形コイル電極と、このはしご型電
極にグロー放電発生用電力を供給する電源とを有し、前
記反応容器内に設置された基板表面に非晶質薄膜あるい
は微結晶薄膜あるいは薄膜多結晶を形成するプラズマＣ
ＶＤ装置において、 前記はしご型電極と電源を結ぶ給電線に同軸ケーブルを
用い、かつ前記はしご型電極を接地線で接地しない構成
にしたことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 請求項１において、 前記はしご型電極と同軸ケーブルとを結線する位置であ
る給電点は、前記はしご型電極の周辺部に位置し、かつ
その個数は少なくとも４個であることを特徴とするプラ
ズマＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 請求項１において、 前記はしご型電極と同軸ケーブルとを結線する位置であ
る給電点は、前記はしご型電極の周辺部の内側に位置
し、かつその個数は少なくとも４個であることを特徴と
するプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項４】 請求項２又は３において、 前記はしご型電極にグロー放電発生用電力を供給する電
源の周波数を３０ＭＨｚ乃至２００ＭＨｚとし、かつは
しご型電極を用いるようにしたことを特徴とするプラズ
マＣＶＤ装置。 - 【請求項５】 請求項４において、 前記はしご型電極にグロー放電発生用電力を供給する電
源の周波数を８５ＭＨｚ乃至２００ＭＨｚとし、かつ線
径が0.５〜５ｍｍのはしご型電極を用いるようにしたこ
とを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11094598A JP3068604B2 (ja) | 1998-04-08 | 1999-04-01 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-95989 | 1998-04-08 | ||
| JP9598998 | 1998-04-08 | ||
| JP11094598A JP3068604B2 (ja) | 1998-04-08 | 1999-04-01 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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