KR20120040433A - 가스 분출 장치 및 이를 이용한 태양 전지의 제조 방법 - Google Patents

가스 분출 장치 및 이를 이용한 태양 전지의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법은 기판 위에 제1 전극을 형성하는 단계, 제1 전극 위에 구리 및 갈륨으로 이루어진 제1 금속층을 형성하는 단계, 제1 금속층 위에 인듐으로 이루어진 제2 금속층을 형성하는 단계, 기판을 가스 분출 장치 내부에 배치시키고, 제2 금속층 위에 셀레늄화수소를 분출하여 열처리를 실시하여 P층을 형성하는 단계, P층 위에 N층을 형성하는 단계, 그리고 N층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 가스 분출 장치는 기판을 지지하며, 가스 분출 장치의 외부로부터 셀레늄화수소를 공급 받는 제1 층과 기판에 셀레늄화수소를 분출하는 가스 분출구가 형성되어 있는 복수 개의 가스 분출판을 포함한다.

Description

가스 분출 장치 및 이를 이용한 태양 전지의 제조 방법{DEVICE JETTING AN GAS AND SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD USING THE SAME}
본 발명은 가스 분출 장치 및 이를 이용한 태양 전지의 제조 방법에 관한 것이다.
태양 전지는 태양 빛의 에너지를 전기에너지로 바꾸는 것으로 CO2 배출에 따른 온실 효과를 일으키는 화석 에너지와 방사성 폐기물에 의한 대기 오염 등의 지구 환경을 오염시키는 원자력 에너지 등을 대체할 수 있는 청정 에너지 또는 차세대 에너지로 중요하다.
태양 전지는 기본적으로 기판에 상부 및 하부 전극을 형성하고, 상부 전극과 하부 전극 사이에 P형 반도체와 N형 반도체라고 하는 2종류의 반도체를 형성하여 전기를 일으키며, 광흡수층으로 사용되면 물질에 따라 다양한 종류로 구분된다.
한편, 화합물 태양 전지(CIGS)는 유리 기판은 물론 스테인리스, 알루미늄 등 유연한 기판 위에 형성된 전극 위에 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se) 화합물을 증착하는 방식으로 기존 실리콘 계열 태양 전지와 달리 실리콘을 전혀 사용하지 않으면서도 태양광을 전기로 변환해주는 효율이 높은 것이 특징이다.
여기서, CIGS(Cu, In, Ga, Se) 화합물은 먼저 구리와 갈륨이 혼합된 금속층을 증착하고, 그 위에 인듐을 증착한 다음, 셀레늄화수소를 고온에서 인듐에서 분출하여 형성한다.
셀레늄화수소를 기판 위에 분출할 때, 태양 전지의 면적이 커질수록 구리, 갈륨 및 인듐과 셀레늄화수소가 반응이 균일하지 않게 된다.
본 발명이 해결하려는 과제는 태양 전지 제조 공정에서 CIGS 화합물층의 조성을 균일하게 형성하는 것입니다.
본 발명의 한 실시예에 따른 가스 분출 장치는 챔버, 챔버 내부에 위치하고 있으며, 일면에 복수 개의 가스 분출구가 형성되어 있는 복수 개의 가스 분출판, 그리고 가스 분출판에 연결되어 있으며, 외부로부터 가스를 공급하는 가스관을 포함하고, 가스 분출판은 가스관과 연결되어 있는 제1 층과 가스 분출구가 형성되어 있는 제2 층을 포함한다.
제1 층과 상기 제2 층 사이에 복수 개의 층이 더 배치되어 있을 수 있다.
제1 층 및 제1 층과 제2 층 사이에 배치되어 있는 층마다 가스가 이동하는 가스 이동구가 형성되어 있을 수 있다.
가스 분출판의 각 층의 가스 이동구의 개수는 층의 수가 증가할수록 증가할 수 있다.
가스 분출구의 개수는 제2 층과 바로 인접한 층의 가스 이동구의 개수보다 많을 수 있다.
가스 분출구에 대응하는 부분에 대상 기판이 위치하고, 가스 분출판은 대상 기판을 지지할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 분출 장치는 가스를 공급하는 몸체, 몸체 위에 위치하고 있으며, 몸체에서 가스를 공급받아 분출하는 가스 분출부, 그리고 몸체 위에 위치하고 있으며, 가스 분출부를 덮는 덮개를 포함하고, 가스 분출부는 몸체에 수직 방향으로 위치한다.
가스 분출부는 몸체에서 가스를 공급받아 분출하는 복수 개의 가스 분출관을 포함하고, 가스 분출관은 몸체 위에 매트릭스 형태로 배열되어 있을 수 있다.
각 가스 분출관은 일면에 복수 개의 가스 분출구가 형성되어 있을 수 있다.
가스 분출구의 직경은 몸체로부터 수직 방향으로 멀어질수록 더 커질 수 있다.
가스 분출구에 대응하는 부분에 대상 기판이 위치하고, 대상 기판은 몸체에 수직 방향으로 위치하고, 가스 분출관은 대상 기판을 지지할 수 있다.
가스 분출부는 몸체에서 가스를 공급받아 분출하는 복수 개의 가스 분출판을 포함하고, 가스 분출판은 몸체로부터 가스를 공급 받는 제1 층과 가스가 분출되는 가스 분출구가 형성되어 있는 제2 층을 포함한다.
가스 분출구에 대응하는 부분에 대상 기판이 위치하고, 대상 기판은 몸체에 수직 방향으로 위치하고, 가스 분출판은 대상 기판을 지지할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법은 기판 위에 제1 전극을 형성하는 단계, 제1 전극 위에 구리 및 갈륨으로 이루어진 제1 금속층을 형성하는 단계, 제1 금속층 위에 인듐으로 이루어진 제2 금속층을 형성하는 단계, 기판을 가스 분출 장치 내부에 배치시키고, 제2 금속층 위에 셀레늄화수소를 분출하여 열처리를 실시하여 P층을 형성하는 단계, P층 위에 N층을 형성하는 단계, 그리고 N층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 가스 분출 장치는 기판을 지지하며, 가스 분출 장치의 외부로부터 셀레늄화수소를 공급 받는 제1 층과 기판에 셀레늄화수소를 분출하는 가스 분출구가 형성되어 있는 복수 개의 가스 분출판을 포함한다.
가스 분출 장치는 가스 분출판이 배치되어 있는 몸체, 몸체 위에 위치하고 있으며, 가스 분출판을 덮는 덮개를 포함하고, 가스 분출판은 몸체에 수직 방향으로 위치하고 있을 수 있다.
열처리는 500 내지 600℃ 에서 실시할 수 있다.
제1 전극은 반사 전도성 금속으로 형성할 수 있다.
제2 전극은 투명 전도성 금속으로 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법은 기판 위에 제1 전극을 형성하는 단계, 제1 전극 위에 구리 및 갈륨으로 이루어진 제1 금속층을 형성하는 단계, 제1 금속층 위에 인듐으로 이루어진 제2 금속층을 형성하는 단계, 기판을 가스 분출 장치 내부에 배치시키고, 제2 금속층 위에 셀레늄화수소를 분출하여 열처리를 실시하여 P층을 형성하는 단계, P층 위에 N층을 형성하는 단계, 그리고 N층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 가스 분출 장치는 가스를 공급하는 몸체, 몸체 위에 위치하고 있으며, 몸체에서 상기 가스를 공급받아 분출하는 가스 분출부, 그리고 몸체 위에 위치하고 있으며, 가스 분출부를 덮는 덮개를 포함하고, 가스 분출부는 몸체에 수직 방향으로 위치한다.
가스 분출부는 복수 개의 가스 분출관 또는 복수 개의 가스 분출판을 포함할 수 있다.
이와 같이 본 발명에 따르면, 셀레늄화수소(H2Se)를 구리, 갈륨 및 인듐이 형성된 기판의 전면에 균일하게 분출하여 CIGS 화합물층의 조성을 균일하게 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지를 나타내는 단면도이다.
도 2 내지 도 7는 도 1의 태양 전지의 제조 방법의 한 실시예를 차례로 도시한 도면이다.
도 8 내지 도 12는 대상 기판에 본 발명의 다른 실시예에 따른 셀레늄화수소를 분출하는 것을 도시한 도면이다.
첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 의미한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지는 제1 기판(110) 위에 적층되어 있는 하부 전극(120)을 포함한다. 하부 전극(120)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu) 같은 반사 전도성 금속으로 형성한다.
하부 전극(120) 위에는 P층(130) 및 N층(140)이 차례로 적층되어 있다. P층(130)은 CIGS(CuInGaSe2) 화합물로 이루어져 있고, N층(140)은 CdS 또는 ZnS층으로 이루어져 있다. 여기서, P층(130)이 광 흡수층이 된다.
N층(140) 위에는 상부 전극(150)이 형성되어 있다. 상부 전극(150)은 ZnO, ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 같은 투명한 전도성 금속으로 이루어져 있다. 상부 전극(150)의 상부면은 태양 전지 표면에서의 광반사를 줄여 태양 전지 내부로 흡수되는 유효광량을 증가 시키기 위하여 텍스처(texture)링 될 수 있다.
상부 전극(150) 위에는 제2 기판(210)이 형성되어 있다.
그러면 도 1에 도시한 태양 전지의 제조 방법의 한 실시예에 대하여 도 2 내지 도 7를 참고하여 설명한다.
도 2 내지 도 7는 도 1의 태양 전지의 제조 방법의 한 실시예를 차례로 도시한 도면이다.
먼저, 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 기판(110) 위에 몰리브덴, 알루미늄 또는 구리 같은 반사 전도성 금속으로 하부 전극(120)을 증착하고, 하부 전극(120) 위에 구리(Cu), 갈륨(Ga)의 합금을 스퍼터링하여 제1 층(131)을 형성한다.
이어서, 도 3에 도시한 바와 같이, 제1 층(131) 위에 인듐(In)을 스퍼터링하여 제2 층(132)을 형성한다. 여기서, 제1 기판(110) 위에 하부 전극(120), 제1 층(131) 및 제2 층(132)이 차례로 형성되어 있는 구성을 대상 기판(100)이라 하여 설명한다.
이어서, 도 4에 도시한 바와 같이, 제2 층(132)의 전면에 셀레늄화수소(H2Se)로 열처리를 실시한다. 이 때, 온도는 500 내지 600 ℃에서 실시한다.
이 때, 셀레늄화수소의 열처리는 챔버(500)안에서 실시한다.
챔버(500) 내부에는 복수 개의 가스 분출판(300)이 위치하고 있다. 가스 분출판(300)은 석영 또는 금속으로 이루어져 있을 수 있고, 가스 분출판(300)의 상부는 대상 기판(100)을 지지하고, 챔버(500) 외부로부터 가스관(400)을 통하여 아래 면에서 셀레늄화수소를 공급받아 가스 분출판(300)의 하부에서 셀레늄화수소를 다른 대상 기판(100)에 분출한다.
이러한 가스 분출판(300)에 대해서 도 5 및 도 6을 참고하여 자세히 설명한다.
도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이, 가스 분출판(300)은 하부에 복수 개의 가스 분출구(351)가 형성되어 있다. 복수 개의 가스 분출구(351)에서 대상 기판(100)에 균일하게 셀레늄화수소를 분출한다.
가스 분출판(300)의 내부를 살펴보면, 제1단(310), 제2단(320), 제3단(330), 제4단(340) 및 제5단(350)으로 이루어져 있다. 제1단(310), 제2단(320), 제3단(330) 및 제4단(340)에는 각각 다음 단으로 가스가 이동되는 가스 이동구(311, 321, 331, 341)가 형성되어 있다.
가스 분출판(300)에서 가스 분출 과정을 살펴보면, 먼저 가스관(400)을 통하여 셀레늄화수소를 공급 받는다. 가스관(400)을 통해 공급 받은 셀레늄화수소는 제1단(310)에서 제1단 가스 이동구(311)를 통해 제2단(320)으로 분출된다. 제2단(320)의 셀레늄화수소는 제2단 가스 이동구(321)를 통해 제3단(330)으로, 제3단(330)의 셀레늄화수소는 제3단 가스 이동구(331)를 통해 제4단(340)으로, 제4단(340)의 셀레늄화수소는 제4단 가스 이동구(341)를 통해 제5단(350)으로 분출된다. 그리고, 제5단(350)에서 가스 분출구(351)를 통하여 대상 기판(100)으로 셀레늄화수소를 분출한다.
제1단 내지 제4단 가스 이동구(311, 321, 331, 341) 및 가스 분출구(351)는 제1단(310)에서 제5단(350)으로 갈수록 그 수가 증가하여 각 단(310, 320, 330, 340, 350)에 공급된 셀레늄화수소는 다음 단(320, 330, 340, 350) 및 대상 기판(100)으로 분출될수록 셀레늄화수소의 유속이 점점 균일화된다. 즉, 가스 분출판(300)에 공급된 셀레늄화수소는 대상 기판(100)에 균일하게 분출할 수 있다.
본 실시예에서는 가스 분출판(300)의 단을 5단으로 나타냈지만, 이에 한정되는 것이 아니고, 그 이상일 수도 있다.
이렇게 셀레늄화수소를 대상 기판(100)에 분출하고 열처리를 실시하면, 도 7에 도시한 바와 같이, 제1 층(131), 제2 층(132)에 셀레늄이 혼합되어 CIGS(CuInGaSe2)으로 이루어진 P층(130)이 형성된다. 이처럼 셀레늄화수소를 균일하게 분출하여 CIGS의 광 흡수층의 조성을 균일하게 형성할 수 있다.
그 다음, 도 1에 도시한 바와 같이, CdS 또는 ZnS를 증착하여 N층(140)을 형성하고, N층(140) 위에 상부 전극(150)을 형성한다. 상부 전극(150)은 ZnO, ITO 또는 IZO 같은 투명한 전도성 금속을 사용하여 형성한다. 이 때, 상부 전극(150)의 상부면을 에칭하여 요철을 형성하는 텍스처링을 할 수 있다. 텍스처링을 실시하는 이유는 태양 전지 표면에서의 광반사를 줄여 태양 전지 내부로 흡수되는 유효광량을 증가 시키기 위함이다.
그러면 도 1에 도시한 태양 전지의 제조 방법의 다른 실시예에 대하여 도 8 내지 도 12을 참고하여 설명한다.
본 실시예의 제조 방법은 앞선 실시예와 동일하지만, 셀레늄화수소를 분출하는 장치가 상이하다.
도 8 내지 도 10은 대상 기판에 본 발명의 다른 실시예에 따른 셀레늄화수소를 분출하는 것을 도시한 도면이다.
도 8 및 도 9에 도시한 바와 같이, 가스 분출 장치는 몸체(600)와 몸체(600) 위에 위치한 가스 공급부(800), 그리고, 가스 공급부(800)를 덮는 덮개(700)로 이루어져 있다.
가스 분출부(800)는 복수 개의 가스 분출관(810)과 이를 지지하는 복수 개의 프레임(820, 830)으로 이루어져 있다. 복수 개의 가스 분출관(810)은 몸체(600)에 수직 방향으로 배치되어 있으며, 행과 열을 이루고 있으며, 가스 분출관(810)이 이루는 행과 행 사이에 공간이 형성되는데, 대상 기판(100)은 이 공간에 위치한다.
가스 분출관(810)의 일면은 대상 기판(100)을 지지하고, 다른 면은 다른 대상 기판(100)에 셀레늄화수소를 분출한다. 분출한 셀레늄화수소의 분포의 최적화를 위해 가스 분출관(810)과 대상 기판(100) 사이의 거리는 5 내지 30 mm 가 바람직하며, 더욱 바람직하게는 10 내지 20mm 이다.
도 10에 도시한 바와 같이, 가스 분출관(810)은 복수 개의 가스 분출구(811)를 포함한다. 가스 분출관(810)은 몸체(600)에서 셀레늄화수소를 공급 받는다. 몸체(600)는 가스 분출관(810)의 아래 쪽에 위치하고 있으므로, 가스 분출관(810)의 하부에 위치한 가스 분출구(811)에서의 셀레늄화수소의 유속이 가스 분출관(810)의 상부에 위치한 가스 분출구(811)에서의 셀레늄화수소의 유속 보다 빠르다. 이 때문에, 가스 분출관(810)의 하부에서 상부로 갈수록 가스 분출구(811)의 직경을 점점 커지게 형성하여 각 가스 분출구(811)에서의 셀레늄화수소의 유속을 균일하게 하여 대상 기판(100)에 균일하게 분출할 수 있다.
또한, 대상 기판(100)에 가스 분출은 관 형태의 가스 분출관이 아닌 판상형 형태에서 할 수 있다.
도 11 및 도 12에 도시한 바와 같이, 가스 분출부(900)는 가스 분출판(910)과 이를 지지하는 프레임(920)으로 이루어져 있다. 가스 분출판(910)은 몸체(600)에 수직 방향으로 배치되어 있으며, 가스 분출판(910)의 일면을 대상 기판(100)을 지지하고, 다른 면은 다른 대상 기판(100)에 셀레늄화수소를 분출한다.
가스 분출판(910)은 제1단(940), 제2단(950), 제3단(960), 제4단(970) 및 제5단(980)으로 이루어져 있다. 제1단(940), 제2단(950), 제3단(960) 및 제4단(970)에는 각각 다음 단에 가스를 분출하는 가스 이동구(941, 951, 961, 971)가 형성되어 있다.
가스 분출판(910)에서 가스 분출 과정을 살펴보면, 먼저 몸체(600)로부터 가스관(930)을 통하여 셀레늄화수소를 공급 받는다. 가스관(930)을 통해 공급 받은 셀레늄화수소는 제1단(940)에서 제1단 가스 이동구(941)를 통해 제2단(950)으로 분출된다. 제2단(950)의 셀레늄화수소는 제2단 가스 이동구(951)를 통해 제3단(960)으로, 제3단(960)의 셀레늄화수소는 제3단 가스 이동구(961)를 통해 제4단(970)으로, 제4단(970)의 셀레늄화수소는 제4단 가스 이동구(971)를 통해 제5단(980)으로 분출된다. 그리고, 제5단(980)에서 가스 분출구(981)를 통하여 대상 기판(100)으로 셀레늄화수소를 분출한다.
제1단 내지 제4단 가스 이동구(941, 951, 961, 971) 및 가스 분출구(981)는 제1단(940)에서 제5단(980)으로 갈수록 그 수가 증가하여 각 단(940, 950, 960, 970, 980)에 공급된 셀레늄화수소는 다음 단(950, 960, 970, 980) 및 대상 기판(100)으로 분출될수록 셀레늄화수소의 유속이 점점 균일화된다. 즉, 가스 분출판(910)에 공급된 셀레늄화수소는 대상 기판(100)에 균일하게 분출할 수 있다.
본 실시예에서는 가스 분출판(910)의 단을 5단으로 나타냈지만, 이에 한정되는 것이 아니고, 그 이상일 수도 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
100: 대상 기판 130: P층
300, 900: 가스 분출판 810: 가스 분출관
351, 811, 981: 가스 분출구

Claims (33)

  1. 챔버,
    상기 챔버 내부에 위치하고 있으며, 일면에 복수 개의 가스 분출구가 형성되어 있는 복수 개의 가스 분출판, 그리고
    상기 가스 분출판에 연결되어 있으며, 외부로부터 가스를 공급하는 가스관을
    포함하고,
    상기 가스 분출판은 상기 가스관과 연결되어 있는 제1 층과 상기 가스 분출구가 형성되어 있는 제2 층을 포함하는
    가스 분출 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 복수 개의 층이 더 배치되어 있는 가스 분출 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 제1 층 및 상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 배치되어 있는 층마다 상기 가스가 이동하는 가스 이동구가 형성되어 있는 가스 분출 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 가스 분출판의 각 층의 상기 가스 이동구의 개수는 상기 층의 수가 증가할수록 증가하는 가스 분출 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 가스 분출구의 개수는 상기 제2 층과 바로 인접한 층의 상기 가스 이동구의 개수보다 많은 가스 분출 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 가스 분출구에 대응하는 부분에 대상 기판이 위치하고, 상기 가스 분출판은 상기 대상 기판을 지지하는 가스 분출 장치.
  7. 가스를 공급하는 몸체,
    상기 몸체 위에 위치하고 있으며, 상기 몸체에서 상기 가스를 공급받아 분출하는 가스 분출부, 그리고
    상기 몸체 위에 위치하고 있으며, 상기 가스 분출부를 덮는 덮개를 포함하고,
    상기 가스 분출부는 상기 몸체에 수직 방향으로 위치하는
    가스 분출 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 가스 분출부는 상기 몸체에서 상기 가스를 공급받아 분출하는 복수 개의 가스 분출관을 포함하고,
    상기 가스 분출관은 상기 몸체 위에 매트릭스 형태로 배열되어 있는 가스 분출 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 각 가스 분출관은 일면에 복수 개의 가스 분출구가 형성되어 있는 가스 분출 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 가스 분출구의 직경은 상기 몸체로부터 수직 방향으로 멀어질수록 더 커지는 가스 분출 장치.
  11. 제10항에서,
    상기 가스 분출구에 대응하는 부분에 대상 기판이 위치하고,
    상기 대상 기판은 상기 몸체에 수직 방향으로 위치하고,
    상기 가스 분출관은 상기 대상 기판을 지지하는 가스 분출 장치.
  12. 제7항에서,
    상기 가스 분출부는 상기 몸체에서 상기 가스를 공급받아 분출하는 복수 개의 가스 분출판을 포함하고,
    상기 가스 분출판은 상기 몸체로부터 상기 가스를 공급 받는 제1 층과 상기 가스가 분출되는 가스 분출구가 형성되어 있는 제2 층을 포함하는
    가스 분출 장치.
  13. 제12항에서,
    상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 복수 개의 층이 더 배치되어 있는 가스 분출 장치.
  14. 제13항에서,
    상기 제1 층 및 상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 배치되어 있는 층마다 상기 가스가 이동하는 가스 이동구가 형성되어 있는 가스 분출 장치.
  15. 제14항에서,
    상기 가스 분출판의 각 층의 상기 가스 이동구의 개수는 상기 층의 수가 증가할수록 증가하는 가스 분출 장치.
  16. 제15항에서,
    상기 가스 분출구의 개수는 상기 제2 층과 바로 인접한 층의 상기 가스 이동구의 개수보다 많은 가스 분출 장치.
  17. 제16항에서,
    상기 가스 분출구에 대응하는 부분에 대상 기판이 위치하고,
    상기 대상 기판은 상기 몸체에 수직 방향으로 위치하고,
    상기 가스 분출판은 상기 대상 기판을 지지하는 가스 분출 장치.
  18. 기판 위에 제1 전극을 형성하는 단계,
    상기 제1 전극 위에 구리 및 갈륨으로 이루어진 제1 금속층을 형성하는 단계,
    상기 제1 금속층 위에 인듐으로 이루어진 제2 금속층을 형성하는 단계,
    상기 기판을 가스 분출 장치 내부에 배치시키고, 상기 제2 금속층 위에 셀레늄화수소를 분출하여 열처리를 실시하여 P층을 형성하는 단계,
    상기 P층 위에 N층을 형성하는 단계, 그리고
    상기 N층 위에 제2 전극을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 가스 분출 장치는 상기 기판을 지지하며, 상기 가스 분출 장치의 외부로부터 상기 셀레늄화수소를 공급 받는 제1 층과 상기 기판에 상기 셀레늄화수소를 분출하는 가스 분출구가 형성되어 있는 복수 개의 가스 분출판을 포함하는
    태양 전지의 제조 방법.
  19. 제18항에서,
    상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 복수 개의 층이 더 배치되어 있는 태양 전지의 제조 방법.
  20. 제19항에서,
    상기 제1 층 및 상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 배치되어 있는 층마다 상기 가스가 이동하는 가스 이동구가 형성되어 있는 태양 전지의 제조 방법.
  21. 제20항에서,
    상기 가스 분출판의 각 층의 상기 가스 이동구의 개수는 상기 층의 수가 증가할수록 증가하는 태양 전지의 제조 방법.
  22. 제21항에서,
    상기 가스 분출구의 개수는 상기 제2 층과 바로 인접한 층의 상기 가스 이동구의 개수보다 많은 태양 전지의 제조 방법.
  23. 제22항에서,
    상기 가스 분출 장치는
    상기 가스 분출판이 배치되어 있는 몸체,
    상기 몸체 위에 위치하고 있으며, 상기 가스 분출판을 덮는 덮개를 포함하고,
    상기 가스 분출판은 상기 몸체에 수직 방향으로 위치하고 있는 태양 전지의 제조 방법.
  24. 제18항에서,
    상기 열처리는 500 내지 600℃ 에서 실시하는 태양 전지 제조 방법.
  25. 제18항에서,
    상기 제1 전극은 반사 전도성 금속으로 형성하는 태양 전지 제조 방법.
  26. 제18항에서,
    상기 제2 전극은 투명 전도성 금속으로 형성하는 태양 전지 제조 방법.
  27. 기판 위에 제1 전극을 형성하는 단계,
    상기 제1 전극 위에 구리 및 갈륨으로 이루어진 제1 금속층을 형성하는 단계,
    상기 제1 금속층 위에 인듐으로 이루어진 제2 금속층을 형성하는 단계,
    상기 기판을 가스 분출 장치 내부에 배치시키고, 상기 제2 금속층 위에 셀레늄화수소를 분출하여 열처리를 실시하여 P층을 형성하는 단계,
    상기 P층 위에 N층을 형성하는 단계, 그리고
    상기 N층 위에 제2 전극을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 가스 분출 장치는
    가스를 공급하는 몸체,
    상기 몸체 위에 위치하고 있으며, 상기 몸체에서 상기 가스를 공급받아 분출하는 가스 분출부, 그리고
    상기 몸체 위에 위치하고 있으며, 상기 가스 분출부를 덮는 덮개를 포함하고,
    상기 가스 분출부는은 상기 몸체에 수직 방향으로 위치하는
    태양 전지의 제조 방법.
  28. 제27항에서,
    상기 가스 분출부는 복수 개의 가스 분출관 또는 복수 개의 가스 분출판을 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
  29. 제28항에서,
    상기 각 가스 분출관은 일면에 복수 개의 가스 분출구가 형성되어 있는 태양 전지의 제조 방법.
  30. 제29항에서,
    상기 가스 분출구의 직경은 상기 몸체로부터 수직 방향으로 멀어질수록 더 커지는 태양 전지의 제조 방법.
  31. 제27항에서,
    상기 열처리는 500 내지 600℃ 에서 실시하는 태양 전지 제조 방법.
  32. 제27항에서,
    상기 제1 전극은 반사 전도성 금속으로 형성하는 태양 전지 제조 방법.
  33. 제27항에서,
    상기 제2 전극은 투명 전도성 금속으로 형성하는 태양 전지 제조 방법.
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