KR101514080B1 - 플라즈마 화학 기상 증착 장치 - Google Patents

플라즈마 화학 기상 증착 장치 Download PDF

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엘지전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 플라즈마 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로, 플라즈마 화학 기상 증착 장치는 정해진 크기의 전원을 공급받고, 복수의 전극을 구비한 적어도 하나의 제1 전극부, 그리고 각 제1 전극부를 중심으로 마주보고 있고, 상기 각 제1 전극부로부터 일정 거리 이격되어 배치되어 있는 복수의 제2 전극부를 포함한다. 이러한 플라즈마 화학 기상 증착 장치로 인해, 제작되는 기판의 개수가 2개 이상으로 플라즈마 화학 기상 증착 장치의 생산성이 향상된다.
PECVD, 플라즈마화학기상증착, VHF

Description

플라즈마 화학 기상 증착 장치 {PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS}
본 발명은 플라즈마 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다.
플라즈마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD) 장치는 태양 전지, 박막 트랜지스터 등에 이용되는 비정질 실리콘, 미세 결정 실리콘, 다결정 박막 실리콘, 질화 실리콘 등의 반도체막을 형성하거나 형성된 막의 일부를 식각하기 위해 사용된다.
이러한 PECVD 장치는 약 13.56MHz의 무선 주파수(radio frequency, RF)를 이용하지만, 성막 속도나 식각 속도와 같은 반응 속도와 막의 특성 등을 향상시키기 위해 약 27MHz 이상의 초고주파(very radio frequency, VRF)를 이용하기도 한다.
무선 주파수나 초고주파를 이용하는 PECVD 장치를 이용하여 원하는 기판에 막을 형성하거나 형성된 막을 식각할 때, 플라즈마 형성을 위한 방전 전극과 기판 간의 거리를 가능하면 좁게, 예를 들어 약 10mm 이하로 하여 반응 속도를 향상시켰다.
하지만, 방전 전극과 기판 간의 거리가 좁아질수록 반응 속도는 향상되지만, 방전 전극으로부터 배출되는 공정 가스의 불균일한 확산 정도 등에 의해 형성되는 막의 형성 정도나 식각 정도가 위치에 따라 달라지는 문제가 발생한다. 이로 인해, 기판과 방전 전극간의 거리가 가까울수록 반응 속도는 향상되지만 막 특성은 감소하여 PECVD 장치의 동작 성능이 떨어지는 문제가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 PECVD 장치의 성능을 향상시키기 위한 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 PECVD 장치의 생산성을 향상시키기 위한 것이다.
본 발명의 한 특징에 따른 플라즈마 화학 기상 증착 장치는 정해진 크기의 전원을 공급받고, 복수의 전극을 구비한 적어도 하나의 제1 전극부, 그리고 각 제1 전극부를 중심으로 마주보고 있고, 상기 각 제1 전극부로부터 일정 거리 이격되어 배치되어 있는 복수의 제2 전극부를 포함한다.
상기 제1 전극부와 상기 복수의 제2 전극부는 공정실의 세로 방향으로 배치되어 있는 것이 좋다.
상기 하나의 제1 전극부와 마주하는 상기 두 개의 제2 전극부의 각면에 기판이 배치되는 것이 바람직하다.
상기 일정 거리는 약 10㎜ 내지 50㎜일 수 있다.
상기 전원은 0˚ 내지 180˚의 위상차를 갖는 제1 전원 및 제2 전원을 포함할수 있다.
상기 제1 전력과 상기 제2 전력은 상기 복수의 전극의 일단에 교대로 인가되는 것이 바람직하다.
상기 제1 전원 및 상기 제2 전원에 기초하여 상기 제1 전극부의 각 전극에 공급되는 전력의 크기는 약 3kW 내지 10kW일 수 있다.
상기 제1 전원 또는 상기 제2 전력이 인가되지 않은 상기 제1 전극부의 복수의 전극의 타단은 플로팅(floating)되어 있거나 접지되어 있을 수 있다.
상기 제2 전극부는 히터부를 구비하는 것이 좋다.
상기 제1 전극부의 각 전극은 공정 가스가 통과하는 복수의 홀을 구비하는 것이 좋다.
상기 제1 전극부의 각 전극은 냉각제가 통과하는 홀을 더 구비할 수 있다.
상기 제1 전극부의 각 전극은 원통 형상 또는 다각 기둥 형상을 가질 수 있다.
상기 각 전극은 도전 물질로 이루어지고, 상기 각 전극의 표면은 절연 물질로 코팅된 구조를 가지는 것이 좋다.
상기 도전 물질은 산화 처리된(anodized) 알루미늄, SUS(steel special use stainless) 및 금속 물질 중 적어도 하나로 이루어지는 것이 좋다.
상기 절연 물질은 SiO2, Al2O3, ZiO2, 수정 및 테프론(teflon) 중 적어도 하 나로 이루어질 수 있다.
상기 제1 전극부는 2개 이상일 수 있다.
상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부는 교대로 배치되어 있고, 상기 제2 전극부의 개수가 상기 제1 전극부의 개수보다 1개 더 많은 것이 바람직하다.
상기 각 제1 전극부와 마주하는 상기 두 개의 제2 전극부의 각 면에 기판이 배치되는 것이 좋다.
상기 복수의 제2 전극부는 접지되어 있는 것이 좋다.
이러한 본 발명의 특징에 따르면, 제1 전극부에서 기판 간의 간격이 넓어지므로 성막 정도나 식각 정도의 균일도가 향상되며, 제작되는 기판의 개수가 증가하여 플라즈마 화학 기상 증착 장치의 생산성이 향상된다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 " 전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서에 기재된 "…부", "…기", "모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한 어떤 부분이 다른 부분 위에 "전체적"으로 형성되어 있다고 할 때에는 다른 부분의 전체 면(또는 전면)에 형성되어 있는 것뿐만 아니라 가장 자리 일부에는 형성되지 않은 것을 뜻한다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 실시예에 따른 PECVD 장치에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 PECVD 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 1에 도시한 것처럼, 본 발명의 한 실시예에 따른 PECVD 장치(1)는 공정 실(10) 내에 세로 방향으로, 즉 공정실(10)의 측면과 평행하게 배치된 방전 전극부(110), 방전 전극부(110)와 대향하게 방전 전극부(110)의 양측에 세로 방향으로 각각 배치된 복수의 접지 전극부(121)를 구비한다.
방전 전극부(110)는 공정실(10)의 거의 중앙 부근에 일직선(A)으로 배치되어 있고, 공정실(10)의 상부(11)에서 하부(12)까지 연장되어 있다.
방전 전극부(110)는 일자형인 복수의 방전 전극(111)을 구비한다. 도 1에서, 각 방전 전극(111)은 원형 형상을 갖는 전극봉이므로, 이하, '전극봉'이라고 칭한다. 하지만, 이와는 달리, 전극봉은 직사각형이나 정사각형의 사각 기둥과 같은 다각 기둥 형상과 같이 다양한 형상을 가질 수 있다.
각 전극봉(111)의 내부는 주입구(130)를 통해 외부로부터 주입되는 공정 가스가 전극봉(111)의 내부로 주입되는 공간을 구비하고 있다. 본 실시예에서, 각 전극봉(111)은 전극봉(111)의 길이 방향을 따라 물과 같은 냉각제가 주입되어 배출되는 냉각용 홀(도시하지 않은)이 적어도 하나 형성될 수 있다.
각 전극봉(111)에는 복수의 홀(112)이 형성되어 있다. 따라서 외부로부터 주입된 공정 가스는 홀(112)을 통해 공정실(10) 내부로 배출되어 방전 전극부(110)와 대향하고 있는 각 기판(140)쪽으로 확산된다.
도 1에서, 복수의 전극봉(111)은 하나의 주입구(130)를 통해 공정 가스를 주입 받지만, 이와는 달리, 복수의 전극봉(111)은 두 개 이상의 주입구를 통해 공정 가스를 주입 받을 수 있다. 예를 들어, 각 전극봉(111)마다 주입구가 연결되어 있거나, 하나의 주입구에 정해진 개수만큼의 전극봉(111)이 연결될 수 있다.
각 전극봉(111)은 도전 물질로 이루어지고, 그 표면은 세라믹(ceramic) 물질을 이용한 세라믹 코팅(ceramic coating)과 같이 절연 물질 등으로 코팅되어 있다. 이때, 절연 물질의 코팅 두께는 수십㎛에서 수백㎛로서, 전극봉(111)의 플라즈마 생성 동작에 영향을 미치지 않은 두께면 상관없다. 도전 물질의 예는 산화 처리된(anodized) 알루미늄, SUS(steel special use stainless), 또는 금속 물질 등일 수 있고, 절연 물질은 SiO2, Al2O3, ZiO2, 수정, 테프론(teflon) 등일 수 있다. 이로 인해, 공정실(10) 내부에 형성된 플라즈마로 인해 각 전극봉(111)이 손상되는 것을 방지한다. 이에 더하여, 플라즈마로 인해 각 전극봉(111)의 표면에 부착된 물질이 기판(140)쪽으로 떨어져 기판(140)이 오염되는 것이 방지된다.
이러한 방전 전극부(110)는 정해진 시간마다 정해진 위상차를 갖는 두 개의 전원을 인가받아 해당 크기의 전력을 공급받는다. 이때, 인가되는 전력의 크기는 약 3 내지 10kW일 수 있고, 전력간의 위상 차는 약 0 내지 180˚일 수 있다.
방전 전극부(110)의 양측면에는 각각 하나의 접지 전극부(121)가 일정 거리를 두고 배치되어 있다. 이들 접지 전극부(121)는 방전 전극부(110)를 중심으로 하여 측면에 각각 배치되어 있고, 금속등과 같은 도전 물질로 이루어져 접지되어 있다. 또한 각 접지 전극부(121)는 내부에 히터를 구비하고 있다. 따라서 금속 등과 같은 도전 물질로 이루어진 케이스에 히터를 내장한 후 접지되어 있다. 각 접지 전극부(121)의 접지로 인해, 대향하는 방전 전극부(110)의 전위 상태에 따라 접지 전극부(121)의 전위가 변하지 않고 안정적으로 고정되어, 공정실 벽면과 접지 전극 부(121) 사이와 같은 불필요한 곳에 발생될 수 있는 플라즈마의 생성을 방지한다. 하지만 대안적으로, 접지 전극부(121)를 플로팅될 수 있다.
방전 전극부(110)와 각 접지 전극부(121) 간의 거리는 서로 동일하며, 약 10nm 내지 50nm일 수 있다.
각 접지 전극부(121)는 열을 발생한다. 이때, 각 접지 전극부(121)의 동작에 의해 공정실(10)의 온도는 약 200℃까지 상승한다.
도 1에 도시하지 않았지만, 공정실(10)은 공정실 내부의 압력을 일정 상태로 유지하기 위한 배기구를 적어도 하나 구비하고 있다.
다음, 도 2를 참고로 하여 PECVD 장치의 구동부에 대하여 설명한다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 PECVD 장치의 구동부에 대한 블록도이다.
도 2에 도시한 것처럼, 본 발명의 한 실시예에 따른 PECVD 장치의 구동부는 위상 시프터(phase shifter)(210), 위상 시프트(210)에 연결된 제1 전원 공급부 (221), 제1 전원 공급부(221)에 연결된 제1 정합(impedance matching)부 (222), 제1 정합부(222)에 연결된 제1 전력 분배부(223), 위상 시프트(210)에 연결된 제2 전원 공급부(231), 제2 전원 공급부(231)에 연결된 제2 정합부(232), 그리고 제2 정합부(232)에 연결된 제2 전력 분배부(233)를 구비한다.
위상 시프터(210)는 제1 전원 공급부(221)와 제2 전원 공급부(231)에서 각각 출력되는 전원의 위상치가 0 내지 180˚가 되도록 제1 전원 공급부(221)와 제2 전원 공급부(231)의 동작을 제어한다.
제1 및 제2 전원 공급부(221, 231)는 위상 시프터(210)의 동작에 의해 정해진 위상차를 갖는 동일한 크기의 전원을 각각 인가하여 방전 전극부110)에 해당 크기의 전력을 각각 공급한다.
제1 및 제2 정합부(222, 232)는 각각 입력단과 출력단간의 임피던스(impedance) 차이를 조정하여 제1 및 제2 전원 공급부(221, 231)로부터 인가되는 전원이 효율적으로 방전 전극부(110)로 인가될 수 있도록 한다.
제1 전력 분배부(223)와 제2 전력 분배부(233)는 서로 이웃하는 전극봉(111)의 일단에 연결되어 있다. 예들 들어, 제1 전력 분배부(223)가 홀수 번째 전극봉(111)의 일단에 연결되어 있으면, 제2 전력 분배부(233)는 짝수 번째 전극봉(111)의 일단에 연결되어 있고, 반대로, 제1 전력 분배부(223)가 짝수 번째 전극봉(111)의 일단 연결되어 있으면, 제2 전력 분배부(233)는 홀수 번째 전극봉(111)의 일단에 연결되어 있다. 도 2에서, 제1 및 제2 전력 분배부(223, 233)에 연결되어 있지 않은 전극봉(111)의 타단은 플로팅(floating)되어 있지만 이와는 달리 접지되어 있을 수 있다. 전극봉(111)의 타단이 접지되어 있을 경우, 각 전극봉(111)에 전류가 흘러, 전극봉(111) 주위에 자기장이 형성되며, 이로 인해 유도 결합된 플라즈마(inductive coupled plasma)가 형성되어 플라즈마 밀도를 높일 수 있다.
이러한 제1 및 제2 전력 분배부(223, 233)는 해당 제1 또는 제2 전원 공급부(221, 231)와 각 연결된 전극봉(111)간의 거리 차이를 동일하게 보상하여 제1 또는 제2 전원 공급부(221, 231)와 각 연결된 전극봉(111) 간의 전원 공급 거리가 동일하도록 한다. 이로 인해, 제1 또는 제2 전원 공급부(221, 231)와 각 전극 봉(111) 간의 거리 차이로 인한 전원 공급 인가 시간 차이나 위상 차이로 인한 오동작을 방지한다.
이러한 구조를 갖는 PECVD 장치의 동작에 대하여 도 1 및 도 2를 참고로 하여 설명한다.
먼저, 제1 및 제2 전원 공급부(221, 231)는 정해진 크기의 전원을 출력한다. 즉, 제1 전원 공급부(221)는 제1 전원을 출력하고, 제2 전원 공급부(231)는 제2 전원을 출력한다. 출력된 제1 및 제2 전원은 제1 및 제2 정합부(222, 232)에 각각 입력되어 임피던스 정합이 이루어진 후, 제1 및 전력 전력 분배부(223, 233)를 거쳐 각 연결된 전극봉(111)의 일측단에 인가되어 해당 크기의 전력을 해당 전극봉(111)에 공급한다. 본 실시예에서, 제1 및 제2 전원의 주파수는 무선 주파수 내지 초고주파수일 수 있다
이와 같이, 서로 인접한 전극봉(111)에 정해진 크기의 위상차를 갖는 전원이 인가되어 해당 크기의 전력이 인접한 전극봉(111)에 공급됨에 따라 전극봉(111) 사이 및 전극봉(111)과 기판(140) 사이에 플라즈마가 생성된다.
본 실시예에서, 서로 인접한 전극봉(111)에 인가되는 전력 크기는 서로 동일하지만 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 각 전극봉(111)에 인가되는 전력의 크기는 약 3 내지 10kW의 범위를 가질 수 있다. 이때, 제1 및 제2 전원 공급부(221, 231)에서 출력되는 제1 및 제2 전원의 크기는 생성하고자 하는 플라즈마 밀도에 따라 달라질 수 있다. 또한, 본 실시예에서, 제1 및 제2 전원 공급부(221, 231)에서 출력되는 제1 및 제2 전원의 위상차는 약 0 내지 180˚를 갖는다. 예를 들어, 플라 즈마 형성 위치에 따라 제1 및 제2 전원 공급부(221, 231)에서 출력되는 제1 및 제2 전원의 위상차가 달라진다. 한 예로서, 제1 및 제2 전원 공급부(221, 231)에서 출력되는 제1 및 제2 전원의 위상 차가 0˚일 때, 플라즈마는 전극봉(111)의 가운데 부분에 형성된다. 이때, 플라즈마는 전극봉(111)에 대해 수직 방향으로 형성된다. 이런 상태에서, 제1 및 제2 전원의 위상차 크기에 따라 플라즈마 형성 위치가 이동한다.
플라즈마의 형성 위치가 어느 한 부분에 고정되어 있을 경우, 플라즈마가 형성된 부분에서 공정 가스의 분해 동작은 더욱 활발해져, 플라즈마가 형성된 부분과 그렇지 않은 부분에서의 공정 속도가 다르게 된다. 이로 인해, 기판(140) 위에 형성되는 막의 두께나 식각 정도가 서로 달라지게 된다. 따라서, 본 실시예에서 제1 및 제2 전원간의 위상차를 정해진 시간주기로 변경하여 프라즈마 형성 위치를 주기적으로 변경하므로, 위치에 무관하게 균일하게 플라즈마가 형성된다.
따라서, 진공 상태의 공정실(10)에 막을 적층하거나 식각하기 위한 공정 가스가 주입되면, 생성되는 플라즈마와 열에 의해 공정 가스가 분해되어 기판(140) 위에 막이 형성되거나 원하는 부분이 제거된다. 이때, 기판(140)은 반도체, 유리, 금속과 같은 기판이나 또는 플라스틱과 같은 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다.
이미 설명한 것처럼, 제1 및 제2 전원의 위상차에 따라 플라즈마의 형성 위치가 바뀌므로, 기판(140) 전면에 형성되는 막의 두께나 식각 정도가 균일하게 이루어진다.
더욱이, 기판(140)과 방전 전극부(110) 간의 거리가 약 10㎜ 내지 50mm로 약 7.5mm 정도인 종래보다 넓기 때문에, 각 전극봉(111)에서 배출되는 공정 가스의 확산 범위 또한 넓어져 형성되는 막의 두께나 식각 정도의 균일도가 종래보다 향상된다. 또한 기판(140)과 방전 전극부(110)간의 거리가 증가함에 따라, 방전 전극부(110)의 동작으로 발생하는 열이 기판(140)에 미치는 영향력이 감소하여, 전극봉(111)을 냉각하기 위한 냉각용 도관과 같은 별도의 냉각 장치를 제거하거나 냉각 장치의 구조를 간소화한다.
본 실시예에 따른 PECVD 장치의 경우, 방전 전극부(110)를 중심으로 양측에 기판(140)이 배치되는 접지 전극부(121)가 놓여지므로, 한번의 공정으로 두 개의 기판(140)을 처리할 수 있어 생산성이 향상된다.
또한, 기판(140)과 방전 전극부(110) 간의 거리가 약 10㎜ 내지 50mm로 넓으므로, 공정 가스의 확산 분포 범위가 넓어져 성막 정도나 식각 정도의 균일도가 향상된다.
다음, 도 3을 참고로 하여, 본 발명의 한 실시예에 따른 PECVD 장치의 다른 예를 설명한다. 도 1을 참고로 하여 설명한 PECVD 장치(1)와 같은 기능을 행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고 그에 대한 자세한 설명도 생략한다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 PECVD 장치의 다른 예에 대한 개략적인 사시도이다.
도 3을 참고로 하면, 본 실시예의 예에 따른 PECVD 장치(1a)는, 도 1에 도시한 PECVD 장치(1)와 유사하게, 공정실(10) 내부에 방전 전극부(110)와 접지 전극 부(121)를 구비한다.
하지만, 도 1에 도시한 것과는 달리, 본 예에서, 방전 전극부(110)의 개수는 두 개이며, 각 방전 전극부(110)에는 별도의 주입구(130)가 연결되어 있다. 또한 두 개의 방전 전극부(110) 사이에 하나의 접지 전극부(121)가 배치되어 있다. 즉, 방전 전극부(110)와 접지 전극부(121)가 교대로 배치되어 있고, 방전 전극부(110)의 개수보다 접지 전극부(121)의 개수가 1개 더 많다. 이때, 방전실(10)의 최좌측부와 최우측부인 최외각부에 바로 인접하게 배치된 접지 전극부(121)를 제외하고, 나머지 접지 전극부(121)의 양면에 각각 기판(140)이 배치된다. 즉, 두 개의 방전 전극부(110) 사이에 배치된 하나의 접지 전극부(121)의 양면에 기판(140)이 각각 배치되어 있다. 결국, 하나의 방전 전극부(110)와 마주하는 두 개의 접지 전극부(121)의 각 면에 기판(140)이 배치되게 된다. 따라서, 도 3의 경우, 한번의 공정으로 제작되는 기판(140)의 개수는 4장이 되어, 기판 제작 속도가 향상된다.
도 3에 도시한 PECVD 장치(1a)는 하나의 공정실(10)에 두 개의 방전 전극부(110)와 세 개의 접지 전극부(121)를 구비하고 있지만, 이와는 달리 한번의 공정으로 제작하고자 하는 기판(140)의 개수에 따라 하나의 공정실(10)에 세 개 이상의 방전 전극부(110)와 네 개 이상의 접지 전극부(121)를 구비할 수 있다. 이 경우에도 방전 전극부(110)와 접지 전극부(121)는 교대로 배치되어 있고, 방전 전극부(110)의 개수보다 접지 전극부(121)의 개수가 1개 더 많다.
이때, 각 방전 전극부(110)의 동작을 위해, 정해진 위상차를 갖고 각 연결된전극봉(111)에 제1 및 제2 전원을 공급하는 PECVD 구동부는 도 2에 도시한 것과 동 일하며, 각 방전 전극부(110)를 구동시켜 대응하는 접지 전극부(121) 사이에 플라즈마를 생성하는 동작 또한 도 2를 참고로 하여 설명한 것과 동일하므로, 이에 대한 자세한 설명은 생략한다.
도 3을 참고로 하여 설명한 PECVD 장치는 기판(140)과 방전 전극부(110) 간의 거리가 넓어져 성막 정도나 식각 정도의 균일도가 되며, 이에 더하여, 하나의 공정실(1a)에서 제작되는 기판(140)의 개수는 3개 이상이므로, 기판 제작 속도는 더욱 향상된다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 PECVD 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 PECVD 장치의 구동부에 대한 블록도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 PECVD 장치의 다른 예에 대한 개략적인 사시도이다.

Claims (19)

  1. 정해진 크기의 전원을 공급받고, 복수의 전극을 구비한 적어도 하나의 제1 전극부; 그리고
    각 제1 전극부를 중심으로 마주보고 있고, 상기 각 제1 전극부로부터 일정 거리 이격되어 배치되어 있는 복수의 제2 전극부;를 포함하되,
    상기 제1 전극부는 2개 이상이고, 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부는 교대로 배치되어 있고, 상기 제2 전극부의 개수가 상기 제1 전극부의 개수보다 1개 더 많은 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 제1 전극부와 상기 복수의 제2 전극부는 공정실의 세로 방향으로 배치되어 있는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 하나의 제1 전극부와 마주하는 상기 복수의 제2 전극부의 각 면에 기판이 배치되는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 일정 거리는 10㎜ 내지 50㎜인 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
  5. 제1항에서,
    상기 전원은 0 내지 180˚의 위상차를 갖는 제1 전원 및 제2 전원을 포함하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 제1 전원과 상기 제2 전원은 상기 제1 전극부의 복수의 전극의 일단에 교대로 인가되는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 제1 전원 및 상기 제2 전원에 기초하여 상기 제1 전극부의 각 전극에 공급되는 전력의 크기는 3kW 내지 10kW인 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
  8. 제6항에서,
    상기 제1 전원 또는 상기 제2 전원이 인가되지 않은 상기 제1 전극부의 복수의 전극의 타단은 플로팅(floating)되어 있거나 접지되어 있는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
  9. 제1항에서,
    상기 제2 전극부는 히터부를 구비한 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
  10. 제1항에서,
    상기 제1 전극부의 각 전극은 공정 가스가 통과하는 복수의 홀을 구비하고 있는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
  11. 제10항에서,
    상기 제1 전극부의 각 전극은 냉각제가 통과하는 홀을 더 구비하고 있는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
  12. 제1항에서,
    상기 제1 전극부의 각 전극은 원통 형상 또는 다각 기둥 형상을 갖는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
  13. 제12항에서,
    상기 각 전극은 도전 물질로 이루어지고, 상기 각 전극의 표면이 절연 물질로 코팅된 구조를 갖는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
  14. 제13항에서,
    상기 도전 물질은 산화 처리된(anodized) 알루미늄, SUS(steel special use stainless) 및 금속 물질 중 적어도 하나로 이루어진 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
  15. 제13항에서,
    상기 절연 물질은 SiO2, Al2O3, ZiO2, 수정 및 테프론(teflon) 중 적어도 하나로 이루어진 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 제1항에서,
    상기 각 제1 전극부와 마주하는 상기 복수의 제2 전극부의 각 면에 기판이 배치되는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
  19. 제1항에서,
    상기 복수의 제2 전극부는 접지되어 있는 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
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