KR20090079696A - 선형 안테나를 구비한 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

선형 안테나를 구비한 플라즈마 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20090079696A
KR20090079696A KR1020080005854A KR20080005854A KR20090079696A KR 20090079696 A KR20090079696 A KR 20090079696A KR 1020080005854 A KR1020080005854 A KR 1020080005854A KR 20080005854 A KR20080005854 A KR 20080005854A KR 20090079696 A KR20090079696 A KR 20090079696A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
linear
antennas
thickness
reaction chamber
dielectric
Prior art date
Application number
KR1020080005854A
Other languages
English (en)
Inventor
박경배
김홍범
염근영
이형철
이상윤
류명관
김태상
권장연
손경석
정지심
Original Assignee
삼성전자주식회사
성균관대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020080005854A priority Critical patent/KR20090079696A/ko
Publication of KR20090079696A publication Critical patent/KR20090079696A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183—Matching circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/36—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
    • H01Q1/364—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith using a particular conducting material, e.g. superconductor
    • H01Q1/366—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith using a particular conducting material, e.g. superconductor using an ionized gas
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/2406—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/4645—Radiofrequency discharges
    • H05H1/4652—Radiofrequency discharges using inductive coupling means, e.g. coils
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H2242/00—Auxiliary systems
    • H05H2242/20—Power circuits

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

선형 안테나를 구비한 플라즈마 처리 장치가 개시된다. 개시된 플라즈마 처리 장치는, 반응 챔버와, 반응 챔버의 내부 하측에 설치되어 처리될 기판을 지지하는 기판 지지대와, 플라즈마를 발생시키는 전기장을 유도하는 것으로 반응 챔버의 내부 상측에 서로 평행하게 이격 설치된 다수의 선형 안테나와, 다수의 선형 안테나에 연결되어 다수의 선형 안테나에 RF 파워를 공급하는 RF 전원과, 다수의 선형 안테나 각각을 둘러싸는 유전체를 구비한다. 상기 유전체는 다수의 선형 안테나 각각의 RF 파워 입력단으로부터 접지단 쪽으로 가면서 점차 두께가 얇아지도록 형성된다.

Description

선형 안테나를 구비한 플라즈마 처리 장치{Plasma treatment apparatus having linear antenna}
본 발명은 선형 안테나를 구비한 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 선형 안테나를 둘러싸는 유전체의 두께를 변화시켜 플라즈마 밀도의 균일성을 향상시킨 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
현재 반도체 소자나 평판 디스플레이 장치(flat display panel)의 제조를 위한 기판의 미세가공 공정에는 플라즈마를 응용한 기술이 많이 이용되고 있다. 즉, 플라즈마는 반도체 소자 제조용 웨이퍼와 LCD(liquid crystal display)와 같은 평판 디스플레이 장치 제조용 기판의 표면을 식각하거나 그 표면상에 소정의 물질막을 증착하는데 널리 사용되고 있다. 이에 따라, 각각의 공정에 적합한 플라즈마 처리 장치의 개발은 반도체 소자 및 평판 디스플레이 장치의 제조와 이에 필요한 장치의 개발에 있어 핵심적인 요소가 되고 있다.
이러한 플라즈마 처리 장치로는 여러 종류가 있으나, 이 중에서 유도결합형 플라즈마(ICP; inductively coupled plasma) 처리 장치가 현재 가장 많이 이용되고 있다. 유도결합형 플라즈마 처리 장치는, 반응 챔버와, 반응 챔버의 내부에 플라즈 마를 발생시키기 위한 전기장을 유도하는 안테나를 구비하고 있다. 반응 챔버의 상부에는 유전체 윈도우가 설치되어 있으며, 유전체 윈도우의 상부에 일반적으로 나선형 또는 원형의 안테나가 배치된다. 즉, 안테나는 유전체 윈도우에 의해 플라즈마가 발생되는 반응 챔버 내부로부터 격리되어 있다.
반도체 소자 제조 공정의 효율을 올리기 위하여 반도체 소자의 제조에 사용되는 웨이퍼의 크기도 대구경화 되고 있으며, 평판 디스플레이 장치도 대형화됨에 따라 이의 제조에 사용되는 기판의 면적도 점차 넓어지고 있다. 이에 따라, 웨이퍼 또는 기판의 미세가공을 위한 플라즈마 처리 장치도 대형화되고 있다.
그런데, 종래의 유도결합형 플라즈마 처리 장치에 있어서는 반응 챔버의 크기가 대형화됨에 따라 안테나와 반응 챔버 내부를 격리시켜주는 유전체 윈도우의 넓이와 두께가 매우 커지게 된다. 이로 인해, 장치의 제조 비용이 상승하게 되고, 안테나와 플라즈마 사이의 거리가 멀어지기 때문에 효율성이 떨어지는 문제점이 있다.
최근, 반응 챔버 내부에 다수의 선형 안테나를 설치한 구조를 가짐으로써 대형화가 용이한 플라즈마 처리 장치가 소개되고 있다. 그러나, 이러한 플라즈마 처리 장치에 있어서도, 선형 안테나의 길이가 길어지게 되면, 선형 안테나의 RF 파워 입력단으로부터 접지단쪽으로 가면서 반응 챔버 내부로 전달되는 RF 파워가 변하게 되고, 이에 따라 생성되는 플라즈마 밀도가 균일하지 못하게 되는 단점이 있다.
본 발명은, 선형 안테나 둘레를 둘러싸는 유전체의 두께를 변화시켜 플라즈마 밀도의 균일성을 향상시킨 플라스마 처리 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치는,
반응 챔버; 상기 반응 챔버의 내부 하측에 설치되어 처리될 기판을 지지하는 기판 지지대; 플라즈마를 발생시키는 전기장을 유도하는 것으로, 상기 반응 챔버의 내부 상측에 서로 평행하게 이격 설치된 다수의 선형 안테나; 상기 다수의 선형 안테나에 연결되어 상기 다수의 선형 안테나에 RF 파워를 공급하는 RF 전원; 및 상기 다수의 선형 안테나 각각을 둘러싸는 것으로, 상기 다수의 선형 안테나 각각의 RF 파워 입력단으로부터 접지단 쪽으로 가면서 점차 두께가 얇아지도록 된 유전체;를 구비한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 다수의 선형 안테나 중 홀수번째 배치된 안테나들은 상기 RF 전원에 병렬로 연결되고, 짝수번째 배치된 안테나들은 제2의 RF 전원에 병렬로 연결될 수 있다.
그리고, 상기 홀수번째 배치된 안테나들은 상기 반응 챔버의 일측 외부에서 콤(comb) 형상으로 연결되고, 상기 짝수번째 배치된 안테나들은 상기 반응 챔버의 타측 외부에서 콤 형상으로 연결될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 다수의 선형 안테나 중 서로 인접한 두 개의 선형 안테나끼리 쌍을 이루며, 쌍을 이루는 두 개의 선형 안테나는 상기 반응 챔버의 외부에서 "U"자 형상의 연결부재에 의해 서로 연결될 수 있다.
그리고, 쌍을 이루는 두 개의 선형 안테나 중 상기 RF 파워 입력단을 가진 선형 안테나를 둘러싸는 유전체는 상기 RF 파워 입력단으로부터 상기 연결부재쪽으로 가면서 점차 두께가 얇아지고, 상기 접지단을 가진 선형 안테나를 둘러싸는 유전체는 상기 연결부재로부터 상기 접지단쪽으로 가면서 점차 두께가 얇아질 수 있다.
이 경우, 상기 RF 파워 입력단을 가진 선형 안테나를 둘러싸는 유전체의 상기 RF 파워 입력단에 인접한 부분의 두께를 t1, 상기 연결부재에 인접한 부분의 두께를 t2라 하고, 상기 접지단을 가진 선형 안테나를 둘러싸는 유전체의 상기 연결부재에 인접한 부분의 두께를 t3, 상기 접지단에 인접한 부분의 두께를 t4라 할 때, 상기 유전체들의 두께는 t1 > t2 ≥ t3 > t4의 조건을 만족할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 안테나 쌍들은 상기 RF 전원에 병렬로 연결될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 있어서, 상기 유전체는 관 형상을 가질 수 있으며, 이 경우 그 두께는 1mm ~ 10mm 범위 내에서 변할 수 있다.
한편, 상기 유전체는 상기 안테나의 표면에 코팅될 수 있으며, 이 경우 그 두께는 수 ㎛ ~ 1mm 범위 내에서 변할 수 있다.
그리고, 상기 다수의 선형 안테나와 상기 RF 전원 사이에는 정합 회로가 연결될 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하면서 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치의 실시예들을 상세히 설명한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 가리킨다.
도 1과 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 도시한 단면도와 사시도이다.
도 1과 도 2를 함께 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치는, 반응 챔버(110)와, 상기 반응 챔버(110)의 내부 하측에 설치되어 처리될 기판을 지지하는 기판 지지대(120)와, 상기 반응 챔버(110)의 내부 상측에 설치되어 플라즈마를 발생시키는 전기장을 유도하는 다수의 선형 안테나(132)와, 상기 다수의 선형 안테나(132)에 연결되어 상기 다수의 선형 안테나(132)에 RF 파워를 공급하는 RF 전원(138)을 구비한다.
상기 반응 챔버(110)는 대략 육면체의 형상을 가질 수 있으며, 그 내부는 진공상태로 유지된다. 이를 위해, 반응 챔버(110)의 바닥벽에는 진공 펌프(128)에 연결되는 배기구(126)가 형성될 수 있다.
상기 기판 지지대(120)는 상하 이동이 가능하도록 반응 챔버(110)에 설치될 수 있으며, 상기 기판 지지대(120)에는 바이어스 전원(124)이 연결될 수 있다. 상기 바이어스 전원(124)은 다수의 선형 안테나(132)에 의해 생성된 플라즈마가 기판 지지대(120) 쪽으로 이동할 수 있도록 기판 지지대(120)에 바이어스 전압을 제공하는 역할을 하게 된다. 이러한 바이어스 전원(124)으로는 RF 전원이 사용될 수 있으 며, 이 경우 RF 파워의 전달 효율을 높이기 위해, 바이어스 전원(124)과 기판 지지대(120) 사이에 정합 회로(matching network, 122)가 마련될 수 있다.
상기 다수의 선형 안테나(132)는 RF 전원(138)으로부터 RF 파워를 공급받아 전기장을 유도함으로써 플라즈마를 발생시키는 작용을 하는 것이다. 상기 다수의 선형 안테나(132)는 반응 챔버(110)의 내부 상측에 서로 평행하게 배치되면서, 서로 일정 간격 이격된다.
상기 다수의 선형 안테나(132)는 각각 유전체(142)에 의해 둘러싸인다. 상기 유전체(142)는 선형 안테나(132)를 플라즈마로부터 보호하는 작용을 하게 된다. 상기 유전체(142)는 석영 또는 세라믹으로 이루어질 수 있다.
상기한 바와 같이, 상기 선형 안테나(132)에는 RF 전원(138)으로부터 RF 전력이 공급된다. 이때, RF 전력의 전달 효율을 높이기 위해, RF 전원(138)과 선형 안테나(132)는 정합 회로(Matching network, 136)를 통해 연결될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 다수의 선형 안테나(132) 중 홀수번째 배치된 안테나들(132)은 정합 회로(136)를 통해 상기 RF 전원(138)에 병렬로 연결되고, 짝수번째 배치된 안테나들(132)은 제2의 정합 회로(136')를 통해 제2의 RF 전원(138')에 병렬로 연결될 수 있다. 구체적으로, 다수의 선형 안테나(132) 각각의 일단부는 RF 전원(138) 또는 제2의 RF 전원(138')에 연결되고, 각각의 타단부는 접지된다. 그리고, 상기 홀수번째 배치된 안테나들(132)은 반응 챔버(110)의 일측 외부에서 콤(comb) 형상으로 연결될 수 있으며, 상기 짝수번째 배치된 안테나들(132)은 반응 챔버(110)의 타측 외부에서 콤 형상으로 연결될 수 있다.
다시 도 1과 도 2를 함께 참조하면, 상기한 바와 같이, 다수의 선형 안테나(132) 각각은 상기 RF 전원(138, 138')에 연결된 RF 파워 입력단(132a)과 접지된 접지단(132b)을 가진다. 상기 선형 안테나(132)를 둘러싸는 상기 유전체(142)는 다수의 선형 안테나(132) 각각의 RF 파워 입력단(132a)으로부터 접지단(132b) 쪽으로 가면서 점차 두께가 얇아지도록 형성된다. RF 파워는 상기 선형 안테나(132)의 RF 파워 입력단(132a)으로부터 접지단(132b)쪽으로 가면서 점차 낮아지게 되지만, 상기한 바와 같이 유전체(142)의 두께를 변화시키면, 실질적으로 반응 챔버(110) 내부로 전달되어 플라즈마를 생성하는 RF 파워는 선형 안테나(132)의 길이 전체에 걸쳐 균일하게 될 수 있다.
도 4는 RF 파워와 유전체의 두께에 따른 이온 밀도의 변화를 보여주는 그래프이다.
도 4의 그래프를 보면, RF 파워가 낮아질수록 이온 밀도가 감소하게 되지만, 석영으로 이루어진 유전체의 두께가 얇아지게 되면, 이온 밀도가 증가하는 것을 알 수 있다.
상기한 바와 같이, 선형 안테나(132)의 RF 파워 입력단(132a)으로부터 멀어질수록 RF 파워는 낮아지지만, 이는 유전체(142)의 두께를 얇게 함으로써 보상될 수 있으며, 이에 따라 기판 지지대(120) 상의 기판에 도달하는 플라즈마 밀도의 균일성이 향상될 수 있는 것이다.
상기 유전체(142)는 석영 또는 세라믹으로 제조된 관 형상을 가질 수 있으며, 이 관 내부에 상기 안테나(132)가 삽입될 수 있다. 이 경우, 상기 유전체(142) 의 두께는 대략 1mm ~ 10mm 범위 내에서 변할 수 있다.
한편, 상기 유전체(142)는 상기 안테나(132)의 표면에 소정의 유전물질을 코팅함으로써 형성될 수도 있으며, 이 경우 상기 유전체(142)의 두께는 수 ㎛ ~ 1mm 범위 내에서 변할 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 도시한 사시도이다.
도 3을 참조하면, 다수의 선형 안테나(232, 234) 중 서로 인접한 두 개의 선형 안테나(232, 234)끼리 쌍을 이루며, 각각의 쌍을 이루는 두 개의 선형 안테나(232, 234)는 반응 챔버(110)의 외부에서 "U"자 형상의 연결부재(233)에 의해 서로 연결될 수 있다. 이와 같이 각각 두 개의 선형 안테나(232, 234)로 이루어진 안테나 쌍들의 일단부들은 RF 전원(138)에 병렬로 연결되고, 타단부들은 접지된다. 따라서, 각각의 쌍을 이루는 두 개의 선형 안테나(232, 234) 중 하나의 선형 안테나(232)는 RF 파워 입력단(232a)을 가지고, 다른 하나의 선형 안테나(234)는 접지단(234b)을 가진다.
상기 RF 파워 입력단(232a)을 가진 선형 안테나(232)를 둘러싸는 유전체(242)는 상기 RF 파워 입력단(232a)으로부터 상기 연결부재(233)쪽으로 가면서 점차 두께가 얇아지도록 형성되며, 상기 접지단(234b)을 가진 선형 안테나(234)를 둘러싸는 유전체(244)는 상기 연결부재(233)로부터 상기 접지단(234b)쪽으로 가면서 점차 두께가 얇아지도록 형성될 수 있다.
이때, 상기 RF 파워 입력단(232a)을 가진 선형 안테나(232)를 둘러싸는 유전 체(242)의 상기 RF 파워 입력단(232a)에 인접한 부분의 두께를 t1, 상기 연결부재(233)에 인접한 부분의 두께를 t2라 하고, 상기 접지단(234b)을 가진 선형 안테나(234)를 둘러싸는 유전체(244)의 상기 연결부재(233)에 인접한 부분의 두께를 t3, 상기 접지단(234b)에 인접한 부분의 두께를 t4라 할 때, 상기 유전체(242, 244)의 두께는 t1 > t2 ≥ t3 > t4의 조건을 만족하도록 할 수 있다.
쌍을 이루는 두 개의 선형 안테나(232, 234)의 RF 파워 입력단(232a)으로부터 접지단(234b)까지 가면서 RF 파워는 점차 낮아지지만, 이는 상기한 바와 같이 RF 파워 입력단(232a)으로부터 접지단(234b)쪽으로 가면서 점차 두께가 얇아지는 유전체(242, 244)에 의해 보상될 수 있다. 따라서, 전술한 실시예에서의 효과와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
본 발명은 개시된 실시예들을 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 도시한 사시도이다.
도 4는 RF 파워와 유전체의 두께에 따른 이온 밀도의 변화를 보여주는 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110...반응 챔버 120...기판 지지대
122...정합 회로 124...바이어스 전원
126...배기구 128...진공 펌프
132,232,234...안테나 132a,232a...RF 파워 입력단
132b,234b...접지단 142,242,244...유전체
136,136'...정합 회로 138,138'...RF 전원
233...연결부재

Claims (10)

  1. 반응 챔버;
    상기 반응 챔버의 내부 하측에 설치되어 처리될 기판을 지지하는 기판 지지대;
    플라즈마를 발생시키는 전기장을 유도하는 것으로, 상기 반응 챔버의 내부 상측에 서로 평행하게 이격 설치된 다수의 선형 안테나;
    상기 다수의 선형 안테나에 연결되어 상기 다수의 선형 안테나에 RF 파워를 공급하는 RF 전원; 및
    상기 다수의 선형 안테나 각각을 둘러싸는 것으로, 상기 다수의 선형 안테나 각각의 RF 파워 입력단으로부터 접지단 쪽으로 가면서 점차 두께가 얇아지도록 된 유전체;를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 다수의 선형 안테나 중 홀수번째 배치된 안테나들은 상기 RF 전원에 병렬로 연결되고, 짝수번째 배치된 안테나들은 제2의 RF 전원에 병렬로 연결된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 홀수번째 배치된 안테나들은 상기 반응 챔버의 일측 외부에서 콤(comb) 형상으로 연결되고, 상기 짝수번째 배치된 안테나들은 상기 반응 챔버의 타측 외부에서 콤 형상으로 연결된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 다수의 선형 안테나 중 서로 인접한 두 개의 선형 안테나끼리 쌍을 이루며, 쌍을 이루는 두 개의 선형 안테나는 상기 반응 챔버의 외부에서 "U"자 형상의 연결부재에 의해 서로 연결된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    쌍을 이루는 두 개의 선형 안테나 중 상기 RF 파워 입력단을 가진 선형 안테나를 둘러싸는 유전체는 상기 RF 파워 입력단으로부터 상기 연결부재쪽으로 가면서 점차 두께가 얇아지고, 상기 접지단을 가진 선형 안테나를 둘러싸는 유전체는 상기 연결부재로부터 상기 접지단쪽으로 가면서 점차 두께가 얇아지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 RF 파워 입력단을 가진 선형 안테나를 둘러싸는 유전체의 상기 RF 파워 입력단에 인접한 부분의 두께를 t1, 상기 연결부재에 인접한 부분의 두께를 t2라 하고, 상기 접지단을 가진 선형 안테나를 둘러싸는 유전체의 상기 연결부재에 인접한 부분의 두께를 t3, 상기 접지단에 인접한 부분의 두께를 t4라 할 때, 상기 유전 체들의 두께는 t1 > t2 ≥ t3 > t4의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  7. 제 4항에 있어서,
    상기 안테나 쌍들은 상기 RF 전원에 병렬로 연결된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 유전체는 관 형상을 가지며, 그 두께는 1mm ~ 10mm 범위 내에서 변하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 유전체는 상기 안테나의 표면에 코팅되고, 그 두께는 수 ㎛ ~ 1mm 범위 내에서 변하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 다수의 선형 안테나와 상기 RF 전원 사이에는 정합 회로가 연결된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
KR1020080005854A 2008-01-18 2008-01-18 선형 안테나를 구비한 플라즈마 처리 장치 KR20090079696A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080005854A KR20090079696A (ko) 2008-01-18 2008-01-18 선형 안테나를 구비한 플라즈마 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080005854A KR20090079696A (ko) 2008-01-18 2008-01-18 선형 안테나를 구비한 플라즈마 처리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090079696A true KR20090079696A (ko) 2009-07-22

Family

ID=41290853

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080005854A KR20090079696A (ko) 2008-01-18 2008-01-18 선형 안테나를 구비한 플라즈마 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20090079696A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150068307A (ko) * 2013-12-11 2015-06-19 가부시키가이샤 에스이엔 안테나커버 및 이를 이용한 플라즈마 발생장치
JP2018156864A (ja) * 2017-03-17 2018-10-04 日新電機株式会社 プラズマ処理装置
GB2590612A (en) * 2019-12-16 2021-07-07 Dyson Technology Ltd Method and apparatus for use in generating plasma

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150068307A (ko) * 2013-12-11 2015-06-19 가부시키가이샤 에스이엔 안테나커버 및 이를 이용한 플라즈마 발생장치
JP2018156864A (ja) * 2017-03-17 2018-10-04 日新電機株式会社 プラズマ処理装置
JP6996096B2 (ja) 2017-03-17 2022-01-17 日新電機株式会社 プラズマ処理装置
GB2590612A (en) * 2019-12-16 2021-07-07 Dyson Technology Ltd Method and apparatus for use in generating plasma

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100565129B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
TWI440405B (zh) 電容式耦合電漿反應器
US20040011466A1 (en) Plasma processing apparatus
KR20060087432A (ko) 플라즈마 한정 및 유동 컨덕턴스 강화 방법 및 장치
US20120031561A1 (en) Plasma generating apparatus
US20060137611A1 (en) Plasma apparatus
US20100237777A1 (en) Plasma generating apparatus
JP5483245B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP5419055B1 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR100806522B1 (ko) 유도 결합 플라즈마 반응기
KR20070112988A (ko) 다중 배열된 방전실을 갖는 플라즈마 반응기 및 이를이용한 플라즈마 처리 시스템
KR20090079696A (ko) 선형 안테나를 구비한 플라즈마 처리 장치
US20100230050A1 (en) Plasma generating apparatus
KR101020075B1 (ko) 유도 결합 플라즈마 반응기
KR20100129368A (ko) 복합 주파수를 이용한 대면적 플라즈마 반응기
KR20040079561A (ko) 다중 배열된 평판 전극 어셈블리 및 이를 이용한 진공프로세스 챔버
KR101585891B1 (ko) 혼합형 플라즈마 반응기
WO2015029090A1 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR101496840B1 (ko) 자기 조절 수단을 구비한 플라즈마 반응기
JP5273759B1 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR101173643B1 (ko) 다중 플라즈마 발생 영역을 갖는 플라즈마 반응기
KR101695380B1 (ko) 유도 결합 플라즈마 처리 장치
KR20100089541A (ko) 플라즈마 화학 기상 증착 장치
KR20100008052A (ko) 화학기상증착 장치
JP2013175480A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application