JP2018156864A

JP2018156864A - プラズマ処理装置

Info

Publication number: JP2018156864A
Application number: JP2017053433A
Authority: JP
Inventors: 靖典安東; Yasunori Ando
Original assignee: Nissin Electric Co Ltd
Current assignee: Nissin Electric Co Ltd
Priority date: 2017-03-17
Filing date: 2017-03-17
Publication date: 2018-10-04
Anticipated expiration: 2037-03-17
Also published as: JP6996096B2

Abstract

【課題】アンテナの両端部におけるプラズマ密度の不均一を低減する。【解決手段】真空容器２内に配置されたアンテナ３に高周波電流を流すことによって真空容器２内にプラズマＰを生成し、プラズマＰを用いて基板Ｗを処理するプラズマ処理装置１００であって、アンテナ３は、少なくとも２つの導体要素３１と、互いに隣り合う導体要素３１の間に設けられて、それら導体要素３１を絶縁する絶縁要素３２と、互いに隣り合う導体要素３１と電気的に直列接続された容量素子３３とを備えるとともに、真空容器２の相対向する側壁２ａ、２ｂを電気的に絶縁された状態で貫通して支持されており、真空容器２内に位置するアンテナ部分において一対の側壁２ａ、２ｂに隣接する両側それぞれに誘電体部材１５が設けられている。【選択図】図１

Description

本発明は、真空容器内に配置されたアンテナに高周波電流を流すことによって前記真空容器内にプラズマを生成し、当該プラズマを用いて基板を処理するプラズマ処理装置に関するものである。

アンテナに高周波電流を流し、それによって生じる誘導電界によって誘導結合型のプラズマ（略称ＩＣＰ）を発生させ、この誘導結合型のプラズマを用いて基板に処理を施すプラズマ処理装置が従来から提案されている。

この種のプラズマ処理装置においては、特許文献１に示すように、直線状のアンテナの両端部を真空容器の相対向する側壁を貫通させるように配置したものがある。このアンテナは、アンテナと側壁との間に設けられた絶縁部材を介して側壁に支持されている。なお、真空容器は電気的に接地されている。

特許文献１のアンテナは１本の金属パイプからなり、このアンテナに高周波電力を供給した場合には、分布定数回路と同様な振る舞いが生じる。すなわち、アンテナの終端側の接続態様によって定まる反射電力が発生し、例えば、接地の場合には、電流強度が終端で最大になるのに対して、有限の負荷を接続した場合には、反射状態の変化により最大値が終端より手前側に移動する。これにより、真空容器の側壁より更に内側に最大値を設定することができる。これは真空容器の側壁近傍でのプラズマ強度を低減させることが可能であることに繋がり、側壁の熱負荷を低減することができる。一方で、波状態が保持されるために定在波の発生、プラズマの不均一性に繋がってしまう。

一方で、特許文献２に示すように、アンテナの構成として、２つの金属パイプを絶縁パイプを介して直線状に接続するとともに２つの金属パイプの間にコンデンサを直列接続したもの（以下、ＬＣアンテナともいう。）がある。

このＬＣアンテナの場合には、いわゆる集中定数回路の構成のため、波状態にはならず定在波は生じないが、アンテナ内で直流と同様に電圧が発生する。その結果、アンテナ端部と真空容器の内壁との間に強い電界が発生することになり、電子や荷電粒子がその電界に沿って加速される。この加速された電子が主に原料ガスの分子と衝突することによって密度の高いプラズマが発生する。その結果、アンテナに沿った両端部で密度が高くなり、不均一なプラズマとなってしまう。そうすると、例えば両端部で厚い膜厚分布になる。さらに、真空容器の内壁への熱負荷が大きく、使用する絶縁部材によっては焼損又は電気的な変質に至る可能性がある。

特開平１１−３１７２９９号公報特開２０１６−７２１６８号公報

そこで本発明は、上記問題点を解決すべくなされたものであり、アンテナの両端部におけるプラズマ密度の不均一を低減することをその主たる課題とするものである。

すなわち本発明に係るプラズマ処理装置は、真空容器内に配置されたアンテナに高周波電流を流すことによって前記真空容器内にプラズマを生成し、当該プラズマを用いて基板を処理するプラズマ処理装置であって、前記アンテナは、少なくとも２つの導体要素と、互いに隣り合う前記導体要素の間に設けられて、それら導体要素を絶縁する絶縁要素と、互いに隣り合う前記導体要素と電気的に直列接続された容量素子とを備えるとともに、前記真空容器の相対向する側壁を電気的に絶縁された状態で貫通して支持されており、前記真空容器内に位置するアンテナ部分において前記一対の側壁に隣接する両側それぞれに誘電体部材が設けられていることを特徴とする。

このようなプラズマ処理装置であれば、真空容器内に位置するアンテナ部分において一対の側壁に隣接する両側それぞれに誘電体部材が設けられているので、アンテナと側壁との間の電界により加速される電子や荷電粒子の飛行が誘電体部材に遮られて、その飛行距離が短くなる。その結果、電子や荷電粒子と原料ガスの分子との衝突回数が減ってプラズマの生成が抑制され、アンテナの両端部におけるプラズマ密度の不均一を低減することができる。また、荷電粒子が飛行する途中に誘電体部材に当たり、その表面が帯電すると、もう一方の電荷を持つ荷電粒子が引き込まれ易くなり、その表面で正・負の荷電粒子が再結合するため、プラズマ密度が減少する。その結果、アンテナの両端部で生成されたプラズマを減少させることができ、これによっても、アンテナの両端部におけるプラズマ密度の不均一を低減することができる。さらに、側壁近傍でのプラズマの発生が抑制されるので、側壁への熱負荷が低減されて、側壁の安定化につながる。

アンテナは、その外側周面の全周において側壁との間で電界を形成し得る。このため、アンテナの両端部において周方向全体に亘ってプラズマの生成を抑制するためには、前記誘電体部材は、前記アンテナを取り囲むように設けられていることが望ましい。

誘電体部材の構成を簡単にしつつ、アンテナの両端部において周方向全体に亘ってプラズマの生成を抑制するためには、前記誘電体部材は、前記アンテナの周囲に設けられた筒状をなすものであることが望ましい。

誘電体部材の構成を簡単にしつつ、アンテナの両端部において周方向全体に亘ってプラズマの生成を抑制するためのその他の構成としては、前記誘電体部材は、前記側壁の内面に沿って配置された板状をなすものであることが望ましい。

このように構成した本発明によれば、真空容器内に位置するアンテナ部分において一対の側壁に隣接する両側それぞれに誘電体部材が設けられているので、アンテナの両端部におけるプラズマ密度の不均一を低減することができる。

本実施形態のプラズマ処理装置の構成を模式的に示す縦断面図である。同実施形態のプラズマ処理装置の構成を模式的に示す横断面図である。同実施形態のコンデンサ周りの構成を模式的に示す断面図である。側壁及びアンテナの間に形成される電界の模式図、及び、当該電界を遮る誘電体部材を示す模式図である。変形実施形態のプラズマ処理装置の構成を模式的に示す縦断面図である。変形実施形態のプラズマ処理装置の構成を模式的に示す横断面図である。変形実施形態のコンデンサ周りの構成を模式的に示す断面図である。

以下に、本発明に係るプラズマ処理装置の一実施形態について、図面を参照して説明する。

＜装置構成＞
本実施形態のプラズマ処理装置１００は、誘導結合型のプラズマＰを用いて基板Ｗに処理を施すものである。ここで、基板Ｗは、例えば、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用の基板、フレキシブルディスプレイ用のフレキシブル基板等である。また、基板Ｗに施す処理は、例えば、プラズマＣＶＤ法による膜形成、エッチング、アッシング、スパッタリング等である。

なお、このプラズマ処理装置１００は、プラズマＣＶＤ法によって膜形成を行う場合はプラズマＣＶＤ装置、エッチングを行う場合はプラズマエッチング装置、アッシングを行う場合はプラズマアッシング装置、スパッタリングを行う場合はプラズマスパッタリング装置とも呼ばれる。

具体的にプラズマ処理装置１００は、図１に示すように、真空排気され且つガス７が導入される真空容器２と、真空容器２内に配置された直線状のアンテナ３と、真空容器２内に誘導結合型のプラズマＰを生成するための高周波をアンテナ３に印加する高周波電源４とを備えている。なお、アンテナ３に高周波電源４から高周波を印加することによりアンテナ３には高周波電流ＩＲが流れて、真空容器２内に誘導電界が発生して誘導結合型のプラズマＰが生成される。

真空容器２は、例えば金属製の容器であり、その内部は真空排気装置６によって真空排気される。真空容器２はこの例では電気的に接地されている。

真空容器２内に、例えば流量調整器（図示省略）及びアンテナ３に沿う方向に配置された複数のガス導入口２１を経由して、ガス７が導入される。ガス７は、基板Ｗに施す処理内容に応じたものにすれば良い。例えば、プラズマＣＶＤ法によって基板Ｗに膜形成を行う場合には、ガス７は、原料ガス又はそれを希釈ガス（例えばＨ_２）で希釈したガスである。より具体例を挙げると、原料ガスがＳｉＨ_４の場合はＳｉ膜を、ＳｉＨ_４＋ＮＨ_３の場合はＳｉＮ膜を、ＳｉＨ_４＋Ｏ_２の場合はＳｉＯ_２膜を、ＳｉＦ_４＋Ｎ_２の場合はＳｉＮ：Ｆ膜（フッ素化シリコン窒化膜）を、それぞれ基板Ｗ上に形成することができる。

また、真空容器２内には、基板Ｗを保持する基板ホルダ８が設けられている。この例のように、基板ホルダ８にバイアス電源９からバイアス電圧を印加するようにしても良い。バイアス電圧は、例えば負の直流電圧、負のバイアス電圧等であるが、これに限られるものではない。このようなバイアス電圧によって、例えば、プラズマＰ中の正イオンが基板Ｗに入射する時のエネルギーを制御して、基板Ｗの表面に形成される膜の結晶化度の制御等を行うことができる。基板ホルダ８内に、基板Ｗを加熱するヒータ８１を設けておいても良い。

アンテナ３は、真空容器２内における基板Ｗの上方に、基板Ｗの表面に沿うように（例えば、基板Ｗの表面と実質的に平行に）配置されている。本実施形態では、図２に示すように、直線状のアンテナ３を複数、基板Ｗに沿うように（例えば、基板Ｗの表面と実質的に平行に）並列に配置している。このようにすると、より広い範囲で均一性の良いプラズマＰを発生させることができ、従ってより大型の基板Ｗの処理に対応することができる。図３ではアンテナ３が４本の例を示しているが、これに限られない。

アンテナ３の両端部付近は、図１及び図２に示すように、真空容器２の相対向する側壁２ａ、２ｂをそれぞれ貫通している。アンテナ３の両端部を真空容器２外へ貫通させる部分には、絶縁部材１１がそれぞれ設けられている。この各絶縁部材１１を、アンテナ３の両端部が貫通しており、その貫通部は例えばパッキン１２によって真空シールされている。この絶縁部材１１を介してアンテナ３は、真空容器２の相対向する側壁２ａ、２ｂに対して電気的に絶縁された状態で支持される。各絶縁部材１１と真空容器２との間も、例えばパッキン１３によって真空シールされている。なお、絶縁部材１１の材質は、例えば、アルミナ等のセラミックス、石英、又はポリフェニンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等のエンジニアリングプラスチック等である。

さらに、アンテナ３において、真空容器２内に位置する部分は、直管状の絶縁カバー１０により覆われている。この絶縁カバー１０の両端部は絶縁部材１１によって支持されている。なお、絶縁カバー１０の両端部と絶縁部材１１間はシールしなくても良い。絶縁カバー１０内の空間にガス７が入っても、当該空間は小さくて電子の移動距離が短いので、通常は空間にプラズマＰは発生しないからである。なお、絶縁カバー１０の材質は、例えば、石英、アルミナ、フッ素樹脂、窒化シリコン、炭化シリコン、シリコン等である。

絶縁カバー１０を設けることによって、プラズマＰ中の荷電粒子がアンテナ３を構成する金属パイプ３１に入射するのを抑制することができるので、金属パイプ３１に荷電粒子（主として電子）が入射することによるプラズマ電位の上昇を抑制することができると共に、金属パイプ３１が荷電粒子（主としてイオン）によってスパッタされてプラズマＰおよび基板Ｗに対して金属汚染（メタルコンタミネーション）が生じるのを抑制することができる。

アンテナ３の一端部である給電端部３ａには、整合回路４１を介して高周波電源４が接続されており、他端部である終端部３ｂは直接接地されている（図１参照）。なお、終端部３ｂは、コンデンサ又はコイル等を介して接地しても良い。

上記構成によって、高周波電源４から、整合回路４１を介して、アンテナ３に高周波電流ＩＲを流すことができる。高周波の周波数は、例えば、一般的な１３．５６ＭＨｚであるが、これに限られるものではない。

アンテナ３は、内部に冷却液ＣＬが流通する流路を有する中空構造のものである。具体的にアンテナ３は、図３に示すように、少なくとも２つの管状をなす金属製の導体要素３１（以下、金属パイプ３１）と、互いに隣り合う金属パイプ３１の間に設けられて、それら金属パイプ３１を絶縁する管状の絶縁要素３２（以下、絶縁パイプ３２）と、互いに隣り合う金属パイプ３１と電気的に直列接続された定量素子であるコンデンサ３３とを備えている。なお、金属パイプ３１及び絶縁パイプ３２の接続部は、冷却液ＣＬに対するシール構造を有している。このシール構造は、公知のシール手段で実現することができ、例えば、パッキンを用いても良いし、公知の管用テーパねじ構造を用いても良い。

本実施形態では金属パイプ３１の数は２つであり、絶縁パイプ３２及びコンデンサ３３の数は各１つである。なお、アンテナ３は、３つ以上の金属パイプ３１を有する構成であっても良く、この場合、絶縁パイプ３２及びコンデンサ３３の数はいずれも金属パイプ３１の数よりも１つ少ないものになる。

なお、冷却液ＣＬは、図１に示すように、真空容器２の外部に設けられた循環流路１４によりアンテナ３を流通するものであり、前記循環流路１４には、冷却液ＣＬを一定温度に調整するための熱交換器などの温調機構１４１と、循環流路１４において冷却液ＣＬを循環させるためのポンプなどの循環機構１４２とが設けられている。冷却液ＣＬとしては、電気絶縁の観点から、高抵抗の水が好ましく、例えば純水またはそれに近い水が好ましい。その他、例えばフッ素系不活性液体などの水以外の液冷媒を用いても良い。

金属パイプ３１は、内部に冷却液ＣＬが流れる直線状の流路が形成された直管状をなすものである。なお、金属パイプ３１の材質は、例えば、銅、アルミニウム、これらの合金、ステンレス等である。

絶縁パイプ３２は、内部に冷却液ＣＬが流れる直線状の流路が形成された直管状をなすものである。なお、絶縁パイプ３２の材質は、例えば、アルミナ、フッ素樹脂、ポリエチレン（ＰＥ）、エンジニアリングプラスチック（例えばポリフェニンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）など）等である。

コンデンサ３３は、絶縁パイプ３２の外周部に配置された層状のものである。具体的にコンデンサ３３は、絶縁パイプ３２の外周部に配置されるとともに、一方の金属パイプ３１に電気的に接続された第１の電極３３Ａと、絶縁パイプ３２の外周部において第１の電極３３Ａと対向して配置されるとともに、他方の金属パイプ３１に電気的に接続された第２の電極３３Ｂと、第１の電極３３Ａ及び第２の電極３３Ｂの間に配置された誘電体３３Ｃとを有する。

第１の電極３３Ａ及び第２の電極３３Ｂは、例えば金属の膜、箔、フィルム、シート等である。第１の電極３３Ａ及び第２の電極３３Ｂの材質は、例えば、アルミニウム、銅、これらの合金等である。

誘電体３３Ｃの材質は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）等である。

この構成のコンデンサ３３は、例えば、フィルム状の誘電体３３Ｃの両主面に電極３３Ａ、３３Ｂを金属蒸着等によって形成したものを、絶縁パイプ３２の外周部に所定回数巻き付けた構造のものでも良いし、その他の構造のものでも良い。

そして、本実施形態では、図１及び図２に示すように、真空容器２内に位置するアンテナ部分において一対の側壁２ａ、２ｂに隣接する両側それぞれに誘電体部材１５が設けられている。この誘電体部材１５は、図４に示すように、誘電体部材１５が無い場合に側壁２ａ、２ｂ及びアンテナ３の端部の間に形成される電界の方向と交差して設けられている。これにより、前記電界に沿って飛行する電子や荷電粒子は、側壁２ａ、２ｂに到達する前に誘電体部材１５に当たり、その飛行距離が短くなる。

誘電体部材１５は、それ全体が誘電体物質で構成されたものである。誘電体部材１５の材質は、アルミナ、炭化ケイ素、窒化ケイ素等のセラミックス、石英ガラス、無アルカリガラス、その他の無機材料、又は、シリコン等である。

この誘電体部材１５は、真空容器２内に位置するアンテナ３において、その両端部に設けられている。具体的には、真空容器２内において側壁２ａ、２ｂの内面に隣接して設けられている。なお、誘電体部材１５は、図示しない絶縁部材を介して例えば真空容器２に非接地状態（フローティング状態）で固定されている。

この誘電体部材１５は、アンテナ３の両端部それぞれに複数（図１等の例では３つ）設けられている。また、誘電体部材１５は、側壁２ａ、２ｂに沿って配置された板状をなすものである。この例では、平板状の誘電体部材１５がアンテナ３の長手方向に直交する方向に沿って、互いに平行となるように設けられている。なお、平板状の誘電体部材１５は、アンテナ３の長手方向に直交する方向から傾斜して設けられるものであっても良い。また、平板状の誘電体部材１５は、側壁２ａ、２ｂの内面に平行に設けられる構成に限られず、側壁２ａ、２ｂの内面に対して傾斜して設けられる構成であっても良い。

各誘電体部材１５は、アンテナ３及び絶縁カバー１０から離間して設けられており、アンテナ３及び絶縁カバー１０が挿通される貫通孔を有するものである。なお、各アンテナ３の端部に設けられる複数の誘電体部材１５は同一形状である必要はなく、互いに異なる形状であっても良い。

本実施形態では、複数のアンテナ３それぞれに複数の誘電体部材１５が設けられており、互いに隣接する２つのアンテナ３において各誘電体部材１５が兼用されている。つまり、１つの誘電体部材１５には、少なくとも２つのアンテナ３を挿通される２つ以上の貫通孔が形成されている。この構成により、誘電体部材１５の部品点数を削減することができる。

＜本実施形態の効果＞
このように構成した本実施形態のプラズマ処理装置１００によれば、真空容器２内に位置するアンテナ部分において一対の側壁２ａ、２ｂに隣接する両側それぞれに誘電体部材１５が設けられているので、アンテナ３と側壁２ａ、２ｂとの間の電界により加速される電子や荷電粒子の飛行が誘電体部材１５に遮られて、その飛行距離が短くなる。その結果、電子や荷電粒子と原料ガスの分子との衝突回数が減ってプラズマＰの生成が抑制され、アンテナ３の両端部におけるプラズマ密度の不均一を低減することができる。また、荷電粒子が飛行する途中に誘電体部材１５に当たり、その表面が帯電すると、もう一方の電荷を持つ荷電粒子が引き込まれ易くなり、その表面で正・負の荷電粒子が再結合するため、プラズマ密度が減少する。その結果、アンテナ３の両端部で生成されたプラズマＰを減少させることができ、これによっても、アンテナ３の両端部におけるプラズマ密度の不均一を低減することができる。さらに、側壁近傍でのプラズマＰの発生が抑制されるので、側壁２ａ、２ｂへの熱負荷が低減されて、側壁２ａ、２ｂの安定化につながる。

また、本実施形態では、アンテナ３の両端部それぞれに誘電体部材１５を複数設けているので、電界により加速される電子や荷電粒子の飛行距離を一層短くすることができ、プラズマＰの生成が一層抑制され、アンテナ３の両端部におけるプラズマ密度の不均一を一層低減することができる。また、アンテナ３の両端部に設ける誘電体部材１５の個数を調整することによって、プラズマＰの側壁２ａ、２ｂ側への拡がりを調整することができ、アンテナ３の両端部におけるプラズマ密度の不均一をより一層低減することができる。

さらに、本実施形態では、絶縁パイプ３２を介して互いに隣り合う金属パイプ３１にコンデンサ３３を電気的に直列接続しているので、アンテナ３の合成リアクタンスは、簡単に言えば、誘導性リアクタンスから容量性リアクタンスを引いた形になるので、アンテナ３のインピーダンスを低減させることができる。その結果、アンテナ３を長くする場合でもそのインピーダンスの増大を抑えることができ、アンテナ３に高周波電流が流れやすくなり、誘導結合型のプラズマＰを効率良く発生させることができる。

＜その他の変形実施形態＞
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。

例えば、誘電体部材１５の構成は前記実施形態に限られず、図５及び図６に示すものであっても良い。この誘電体部材１５は、アンテナの周囲に設けられた筒状をなすものであっても良い。この例では、アンテナ３の両端部に、アンテナ３の中心軸と同軸上に配置された筒状をなすものである。より詳細には、互いに径の異なる複数の円筒状の誘電体部材１５が、アンテナ３の中心軸と同軸上に配置されている。図５及び図６では、２つの誘電体部材１５を有しており、大径の誘電体部材１５は、絶縁部材１１の外周をも覆うように設けられており、小径の誘電体部材１５は、絶縁部材１１の内端よりも内側に設けられている。

また、前記実施形態の平板状の誘電体部材１５は、互いに隣接するアンテナ３で兼用されるものであったが、それぞれ別個に設けられても良い。

さらに、誘電体部材１５は、アンテナ３から側壁２ａ、２ｂの内面に向かって飛行する電子や荷電粒子を遮る形状であればよく、上述した平板状や円筒状の他に、屈曲又は湾曲した板状、円錐台や四角等の筒状であっても良いし、実質的に筒状とみなせるものであれば、一部にスリットが入ったものであっても良い。

その上、誘電体部材１５は、単一の部材から構成されてアンテナ３の外周全体を覆うものであったが、複数の部材から構成されてそれら複数の部材をアンテナ３の外周にアンテナ３を取り囲むように配置するものであっても良い。

誘電体部材１５は、アンテナ３の外周の一部を覆うものであっても良い。この場合、アンテナ３に対して基板側に設けることが望ましい。

アンテナ３のコンデンサ３３の構成としては、絶縁パイプ３２の一方側の金属パイプ３１の一部を第１の電極としても良い。この構成であれば、コンデンサ３３の構成を簡略化することができるとともに、アンテナ内部を流れる冷却水によるコンデンサ（特に誘電体）の冷却性能を向上させることができる。

また、アンテナ２のコンデンサ３３は、図７に示すように、絶縁パイプ３２の内部に設けられる構成、具体的には、絶縁パイプ３２の冷却液ＣＬが流れる流路に設けられる構成であっても良い。

具体的にコンデンサ３３は、絶縁パイプ３２の一方側の金属パイプ３１と電気的に接続された第１の電極３３Ａと、絶縁パイプ３２の他方側の金属パイプ３１と電気的に接続されるとともに、第１の電極３３Ａに対向して配置された第２の電極３３Ｂとを備えており、第１の電極３３Ａ及び第２の電極３３Ｂの間の空間を冷却液ＣＬが満たすように構成されている。つまり、この第１の電極３３Ａ及び第２の電極３３Ｂの間の空間を流れる冷却液ＣＬが、コンデンサ３３を構成する液体の誘電体となる。各電極３３Ａ、３３Ｂは、概略回転体形状をなすとともに、その中心軸に沿って中央部に流路３３ｘが形成されている。具体的に各電極３３Ａ、３３Ｂは、金属パイプ３１における絶縁パイプ３２側の端部に電気的に接触するフランジ部３３１と、当該フランジ部３３１から絶縁パイプ３２側に延出した例えば円筒状の延出部３３２とを有している。フランジ部３３１は、金属パイプ３１及び絶縁パイプ３２の間に挟持される。また、フランジ部にも冷却水が流れる貫通孔３３１ｈが形成されている。

その上、前記実施形態では、アンテナは直線状をなすものであったが、湾曲又は屈曲した形状であっても良い。この場合、金属パイプが湾曲又は屈曲した形状であっても良いし、絶縁パイプが湾曲又は屈曲した形状であっても良い。

加えて、導体要素及び絶縁要素は、１つの内部流路を有する管状をなすものであったが、２以上の内部流路を有するもの、或いは、分岐した内部流路を有するものであっても良い。また、導体要素及び／又は絶縁要素が中実のものであっても良い。

その他、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。

１００・・・プラズマ処理装置
Ｗ・・・基板
Ｐ・・・プラズマ
２・・・真空容器
２ａ、２ｂ・・・側壁
３・・・アンテナ
１５・・・誘電体部材

Claims

真空容器内に配置されたアンテナに高周波電流を流すことによって前記真空容器内にプラズマを生成し、当該プラズマを用いて基板を処理するプラズマ処理装置であって、
前記アンテナは、少なくとも２つの導体要素と、互いに隣り合う前記導体要素の間に設けられて、それら導体要素を絶縁する絶縁要素と、互いに隣り合う前記導体要素と電気的に直列接続された容量素子とを備えるとともに、前記真空容器の相対向する側壁を電気的に絶縁された状態で貫通して支持されており、
前記真空容器内に位置するアンテナ部分において前記一対の側壁に隣接する両側それぞれに誘電体部材が設けられているプラズマ処理装置。
前記誘電体部材は、前記アンテナを取り囲むように設けられている、請求項１記載のプラズマ処理装置。
前記誘電体部材は、前記アンテナの周囲に設けられた筒状をなすものである、請求項１又は２記載のプラズマ処理装置。
前記誘電体部材は、前記側壁の内面に沿って配置された板状をなすものである、請求項１又は２記載のプラズマ処理装置。
前記誘電体部材は、その厚み方向に複数配置されている請求項１乃至４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。